JP4435541B2 - Cvd装置及びcvd方法 - Google Patents
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また請求項2,3に記載の発明では、成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦置きされ、基体は平板状であり、移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納され、各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入される。
本発明のCVD方法では、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦置きされている。そして各基体は、ヒータと電極の間に挿入される。そのため大量の基体に同時に成膜を施すことができる。
また請求項10に記載の発明は、所定形状の基体に対して薄膜を成膜するCVD装置において、複数の成膜チャンバーと、1以上の移動用チャンバーを備え、前記成膜チャンバーは基体に成膜する成膜室と、当該成膜室に基体を出し入れする成膜室出入口を備え、前記成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられ、前記成膜室には成膜室側減圧装置が接続されており、前記成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦設され、前記移動用チャンバーは基体を収納する収納室と、当該収納室に基体を出し入れする収納室出入口を有し、前記収納室出入口は、常時開放であるか又は気密性を有しない閉塞部材が設けられており、前記移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納可能であって各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、前記成膜チャンバーは定位置に固定され、前記移動用チャンバーは移動可能であり、移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合可能であり、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態で成膜室側減圧装置によって前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて移動用チャンバー側の基体を成膜チャンバーの成膜室に移送可能であり、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入されることを特徴とするCVD装置である。
し、基体キャリア72は成膜チャンバー15の成膜室22内に引き込まれる。
2 基体受取・払出し装置
3 成膜チャンバー群
5 移動用チャンバー
8 基体移動装置
16 成膜室出入口
17 フランジ
18 シャッター
23a〜23f ヒータ
25a〜25e 電極
32 チャンバー移動装置
35 収納室出入口
37 フランジ
41 オーリング
43a〜43f ヒータ
46 基体
47 収納室
50 レール
51 直線ガイド
52 ラック
55 移動台車
71 シリンダー
72 基体キャリア7
Claims (10)
- 所定形状の基体に対して薄膜を成膜するCVD装置において、複数の成膜チャンバーと、1以上の移動用チャンバーを備え、前記成膜チャンバーは基体に成膜する成膜室と、当該成膜室に基体を出し入れする成膜室出入口を備え、前記成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられ、前記成膜室には成膜室側減圧装置が接続されており、前記成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦設され、前記移動用チャンバーは基体を収納する収納室と、当該収納室に基体を出し入れする収納室出入口を有し、前記収納室出入口は、常時開放であるか又は気密性を有しない閉塞部材が設けられており、前記収納室には収納室側減圧装置が接続されており、前記移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納可能であって各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、前記成膜チャンバーは定位置に固定され、前記移動用チャンバーは移動可能であり、移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合可能であり、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態で収納室側減圧装置によって前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて移動用チャンバー側の基体を成膜チャンバーの成膜室に移送可能であり、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入されることを特徴とするCVD装置。
- 複数の成膜チャンバーと1以上の移動用チャンバーを備えたCVD装置を使用し、所定形状の基体に薄膜を成膜するCVD方法であって、前記成膜チャンバーは基体に成膜する成膜室と、当該成膜室に基体を出し入れする成膜室出入口を備え、前記成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられ、前記成膜室には成膜室側減圧装置が接続されており、前記移動用チャンバーは基体を収納する収納室と、当該収納室に基体を出し入れする収納室出入口を有し、前記収納室出入口は、常時開放であるか又は気密性を有しない閉塞部材が設けられており、前記収納室には収納室側減圧装置が接続されており、前記成膜チャンバーは定位置に固定され、前記移動用チャンバーは移動可能であり、成膜チャンバーのシャッターが閉じられた状態において移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合し、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態のままで収納室側減圧装置によって前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて移動用チャンバー側の基体を成膜チャンバーの成膜室に移送し、成膜室内において基体に所定の成膜を行うものであり、前記成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦設され、基体は平板状であり、移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納され、各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入されることを特徴とするCVD方法。
