JP2002100616A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2002100616A JP2002100616A JP2000291717A JP2000291717A JP2002100616A JP 2002100616 A JP2002100616 A JP 2002100616A JP 2000291717 A JP2000291717 A JP 2000291717A JP 2000291717 A JP2000291717 A JP 2000291717A JP 2002100616 A JP2002100616 A JP 2002100616A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れること
のない電極板を有するプラズマ装置を提供する。 【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面
の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支
持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜
の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプ
ラズマ装置を構成する。
のない電極板を有するプラズマ装置を提供する。 【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面
の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支
持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜
の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプ
ラズマ装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体基板等の基
板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関し，特に
それに用いられる電極に関する。
板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に関し，特に
それに用いられる電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から例えば半導体製造プロセスにお
いては，半導体ウエハなどの表面の絶縁膜をエッチング
して，例えばコンタクトホールを形成するための装置と
してプラズマ装置が使用されている。
いては，半導体ウエハなどの表面の絶縁膜をエッチング
して，例えばコンタクトホールを形成するための装置と
してプラズマ装置が使用されている。
【０００３】中でもとりわけ処理室内の上下に電極を配
置した平行平板型のプラズマ装置は，均一性に優れ，大
口径ウエハの処理が可能で，装置構成も比較的簡易であ
ることからプラズマ装置の主流となっている。
置した平行平板型のプラズマ装置は，均一性に優れ，大
口径ウエハの処理が可能で，装置構成も比較的簡易であ
ることからプラズマ装置の主流となっている。
【０００４】従来の平行平板型のエッチング装置は，例
えば処理室内の上下に電極が対向して設けられており，
被処理基板である半導体ウエハは下側の電極に載置さ
れ，この処理室内にエッチングガスを導入すると共に，
高周波電力を上部および下部電極に供給して上下電極間
に好ましい解離状態のプラズマを発生させ，エッチング
ガスの解離によって生じたエッチャント成分によって，
半導体ウエハの絶縁膜をエッチングするように構成され
ている。
えば処理室内の上下に電極が対向して設けられており，
被処理基板である半導体ウエハは下側の電極に載置さ
れ，この処理室内にエッチングガスを導入すると共に，
高周波電力を上部および下部電極に供給して上下電極間
に好ましい解離状態のプラズマを発生させ，エッチング
ガスの解離によって生じたエッチャント成分によって，
半導体ウエハの絶縁膜をエッチングするように構成され
ている。
【０００５】図３は，従来のエッチング装置における，
上部電極１２１を模式的に示した図である。図３に示す
ように，上部電極１２１は，電極板１２３，その上部に
位置する電極支持体１２２を有する。
上部電極１２１を模式的に示した図である。図３に示す
ように，上部電極１２１は，電極板１２３，その上部に
位置する電極支持体１２２を有する。
【０００６】電極支持体１２２は，例えばアルミニウム
で構成される。電極支持体１２２は，電極板１２３を支
持すると共に，電極板１２３のクーリングプレートとし
て機能する。
で構成される。電極支持体１２２は，電極板１２３を支
持すると共に，電極板１２３のクーリングプレートとし
て機能する。
【０００７】電極板１２３は，ネジ１６０によって電極
支持体１２２に取りはずし可能に設置されており，メイ
ンテナンスなどは取り外して行う。電極板１２３は，例
えばシリコン材等が用いられる。
支持体１２２に取りはずし可能に設置されており，メイ
ンテナンスなどは取り外して行う。電極板１２３は，例
えばシリコン材等が用いられる。
【０００８】従来の上部電極１２１を有するエッチング
装置を用いてプラズマ処理を行うと，高真空にした装置
内に処理ガスが導入され，高周波電力が印加されて処理
室内の温度が上昇するため，電極支持体１２２のアルミ
ニウム材と，電極板１２３のシリコン材とが両者の境界
面で融着を起こすことがあった。
装置を用いてプラズマ処理を行うと，高真空にした装置
内に処理ガスが導入され，高周波電力が印加されて処理
室内の温度が上昇するため，電極支持体１２２のアルミ
ニウム材と，電極板１２３のシリコン材とが両者の境界
面で融着を起こすことがあった。
【０００９】図４は，従来の上部電極１２１をエッチン
グ処理に使用した後，融着を起こした状態を模式的に示
した断面図，図５は，電極支持体１２２から取り外した
融着を起こした電極板１２３を概念的に示した図であ
る。
グ処理に使用した後，融着を起こした状態を模式的に示
した断面図，図５は，電極支持体１２２から取り外した
融着を起こした電極板１２３を概念的に示した図であ
る。
【００１０】図４および図５に示すように，電極支持体
１２２と電極板１２３の境界面でアルミニウムの食われ
１６５およびシリコンの融着１６７などの凹凸が生じ，
平面性が損なわれている。
１２２と電極板１２３の境界面でアルミニウムの食われ
１６５およびシリコンの融着１６７などの凹凸が生じ，
平面性が損なわれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで，エッチング
装置のクリーニングなどメインテナンスのためにはずさ
れた電極板１２３を再び電極支持体１２２に取り付ける
際，凹凸の位置関係は取り外し前とは異なることが避け
られない。よって，再装着時にネジ１６０で固定する際
に電極支持体１２２および電極板１２３の凸部に応力が
集中し，電極板１２３が割れを起こすという問題があっ
た。
装置のクリーニングなどメインテナンスのためにはずさ
れた電極板１２３を再び電極支持体１２２に取り付ける
際，凹凸の位置関係は取り外し前とは異なることが避け
られない。よって，再装着時にネジ１６０で固定する際
に電極支持体１２２および電極板１２３の凸部に応力が
集中し，電極板１２３が割れを起こすという問題があっ
た。
【００１２】本発明は，従来のプラズマ装置が有する上
記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，シリコンおよびアルミニウムの融着を防止して再装
着しても割れの生じない電極板を有するプラズマ装置を
提供することである。
記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的
は，シリコンおよびアルミニウムの融着を防止して再装
着しても割れの生じない電極板を有するプラズマ装置を
提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明によれば，真空処理室内において被処理体を
載置可能な第１電極と，第１電極に対向配置された第２
電極と，真空処理室内に処理ガスを導入するガス導入手
段と，少なくとも第２電極に高周波電力を印加して処理
ガスをプラズマ化する高周波電力供給手段とを備えたプ
ラズマ処理装置において，第２電極は，基台と，被処理
体に対する対向面を形成する電極材とから成り，基台と
電極材との接触面には少なくともどちらか片方に絶縁被
膜が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置
が提供される。
め，本発明によれば，真空処理室内において被処理体を
載置可能な第１電極と，第１電極に対向配置された第２
電極と，真空処理室内に処理ガスを導入するガス導入手
段と，少なくとも第２電極に高周波電力を印加して処理
ガスをプラズマ化する高周波電力供給手段とを備えたプ
ラズマ処理装置において，第２電極は，基台と，被処理
体に対する対向面を形成する電極材とから成り，基台と
電極材との接触面には少なくともどちらか片方に絶縁被
膜が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置
が提供される。
【００１４】絶縁被膜の厚みは，５０μｍ以下，好まし
くは１０〜３０μｍが適当である。また，基台は，アル
ミニウム，電極材はシリコンで構成することができる。
絶縁被膜の材料には，アルミニウムの表面には希土類酸
化物またはアルミニウム化合物，シリコンの表面にはシ
リコン化合物を用いることができる。かかる構成によれ
ば，再装着しても割れを起こすことのない電極を有する
耐久性に優れたプラズマ装置が提供される。
くは１０〜３０μｍが適当である。また，基台は，アル
ミニウム，電極材はシリコンで構成することができる。
絶縁被膜の材料には，アルミニウムの表面には希土類酸
化物またはアルミニウム化合物，シリコンの表面にはシ
リコン化合物を用いることができる。かかる構成によれ
ば，再装着しても割れを起こすことのない電極を有する
耐久性に優れたプラズマ装置が提供される。
【００１５】 〔発明の詳細な説明〕以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるプラズマ装置の好適な実施の形態につい
て詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，
実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，
同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本発明にかかるプラズマ装置の好適な実施の形態につい
て詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，
実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，
同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】図１は，本発明の第１の実施形態にかかる
プラズマ装置１の構成を示す断面図である。プラズマ装
置１における処理室２は，例えば酸化アルマイト処理さ
れたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器とし
て形成され，接地されている。
プラズマ装置１の構成を示す断面図である。プラズマ装
置１における処理室２は，例えば酸化アルマイト処理さ
れたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器とし
て形成され，接地されている。
【００１７】処理室２内の底部にはセラミックなどの絶
縁支持板３が設けられており，この絶縁支持板３の上部
に，被処理基板，例えば直径８インチの半導体ウエハＷ
を載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けら
れている。さらにサセプタ支持台４の上に，下部電極を
構成するサセプタ５が設けられており，ハイパスフィル
ター（ＨＰＦ）６が接続されている。
縁支持板３が設けられており，この絶縁支持板３の上部
に，被処理基板，例えば直径８インチの半導体ウエハＷ
を載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けら
れている。さらにサセプタ支持台４の上に，下部電極を
構成するサセプタ５が設けられており，ハイパスフィル
ター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００１８】サセプタ支持台４の内部には熱交換室７が
設けられ，外部から熱交換媒体が熱交換媒体導入管８お
よび熱交換媒体排出管９を介して循環し，サセプタ５を
介して半導体ウエハＷを所定温度に維持することが可能
なように構成されている。またかかる温度は，温度セン
サ（図示せず），温度制御機構（図示せず）によって自
動的に制御される構成となっている。
設けられ，外部から熱交換媒体が熱交換媒体導入管８お
よび熱交換媒体排出管９を介して循環し，サセプタ５を
介して半導体ウエハＷを所定温度に維持することが可能
なように構成されている。またかかる温度は，温度セン
サ（図示せず），温度制御機構（図示せず）によって自
動的に制御される構成となっている。
【００１９】またサセプタ５上には，半導体ウエハＷを
吸着保持するための静電チャック１１が設けられてい
る。この静電チャック１１は，例えば導電性の薄膜電極
１２をポリイミド系の樹脂によって上下から挟持した構
成を有し，処理室２の外部に設置されている直流電源１
３から例えば１．５ｋＶの電圧が電極１２に印加される
と，そのクーロン力によってウエハＷは，静電チャック
１１の上面に吸着保持されるようになっている。もちろ
んそのような静電チャックに拠らず，機械的クランプに
よってウエハＷの周縁部を押圧するようにして，サセプ
タ５上にウエハＷを保持する構成としてもよい。
吸着保持するための静電チャック１１が設けられてい
る。この静電チャック１１は，例えば導電性の薄膜電極
１２をポリイミド系の樹脂によって上下から挟持した構
成を有し，処理室２の外部に設置されている直流電源１
３から例えば１．５ｋＶの電圧が電極１２に印加される
と，そのクーロン力によってウエハＷは，静電チャック
１１の上面に吸着保持されるようになっている。もちろ
んそのような静電チャックに拠らず，機械的クランプに
よってウエハＷの周縁部を押圧するようにして，サセプ
タ５上にウエハＷを保持する構成としてもよい。
【００２０】さらに，絶縁板３，サセプタ支持台４，サ
セプタ５，および静電チャック１１には，半導体ウエハ
Ｗの裏面に例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通
路１４が形成されており，このＨｅガスなどの伝熱媒体
を介して半導体ウエハＷが所定の温度に維持される。
セプタ５，および静電チャック１１には，半導体ウエハ
Ｗの裏面に例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通
路１４が形成されており，このＨｅガスなどの伝熱媒体
を介して半導体ウエハＷが所定の温度に維持される。
【００２１】サセプタ５上の周辺には，静電チャック１
１を囲むようにして，略環状のフォーカスリング１５が
設けられている。フォーカスリング１５は例えば導電性
のシリコンからなり，プラズマ中のイオンを効果的に半
導体ウエハＷに入射させる機能を有している。
１を囲むようにして，略環状のフォーカスリング１５が
設けられている。フォーカスリング１５は例えば導電性
のシリコンからなり，プラズマ中のイオンを効果的に半
導体ウエハＷに入射させる機能を有している。
【００２２】処理室２内の上部には，絶縁部材２５およ
びシールドリング５５を介して，上部電極２１が支持さ
れている。上部電極２１は，例えばアルミニウムからな
る電極支持体２２および，サセプタ５と平行に対向し，
多数の吐出孔２４を備えた例えばシリコンからなる電極
板２３等を有している。サセプタ５と上部電極２１と
は，例えば１０〜６０ｍｍ程度離間している。上部電極
２１の詳細な構成は後述する。
びシールドリング５５を介して，上部電極２１が支持さ
れている。上部電極２１は，例えばアルミニウムからな
る電極支持体２２および，サセプタ５と平行に対向し，
多数の吐出孔２４を備えた例えばシリコンからなる電極
板２３等を有している。サセプタ５と上部電極２１と
は，例えば１０〜６０ｍｍ程度離間している。上部電極
２１の詳細な構成は後述する。
【００２３】電極支持体２２には，ガス導入口２６が設
けられ，ガス供給管２７に接続されている。さらに，バ
ルブ２８およびマスフローコントローラ２９を介して処
理ガス供給源３０に接続され，エッチングガスやその他
の処理ガスが処理室２内に導入される。
けられ，ガス供給管２７に接続されている。さらに，バ
ルブ２８およびマスフローコントローラ２９を介して処
理ガス供給源３０に接続され，エッチングガスやその他
の処理ガスが処理室２内に導入される。
【００２４】処理ガスとしては，例えば，フロロカーボ
