JP4492291B2 - ニオブ酸リチウム基板の製造方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4492291B2 JP4492291B2 JP2004305729A JP2004305729A JP4492291B2 JP 4492291 B2 JP4492291 B2 JP 4492291B2 JP 2004305729 A JP2004305729 A JP 2004305729A JP 2004305729 A JP2004305729 A JP 2004305729A JP 4492291 B2 JP4492291 B2 JP 4492291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lithium niobate
- crystal
- observed
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を用いてニオブ酸リチウム基板を製造する方法を前提とし、
ニオブ酸リチウム結晶を、Al、Ti、Si、Ca、Mg、Cからなる群より選択される少なくとも1種の元素で構成された粉末に埋め込んだ状態で、または、Al、Ti、Si、Ca、Mg、Cからなる群より選択される少なくとも1種の元素で構成された容器中に収容させた状態で、300℃以上、500℃未満の温度で熱処理することを特徴とし、
請求項2に係る発明は、
チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を用いてニオブ酸リチウム基板を製造する方法を前提とし、
ニオブ酸リチウム結晶を、Znの粉末に埋め込んだ状態で、または、Znの容器中に収容させた状態で、300℃以上、Znの融点未満の温度で熱処理することを特徴とする。
請求項1または2記載の発明に係るニオブ酸リチウム基板の製造方法を前提とし、
上記熱処理の雰囲気が真空または不活性ガスであることを特徴とし、
請求項4に係る発明は、
請求項1、2または3記載の発明に係るニオブ酸リチウム基板の製造方法を前提とし、
上記熱処理を1時間以上施すことを特徴とするものである。
(比較例1)
コングルエント組成の原料を用いて、チョコラルスキー法で、直径4インチのLN単結晶育成を行った。育成雰囲気は、酸素濃度約20%の窒素−酸素混合ガスである。得られた結晶は透明な淡黄色であった。
Claims (4)
- チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を用いてニオブ酸リチウム基板を製造する方法において、
ニオブ酸リチウム結晶を、Al、Ti、Si、Ca、Mg、Cからなる群より選択される少なくとも1種の元素で構成された粉末に埋め込んだ状態で、または、Al、Ti、Si、Ca、Mg、Cからなる群より選択される少なくとも1種の元素で構成された容器中に収容させた状態で、300℃以上、500℃未満の温度で熱処理することを特徴とするニオブ酸リチウム基板の製造方法。 - チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を用いてニオブ酸リチウム基板を製造する方法において、
ニオブ酸リチウム結晶を、Znの粉末に埋め込んだ状態で、または、Znの容器中に収容させた状態で、300℃以上、Znの融点未満の温度で熱処理することを特徴とするニオブ酸リチウム基板の製造方法。 - 上記熱処理の雰囲気が真空または不活性ガスであることを特徴とする請求項1または2記載のニオブ酸リチウム基板の製造方法。
- 上記熱処理を1時間以上施すことを特徴とする請求項1、2または3記載のニオブ酸リチウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004305729A JP4492291B2 (ja) | 2003-11-25 | 2004-10-20 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003394575 | 2003-11-25 | ||
JP2004305729A JP4492291B2 (ja) | 2003-11-25 | 2004-10-20 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005179177A JP2005179177A (ja) | 2005-07-07 |
JP4492291B2 true JP4492291B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=34797185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004305729A Active JP4492291B2 (ja) | 2003-11-25 | 2004-10-20 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4492291B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013010656A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Chichibu Fuji Co Ltd | 単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 |
JP6001261B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-10-05 | 株式会社コイケ | 圧電基板の製造方法 |
JP6507877B2 (ja) | 2015-06-18 | 2019-05-08 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 |
JP6721948B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2020-07-15 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 |
JP6477282B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-03-06 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 |
WO2016204042A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 |
JP6493151B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2019-04-03 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
JP2019135198A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
JP6959886B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-05 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
JP6999498B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2022-01-18 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法および導電率の制御方法 |
JP7205694B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-01-17 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
JP7271841B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-05-12 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191239A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Kyocera Corp | ホログラムメモリ素子及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-10-20 JP JP2004305729A patent/JP4492291B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191239A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Kyocera Corp | ホログラムメモリ素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005179177A (ja) | 2005-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938147B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
KR101144258B1 (ko) | 니오브산 리튬 기판 및 그 제조방법 | |
JP4063191B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP4492291B2 (ja) | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 | |
JP2005119907A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP4063190B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP6493151B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
KR102611710B1 (ko) | 니오브산 리튬 단결정 기판과 그 제조 방법 | |
JP6477282B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 | |
KR102601394B1 (ko) | 니오브산 리튬 단결정 기판과 그 제조 방법 | |
JP6507877B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4492291 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |