JP2012216718A - Cvd装置のクリーニング方法 - Google Patents
Cvd装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012216718A JP2012216718A JP2011081911A JP2011081911A JP2012216718A JP 2012216718 A JP2012216718 A JP 2012216718A JP 2011081911 A JP2011081911 A JP 2011081911A JP 2011081911 A JP2011081911 A JP 2011081911A JP 2012216718 A JP2012216718 A JP 2012216718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- chamber
- film forming
- plasma process
- forming chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を行うことで、成膜室22のクリーニングを行う。ノンプラズマ工程では、成膜室22内にフッ素と窒素の混合ガス等を導入して成膜室22内を摂氏250度未満に保つ。ノンプラズマ工程においては、プラズマ放電を行わない。プラズマ工程では、成膜室22内を減圧し、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガス等を導入してプラズマを発生させる。プラズマ工程においても、成膜室22内を摂氏250度未満に保つ。
【選択図】図1
Description
本発明で採用するCVD装置のクリーニング方法は、成膜が可能な成膜室を有したCVD装置において、ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を有している。
ノンプラズマ工程では、第一反応ガスの供給方法としてノンフロー方式、フロー方式の選択肢がある。
またノンプラズマ工程においては、第一反応ガスが至った領域をクリーニングすることができ、成膜室を隅々まで清掃することができる。その一方でノンプラズマ工程はプラズマによらずに残さと反応ガスとを反応させるので、プラズマを併用する場合と比べると、残さ除去に時間を要する。そのため、例えば、単にノンプラズマ工程だけを実行すると、残さが厚く積層された領域については、短時間では残さを充分に除去することができないことがある。
すなわち本発明は、ノンプラズマ工程にて広範囲に広がる薄い析出物を除去し、プラズマ工程で厚く析出した残さを除去することができる。
特に、ハイブリッド型と称される太陽電池の様な、結晶構造が異なる層を複数備えた基板を1つの成膜室内で成膜する成膜装置では、硬度や組成、反応性が異なる析出物が重なって付着している。この様な成膜室をクリーニングする場合には、反応条件を変えてクリーニングすることが有効であり、本発明の様なプラズマ工程とノンプラズマ工程を併用する効果か高い。
また更に、酸化シリコン膜(特にn型酸化シリコン膜)の様な共有結合を有する析出物が存在する成膜室や、合金が析出する成膜室をクリーニングする場合にも本発明の様なプラズマ工程とノンプラズマ工程を併用する効果か高い。
また本発明によると、反応ガスの節約にも寄与する。つまり、ノンプラズマ工程では、第一反応ガスをノンフロー方式で供給する場合、使用するガス量は少なくて済む。また、プラズマ工程においても、仕上げ処理を速く行うことができるため、使用するガス量は少なくて済む。すなわち、ノンプラズマ工程とプラズマ工程を組み合わせることにより、結果的に残さの除去に使用するガス量を低減できる。またクリーニングに要する総時間も短縮することができる。
すなわち本発明は、ノンプラズマ工程とプラズマ工程を組み合わせることによる相乗効果で、成膜室内をより完全に清掃することができ、且つ反応ガスの消費量を低減し、さらに所要時間を短縮することもできる。
しかしながら、本発明者らの実験によると、成膜室内の温度を一定以上に上昇させると、成膜室やこれに連通する流路の部材を腐食させることが判った。
すなわち成膜室やこれに連通する流路は、腐食を防ぐためにステンレス鋼が多用されている。ステンレス鋼は錆びにくいが、フッ素を含む反応ガスと接触すると腐食する。そして腐食速度は、環境温度の上昇と共に増加してゆくが、本発明者らの実験によると、摂氏250度程度を境として腐食速度が急激に上昇する。
ここで本発明は、前述の通り、ノンプラズマ工程において、第一反応ガスの反応性を高めるために成膜室内を昇温し過ぎると反応速度が加速され、過度なクリーニングによって成膜室が腐食されることがある。
本発明で採用するCVD装置のクリーニング方法では、成膜室内の温度を摂氏250度未満としている。つまり、成膜室等にステンレス鋼が使用されていても、成膜室等が腐食されることを防止できる。
プラズマ工程についても同様であり、成膜室内の温度を摂氏250度未満の温度に調整することによって成膜室等にステンレス鋼が使用されていても、成膜室等が腐食されることを防止できる。
本発明で採用するCVD装置のクリーニング方法では、移動用チャンバーが有する収納室と成膜室とを一体化した状態でノンプラズマ工程を実施する。すなわち、成膜室のクリーニングを行う際に、収納室も併せてクリーニングすることができる。
成膜チャンバー群3を構成する成膜チャンバー15は、いずれも同一の構造をしたものである。図3は、成膜チャンバー15の内部構造を示す斜視図である。
シャッター18は、スライド型ゲートバルブと称されるものが採用されており、図3の矢印に示すように扉状の部材14が矢印の方向にスライドする。
また、成膜室22の内部には、前記した基体受取・払出し装置2と同様の基体移動装置29が設けられている。基体移動装置29の数は、前記した基体受取・払出し装置2と同一であり、その間隔も基体受取・払出し装置2と同一である。
成膜室22の内部では、図3に示すように各基体移動装置29のガイド溝11内に電極25a〜25eが位置する。
移動用チャンバー5は、図2に示すように天面、底面、左右側面、裏面の6面が囲まれた箱状であり、正面には長方形の収納室出入口35が設けられている。収納室出入口35の開口端にはフランジ37が設けられている。
移動用チャンバー5の収納室出入口35には、これを遮蔽する部材が無く、収納室出入口35は常に開放されている。
収納室47の内部には、前記した基体受取・払出し装置2及び成膜室22と同様に基体移動装置49が設けられている。基体移動装置49の数は、前記した基体受取・払出し装置2及び成膜室22のそれと同一であり、その間隔も基体受取・払出し装置2等と同一である。
また、収納室47には、弁45を介して真空ポンプ44が接続されている。真空ポンプ44は、収納室側減圧装置として機能する。
一方、前後方向には直線ガイド51に沿って行われる。つまり、図示しない油圧又は空気圧シリンダーで移動用チャンバー5が前後方向(成膜チャンバー15に対して近接・離反方向)に直線移動する。
基体キャリア72は、図7に示すように、直方体のキャリアベース73を有し、その両側に合計8個の車輪75が設けられている。
枠体77は、図7,8の様に、正方形の開口78が2個設けられたものであり、当該開口78の周囲にクリップ80が多数設けられている。
したがって、基体46たるガラス基板の露出面は、対向する枠体77の内側を向いている。
チャンバー移動装置32の電動機(図示省略)を回転して自走し、移動用チャンバー5は、成膜チャンバー群3の列方向に移動する。
またチャンバー移動装置32のシリンダー(図示省略)を伸縮させると、移動用チャンバー5は、成膜チャンバー15に対して近接・離反方向に移動する。
そして、5基の基体キャリア72が順次前進し、移動用チャンバー5側の収納室47内に移動する。
以下、この工程を繰り返し、基体46に薄膜を積層する作業を行う。
本発明の実施形態に係るCVD装置1のクリーニング方法は、成膜チャンバー15(成膜室22)を単体でクリーニングする方法と、成膜チャンバー15(成膜室22)と移動用チャンバー5(収納室47)とを一体化させた状態でクリーニングする方法とがある。
まず、成膜チャンバー15(成膜室22)単体のクリーニング方法について説明する。
成膜室22単体のクリーニング方法で行われる工程は、ノンプラズマ工程と、プラズマ工程の2種類であり、この2種類の工程を順に行うことで、成膜室22のクリーニングを行うことが可能である。ノンプラズマ工程と、プラズマ工程の順番は不問であり、実施回数も問わない。従ってノンプラズマ工程の実施後にプラズマ工程を実施して成膜室22のクリーニングを終えてもよく、プラズマ工程を先に実施してその後でノンプラズマ工程を実施し、成膜室22のクリーニングを終えてもよい。またノンプラズマ工程と、プラズマ工程を交互に複数回繰り返してもよい。さらにノンプラズマ工程又は複数回繰り返した後に、プラズマ工程を複数回繰り返してもよく、プラズマ工程又は複数回繰り返した後に、ノンプラズマ工程を複数回繰り返してもよい。
推奨される方策は、ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を交互に複数回繰り返し、最後にプラズマ工程を実施して成膜室22のクリーニングを終える方策である。
ノンプラズマ工程は、成膜室22内でプラズマ放電を行わず、第一反応ガスによる化学反応のみでクリーニングを行う工程である。ノンプラズマ工程において、第一反応ガスの注入方法として、ノンフロー方式とフロー方式があるが、いずれの方式も採用することができる。
ここでノンフロー方式は、成膜室22内に第一反応ガスを注入して所定の時間だけ経過させた後に、第一反応ガスを排出して成膜室22内を清掃する方策である。一方、フロー方式は、成膜室22内に第一反応ガスを注入しながら成膜室22内を排気して成膜室22内を清掃する方策である。
前記した様に第一反応ガスの注入方法は任意であり、ノンフロー方式を採用しても、フロー方式を採用してもよいが、本実施形態では、ノンフロー方式を採用することとする。 第一反応ガスの注入には原料ガス供給源61を用い、成膜室22内の排気には真空ポンプ34を用いる。
ノンプラズマ工程を実施する際の成膜室22内の圧力(全圧)は1000〜5000(Pa:パスカル)として説明する。
No.1のフッ素ガス単体を使用する場合においては、全圧が分圧に等しい。すなわちフッ素ガス単体を使用する場合においては、成膜室22内におけるフッ素ガスの分圧は、1000〜5000(Pa)である。
No.2のフッ素ガスと窒素ガスの混合ガスにおいては、フッ素ガス(F2)がクリーニングガスであり、窒素ガス(N2)が希釈ガスである。成膜室22内におけるフッ素ガスの分圧は、1000〜5000(Pa)である。
No.3の三フッ化塩素ガス(ClF3)においては、成膜室22内における三フッ化塩素ガス濃度は、100(vol%)である。また、成膜室22内における三フッ化塩素ガスの分圧は、1000〜5000(Pa)である。
