JP4493638B2 - 真空処理方法 - Google Patents
真空処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4493638B2 JP4493638B2 JP2006279297A JP2006279297A JP4493638B2 JP 4493638 B2 JP4493638 B2 JP 4493638B2 JP 2006279297 A JP2006279297 A JP 2006279297A JP 2006279297 A JP2006279297 A JP 2006279297A JP 4493638 B2 JP4493638 B2 JP 4493638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- chuck plate
- electrostatic chuck
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
このようなダスト発生に対しては、従来いくつかの対処法が考えられていた。
fc=(1/2)・ε・(V/d)2 …(1)
f=μN=μ(Mg+fc) …(2)
と表すことができる。
f≒μfc …(3)
と近似できる。静電チャックプレートの種類にもよるが、静電吸着力は3000g/cm2 を超えるものもあるので、この近似は妥当といえる。
一般に、摩擦力fを小さくするためにはグリス状の潤滑剤が用いられており、摩擦が生じる摺動面へ塗布することで、摩擦係数μが小さくされている。
実際に、セラミック製ヒーター付き静電チャックプレートを用い、真空雰囲気(1.3×10-4Pa)中で静電チャックプレートを250℃に昇温させ、静電チャックプレート中の電極に±300Vの電圧を印加し、基板を吸着させた。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の真空処理方法であって、前記基板を静電吸着して加熱する際、前記処理室内を大気圧の前記潤滑ガス雰囲気にすることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理方法であって、前記基板が所定温度に昇温した後、前記処理室内を真空排気して前記第2の圧力に低下させることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空処理方法であって、前記潤滑ガスは希ガス又は窒素ガスであることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空処理方法であって、前記真空処理は、前記第2の圧力にされた後、静電吸着された前記基板表面にスパッタリング法によって薄膜を形成する処理であり、前記潤滑ガスには、希ガスであるスパッタリングガスを用いることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の真空処理方法であって、前記基板は、前記処理室内を真空排気した後、真空雰囲気を維持しながら前記処理室内に搬入することを特徴とする。
また、潤滑ガスの導入孔を処理室1に設けず、潤滑ガスが静電チャックプレート2の表面から吹き出すように構成してもよい。このような構成すると、潤滑ガスの消費量を少なくすることができる。
Claims (6)
- 処理室内に設けられた静電チャックプレート上に基板を静電吸着させて前記基板を真空処理する真空処理方法であって、
昇温された前記静電チャックプレート上に処理対象の基板を配置し、
100Paよりも圧力が低い予備真空状態の前記処理室内に、前記処理室に接続されたガスボンベから潤滑ガスを導入し、前記処理室内を昇圧させ、100Pa以上の第1の圧力下で、前記静電チャックプレートによって前記基板を静電吸着し、前記静電チャックプレートからの熱伝導によって前記基板を加熱した後、前記処理室の内部を真空排気して圧力を低下させ、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力にした状態で前記基板を真空処理する真空処理方法。 - 前記基板を静電吸着して加熱する際、前記処理室内を大気圧の前記潤滑ガス雰囲気にする請求項1記載の真空処理方法。
- 前記基板が所定温度に昇温した後、前記処理室内を真空排気して前記第2の圧力に低下させる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の真空処理方法。
- 前記潤滑ガスは希ガス又は窒素ガスである請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空処理方法。
- 前記真空処理は、前記第2の圧力にされた後、静電吸着された前記基板表面にスパッタリング法によって薄膜を形成する処理であり、前記潤滑ガスには、希ガスであるスパッタリングガスを用いる請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の真空処理方法。
- 前記基板は、前記処理室内を真空排気した後、真空雰囲気を維持しながら前記処理室内に搬入する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の真空処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006279297A JP4493638B2 (ja) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006279297A JP4493638B2 (ja) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 真空処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6613398A Division JPH11251418A (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 真空処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007036289A JP2007036289A (ja) | 2007-02-08 |
JP4493638B2 true JP4493638B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=37795059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006279297A Expired - Lifetime JP4493638B2 (ja) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | 真空処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493638B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008120467A1 (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Panasonic Corporation | 半導体装置の製造方法 |
JP5995567B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-09-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP6184760B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6294953A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Toto Ltd | 静電チヤツク基盤の製造方法 |
JPH04147643A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放電防止接点内蔵真空継ぎ手、パレット及びパレットへの給電方法 |
JPH0997830A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-04-08 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャックホールダ、ウエハ保持機構ならびにその使用方法 |
-
2006
- 2006-10-12 JP JP2006279297A patent/JP4493638B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6294953A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-05-01 | Toto Ltd | 静電チヤツク基盤の製造方法 |
JPH04147643A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 放電防止接点内蔵真空継ぎ手、パレット及びパレットへの給電方法 |
JPH0997830A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-04-08 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャックホールダ、ウエハ保持機構ならびにその使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007036289A (ja) | 2007-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7624772B2 (en) | Load lock apparatus, processing system and substrate processing method | |
JP5309150B2 (ja) | スパッタリング装置及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
JP2008297584A (ja) | 成膜装置 | |
US20050045101A1 (en) | Thin-film deposition system | |
JP6067877B2 (ja) | 基板処理装置および方法 | |
JPH11340203A (ja) | 真空処理装置及びその処理台 | |
KR102256563B1 (ko) | 기판 배치 기구, 성막 장치 및 성막 방법 | |
TW201027665A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP3258885B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
JPH11200035A (ja) | スパッタ化学蒸着複合装置 | |
JP4493638B2 (ja) | 真空処理方法 | |
US8361549B2 (en) | Power loading substrates to reduce particle contamination | |
JP2015076458A (ja) | 真空処理装置 | |
JP5232868B2 (ja) | 基板管理方法 | |
US20070138009A1 (en) | Sputtering apparatus | |
JP4774025B2 (ja) | 吸着装置、搬送装置 | |
KR20100031460A (ko) | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
JP5334984B2 (ja) | スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
WO2010044235A1 (ja) | スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
JPH11251418A (ja) | 真空処理方法 | |
JP2001004505A (ja) | ゲートバルブ,それを備える試料処理装置及び試料処理方法 | |
JP2002100616A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007221171A (ja) | 異種薄膜作成装置 | |
JP3987617B2 (ja) | コンタクト膜バリア膜連続作成装置及び異種薄膜連続作成装置 | |
JP3976386B2 (ja) | フッ素ガスを用いた選択cvd方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160416 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |