JP4483392B2 - レジスト剥離用組成物 - Google Patents
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Description
AC:炭酸アンモニウム
HPO:過酸化水素
MeCN:アセトニトリル
AN:アジポニトリル
PhCN:ベンゾニトリル
BP:ブトキシプロパノール
DEG:ジエチレングリコール
実施例1〜9、比較例1〜3
砒素を10の14乗レベルでイオン注入したi線用レジストを成膜したシリコンウエハを、表1記載の組成(表1の組成における残部は水である。)の水溶液に室温で1分間浸漬した。その後、水洗、乾燥し、表面状態を観察した結果を表1に記載した。なお、レジスト剥離性の評価は、以下のようにした。
○ 90%以上剥離
△ 部分的に(90%未満)剥離
× 剥離せず
Claims (5)
- 炭酸及び/又は炭酸塩、過酸化水素、有機ニトリル及び水を含んで成るレジスト剥離用組成物。
- レジスト剥離用組成物の総重量を基準に炭酸及び/又は炭酸塩の含量が0.01〜40重量%、過酸化水素の含量が10ppm〜3.9重量%、有機ニトリルの含量が0.1〜70重量%、水の含量が25重量%以上である請求項1に記載のレジスト剥離用組成物。
- 炭酸塩が、炭酸水素アンモニウム及び/又はカルバミン酸アンモニウムとの混合物であ ってもよい炭酸アンモニウムである請求項1又は請求項2に記載のレジスト剥離用組成物。
- 有機ニトリルが、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、スクシノニトリル、ベンゾニトリル、アジポニトリル、バレロニトリル、トルニトリルから成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレジスト剥離用組成物。
- エーテルアルコールを含んでなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のレジスト剥離用組成物。
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