成膜室22内の温度は、摂氏250度未満とすることが望ましい。またより望ましい温度範囲は、摂氏25度から摂氏200度であり、もっとも推奨される温度範囲は、摂氏50度から摂氏150度の範囲である。
すなわち成膜室22内の温度が摂氏250度以上になると、成膜室22の本体やヒータ23a,b,c,d,e,f等の内部機器、さらに真空ポンプ34等の付属機器等まで腐食してしまう懸念がある。一方、雰囲気温度が摂氏25度未満であれば、反応ガスの活性が低下し、析出物の除去が円滑に行われない。
成膜室22内の温度が摂氏50度から摂氏150度の範囲に保たれれば、析出物の除去が円滑に行われ、且つ内部機器を傷めることもない。
本実施形態では、プラズマ工程において、成膜室22内を全圧20〜1000(Pa)に減圧している。
すなわち成膜室22内の温度が摂氏250度以上になると、成膜室22の本体やヒータ23a,b,c,d,e,f等の内部機器、さらに真空ポンプ34等の付属機器等まで腐食してしまう懸念がある。一方、雰囲気温度が摂氏25度未満であれば、反応ガスの活性が低下し、析出物の除去が円滑に行われない。
成膜室22内の温度が摂氏50度から摂氏150度の範囲に保たれれば、析出物の除去が円滑に行われ、且つ内部機器を傷めることもない。
いずれのガスを採用する場合においても、反応ガス(希釈ガスを除く部分)の成膜室22内における分圧は、20〜1000(Pa)である。
すなわちNo.1のフッ素ガス単体には、成膜室22内におけるフッ素ガスの分圧は、20〜1000(Pa)である。No.2のフッ素ガスと窒素ガスの混合ガスにも成膜室22内におけるフッ素ガスの分圧は、20〜1000(Pa)である。
さらには、No.3のフッ化カルボニルガス単体を採用する場合には、成膜室22内におけるフッ化カルボニルガスの分圧は、20〜1000(Pa)である。
またNo.4のフッ化カルボニルと酸素ガスの混合ガス、を採用する場合にも、成膜室22内におけるフッ化カルボニルガスの分圧は、20〜1000(Pa)である。
No.5の三フッ化塩素ガスの単体を採用する場合には、成膜室22内における三フッ化塩素ガスの分圧は、20〜1000(Pa)である。
なお単体のガスを使用する場合には、分圧と全圧とは等しいものとなる。
そのため、ノンプラズマ工程にて成膜室22内の広い範囲の不要物を除去し、プラズマ工程で成膜室22内に厚く積層された析出物を速く除去して仕上げることができる。またノンプラズマ工程においては第一反応ガスをノンフロー方式で供給し、一度溜めるだけで良いため、使用するガス量は少なくて済む。また、プラズマ工程においても、仕上げ処理を速く行うことができるため、使用するガス量は少なくて済む。すなわち、ノンプラズマ工程とプラズマ工程を組み合わせることにより、成膜室22内の不要物の除去に使用するガス量を、従来と比べて低減できる。また全体の処理時間も短縮することができる。
前述の通り、ノンプラズマ工程にて成膜室22の大部分の不要物を除去し、プラズマ工程で成膜室22の不要物を速く除去して仕上げることができる。
図11に示すように、成膜室22の弁33と真空ポンプ34の間には、ガス分析装置65が設けられている。例えばプラズマ工程において、ガス分析装置65で成膜室22から排出される反応ガスのモニタリングを行う。つまり、ガス分析装置65で反応ガスの成分を分析し、排出ガスに含まれる析出物に由来するガスの成分を監視する。そして析出物に由来するガスが一定量以下となったならば、クリーニングが完了したものとみなす。
逆にノンフロー方式を採用する場合には、析出物に由来するガスが一定量以上となったならば、クリーニングが完了したものとみなす。
この様に、成膜室から排出される反応ガス等をモニタリングすることによって成膜室22内のクリーニング状況を把握できる。その結果、過度なクリーニングによって成膜室22が腐食されることを防止できる。
成膜チャンバー15(成膜室22)と移動用チャンバー5(収納室47)とを一体化させた状態のクリーニング方法の準備段階として、図9,10で示したように、成膜室22と収納室47とを結合して一体化させる。この時、成膜室22と収納室47のどちらからも、基材キャリア72は取り出しておく。
5 移動用チャンバー
22 成膜室
34 真空ポンプ(成膜室側減圧装置)
46 基体(基板)
47 収納室
60 高周波交流電源(高周波電源装置)
61 原料ガス供給源(反応ガス注入装置)
65 ガス分析装置
Claims (12)
- プラズマ放電が可能な高周波電源装置と、成膜室側減圧装置と、反応ガス注入装置を備えた成膜室を有し、前記成膜室内で基板に成膜が可能なCVD装置のクリーニング方法において、
ノンプラズマ工程と、プラズマ工程を有し、
前記ノンプラズマ工程は、成膜室内に第一反応ガスを注入して所定の時間だけ経過させる工程、又は成膜室内に第一反応ガスを注入しながら成膜室内を排気する工程であり、
前記プラズマ工程は、成膜室内に第二反応ガスを注入しながら成膜室内を排気し、且つプラズマ放電を行う工程であり、
