JP4413843B2 - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 83
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 77
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 77
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 55
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 32
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101710158075 Bucky ball Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N n-[(2-chlorophenyl)methyl]-1-(3-methylphenyl)benzimidazole-5-carboxamide Chemical compound CC1=CC=CC(N2C3=CC=C(C=C3N=C2)C(=O)NCC=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1 MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 230000009666 qualitative growth Effects 0.000 description 1
- 230000009663 quantitative growth Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
アノード(第1電極)として、コーニング社製の15Ω/cm2(120nm)のITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水の中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV、オゾン洗浄したものを使用した。有機EL素子の製作時に、前記洗浄過程を経たITOガラス基板は、0.1mtorr以下の真空下で9分間プラズマ処理された。
アノード(第1電極)として、コーニング社製の15Ω/cm2(120nm)のITOガラス基板を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水の中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV、オゾン洗浄したものを使用した。有機EL素子の製作時に、前記洗浄過程を経たITOガラス基板は、0.1mtorr以下の真空下で9分間プラズマ処理された。
バッファ層を0.1nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を3nmの厚さに形成したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.2nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を3nmの厚さに形成したことを除き、参考例2と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.01nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を7nmの厚さに形成したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.05nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を7nmの厚さに形成したことを除き、参考例2と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.1nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を7nmの厚さに形成したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.2nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を7nmの厚さに形成したことを除き、参考例2と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.05nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を15nmの厚さに形成したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.05nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を25nmの厚さに形成したことを除き、参考例2と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.05nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を30nmの厚さに形成したことを除き、実施例1と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を0.3nm/sの速度で熱蒸着し、バッファ層を30nmの厚さに形成したことを除き、参考例2と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
前記実施例1、3、5、7、9、および11ならびに参考例2、4、6、8、10、および12によって製造された有機EL素子の駆動電圧、効率(電流密度)及び半減寿命特性を下記の方法によって調べ、その結果を下記表1に表した。
輝度:BM5A(Topcon社)で測定する。
駆動電圧:Keithleyの238 HIGH CURRENT SOURCE MEASURE UNITで測定する。
電流密度:直流(DC)10mA/cm2から100mA/cm2まで10mA/cm2ずつ向上させつつ進め、同じ素子構造で9つ以上のポイントで評価した。
半減寿命:DC 50mA/cm2の同一電流密度の印加時に、素子の輝度が初期値の50%まで減少する時間を調べて評価した。同じ素子構造で3つ以上の素子でもって寿命の再現性を確認した。
アノード(第1電極)として、ITO電極の備わったガラス基板(コーニング社製、表面抵抗:15Ω/cm2、厚さ:120nm)を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水の中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV、オゾン洗浄したものを使用した。有機EL素子の製作時に、前記洗浄過程を経たITO電極の備わったガラス基板は、0.1mtorr以下の真空下で9分間プラズマ処理された。
バッファ層の厚さをそれぞれ2nm、3.5nm、5nm、6.5nm、8nmに変化させたことを除いては、実施例13と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
アノード(第1電極)としてITO電極の備わったガラス基板(コーニング社製、表面抵抗:15Ω/cm2、厚さ:120nm)を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水の中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV、オゾン洗浄して使用した。有機EL素子の製作時に、前記洗浄過程を経たITOガラス基板は、0.1mtorr以下の真空下で9分間プラズマ処理された。
バッファ層の厚さを6.5nm、8nmに変化させたことを除いては、実施例19と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
アノード(第1電極)としてITO電極の備わったガラス基板(コーニング社製、表面抵抗:15Ω/cm2、厚さ:120nm)を50mm×50mm×0.7mmサイズに切り、イソプロピルアルコールと純水の中でそれぞれ5分間超音波洗浄した後、30分間UV、オゾン洗浄して使用した。有機EL素子の製作時に、前記洗浄過程を経たITOガラス基板は、0.1mtorr以下の真空で9分間プラズマ処理された。
バッファ層の厚さを6.5nm及び8nmに変化させたことを除いては、実施例22と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を形成しないことを除いては、実施例13と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を形成しないことを除いては、実施例19と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
バッファ層を形成しないことを除いては、実施例22と同じ方法によって実施し、有機EL素子を製造した。
BM5A(Topcon社)で輝度を測定し、Keithleyの238 HIGH CURRENT SOURCE MEASURE UNITで駆動電圧を測定した。素子の印加電流密度は、直流(DC)10mA/cm2から100mA/cm2まで電流密度を10mA/cm2ずつ向上させつつ進め、同じ素子構造で9つ以上のポイントで評価した。再現性実験は、九回以上実施し、初期特性偏差は、5%以内に含まれる優秀な再現性を示した。
半減寿命は、DC 50mA/cm2の同一電流密度の印加時に、素子の輝度が初期値の50%まで減少する時間を調べて評価した。同じ素子構造で3つ以上の素子で寿命の再現性を確認した。
11 正孔注入層、
12 発光層、
13 第2電極、
14 バッファ層、
16 正孔輸送層、
17 電子輸送層、
18 電子注入層、
20 基板。
Claims (8)
- 第1電極と、
前記第1電極の上部に形成されたフラーレンからなるバッファ層と、
前記バッファ層の上部に形成された正孔注入層(ただし、フラーレンを含む場合を除く)と、
前記正孔注入層の上部に形成された正孔輸送層(ただし、フラーレンを含む場合を除く)と、
前記正孔輸送層の上部に形成された発光層と、
