JP4402021B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

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Description

本発明は半導体集積回路のスキャンテスト技術に関する。
半導体集積回路のスキャンテストにおいては、通常の動作速度と同じタイミングでテストを行うことが望ましい。これを達成するために、動作クロックと同程度の間隔を置いた2つのパルス波からなるディレイ・パルスをクロックとして用いてテストを行う必要がある。このようなテストをディレイ・パルス試験という。
従来、内部クロックと同等の高周波でディレイ・パルス試験を行う技術として特許文献1に開示されているものがある。この技術では、比較的低周波のクロック信号を外部から入力し、入力クロックに基づいて半導体集積回路の通常動作時と同じ比較的高周波のクロック信号を内部のクロック発生部(例えば、PLL回路)で発生させ、内部クロック信号の周期と同じ遅延幅を持つディレイ・パルスを生成するようにしている。この方法により生成したディレイ・パルスを用いてスキャンテストを行えば、半導体集積回路の通常の動作と同じAC的な試験が可能となり、クロックスキューの問題も十分に検証することができる。
特開平8−201481号公報
しかしながら、前記従来の構成では、通常時と同じ比較的高周波のクロック信号を内部のクロック発生部で発生させるため、クロック信号が安定するまでの時間が必要となり、LSI検査コストの増大を招く恐れがある。また、例えばPLL回路を使用した場合は、PLL回路による誤動作が発生すると効果的な故障診断結果を得ることができない可能性がある。そのため、PLL回路に対する試験項目の追加が必要となる。
本発明の目的は、内部のクロック発生部で発生したクロック信号が安定するまでの時間を有効活用できるような機構と、前記クロック発生部による誤動作の発生を判別する機構により、検査コストの削減し、効果的な故障診断結果を得ることにある。
本発明は、外部から入力される比較的低速なクロック信号の分周クロック信号を発生する分周回路と、前記分周クロック信号に基づいて通常動作時と同じ高速なクロック信号を発生するPLL回路などの高速クロック発生回路と、前記高速クロック発生回路が発生するクロック信号が安定しているかどうかを判定するクロック安定待ち回路と、前記高速クロック信号を一定期間のみ出力するパルス発生回路と、前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいてスキャンパス構成を切り替えるスキャンパス制御回路と、活性化させる順序回路を前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいて切り替える活性化制御回路とを備える。
本発明において、前記分周回路は、前記外部から入力される比較的低速なクロック信号と前記分周クロック信号との位相関係に基づいて分周比の切り替えが可能なものである。
本発明において、前記クロック安定待ち回路は、前記分周回路から出力されたクロック信号を入力とし、そのクロック信号をカウントすることでクロック信号が安定しているかどうかを判定するものである。
本発明において、前記パルス発生回路は、前記クロック安定待ち回路によりクロックが安定していると判断された後、スキャンパステストで高速クロック信号をキャプチャするか否かに応じてパルス発生回数の切り替えが可能なものである。
本発明において、前記スキャンパス制御回路は、前記高速クロック信号で動作するグループと前記外部から入力される比較的低速なクロック信号で動作するグループでスキャンパスを構成することが可能なものである。
本発明において、前記活性化制御回路は、前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいて順序回路のシフト動作/通常動作モードの切り替え可能なものである。
本発明によれば、内部のクロック発生部で発生したクロック信号が安定するまでの時間を有効活用できるような機構と、前記クロック発生部による誤動作かどうかを判別する機構により、検査コストの削減や効果的な故障診断結果を得ることができる。
図1は本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。図1において、1は分周回路部、2は高速クロック発生回路部、3はパルス発生回路部、4はクロック安定待ち回路部、5は動作時に必要となる周波数のクロックを発生する回路部、6は活性化制御回路部、7はスキャンパス制御回路部、8は組合せ回路部、9はSRL部、10は順序回路部で構成されている。
上記構成において、入力クロックから分周回路1により基準クロック信号を生成し、この基準クロックから高速クロック発生回路2により通常動作時と同じ高速クロック信号を生成する。その後、この高速クロック信号によりパルス発生回路3で試験内容に応じたパルス数を生成する。その際、パルス発生タイミングはクロック安定待ち回路4からの制御信号により制御される。また、活性化制御回路6やスキャンパス制御回路7はクロック安定待ち回路4からの制御信号に基づき、SRL9で構成される順序回路部10の振る舞いを制御する。