ンガス（ＣｘＦｙ），ハイドロフロロカーボンガス（Ｃ
ｐＨｑＦｒ）等の，ハロゲン元素を含有するガスを用い
ることができる。
ンガス（ＣｘＦｙ），ハイドロフロロカーボンガス（Ｃ
ｐＨｑＦｒ）等の，ハロゲン元素を含有するガスを用い
ることができる。
【００２５】処理室２の下部には，真空ポンプなどの排
気装置３５に通ずる排気管３１が接続されている。排気
装置３５は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備え
ており，処理室２内は，例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１００
０ｍＴｏｒｒの任意の減圧度にまで真空引きすることが
可能となっている。
気装置３５に通ずる排気管３１が接続されている。排気
装置３５は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備え
ており，処理室２内は，例えば１０ｍＴｏｒｒ〜１００
０ｍＴｏｒｒの任意の減圧度にまで真空引きすることが
可能となっている。
【００２６】処理室２の側壁には，ゲートバルブ３２が
設けられ，ゲートバルブ３２を開にした状態で半導体ウ
エハＷを，隣接するロードロック室（図示せず）との間
で搬送させるようになっている。
設けられ，ゲートバルブ３２を開にした状態で半導体ウ
エハＷを，隣接するロードロック室（図示せず）との間
で搬送させるようになっている。
【００２７】次にこのプラズマ装置１の高周波電力の供
給系について説明する。まず上部電極２１に対しては，
整合器４１および給電棒３３を介して，周波数が２７〜
１５０ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力する第１の高
周波電源４０からの電力が供給される構成となってい
る。また，上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰ
Ｆ）４２が接続されている。
給系について説明する。まず上部電極２１に対しては，
整合器４１および給電棒３３を介して，周波数が２７〜
１５０ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力する第１の高
周波電源４０からの電力が供給される構成となってい
る。また，上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰ
Ｆ）４２が接続されている。
【００２８】このように高い周波数を印加することによ
り，処理室２内に，好ましい解離状態でかつ高密度のプ
ラズマを形成でき，低圧条件下のプラズマ処理が可能と
なる。本実施の形態では，高周波電源４０として，６０
ＭＨｚのものを用いている。
り，処理室２内に，好ましい解離状態でかつ高密度のプ
ラズマを形成でき，低圧条件下のプラズマ処理が可能と
なる。本実施の形態では，高周波電源４０として，６０
ＭＨｚのものを用いている。
【００２９】一方下部電極となるサセプタ５に対して
は，周波数がたとえば４ＭＨｚ以下の高周波電力を出力
する高周波電源５０からの電力が，整合器５１を介して
供給される構成となっている。このような範囲の周波数
を印加することで，半導体ウエハＷに対してダメージを
与えることなく適切なイオン作用を与えることができ
る。
は，周波数がたとえば４ＭＨｚ以下の高周波電力を出力
する高周波電源５０からの電力が，整合器５１を介して
供給される構成となっている。このような範囲の周波数
を印加することで，半導体ウエハＷに対してダメージを
与えることなく適切なイオン作用を与えることができ
る。
【００３０】次に，上部電極２１の構成について詳細に
説明する。図２は，本実施の形態にかかる上部電極２１
を模式的に示す断面図である。上部電極２１は，電極支
持体２２，電極板２３および絶縁被膜６２等を有してい
る。
説明する。図２は，本実施の形態にかかる上部電極２１
を模式的に示す断面図である。上部電極２１は，電極支
持体２２，電極板２３および絶縁被膜６２等を有してい
る。
【００３１】電極支持体２２は，電極板２３を支持する
と共に，高周波電力を伝達し，またその高い熱伝導性に
よって電極板２３の温度分布を一定に保ち，かつ温度上
昇を防ぐクーリング材として機能する。電極板２３は，
ネジ６０によって取り外し可能に電極支持体２２に固定
される。
と共に，高周波電力を伝達し，またその高い熱伝導性に
よって電極板２３の温度分布を一定に保ち，かつ温度上
昇を防ぐクーリング材として機能する。電極板２３は，
ネジ６０によって取り外し可能に電極支持体２２に固定
される。
【００３２】従来は，エッチングレートおよび熱拡散性
を考慮して，電極支持体と電極板は，直接接触するよう
に構成されていた。しかし，本実施の形態においては，
電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくともど
ちらか片方に，薄い絶縁被膜６２を形成してある。電極
支持体２２がアルミニウムで構成され，その表面に絶縁
被膜６２が設けられる場合は，希土類酸化物またはアル
ミニウム化合物などを絶縁被膜６２の材料として用いる
ことができる。希土類酸化物とは，例えばＹ２Ｏ３溶射
膜，アルミニウム化合物とは，例えば，アルマイト被
膜，Ａｌ２Ｏ３溶射膜などが適用できる。
を考慮して，電極支持体と電極板は，直接接触するよう
に構成されていた。しかし，本実施の形態においては，
電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくともど
ちらか片方に，薄い絶縁被膜６２を形成してある。電極
支持体２２がアルミニウムで構成され，その表面に絶縁
被膜６２が設けられる場合は，希土類酸化物またはアル
ミニウム化合物などを絶縁被膜６２の材料として用いる
