JP2003007801A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JP2003007801A
JP2003007801A JP2001189380A JP2001189380A JP2003007801A JP 2003007801 A JP2003007801 A JP 2003007801A JP 2001189380 A JP2001189380 A JP 2001189380A JP 2001189380 A JP2001189380 A JP 2001189380A JP 2003007801 A JP2003007801 A JP 2003007801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pod
wafer
chamber
port
door
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001189380A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4255222B2 (ja
Inventor
Hideto Tateno
秀人 立野
Hidehiro Yanagawa
秀宏 柳川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2001189380A priority Critical patent/JP4255222B2/ja
Publication of JP2003007801A publication Critical patent/JP2003007801A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4255222B2 publication Critical patent/JP4255222B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポッドオープナによるポッドの開放時の弊害
の発生を防止する。 【解決手段】 ポッド10とボート8との間でウエハ9
を授受するウエハ授受ポート13にはポッド10のドア
10aを着脱してウエハ出し入れ口10bを開閉するポ
ッドオープナ20が設備されており、ポッドオープナ2
0のベース21にはベース21のウエハ出し入れ口22
を被覆するチャンバ60が設置され、チャンバ60には
クロージャ収容室61に窒素ガス62を流通させる給気
管63、排気管64が接続されている。ポッドの開放時
に窒素ガス62をチャンバ60のクロージャ収容室61
に充填し、クロージャ収容室61、ポッド10のウエハ
収納室10cの空気や水分を窒素ガス62によってパー
ジする。 【効果】 ポッド内の大気のウエハ移載空間への放出を
防止できるため、移載空間の汚染や酸素濃度の上昇、ウ
エハの酸化やパーティクル付着を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、特に、ドアを有するキャリアを開閉する技術に係
り、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込
まれる基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハとい
う。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純
物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利
用して有効なものに関する。 【0002】 【従来の技術】基板処理装置の一例であるバッチ式縦形
拡散・CVD装置(以下、バッチ式CVD装置とい
う。)においては、複数枚のウエハがキャリア(ウエハ
収納容器)に収納された状態で扱われる。従来のこの種
のキャリアとして、互いに対向する一対の面が開口され
た略立方体の箱形状に形成されているオープンカセット
と、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され
開口面にドアが着脱自在に装着されているFOUP(fr
ont opening unified pod 。以下、ポッドという。)と
がある。 【0003】ウエハのキャリアとしてポッドが使用され
る場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されること
になるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在して
いたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。
したがって、バッチ式CVD装置が設置されるクリーン
ルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなる
ため、クリーンルームに要するコストを低減することが
できる。そこで、最近のバッチ式CVD装置においては
ウエハのキャリアとしてポッドが使用されて来ている。 【0004】ウエハのキャリアとしてポッドを使用する
バッチ式CVD装置においては、ドアを着脱してポッド
のウエハ出し入れ口を開閉するポッド開閉装置(以下、
ポッドオープナという。)が、ポッドに対してウエハを
出し入れするためのウエハ授受ポートに設置されてい
る。従来のこの種のポッドオープナはポッドを保持する
載置台と、載置台が保持したポッドのドアを保持するク
ロージャとを備えており、クロージャがドアを保持した
状態で進退することにより、ドアをポッドのウエハ出し
入れ口に対して着脱するように構成されている。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バッチ式CVD装置においては、ポッドがポッドオープ
ナによって開放されると、ポッドのウエハ収納室が大気
雰囲気に晒される状態になるため、ウエハ収納室に収納
されたウエハに自然酸化膜が堆積したりパーティクルが
付着したりする場合がある。また、ポッドのウエハ収納
室には不活性ガスが充填される場合もあるが、ポッドの
ウエハ収納室は大気雰囲気になっているのが通例であ
る。大気雰囲気になっている場合には、ポッドが開放さ
れた際に、ポッドのウエハ収納室の大気がバッチ式CV
D装置におけるウエハ授受ポートの内側空間に侵入して
しまうため、内側空間を汚染したり酸素濃度を上昇させ
てしまうという問題点が発生する。 【0006】本発明の目的は、基板の自然酸化膜の堆積
やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃度の上
昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止するこ
とができる基板処理装置を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ための手段は、複数枚の基板が基板出し入れ口から収納
されこの基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着され
たキャリアを取り扱う基板処理装置であって、前記キャ
リアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートが
設けられているとともに、この基板授受ポートには前記
ドアを着脱して前記キャリアを開閉するキャリア開閉装
置が設けられており、前記基板授受ポートには前記キャ
リアの前記基板出し入れ口を被覆するチャンバが設置さ
れ、このチャンバには前記キャリアの内部に前記基板出
し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続され
ていることを特徴とする。 【0008】前記した手段によれば、ドアが外されてキ
ャリアの基板出し入れ口が開放された際に、チャンバに
不活性ガスを供給することにより、不活性ガスをキャリ
アの内部に基板出し入れ口から流通させて不活性ガスに
よってパージすることができるため、基板の自然酸化膜
の堆積やパーティクルの付着、内側空間の汚染や酸素濃
度の上昇等のポッドの開放時における弊害の発生を防止
することができる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。 【0010】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置は、バッチ式CVD装置すなわちバッチ式縦形
拡散・CVD装置として図1に示されているように構成
されている。図1に示されているバッチ式CVD装置1
は気密室構造に構築された筐体2を備えている。筐体2
内の一端部(以下、後端部とする。)の上部にはヒータ
ユニット3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユ
ニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置さ
れている。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4
内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入
管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排
気管6とが接続されている。筐体2の後端部の下部には
ボートエレベータ7が設置されており、ボートエレベー
タ7はプロセスチューブ4の真下に配置されたボート8
を垂直方向に昇降させるように構成されている。ボート
8は多数枚のウエハ9を中心を揃えて水平に配置した状
態で支持して、プロセスチューブ4の処理室に対して搬
入搬出するように構成されている。 【0011】筐体2の正面壁にはポッド出し入れ口(図
示せず)が開設されており、ポッド出し入れ口はフロン
トシャッタによって開閉されるようになっている。ポッ
ド出し入れ口にはポッド10の位置合わせを実行するポ
ッドステージ11が設置されており、ポッド10はポッ
ド出し入れ口を通してポッドステージ11に出し入れさ
れるようになっている。 【0012】筐体2内の前後方向の中央部の上部には回
転式のポッド棚12が設置されており、回転式のポッド
棚12は合計十六個のポッド10を保管するように構成
されている。すなわち、回転式のポッド棚12は略卍形
状に形成された四段の棚板が上下方向に配置されて水平
面内で回転自在に支承されており、モータ等の間欠回転
駆動装置(図示せず)によってピッチ送り的に一方向に
回転されるようになっている。筐体2内のポッド棚12
の下側には基板としてのウエハ9をポッド10に対して
授受するためのウエハ授受ポート13が一対、垂直方向
に上下二段に配置されて設置されており、両ウエハ授受
ポート13、13には後記するポッドオープナ20がそ
れぞれ設置されている。 【0013】筐体2内のポッドステージ11とポッド棚
12およびウエハ授受ポート13との間にはポッド搬送
装置14が設置されており、ポッド搬送装置14はポッ
ドステージ11とポッド棚12およびウエハ授受ポート
13との間およびポッド棚12とウエハ授受ポート13
との間でポッド10を搬送するように構成されている。
また、ウエハ授受ポート13とボート8との間にはウエ
ハ移載装置15が設置されており、ウエハ移載装置15
はウエハ授受ポート13とボート8との間でウエハ9を
搬送するように構成されている。さらに、ボートエレベ
ータ7の脇にはボートチェンジャ16が設置されてお
り、ボートチェンジャ16は二台のボート8、8をボー
トエレベータ7に対して入れ替えるように構成されてい
る。 【0014】上下のウエハ授受ポート13、13に設置
されたポッドオープナ20、20は同一に構成されてい
るため、ポッドオープナ20の構成については上段のウ
エハ授受ポート13に設置されたものについて説明す
る。 【0015】図1に示されているように、キャリア開閉
装置としてのポッドオープナ20は筐体2内においてウ
エハ授受ポート13とウエハ移載装置15とを仕切るよ
うに垂直に立脚された側壁をなすベース21を備えてお
り、図2および図3に示されているように、ベース21
にはポッド10のドア10aに対して若干大きめに相似
する四角形に形成されたウエハ出し入れ口22が開設さ
れている。ちなみに、ベース21は上下のポッドオープ
ナ20、20で共用されているため、ベース21には上
下で一対のウエハ出し入れ口22、22が垂直方向で縦
に並ぶように開設されている。 【0016】図2に示されているように、ベース21の
ウエハ授受ポート13側の主面(以下、正面とする。)
におけるウエハ出し入れ口22の下側には、アングル形
状の支持台23が水平に固定されており、支持台23の
平面視の形状は一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に
形成されている。支持台23の上面には一対のガイドレ
ール24、24がベース21の正面と平行方向(以下、
左右方向とする。)に配置されて、ベース21の正面と
直角方向(以下、前後方向とする。)に延在するように
敷設されており、左右のガイドレール24、24には載