以上のシーケンスに基づいて、スキャン入力から試験データを入力し、スキャン出力から試験データをモニターし、試験結果のパス・フェイル判定を行う。その際に、内部のクロック発生部で発生したクロック信号が安定するまでの時間を有効活用できるような機構や、前記クロック発生部による誤動作かどうかを判別する機構により、検査コストの削減や効果的な故障診断結果を得ることができる。
図2は分周回路1の構成を示すブロック図である。図2において、100は制御信号、101は入力クロックである。この構成において、制御信号100と入力クロック101から、SRLを用いた分周回路により、内部で必要とする基準クロック信号を生成させる。これにより、入力クロック101と周波数が異なる基準クロック信号を生成させることができる。
図3はクロック安定待ち回路部4の構成を示すブロック図である。図3において、SRL構成の回路部は、例えばカウンターなどにより、分周回路1により生成された基準クロックに基づき必要サイクル数だけカウントアップさせるような構成となっており、基準クロックの必要サイクル数を満たすときのみイネーブル信号を出す。これにより、内部のクロック発生部で発生したクロック信号が安定するまでの時間を有効活用できるようになり、検査コストを削減することができる。
図4はスキャンパス制御回路7の具体例を示すブロック図である。図4において、301および302はそれぞれ低速クロックで動作するスキャンチェーン部、303はスキャン入力、304はスキャン段数切り替え回路部、4はクロック安定待ち回路部である。
スキャン段数切り替え回路部304は、クロック安定待ち回路部4で生成される制御信号に基づき、スキャンチェーン部302へ入力するデータとしてスキャン入力303またはスキャンチェーン部301の出力を選択する。これによりスキャン動作段数に切り替えることで、クロック安定待ち時間を有効に活用することが可能となり、検査コストを削減できる。
図5はスキャンパス制御回路7の他の具体例を示すブロック図である。図5において、310は低速クロックで動作するスキャンチェーン部、311は高速クロックで動作するスキャンチェーン部、312はスキャン段数切り替え回路部、4はクロック安定待ち回路部、5は動作時に必要となる周波数のクロックを発生する回路部、101は入力クロックである。
スキャン段数切り替え回路部312は、クロック安定待ち回路部4で生成される制御信号に基づき、低速クロックで動作するチェーン部310へ与えるクロック信号のオン/オフ制御を行う。これにより、クロック安定待ち時間に可能なスキャン動作段数に切り替えることで、クロック安定待ち時間を有効に活用することが可能となり、検査コストを削減できる。
図6は活性化制御回路部6の具体例を示す図である。図6において、401は低速クロックで動作するスキャンチェーン部、402は高速クロックで動作するスキャンチェーン部、400は制御信号、404は活性化制御回路部6の具体例、4はクロック安定待ち回路部である。
活性化制御回路部404は、クロック安定待ち回路部4で生成される制御信号および制御信号400に基づき、高速クロックで動作するスキャンチェーン部402のSRL動作(例えば、シフト/キャプチャなど)を制御する。これにより、クロック安定待ち時間に可能なスキャン動作を切り替えることで、クロック安定待ち時間を有効に活用することが可能となり、検査コストを削減できる。
図7はパルス発生回路部3の構成を示すブロック図である。図7において、パルス発生回路部3は順序回路と選択回路501から構成され、500は制御信号、502はどの故障を対象にしてパターン生成するかを制御する回路部、2は高速クロック発生回路部、4はクロック安定待ち回路部である。
回路部502は、制御信号500とクロック安定待ち回路部4からの信号に基づき、どの故障を対象にするかに応じて何パルス生成するかを決定する。このパルス条件をパルス発生回路部3に与え、高速クロック発生回路部2で生成された高速クロックから必要パルス数のみを出力させるように選択回路501を制御する。これにより、高速クロック発生回路部2による誤動作を判別することができ、効果的な故障診断結果を得ることが可能となる。
図8は本発明の半導体集積回路をLSI検査装置で検査する様子を説明する図である。図8において、600はLSI検査装置、601は半導体集積回路である。LSI検査装置600の制御部605はファンクションテスト回路604に制御信号101および入力クロック100を出力させる。これにより、半導体集積回路601においては、動作時に必要となる周波数のクロックを発生する回路部5が動作する。
この後、制御部605はDC測定回路607へ制御信号を送りDC測定を開始する。半導体集積回路601においては、クロック発生回路部5の動作が安定した時点でクロック安定待ち回路4から制御信号602が出力される。