ことができる。希土類酸化物とは，例えばＹ２Ｏ３溶射
膜，アルミニウム化合物とは，例えば，アルマイト被
膜，Ａｌ２Ｏ３溶射膜などが適用できる。
【００３３】また，電極板２３がシリコンで構成され，
その表面に絶縁被膜６２が設けられる場合には，シリコ
ン化合物を絶縁被膜６２の材料として用いることができ
る。シリコン化合物とは，例えば，ＳｉＯ２，Ｓｉ３ｎ
４などである。これにより，電極支持体２２のアルミニ
ウムと，電極板２３のシリコンが直接接触することを避
けられるので，融着を防止できる。また，絶縁被膜６２
を，例えば５０μｍ以下の厚さにすることで，高周波の
伝達および熱伝導を妨げることなく十分なエッチングレ
ートを確保できる。
その表面に絶縁被膜６２が設けられる場合には，シリコ
ン化合物を絶縁被膜６２の材料として用いることができ
る。シリコン化合物とは，例えば，ＳｉＯ２，Ｓｉ３ｎ
４などである。これにより，電極支持体２２のアルミニ
ウムと，電極板２３のシリコンが直接接触することを避
けられるので，融着を防止できる。また，絶縁被膜６２
を，例えば５０μｍ以下の厚さにすることで，高周波の
伝達および熱伝導を妨げることなく十分なエッチングレ
ートを確保できる。
【００３４】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かるプラズマ装置の好適な実施形態について説明した
が，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれ
ば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内に
おいて各種の変更例または修正例に想到し得ることは明
らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範
囲に属するものと了解される。
かるプラズマ装置の好適な実施形態について説明した
が，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれ
ば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内に
おいて各種の変更例または修正例に想到し得ることは明
らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範
囲に属するものと了解される。
【００３５】例えば，絶縁被膜の製法は，ＣＶＤおよび
ＰＶＤなど，他の製法によるものでもよい。また，絶縁
被膜の材料は，絶縁性および耐食性に優れ，薄膜化でき
るものであれば，他の材料でもよい。
ＰＶＤなど，他の製法によるものでもよい。また，絶縁
被膜の材料は，絶縁性および耐食性に優れ，薄膜化でき
るものであれば，他の材料でもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
電極支持体と電極板の境界面に絶縁被膜を形成し，電極
支持体と電極板の材料の融着を防ぎ，かつ絶縁被膜の厚
さを調整することで，十分な処理性能を保持し，電極板
の割れを防ぐことのできるプラズマ装置が提供できる。
電極支持体と電極板の境界面に絶縁被膜を形成し，電極
支持体と電極板の材料の融着を防ぎ，かつ絶縁被膜の厚
さを調整することで，十分な処理性能を保持し，電極板
の割れを防ぐことのできるプラズマ装置が提供できる。
【図１】本発明にかかるプラズマ装置１の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】上部電極２１を模式的に示す断面図である。
【図３】従来のプラズマ装置における上部電極１２１を
模式的に示した図である。
模式的に示した図である。
【図４】従来の上部電極１２１をエッチング処理に使用
した後，融着を起こした状態を模式的に示した断面図で
ある。
した後，融着を起こした状態を模式的に示した断面図で
ある。
【図５】電極支持体１２２から取り外した融着を起こし
た電極板１２３を概念的に示した図である。
た電極板１２３を概念的に示した図である。
２１ 上部電極 ２２ 電極支持体 ２３ 電極板 ３３ 給電棒 ６０ ネジ ６２ 絶縁被膜
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA30 BC06 CA47 EB42 EC21 FB01 FB02 FC15 5F004 AA16 BA04 BB11 BB18 BB22 BB25 BC08 DA00 DB00 EB01
Claims (7)
- 【請求項１】 真空処理室内において被処理体を載置可
能な第１電極と，前記第１電極に対向配置された第２電
極と，前記真空処理室内に処理ガスを導入するガス導入
手段と，少なくとも前記第２電極に高周波電力を印加し
て前記処理ガスをプラズマ化する高周波電力供給手段と
を備えたプラズマ処理装置において，前記第２電極は，
基台と，前記被処理体に対する対向面を形成する電極材
とから成り，前記基台と前記電極材との接触面には少な
くともどちらか片方に絶縁被膜が形成されていることを
特徴とする，プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記絶縁被膜の厚みは，５０μｍ以下で
あることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項３】 前記基台は，アルミニウムからなり，前
記電極材はシリコンからなることを特徴とする請求項２
に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記絶縁被膜は，前記アルミニウムの表
面に形成されることを特徴とする請求項３に記載のプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記絶縁被膜は，前記シリコンの表面に
形成されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項６】 前記アルミニウム表面の絶縁被膜は，希
土類酸化物またはアルミニウム化合物であることを特徴
とする，請求項４に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 前記シリコン表面の絶縁被膜は，シリコ
ン化合物であることを特徴とする請求項５に記載のプラ
ズマ処理装置。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604581B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-07-25 | (주) 씨엠테크 | 플라즈마 반응기용 세라믹 다층전극 |
| JP2007535816A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プロセスガス及び高周波電力を供給するガス分配部材を含むプラズマ処理用機器 |
| JP2011054933A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
| JP2011171763A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
| JP2013004405A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
| JP2015230988A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびクリーニング方法 |
| JP7389845B2 (ja) | 2022-04-18 | 2023-11-30 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312284A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | M C Electron Kk | バッチ式アッシング装置 |
| JPH10335308A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH11283963A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2000173993A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびエッチング方法 |
| JP2000195830A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置のクリ―ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2000
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312284A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | M C Electron Kk | バッチ式アッシング装置 |
| JPH10335308A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JPH11283963A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2000173993A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびエッチング方法 |
| JP2000195830A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置のクリ―ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535816A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プロセスガス及び高周波電力を供給するガス分配部材を含むプラズマ処理用機器 |
| US8822345B2 (en) | 2004-04-30 | 2014-09-02 | Lam Research Corporation | Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing |
| KR100604581B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-07-25 | (주) 씨엠테크 | 플라즈마 반응기용 세라믹 다층전극 |
| JP2011054933A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
| JP2011171763A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
| JP2013004405A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
| JP2015230988A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびクリーニング方法 |
| JP7389845B2 (ja) | 2022-04-18 | 2023-11-30 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置 |
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