- 複数の成膜チャンバーと1以上の移動用チャンバーを備えたCVD装置を使用し、所定形状の基体に薄膜を成膜するCVD方法であって、前記成膜チャンバーは基体に成膜する成膜室と、当該成膜室に基体を出し入れする成膜室出入口を備え、前記成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられ、前記成膜室には成膜室側減圧装置が接続されており、前記移動用チャンバーは基体を収納する収納室と、当該収納室に基体を出し入れする収納室出入口を有し、前記収納室出入口は、常時開放であるか又は気密性を有しない閉塞部材が設けられており、前記成膜チャンバーは定位置に固定され、前記移動用チャンバーは移動可能であり、成膜チャンバーのシャッターが閉じられた状態において移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合し、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態のままで成膜室側減圧装置によって前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて移動用チャンバー側の基体を成膜チャンバーの成膜室に移送し、成膜室内において基体に所定の成膜を行うものであり、前記成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦設され、基体は平板状であり、移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納され、各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入されることを特徴とするCVD方法。
- 成膜チャンバーにおける成膜工程が終了した時、あるいは成膜工程の終了に先立って、移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合し、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態のままで前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて成膜チャンバー側の基体を移動用チャンバー側に移送し、前記シャッターを閉じた後に移動用チャンバーの収納室に空気その他の気体を導入して収納室内の気圧を外圧と均衡させ、移動用チャンバーの収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口から切り離し、移動用チャンバーを移動して内部の収納された成膜後の基体を所定の位置に運搬することを特徴とする請求項2又は3に記載のCVD方法。
- 移動用チャンバーには収納室内に収納された基体を加熱する基体加熱手段が設けられており、前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧した後、前記加熱手段によって基体を加熱することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のCVD方法。
- 収納室側減圧装置は移動用チャンバーに取り付けられた真空ポンプであることを特徴とする請求項2乃至5のいずれかに記載のCVD方法。
- 成膜チャンバーは成膜室出入口を同一方向に向けた状態で横列に配置され、移動用チャンバーはその収納室出入口を前記成膜室出入口に対して対向する向きに向けて配置され、さらに移動用チャンバーは成膜チャンバーの列方向と、成膜チャンバーに対して近接・離反方向に移動可能であることを特徴とする請求項2乃至6のいずれかに記載のCVD方法。
- 基体は平板状であり、移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納され、各基体は平行に並べて縦置され、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送されることを特徴とする請求項2乃至7のいずれかに記載のCVD方法。
- 各成膜チャンバーにおいて、基体に多層の成膜が行われることを特徴とする請求項2乃至8のいずれかに記載のCVD方法。
- 所定形状の基体に対して薄膜を成膜するCVD装置において、複数の成膜チャンバーと、1以上の移動用チャンバーを備え、前記成膜チャンバーは基体に成膜する成膜室と、当該成膜室に基体を出し入れする成膜室出入口を備え、前記成膜室出入口には気密性を有するシャッターが設けられ、前記成膜室には成膜室側減圧装置が接続されており、前記成膜チャンバーは、プラズマCVDによる成膜機能を備え、成膜チャンバーの成膜室には複数の面状のヒータ及び面状の電極が所定の間隔を設けて平行に並べて縦設され、前記移動用チャンバーは基体を収納する収納室と、当該収納室に基体を出し入れする収納室出入口を有し、前記収納室出入口は、常時開放であるか又は気密性を有しない閉塞部材が設けられており、前記移動用チャンバーの収納室内には基体が複数収納可能であって各基体は所定の間隔を設けて平行に並べて縦置され、前記成膜チャンバーは定位置に固定され、前記移動用チャンバーは移動可能であり、移動用チャンバーを移動してその収納室出入口を成膜チャンバーの成膜室出入口に気密的に接合可能であり、成膜室出入口のシャッターを閉じた状態で成膜室側減圧装置によって前記シャッターと収納室によって閉塞される空間を減圧し、その後に前記シャッターを開いて移動用チャンバー側の基体を成膜チャンバーの成膜室に移送可能であり、移動用チャンバーの収納室内の基体は、面方向に直線移動して成膜チャンバーの成膜室に移送され、各基体は、ヒータと電極の間に挿入されることを特徴とするCVD装置。
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