第一反応ガスと第二反応ガスは、フッ素元素を含むものであることを特徴とするCVD装置のクリーニング方法。 - 前記ノンプラズマ工程及び/又は前記プラズマ工程においては、成膜室内の温度を摂氏250度未満の温度に調整することを特徴とする請求項1に記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記第一反応ガスは、フッ素ガス、少なくともフッ素ガスと窒素ガスとを含む混合ガス、三フッ化塩素ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記第二反応ガスは、フッ素ガス、少なくともフッ素ガスと窒素ガスとを含む混合ガス、フッ化カルボニルガス、少なくともフッ化カルボニルガスと酸素ガスとを含む混合ガス、三フッ化塩素ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記ノンプラズマ工程において、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガスを用いた際の成膜室内におけるフッ素ガスの分圧を1000〜5000パスカルとすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記ノンプラズマ工程において、三フッ化塩素ガスを用い、成膜室内における三フッ化塩素ガスの分圧を1000〜5000パスカルとすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記プラズマ工程において、フッ素ガスと窒素ガスの混合ガスを用いた際の成膜室内のフッ素ガスの分圧を20〜1000パスカルとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記プラズマ工程において、フッ化カルボニルガスと酸素ガスの混合ガスを用いた際の成膜室内のフッ化カルボニルガスの分圧を20〜1000パスカルとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記プラズマ工程において、三フッ化塩素ガスを用いた際の成膜室内の分圧を20〜1000パスカルとすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記ノンプラズマ工程とプラズマ工程を一回ずつあるいは複数回実施した後に、プラズマ工程を行うことを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- ガス分析装置を有し、ガス分析装置で前記成膜室から排出される反応ガスのモニタリングを行うことを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
- 前記成膜室に基板を搬入及び搬出可能な移動用チャンバーを有し、前記移動用チャンバーは収納室を有し、前記収納室は成膜室と結合して室内を一体化可能であり、収納室と成膜室とを一体化した状態で前記ノンプラズマ工程を実施することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のCVD装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081911A JP2012216718A (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | Cvd装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011081911A JP2012216718A (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | Cvd装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012216718A true JP2012216718A (ja) | 2012-11-08 |
Family
ID=47269213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011081911A Pending JP2012216718A (ja) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | Cvd装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012216718A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018026460A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1072672A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-17 | Applied Materials Inc | 非プラズマ式チャンバクリーニング法 |
JP2004207466A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP2005139524A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Kaneka Corp | Cvd装置及びcvd方法 |
JP2005159364A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Air Products & Chemicals Inc | 蒸着チェンバーから誘電率が大きな材料を除去する方法 |
JP2009533853A (ja) * | 2006-04-10 | 2009-09-17 | ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | エッチング方法 |
-
2011
- 2011-04-01 JP JP2011081911A patent/JP2012216718A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1072672A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-17 | Applied Materials Inc | 非プラズマ式チャンバクリーニング法 |
JP2004207466A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 |
JP2005139524A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Kaneka Corp | Cvd装置及びcvd方法 |
JP2005159364A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Air Products & Chemicals Inc | 蒸着チェンバーから誘電率が大きな材料を除去する方法 |
JP2009533853A (ja) * | 2006-04-10 | 2009-09-17 | ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | エッチング方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018026460A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI756350B (zh) | 藉由熱ald及peald沉積氧化物膜之方法 | |
CN109075030B (zh) | 用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺 | |
TWI460792B (zh) | 膜形成方法、膜形成設備及膜形成設備之使用方法 | |
KR101070666B1 (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20190108982A1 (en) | High energy atomic layer etching | |
KR100855597B1 (ko) | 육불화황 원격 플라즈마 소스 세정 | |
TWI325600B (ja) | ||
US9970110B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20050022740A1 (en) | Plasma processing system and cleaning method for the same | |
WO2004044970A1 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI676701B (zh) | 成膜裝置及成膜方法 | |
KR20150106339A (ko) | 종형 열처리 장치, 종형 열처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체 | |
JP6760439B2 (ja) | 薄膜トランジスターの製造方法及び記憶媒体 | |
JP7358301B2 (ja) | ウエハガス放出のためのプラズマエンハンストアニールチャンバ | |
KR20100071961A (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20190048469A1 (en) | Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus | |
JP5839514B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法 | |
US20130025624A1 (en) | Method of cleaning a semiconductor device manufacturing apparatus | |
TWI578395B (zh) | 立式熱處理裝置之運轉方法 | |
JP2012023221A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP5546654B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 | |
JP2012216718A (ja) | Cvd装置のクリーニング方法 | |
KR101388224B1 (ko) | 다이렉트 플라즈마 형성 증착장치 | |
KR20110072354A (ko) | 기판처리시스템 및 그에 사용되는 세정모듈 | |
KR101121432B1 (ko) | 서셉터 코팅장치 및 코팅방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141016 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141205 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150806 |