JP6001261B2 - 圧電基板の製造方法 - Google Patents
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Description
・熱処理温度:590℃
・昇温速度:10℃/min
・熱処理時間:15時間
・圧力:大気圧
・降温速度:10℃/min
・キャリアガス:窒素
・ガス流量:200sccm
・酸素分圧:1atm(低酸素雰囲気処理なし)、1.0×10−6atm、1.0×10−16atm、2.0×10−22atm、1.0×10−23atm、1.0×10−25atm、7.0×10−26atm
101 酸素ポンプ
102 循環機器
103 制御部
104、105 酸素センサ
Claims (6)
- 圧電基板の導電率を向上させる熱処理工程を有する圧電基板の製造方法であって、
前記熱処理工程は、酸素分圧が1×10−22atm以下の不活性ガスを供給し、且つ10kPa〜常圧の雰囲気下の処理室内で前記圧電基板のキュリー温度未満の温度で前記圧電基板に熱処理を行う工程であり、前記不活性ガスを、酸素を除去する酸素ポンプを介して前記処理室内に供給するとともに、前記処理室から排出される前記不活性ガス中の酸素濃度を酸素センサで測定し、前記圧電基板から放出される酸素濃度が所定値以下となった場合に、前記熱処理工程を終了するように制御することを特徴とする圧電基板の製造方法。 - 前記圧電基板が、タンタル酸リチウム基板であり、前記熱処理の温度が550℃〜590℃で行うことを特徴とする請求項1に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記熱処理工程が常圧で行われることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記不活性ガスが、窒素ガス又はアルゴンガスであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記処理室に供給される不活性ガスと前記処理室から排出される不活性ガスが、前記酸素ポンプを介して循環し、前記処理室内に供給する前記不活性ガス中の酸素濃度を第1の酸素センサで測定し、前記処理室から排出される前記不活性ガス中の酸素濃度を第2の酸素センサで測定し、前記第1の酸素センサと前記第2の酸素センサの測定結果に基づき、前記酸素ポンプを制御することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記圧電基板に対して単一分極化するポーリング処理工程をさらに有し、前記ポーリング処理工程の後に前記熱処理工程を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
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