置台27が複数個のガイドブロック25を介して前後方
向に摺動自在に支承されている。載置台27は支持台2
3の上面に据え付けられたエアシリンダ装置26によっ
て前後方向に往復移動されるようになっている。 【0017】図2に示されているように、載置台27は
一部が切り欠かれた略正方形の枠形状に形成されてお
り、載置台27の上面には位置決めピン28が三本、正
三角形の頂点に配置されて垂直に突設されている。三本
の位置決めピン28はポッド10が図3に示されている
ように載置台27の上に載置された状態において、ポッ
ド10の下面に没設された三箇所の位置決め凹部(図示
せず)に嵌入するようになっている。 【0018】図4に示されているように、ベース21の
ウエハ移載装置15側の主面(以下、背面とする。)に
おけるウエハ出し入れ口22の下側には、ガイドレール
30が左右方向に水平に敷設されており、ガイドレール
30にはアングル形状に形成された左右方向移動台31
が左右方向に往復移動し得るように摺動自在に支承され
ている。左右方向移動台31の垂直部材にはエアシリン
ダ装置32が左右方向に水平に据え付けられており、エ
アシリンダ装置32のピストンロッド32aの先端はベ
ース21に固定されている。すなわち、左右方向移動台
31はエアシリンダ装置32の往復作動によって左右方
向に往復駆動されるようになっている。 【0019】図5に示されているように、左右方向移動
台31の水平部材の上面には一対のガイドレール33、
33が左右に配されて前後方向に延在するように敷設さ
れており、両ガイドレール33、33には前後方向移動
台34が前後方向に往復移動し得るように摺動自在に支
承されている。前後方向移動台34の片側端部にはガイ
ド孔35が左右方向に延在するように開設されている。
左右方向移動台31の一側面にはブラケット36が固定
されており、ブラケット36にはロータリーアクチュエ
ータ37が垂直方向上向きに据え付けられている。ロー
タリーアクチュエータ37のアーム37aの先端に垂直
に立脚されたガイドピン38は前後方向移動台34のガ
イド孔35に摺動自在に嵌入されている。すなわち、前
後方向移動台34はロータリーアクチュエータ37の往
復回動によって前後方向に往復駆動されるように構成さ
れている。 【0020】前後方向移動台34の上面にはブラケット
39が垂直に立脚されており、ブラケット39の正面に
はウエハ出し入れ口22に若干大きめに相似する長方形
の平盤形状に形成されたクロージャ40が垂直に固定さ
れている。つまり、クロージャ40は前後方向移動台3
4によって前後方向に往復移動されるようになっている
とともに、左右方向移動台31によって左右方向に往復
移動されるようになっている。そして、クロージャ40
は前進移動してそのベース側を向いた主面(以下、正面
とする。)がベース21の背面に当接することによりウ
エハ出し入れ口22を閉塞し得るようになっている。 【0021】なお、図5に示されているように、ベース
21の正面におけるウエハ出し入れ口22の周りには、
ポッド10の押し付け時にポッド10のウエハ出し入れ
口およびベース21のウエハ出し入れ口22をシールす
るパッキン54が敷設されている。クロージャ40の正
面における外周縁近傍には、クロージャ40の押し付け
時にベース21のウエハ出し入れ口22をシールするた
めのパッキン55が敷設されている。クロージャ40の
正面における外周縁のパッキン55の内側には、ドア1
0aに付着した異物がウエハ移載装置15の設置室側へ
侵入するのを防止するためのパッキン56が敷設されて
いる。便宜上、図4および図5においては、後記するチ
ャンバの図示が省略されている。 【0022】図4に示されているように、クロージャ4
0の上下方向の中心線上には一対の解錠軸41、41が
左右に配置されて前後方向に挿通されて回転自在に支承
されている。両解錠軸41、41におけるクロージャ4
0のベースと反対側の主面(以下、背面とする。)側の
端部には一対のプーリー42、42が固定されており、
両プーリー42、42間には連結片44を有するベルト
43が巻き掛けられている。クロージャ40の背面にお
ける一方のプーリー42の上側にはエアシリンダ装置4
5が水平に据え付けられており、エアシリンダ装置45
のピストンロッドの先端はベルト43の連結片44に連
結されている。すなわち、両解錠軸41、41はエアシ
リンダ装置45の伸縮作動によって往復回動されるよう
になっている。図2に示されているように、両解錠軸4
1、41のクロージャ40の正面側の端部にはドア10
aの錠前(図示せず)に係合する係合部41aが直交し
て突設されている。 【0023】図2に示されているように、クロージャ4
0の正面における一方の対角付近にはドア10aの表面
に吸着する吸着具(吸盤)46が二個、吸込口部材47
によってそれぞれ固定されている。吸着具46を固定す
る吸込口部材47は中空軸によって構成されており、吸
込口部材47の背面側端は給排気路(図示せず)に接続
されている。吸込口部材47の正面側端の外径はドア1
0aに没設された位置決め穴(図示せず)に嵌入するよ
うに設定されている。すなわち、吸込口部材47はドア
10aの位置決め穴に嵌入してドア10aを機械的に支
持するための支持ピンを兼用するように構成されてい
る。 【0024】図2、図4および図6に示されているよう
に、ベース21の正面におけるウエハ出し入れ口22の
片脇にはロータリーアクチュエータ50が回転軸50a
が垂直方向になるように据え付けられており、回転軸5
0aには略C字形状に形成されたアーム51の一端が水
平面内で一体回動するように固定されている。アーム5
1はベース21に開設された挿通孔52を挿通されてお
り、アーム51のベース21の背面側の先端部にはマッ
ピング装置53が固定されている。 【0025】図6および図7に示されているように、ベ
ース21の背面にはチャンバ60が上下のポッドオープ
ナ20、20のクロージャ40、40を収容するように
敷設されており、チャンバ60のクロージャ収容室61
の水平方向の長さはクロージャ40が横に移動してウエ
ハ出し入れ口22を完全に開口させるのを許容し得るよ
うに設定されている。チャンバ60の背面側の側壁の一
部には不活性ガスとしての窒素ガス62をクロージャ収
容室61に供給する給気管63がクロージャ収容室61
に連通するように接続されており、チャンバ60の正面
壁を形成するベース21の一部にはクロージャ収容室6
1に供給された窒素ガス62を排気する排気管64がク
ロージャ収容室61に連通するように接続されている。
チャンバ60の背面壁における上下のウエハ出し入れ口
22、22に対向する位置には、チャンバ60のウエハ