LSI検査装置600の割り込み処理回路606は制御信号602を受けて制御部605へ割り込み信号を送る。制御部605はこの割り込み信号を受け、その時点でのDC測定回路607の測定状態および測定結果を一時的に測定データ保持回路608へ退避させ、半導体集積回路601に対するファンクションテストを開始する。
ファンクションテスト完了後にファンクションテスト回路604から制御部605へ終了信号が送られる。この信号を受け、制御部605は測定データ保持回路608から中断中のDC測定情報を読み出し、DC測定回路607への測定再開信号を送り、中断していたDC測定を再開する。
また、この実現形態に限らず、LSI検査装置側での割り込み処理を行うことにより、クロック安定待ち時間中に他の検査工程を実施する。これにより、動作時に必要となる周波数のクロックを発生する回路部5のクロック安定待ち時間を有効に活用することが可能となり、検査コストを削減できる。
本発明にかかる高速クロック発生回路が発生するクロック信号が安定しているかどうかを判定するクロック安定待ち回路部は、内部生成される高速クロック生成部の動作を解析する上での有効な情報出力機能を有し、スキャンパス試験以外にPLLを用いたSRAM BISTやファンクション試験の故障解析等として有用である。
本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。 本発明の半導体集積回路における分周回路の構成図。 本発明の半導体集積回路におけるクロック安定待ち回路部の構成図。 本発明の半導体集積回路におけるスキャンパス制御回路の具体例を示す図。 本発明の半導体集積回路におけるスキャンパス制御回路の具体例を示す図。 本発明の半導体集積回路における活性化制御回路部の具体例を示す図。 本発明の半導体集積回路におけるパルス発生回路部の構成図。 本発明の半導体集積回路をLSI検査装置で検査する様子を説明する図。
符号の説明
1 分周回路部
2 高速クロック発生回路部
3 パルス発生回路部
4 クロック安定待ち回路部
5 動作時に必要となる周波数のクロックを発生する回路部
6 活性化制御回路部
7 スキャンパス制御回路部
8 組合せ回路部
9 SRL部
10 順序回路部
100 制御信号
101 入力クロック
301、302、310、401 低速クロック動作のスキャンチェーン部
303 スキャン入力
304 スキャン段数切り替え回路部
311、402 高速クロック動作のスキャンチェーン部
312 スキャン段数切り替え回路部
403 制御信号
404 活性化制御回路部の具体例
500 制御信号
501 選択回路
502 どの故障を対象にしてパターン生成するかを制御する回路部
600 半導体集積回路
601 LSI検査装置
602 クロック安定待ち回路からの制御信号
603 DC測定対象信号
604 ファンクションテスト回路
605 LSI検査装置の制御回路
606 LSI検査装置の割り込み処理回路
607 DC測定回路
608 測定データ保持回路

Claims (6)

  1. 外部から入力される比較的低速なクロック信号の分周クロック信号を発生する分周回路と、前記分周クロック信号に基づいて通常動作時と同じ高速なクロック信号を発生するPLL回路などの高速クロック発生回路と、前記高速クロック発生回路が発生するクロック信号が安定しているかどうかを判定するクロック安定待ち回路と、前記高速クロック信号を一定期間のみ出力するパルス発生回路と、前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいてスキャンパス構成を切り替えるスキャンパス制御回路と、活性化させる順序回路を前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいて切り替える活性化制御回路とを備えた半導体集積回路。
  2. 前記分周回路は、前記外部から入力される比較的低速なクロック信号と前記分周クロック信号との位相関係に基づいて分周比の切り替える請求項1記載の半導体集積回路。
  3. 前記クロック安定待ち回路は、前記分周回路から出力されたクロック信号を入力とし、そのクロック信号をカウントすることでクロック信号が安定しているかどうかを判定する請求項1記載の半導体集積回路。
  4. 前記パルス発生回路は、前記クロック安定待ち回路によりクロックが安定していると判断された後、スキャンパステストで高速クロック信号をキャプチャするか否かに応じてパルス発生回数を切り替える請求項1記載の半導体集積回路。
  5. 前記スキャンパス制御回路は、前記高速クロック信号で動作するグループと前記外部から入力される比較的低速なクロック信号で動作するグループでスキャンパスを構成する請求項1記載の半導体集積回路。
  6. 前記活性化制御回路は、前記クロック安定待ち回路から出力される信号に基づいて順序回路のシフト動作/通常動作モードを切り替える請求項1記載の半導体集積回路。
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