前記発光層の上部に形成された第2電極とを備えた有機電界発光素子。 - 第2のバッファ層が、正孔注入層と正孔輸送層との間に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記バッファ層は、厚さが0.1nmから30nmであることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層と第2電極との間に正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一種以上をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
- 第1電極の上部にフラーレンからなるバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層の上部に正孔注入層(ただし、フラーレンを含む場合を除く)を形成するステップと、
前記正孔注入層の上部に正孔輸送層(ただし、フラーレンを含む場合を除く)を形成するステップと、
前記正孔輸送層の上部に発光層を形成するステップと、
前記発光層の上部に第2電極を形成するステップとを含み、前記バッファ層を0.1nmから30nmの厚さに形成することを含む有機電界発光素子の製造方法。 - 前記バッファ層が真空下で、0.01nm/sから0.2nm/sの速度で蒸着される請求項5に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、0.01nm/sから0.05nm/sの速度に蒸着され、1nmから5nmの厚さに形成されることである請求項5に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、0.05nm/sから0.2nm/sの速度で蒸着され、5nmから10nmの厚さに形成されることである請求項5に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040081114A KR100637178B1 (ko) | 2004-10-11 | 2004-10-11 | 유기 전계 발광 소자 |
KR1020050071502A KR100762676B1 (ko) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114903A JP2006114903A (ja) | 2006-04-27 |
JP4413843B2 true JP4413843B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=35504898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005296426A Active JP4413843B2 (ja) | 2004-10-11 | 2005-10-11 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7811680B2 (ja) |
EP (1) | EP1653529B1 (ja) |
JP (1) | JP4413843B2 (ja) |
DE (1) | DE602005003425T2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080166566A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Shiva Prakash | Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process |
KR100846597B1 (ko) * | 2007-01-24 | 2008-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 함불소 화합물 및 탄소계 화합물을 포함하는 유기 발광소자 |
JP4918387B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-04-18 | タキロン株式会社 | 機能性薄膜素子、表示体、調光体、及び導電層のイオン化ポテンシャル制御方法 |
KR100813854B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100838088B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US8896201B2 (en) | 2008-02-19 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
KR100922757B1 (ko) * | 2008-02-19 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 수명을 향상시킨 유기 발광 소자 |
KR20110039810A (ko) * | 2009-10-12 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101137388B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2012-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 장치 |
KR101677265B1 (ko) | 2010-03-31 | 2016-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101757444B1 (ko) | 2010-04-30 | 2017-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 장치 |
JP6015124B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2016-10-26 | 東ソー株式会社 | カルベン化合物誘導体を構成成分とする有機薄膜電子デバイス |
JP2017515664A (ja) | 2014-05-01 | 2017-06-15 | サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ | 多孔性非対称ポリフェニレンエーテル膜ならびに関連する分離モジュールおよび方法 |
EP3137534A1 (en) | 2014-05-01 | 2017-03-08 | SABIC Global Technologies B.V. | Amphiphilic block copolymer; composition, membrane, and separation module thereof; and methods of making same |
US10080996B2 (en) | 2014-05-01 | 2018-09-25 | Sabic Global Technologies B.V. | Skinned, asymmetric poly(phenylene ether) co-polymer membrane; gas separation unit, and preparation method thereof |
CN106232213B (zh) | 2014-05-01 | 2019-08-27 | 沙特基础工业全球技术有限公司 | 具有包含聚(亚苯基醚)和两亲聚合物的支持物的复合膜、制造方法及其分离组件 |
WO2016178835A1 (en) | 2015-05-01 | 2016-11-10 | Sabic Global Technologies B.V. | Method for making porous asymmetric membranes and associated membranes and separation modules |
US10307717B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Sabic Global Technologies B.V. | Porous membranes and associated separation modules and methods |
US9815031B2 (en) | 2016-03-29 | 2017-11-14 | Sabic Global Technologies B.V. | Porous membranes and associated separation modules and methods |
CN109801951B (zh) * | 2019-02-13 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、电致发光显示面板及显示装置 |
CN113881284B (zh) * | 2021-09-28 | 2022-08-02 | 惠科股份有限公司 | 纳米石墨打印液及其制备方法、有机发光二极管 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3227784B2 (ja) | 1992-06-04 | 2001-11-12 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
US5773929A (en) * | 1996-06-24 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Organic EL device with dual doping layers |
US6605823B1 (en) | 1996-07-29 | 2003-08-12 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices with electrode protection |
JP3787945B2 (ja) | 1997-04-04 | 2006-06-21 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3031356B1 (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