出し入れ口65、65がそれぞれ開設されており、各ウ
エハ出し入れ口65はクロージャ40の背面部を挿入し
得る大きさの四角形の開口に形成されている。また、ウ
エハ出し入れ口65はマッピング装置53を背面側から
挿入し得るように設定されている。 【0026】次に、前記構成に係るバッチ式CVD装置
の作用を説明する。なお、説明を理解し易くするため、
以下の説明においては、一方のウエハ授受ポート13を
上段ポートAとし、他方のウエハ授受ポート13を下段
ポートBとする。 【0027】図1に示されているように、筐体2内のポ
ッドステージ11にポッド出し入れ口から搬入されたポ
ッド10は、ポッド搬送装置14によって指定されたポ
ッド棚12に適宜に搬送されて一時的に保管される。ポ
ッド棚12に保管されたポッド10はポッド搬送装置1
4によって適宜にピックアップされ、上段ポートAに搬
送されて、ポッドオープナ20の載置台27に図3に示
されているように移載される。この際、ポッド10の下
面に没設された位置決め凹部が載置台27の三本の位置
決めピン28とそれぞれ嵌合されることにより、ポッド
10と載置台27との位置合わせが実行される。 【0028】ポッド10が載置台27に載置されて位置
合わせされると、載置台27がエアシリンダ装置26に
よってベース21の方向に押され、図8(a)に示され
ているように、ポッド10の開口側端面がベース21の
正面におけるウエハ出し入れ口22の開口縁辺部に押し
付けられる。また、ポッド10がベース21の方向に押
されると、クロージャ40の解錠軸41がドア10aの
鍵穴に挿入される。続いて、負圧がクロージャ40の吸
込口部材47に給排気路から供給されることにより、ポ
ッド10のドア10aが吸着具46によって真空吸着保
持される。この状態で、解錠軸41がエアシリンダ装置
45によって回動されると、解錠軸41はドア10a側
の錠前に係合した係合部41aによってドア10aの錠
前の施錠を解除する。 【0029】次いで、前後方向移動台34がロータリー
アクチュエータ37の作動によってベース21から離れ
る方向に移動されると、図8(b)に示されているよう
に、クロージャ40はポッド10のドア10aを真空吸
着保持した状態でチャンバ60のクロージャ収容室61
に後退することにより、ドア10aをポッド10のウエ
ハ出し入れ口10bから抜き出す。これにより、ポッド
10のウエハ出し入れ口10bは開放された状態にな
る。 【0030】クロージャ40が前後方向移動台34によ
ってさらに後退されると、図8(c)に示されているよ
うに、クロージャ40はチャンバ60の背面壁に開設さ
れたウエハ出し入れ口65にクロージャ収容室61の内
側から挿入することにより、クロージャ収容室61を密
封した状態になる。 【0031】クロージャ40がクロージャ収容室61を
密封すると、図9(a)に示されているように、クロー
ジャ収容室61には窒素ガス62が給気管63と排気管
64とによって流通される。クロージャ収容室61を流
通する窒素ガス62はウエハ出し入れ口10bからポッ
ド10のウエハ収納室10cに流入した後に流出するこ
とにより、ウエハ収納室10cの大気を排気するととも
にウエハ収納室10cに充満する。すなわち、チャンバ
60のクロージャ収容室61およびポッド10のウエハ
収納室10cにおける大気中の空気や水分は窒素ガス6
2によってパージされた状態になる。 【0032】チャンバ60のクロージャ収容室61およ
びポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス62によ
ってパージされると、左右方向移動台31がエアシリン
ダ装置32の作動によってウエハ出し入れ口22から離
れる方向に移動される。これにより、図9(b)に示さ
れているように、ドア10aを吸着具46によって真空
吸着保持したクロージャ40はクロージャ収容室61を
ベース21のウエハ出し入れ口22から離間した退避位
置に移動される。このクロージャ40の退避移動によ
り、チャンバ60のウエハ出し入れ口65、ベース21
のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出し
入れ口10bがそれぞれ開放された状態になる。この
際、予め、チャンバ60のクロージャ収容室61および
ポッド10のウエハ収納室10cが窒素ガス62によっ
てパージされているため、大気中の空気や水分がベース
21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空間
に放出されることはなく、それらによるウエハ移載装置
15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の発生
は防止されることになる。 【0033】クロージャ40が退避されると、図9
(c)に示されているように、マッピング装置53がロ
ータリーアクチュエータ50の作動によって移動され
て、マッピング装置53がポッド10のウエハ収納室1
0cへチャンバ60のウエハ出し入れ口65、ベース2
1のウエハ出し入れ口22およびポッド10のウエハ出
し入れ口10bを潜り抜けて挿入される。ポッド10の
ウエハ収納室10cへ挿入されたマッピング装置53は
ウエハ収納室10cに収納された複数枚のウエハ9を検
出することによってマッピングする。ここで、マッピン
グとはポッド10の中のウエハ9の所在位置(ウエハ9
がどの保持溝にあるのか。)を確認することである。指
定されたマッピング作業が終了すると、マッピング装置
53はロータリーアクチュエータ50の作動によって元
の待機位置に戻される。この際、予め、チャンバ60の
クロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室
10cが窒素ガス62によってパージされているため、
ウエハ収納室10cのウエハ9が大気中の空気や水分に
接触することはなく、それらによるウエハ9の自然酸化
膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止さ
れることになる。 【0034】マッピング装置53が待機位置に戻ると、
上段ポートAにおいて開けられたポッド10の複数枚の
ウエハ9はボート8にウエハ移載装置15によって順次
装填(チャージング)されて行く。この際、ウエハ移載
装置15の移載空間の汚染や酸素濃度の上昇等の弊害の
発生は防止されているため、移載中のウエハ9の自然酸
化膜の堆積やパーティクルの付着等の弊害の発生は防止
されることになる。 【0035】この上段ポートAにおけるウエハ移載装置
15によるウエハ9のボート8への装填作業中に、下段
ポートBにはポッド棚12から別のポッド10がポッド
搬送装置14によって搬送されて移載され、ポッドオー
プナ20による前述した位置決め作業からマッピング作
業が同時進行される。このように下段ポートBにおいて
マッピング作業迄が同時進行されていると、上段ポート
Aにおけるウエハ9のボート8への装填作業の終了と同
時に、下段ポートBに待機させたポッド10についての
ウエハ移載装置15によるウエハ9のボート8への装填
作業を開始することができる。すなわち、ウエハ移載装
置15はポッド10の入替え作業についての待ち時間を
浪費することなくウエハ移載作業を連続して実施するこ
とができるため、バッチ式CVD装置1のスループット
を高めることができる。 【0036】翻って、上段ポートAにおいてウエハ移載
装置15によるウエハ9のボート8への装填作業が終了
すると、空ポッド閉じ作業が前述したポッド開放作業と
略逆の順序で実行される。すなわち、クロージャ40に
保持されて退避されていたドア10aがウエハ出し入れ
口22の位置に左右方向移動台31によって戻され、前
後方向移動台34によってウエハ出し入れ口22に挿入
されてポッド10のウエハ出し入れ口10bに嵌入され
る。ドア10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入される
と、解錠軸41がエアシリンダ装置45によって回動さ
れ、ドア10aの錠前を施錠する。ドア10aの施錠が
終了すると、給排気路から吸込口部材47へ供給されて
いた負圧が切られて大気に開放されることにより、吸着
具46の真空吸着保持が解除される。続いて、載置台2
7がエアシリンダ装置26によってベース21から離れ
る方向に移動され、ポッド10の開口側端面がベース2
1の正面から離座される。 【0037】ドア10aによりウエハ出し入れ口10b
が閉塞された上段ポートAの空のポッド10は、ポッド
棚12にポッド搬送装置14によって搬送されて一時的
に戻される。空のポッド10が上段ポートAから搬出さ
れると、次の実ポッド10が上段ポートAに搬入され
る。以降、上段ポートAおよび下段ポートBにおいて、
前述した作業が必要回数繰り返される。 【0038】以上のようにして上段ポートAと下段ポー
トBとに対するウエハ移載装置15によるウエハ9のボ
ート8への装填作業が交互に繰り返されることによっ
て、複数枚のウエハ9がポッド10からボート8に装填
されて行く。この際、バッチ処理するウエハ9の枚数
(例えば、百枚〜百五十枚)は一台のポッド10に収納
されたウエハ9の枚数(例えば、二十五枚)よりも何倍
も多いため、複数台のポッド10が上段ポートAと下段
ポートBとにポッド搬送装置14によって交互に繰り返
し供給されることになる。 【0039】予め指定された複数枚のウエハ9がポッド
10からボート8に移載されると、ウエハ授受ポート1
3にとっては実質的に待機中となる成膜処理がプロセス
チューブ4において実行される。すなわち、ボート8は
ボートエレベータ7によって上昇されてプロセスチュー
ブ4の処理室に搬入される。ボート8が上限に達する
と、ボート8を保持したシールキャップの上面の周辺部
がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞するため、処
理室は気密に閉じられた状態になる。プロセスチューブ
4の処理室が気密に閉じられた状態で、所定の真空度に
排気管6によって真空排気され、ヒータユニット3によ
って所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入
管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、
所定の膜がウエハ9に形成される。そして、予め設定さ
れた処理時間が経過すると、ボート8がボートエレベー
タ7によって下降されることにより、処理済みウエハ9
を保持したボート8が元の装填および脱装ステーション
(以下、装填ステーションという。)に搬出される。 【0040】以上の成膜処理の実行中に上段ポートAお
よび下段ポートBにおいては、他方のボート8に保持さ
れた処理済みウエハ9の脱装(ディスチャージング)作
業が同時進行されている。すなわち、装填ステーション
に搬出されたボート8の処理済みウエハ9はウエハ移載
装置15によってピックアップされ、上段ポートAに予
め搬入されてドア10aを外されて開放された空のポッ
ド10に収納される。上段ポートAでの空のポッド10
への所定の枚数のウエハ9の収容が終了すると、クロー
ジャ40に保持されて退避されていたドア10aがウエ
ハ出し入れ口22の位置に左右方向移動台31によって
戻され、前後方向移動台34によってウエハ出し入れ口
22に挿入されポッド10のウエハ出し入れ口10bに
嵌入される。この際にも、窒素ガス62がクロージャ収
容室61に給気管63と排気管64とによって流通され
ることにより、クロージャ室61およびポッド10のウ
エハ収納室10cが窒素ガス62によってパージされ、
ポッド収納室10cに窒素ガス62が充填される。ドア
10aがウエハ出し入れ口10bに嵌入されると、解錠
軸41がエアシリンダ装置45によって回動され、ドア
10aの錠前を施錠する。これにより、ウエハ収納室1
0cには窒素ガス62が密封された状態になる。ドア1
0aの施錠が終了すると、給排気路から吸込口部材47
に供給されていた負圧が切られて大気に開放されること
により、吸着具46のドア10aの真空吸着保持が解除
される。続いて、載置台27がエアシリンダ装置26に
よってベース21から離れる方向に移動され、ポッド1
0の開口側端面がベース21の正面から離座される。次
いで、処理済みのウエハ9が収納された処理済み実ポッ
ド10はポッド棚12にポッド搬送装置14によって搬
送されて戻される。 【0041】処理済みウエハ9を収納してポッド棚12
に戻されたポッド10はポッド棚12からポッドステー
ジ11へポッド搬送装置14によって搬送される。ポッ
ドステージ11に移載されたポッド10はポッド出し入
れ口から筐体2の外部に搬出されて、洗浄工程や成膜検
査工程等の次工程へ搬送される。そして、新規のウエハ
9を収納したポッド10が筐体2内のポッドステージ1
1にポッド出し入れ口から搬入される。 【0042】なお、新旧ポッド10のポッドステージ1
1への搬入搬出(ポッドローディングおよびポッドアン
ローディング)作業およびポッドステージ11とポッド
棚12との間の入替え作業は、プロセスチューブ4にお
けるボート8の搬入搬出(ボートローディングおよびボ
ートアンローディング)作業や成膜処理の間すなわち成
膜待機ステップSt(Sp)の実行中に同時進行される
ため、バッチ式CVD装置1の全体としての作業時間が
延長されるのを防止することができる。 【0043】以降、以上説明したウエハ装填脱装方法お
よび成膜方法が繰り返されて、CVD膜がウエハ9にバ
ッチ式CVD装置1によって形成され、半導体素子を含
む集積回路がウエハ9に作り込まれる半導体装置の製造
方法における成膜工程が実施されて行く。 【0044】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。 【0045】1) ポッドオープナ20のベース21にポ
ッド10のウエハ出し入れ口10bを被覆するチャンバ
60を敷設し、このチャンバ60には窒素ガス62をク
ロージャ収容室61に流通させるための給気管63およ
び排気管64を接続することにより、ポッドオープナ2
0によるポッド10の開放時に窒素ガス62をチャンバ
60のクロージャ収納室61に充填することができるた
め、ポッド10のウエハ収納室10cに閉じ込められて
いた大気を窒素ガス62によって排気するとともに、ク
ロージャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室1
0cにおける大気中の空気や水分を窒素ガス62によっ
てパージすることができる。 【0046】2) チャンバ60のクロージャ収容室61
やポッド10のウエハ収納室10cを窒素ガス62によ
ってパージすることにより、ポッド10のウエハ収納室
10cに閉じ込められていた大気中の空気や水分がベー
ス21の背面側空間であるウエハ移載装置15の設置空
間に放出されるのを防止することができるため、それら
によるウエハ移載装置15の移載空間の汚染や酸素濃度
の上昇等の弊害の発生は防止することができる。 【0047】3) また、ポッド10のウエハ出し入れ口
10bの開放時にウエハ収納室10cのウエハ9が大気
中の空気や水分に接触するのを防止することができるた
め、それらによるウエハ9の自然酸化膜の堆積やパーテ
ィクルの付着等の弊害の発生を防止することができる。
さらに、ポッド10のウエハ出し入れ口10bの閉鎖時
に、ポッド10のウエハ収納室10cに窒素ガス62を
充填して密封することにより、収納中のウエハの自然酸
化等を抑制することができる。 【0048】4) チャンバ60の背面壁のウエハ出し入
れ口65をクロージャ40によって密封することができ
るように構成することにより、窒素ガス62のクロージ
ャ収容室61への充填時にウエハ出し入れ口65をクロ
ージャ40によって密封することができるため、クロー
ジャ収容室61およびポッド10のウエハ収納室10c
を窒素ガス62によって効率的にパージすることができ
る。 【0049】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。 【0050】例えば、ウエハ授受ポートは上下二段設置
するに限らず、一段だけ設置してもよいし、上中下三段
のように三段以上設置してもよい。 【0051】マッピング装置をポッドに対して進退させ
る構造としてはロータリーアクチュエータを使用した構
成を採用するに限らず、XY軸ロボット等を使用した構
成を採用してもよい。また、マッピング装置は省略して
もよい。 【0052】基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリ
ント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび
磁気ディスク等であってもよい。 【0053】バッチ式CVD装置は成膜処理に使用する
CVD装置に限らず、酸化膜形成処理や拡散処理等の熱
処理にも使用することができる。 【0054】前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・C
VD装置の場合について説明したが、本発明はこれに限
らず、バッチ式CVD装置全般に適用することができ
る。 【0055】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の自然酸化膜の堆積やパーティクルの付着、内側空
間の汚染や酸素濃度の上昇等のポッドの開放時における
弊害の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装
置を示す一部省略斜視図である。 【図2】ポッドオープナを示す正面側から見た斜視図で
ある。 【図3】そのポッド載置状態を示す斜視図である。 【図4】ポッドオープナを示す背面側から見たチャンバ
を取り除いた一部省略斜視図である。 【図5】図4の省略したV部を示す斜視図である。 【図6】ポッドオープナを示す背面側から見たチャンバ
を敷設した斜視図である。 【図7】その一部省略平面断面図である。 【図8】ポッドオープナのその作用を説明するための各
一部省略平面断面図であり、(a)はドアの取外し前を
示し、(b)はドアの取外し後を示し、(c)はチャン
バの密封時を示している。 【図9】同じく各一部省略平面断面図であり、(a)は
窒素ガスパージ時を示し、(b)はドアの退避時を示
し、(c)はマッピング時を示している。 【符号の説明】 1…バッチ式CVD装置(基板処理装置)、2…筐体、
3…ヒータユニット、4…プロセスチューブ、5…ガス
導入管、6…排気管、7…ボートエレベータ、8…ボー
ト、9…ウエハ(基板)、10…ポッド、10a…ド
ア、10b…ウエハ出し入れ口、10c…ウエハ収納
室、11…ポッドステージ、12…ポッド棚、13…ウ
エハ授受ポート、14…ポッド搬送装置、15…ウエハ
移載装置、16…ボートチェンジャ、20…ポッドオー
プナ(開閉装置)、21…ベース、22…ウエハ出し入
れ口、23…支持台、24…ガイドレール、25…ガイ
ドブロック、26…エアシリンダ装置、27…載置台、
28…位置決めピン、30…ガイドレール、31…左右
方向移動台、32…エアシリンダ装置、32a…ピスト
ンロッド、33…ガイドレール、34…前後方向移動
台、35…ガイド孔、36…ブラケット、37…ロータ
リーアクチュエータ、37a…アーム、38…ガイドピ
ン、39…ブラケット、40…クロージャ、41…解錠
軸、41a…係合部、42…プーリー、43…ベルト、
44…連結片、45…エアシリンダ装置、46…吸着
具、47…吸込口部材、50…ロータリーアクチュエー
タ、50a…回転軸、51…アーム、52…挿通孔、5
3…マッピング装置、54、55、56…パッキン、6
0…チャンバ、61…クロージャ収容室、62…窒素ガ
ス(不活性ガス)、63…給気管、64…排気管、65
…ウエハ出し入れ口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/22 511 H01L 21/22 511Q Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 GA12 LA15 5F031 CA02 DA08 EA12 EA14 FA01 FA15 GA47 GA48 GA49 GA50 MA17 MA28 NA04 NA10 PA26 5F045 BB10 BB14 DP19 DQ05 EB02 EB12 EE14 EM10 EN04 EN05 EN06

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 複数枚の基板が基板出し入れ口から収納
    されこの基板出し入れ口にはドアが着脱自在に装着され
    たキャリアを取り扱う基板処理装置であって、前記キャ
    リアに対して前記基板を出し入れする基板授受ポートが
    設けられているとともに、この基板授受ポートには前記
    ドアを着脱して前記キャリアを開閉するキャリア開閉装
    置が設けられており、前記基板授受ポートには前記キャ
    リアの前記基板出し入れ口を被覆するチャンバが設置さ
    れ、このチャンバには前記キャリアの内部に前記基板出
    し入れ口から不活性ガスを導入させる給気管が接続され
    ていることを特徴とする基板処理装置。
JP2001189380A 2001-06-22 2001-06-22 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP4255222B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001189380A JP4255222B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001189380A JP4255222B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008313183A Division JP4728383B2 (ja) 2008-12-09 2008-12-09 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003007801A true JP2003007801A (ja) 2003-01-10
JP4255222B2 JP4255222B2 (ja) 2009-04-15

Family

ID=19028313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001189380A Expired - Lifetime JP4255222B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4255222B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353940A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の保管庫、保管方法及びそれを用いた半導体基板の製造方法
WO2006030849A1 (ja) * 2004-09-15 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR100593424B1 (ko) 2004-12-02 2006-06-30 (주)인터노바 이중 도어 구조를 갖는 fims 로더
JP2008160076A (ja) * 2006-11-27 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2008270266A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100959707B1 (ko) 2003-04-29 2010-05-25 동부일렉트로닉스 주식회사 상압 화학 기상 증착 장치의 웨이퍼 로딩 커버 및 그웨이퍼 로딩 방법
JP2010123672A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2012015530A (ja) * 2011-07-25 2012-01-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板検出方法
US8128333B2 (en) 2006-11-27 2012-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices
US20130121851A1 (en) * 2011-11-11 2013-05-16 Bong-Ho Kim Apparatus for purge to prevent airborne molecular contaminant(amc) & natural oxide
KR101285077B1 (ko) 2011-07-12 2013-07-17 로체 시스템즈(주) 밀폐형 카세트 적재장치
US8814488B2 (en) 2007-04-02 2014-08-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100959707B1 (ko) 2003-04-29 2010-05-25 동부일렉트로닉스 주식회사 상압 화학 기상 증착 장치의 웨이퍼 로딩 커버 및 그웨이퍼 로딩 방법
JP2005353940A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板の保管庫、保管方法及びそれを用いた半導体基板の製造方法
JPWO2006030849A1 (ja) * 2004-09-15 2008-05-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US8777553B2 (en) 2004-09-15 2014-07-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR100863011B1 (ko) * 2004-09-15 2008-10-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 제조장치 및 반도체장치의 제조방법
