JP4442376B2 - レジスト除去用組成物 - Google Patents
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Description
AcCN:アセトニトリル
PrCN:プロピオニトリル
BuCN:ブチロニトリル
BzCN:ベンゾニトリル
ApCN:アジポニトリル
EG:エチレングリコール
BP:ブトキシプロパノール
BEE:ブトキシエトキシエタノール
EtOH:エタノール
EC:炭酸エチレン
PC:炭酸プロピレン
AC:アセトン
DMC:炭酸ジメチル
HPO:過酸化水素水(31重量%水溶液)
実施例1〜14、比較例1〜4
シリコンウエハ上に、市販のi線用レジストを2μmの厚みで塗布し、120℃でベーク処理して、イオン種としてひ素を1014個/cm2イオン注入した。
上記、シリコンウエハを表1記載の組成の溶液中に所定の時間、及び所定の温度で浸漬した。その後、水洗、乾燥し、表面状態を観察した結果を表1に記載した。なお、レジスト除去性は以下のように評価した。
△:一部残存物有り
×:大部分残存
Claims (7)
- 硫酸及び有機ニトリルを含んでなるレジスト除去用組成物。
- 有機ニトリルがアセトニトリル、プロピオニトリル、スクシノニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、アジポニトリルから成る群より選ばれる少なくとも1種を含んでなる請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- アルコールを含んでなる請求項1〜請求項2に記載のいずれかに記載のレジスト除去用組成物。
- アルコールがメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ブトキシエトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノール、プロポキシプロパノール、ブトキシプロパノールから選ばれる少なくとも1種を含んでなる請求項3のいずれかに記載のレジスト除去用組成物。
- ケトン及び/又はエステルを含んでなる請求項1〜請求項4のいずれかに記載のレジスト除去用組成物。
- ケトン及び/又はエステルが、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、イソホロン、シクロヘキサノンから成る群より選ばれる少なくとも1種を含んでなる請求項1〜請求項5に記載のレジスト除去用組成物。
- 硫酸が0.5〜98重量%、有機ニトリルが1〜99重量%、アルコールが0〜30重量%、ケトン及び/又はエステルが0〜50重量%である請求項1〜請求項6のいずれかに記載のレジスト除去用組成物。
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