US6208075B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Conductive fluorocarbon polymer and method of making same |
JP2000150152A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000196140A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2001006878A (ja) | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜el素子およびその駆動方法 |
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US6392250B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-05-21 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices having improved performance |
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TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
SG138466A1 (en) * | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
KR100656490B1 (ko) | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
US6670053B2 (en) | 2002-02-26 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with high luminance |
JP4032783B2 (ja) | 2002-03-15 | 2008-01-16 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US6670054B1 (en) * | 2002-07-25 | 2003-12-30 | Xerox Corporation | Electroluminescent devices |
US6562982B1 (en) * | 2002-07-25 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Carbazole compounds |
JP4411828B2 (ja) | 2002-07-31 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR101021749B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2011-03-15 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기 전도 유기 중합체/나노입자 복합체 및 이들의 이용방법 |
KR100769946B1 (ko) | 2003-01-15 | 2007-10-25 | 주식회사 엘지화학 | 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자 |
US6991859B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-01-31 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices |
US7521113B2 (en) * | 2003-04-28 | 2009-04-21 | Zheng-Hong Lu | Light-emitting devices with fullerene layer |
US20060099448A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-05-11 | Zheng-Hong Lu | Top light-emitting devices with fullerene layer |
TW588572B (en) | 2003-04-30 | 2004-05-21 | Chien-Hong Cheng | Organic light-emitting diode containing fullerene as a hole-injection modification layer or hole-transporting layer |
US6881502B2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-19 | Eastman Kodak Company | Blue organic electroluminescent devices having a non-hole-blocking layer |
JP4300176B2 (ja) | 2003-11-13 | 2009-07-22 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4445925B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2010-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機el素子、有機el表示装置、有機el素子の製造方法および有機el素子の製造装置 |
JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
JP4175273B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2008-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 積層型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び表示装置 |
JP4565921B2 (ja) | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
US7358538B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-04-15 | Zheng-Hong Lu | Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene |
US20060105200A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-18 | Dmytro Poplavskyy | Organic electroluminescent device |
KR100712290B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
JP4999291B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-08-15 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置 |
KR100727022B1 (ko) | 2005-08-25 | 2007-06-12 | 주식회사 메디아나전자 | 자외선 발광을 위한 유기발광소자 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-10-05 EP EP05109233A patent/EP1653529B1/en active Active
- 2005-10-05 DE DE602005003425T patent/DE602005003425T2/de active Active
- 2005-10-11 JP JP2005296426A patent/JP4413843B2/ja active Active
- 2005-10-11 US US11/246,308 patent/US7811680B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1653529B1 (en) | 2007-11-21 |
US20060076885A1 (en) | 2006-04-13 |
EP1653529A1 (en) | 2006-05-03 |
US7811680B2 (en) | 2010-10-12 |
DE602005003425T2 (de) | 2008-10-02 |
JP2006114903A (ja) | 2006-04-27 |
DE602005003425D1 (de) | 2008-01-03 |
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JP2000068068A (ja) | 有機elとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081114 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090210 |
|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091027 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091118 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4413843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121127 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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