WO2006030849A1 (ja) * 2004-09-15 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2010166077A (ja) * 2004-09-15 2010-07-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板装填脱装方法および半導体装置の製造方法
JP4516966B2 (ja) * 2004-09-15 2010-08-04 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、基板の装填脱装方法および半導体装置の製造方法
KR100593424B1 (ko) 2004-12-02 2006-06-30 (주)인터노바 이중 도어 구조를 갖는 fims 로더
JP2008160076A (ja) * 2006-11-27 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2009177195A (ja) * 2006-11-27 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法
KR100932961B1 (ko) * 2006-11-27 2009-12-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US8128333B2 (en) 2006-11-27 2012-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method for semiconductor devices
US8814488B2 (en) 2007-04-02 2014-08-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2008270266A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010123672A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法
KR101285077B1 (ko) 2011-07-12 2013-07-17 로체 시스템즈(주) 밀폐형 카세트 적재장치
JP2012015530A (ja) * 2011-07-25 2012-01-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板検出方法
US20130121851A1 (en) * 2011-11-11 2013-05-16 Bong-Ho Kim Apparatus for purge to prevent airborne molecular contaminant(amc) & natural oxide
US8832960B2 (en) * 2011-11-11 2014-09-16 Ls Tec Co., Ltd. Apparatus for purge to prevent airborne molecular contaminant (AMC) and natural oxide

Also Published As

Publication number Publication date
JP4255222B2 (ja) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100639765B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 반도체 장치의 제조방법
JP4516966B2 (ja) 半導体製造装置、基板の装填脱装方法および半導体装置の製造方法
TWI681915B (zh) 裝載埠
TW202207350A (zh) 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠
JP2003077974A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TW201029096A (en) Processing apparatus and processing method
JP2003007801A (ja) 基板処理装置
JP2006086308A (ja) 半導体製造装置
JP2005079250A (ja) 基板処理装置
WO2005004228A1 (ja) 処理装置
JP4155722B2 (ja) 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板搬送方法
JP2002261150A (ja) 基板処理装置
KR100717990B1 (ko) 반도체 자재 처리를 위한 이송 시스템
JP4383636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4728383B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3856726B2 (ja) 半導体製造装置
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
JP3666636B2 (ja) 基板の処理装置
JP5313639B2 (ja) 基板搬送方法、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP4847032B2 (ja) 基板処理装置および基板検出方法
JP2003086653A (ja) 基板処理装置
JP2002246436A (ja) 基板処理装置
JPH0964144A (ja) 基板の保管方法とそのためのクリーンストッカ、真空ゲートバルブおよび搬送容器
JPH04184927A (ja) ウエハのクリーニングシステム
JP2005276941A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050930

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081014

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090113

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090127

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4255222

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term