JP5025964B2 - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 67
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 50
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 414
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 303
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 47
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 47
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
可変成形型電子線描画装置(EB(Electron beam)描画装置)における第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
主副2段偏向で偏向される荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
第n番目の副偏向非点補正値で副偏向非点が補正された荷電粒子ビームを用いて、直交する2方向に所定のマークを走査して、荷電粒子ビームの2方向での副偏向非点格差を測定する非点格差測定工程と、
第n番目の副偏向非点補正値と、第n番目の副偏向非点補正値を用いて測定された副偏向非点格差と、前記直交する2方向における副偏向非点補正量を変数とする場合の副偏向非点格差の変化量の傾き値となる予め求めた傾き係数と、を用いて、前記第n番目の副偏向非点補正値における前記副偏向非点格差の値を起点として前記傾き係数の傾きに直線を引くことで、副偏向非点格差がなくなるはずの第n+1番目の副偏向非点補正値を算出する副偏向非点補正値算出工程と、
第n+1番目の副偏向非点補正値と算出に用いた第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さいかどうかを判定する判定工程と、
を備えた荷電粒子ビーム描画方法であって、
上述した各工程を第1番目から繰り返し、第n+1番目の副偏向非点補正値と第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さくなったら終了し、所定の値より小さくなった第n+1番目の副偏向非点補正値を使って非点補正された荷電粒子ビームで試料を描画することを特徴とする。
各位置で算出された第n+1番目の副偏向非点補正値を用いて描画領域の各位置における副偏向非点補正量を定義する関係式の係数を算出する非点係数算出工程を備えたことを特徴とする。
主副2段偏向で偏向される荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画装置において、
第n番目の副偏向非点補正値と、n番目の副偏向非点補正値で副偏向非点が補正された荷電粒子ビームを用いて直交する2方向に所定のマークを走査して測定された荷電粒子ビームの副偏向非点格差と、前記直交する2方向における副偏向非点補正量を変数とする場合の副偏向非点格差の変化量の傾き値となる予め求めた傾き係数と、を用いて、前記第n番目の副偏向非点補正値における前記副偏向非点格差の値を起点として前記傾き係数の傾きに直線を引くことで、副偏向非点格差がなくなるはずの副偏向非点格差がなくなる第n+1番目の副偏向非点補正値を算出する非点補正値算出部と、
第n+1番目の副偏向非点補正値と算出に用いた第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さくなるまで第1番目から非点補正値算出部による算出を繰り返して得られた第n+1番目の副偏向非点補正値を用いて、副偏向位置を示す座標と副偏向非点補正量との関係を定義する関係式の係数を算出する非点係数算出部と、
算出された前記係数を持つ関係式を用いて副偏向非点が補正された前記荷電粒子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるフローチャートの要部を示す図である。
図1において、電子ビーム描画方法は、0°と90°の方向での副偏向非点係数R1の算出工程(S102)、45°と135°の方向での副偏向非点係数R2の算出工程(S104)、主偏向シフト工程(S106)、副偏向シフト工程(S108)、初期値設定工程(S110)、0°と90°の方向での副偏向非点格差測定工程(S112)、副偏向非点補正値S1(n+1)の算出工程(S114)、45°と135°の方向での副偏向非点格差測定工程(S116)、副偏向非点補正値S2(n+1)の算出工程(S118)、判定工程(S120)、S1(n)とS2(n)の再設定工程(S122)、副偏向面判定工程(S124)、主偏向面判定工程(S126)、主偏向位置依存の副偏向非点係数算出工程(S128)、描画工程(S130)といった工程を実施する。
図2において、荷電粒子ビーム描画装置の一例である描画装置100は、描画部150を構成する電子鏡筒102、描画室103、XYステージ105、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、成形偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、副偏向器212、主偏向器214を備え、制御系として、偏向制御回路110、CPU120、メモリ122、デジタルアナログコンバータ(DAC)中継器130、デジタルアナログコンバータ(DAC)142、デジタルアナログコンバータ(DAC)144、レンズ制御回路154、レンズ制御電源152、レーザ測長機160を備えている。偏向制御回路110は、副偏向制御回路112、副偏向非点補正回路114、主偏向制御回路116を有している。DAC中継器130は、副中継器132、主中継器134を有している。
CPU120内では、副偏向非点補正値S(n+1)算出部123、差分値判定部124、副偏向非点係数算出部126といった機能を有している。図3では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。CPU120には、描画装置100を制御するうえで必要なその他の機能を有していることは言うまでもない。
図4に示すように、描画装置100にて描画する所定のパターンを描画する場合には、試料101となる例えばマスクの描画領域は、主偏向器214により偏向可能な幅で例えばY方向にストライプ状の複数の描画領域(ストライプ)に分割される。そして、各ストライプにおいてX方向にもストライプのY方向の幅と同じ幅で区切られる。この区切られた領域が、主偏向器214により偏向可能な主偏向領域となる。また、主偏向領域をさらに細分化した領域が副偏向領域(またはサブフィールドと呼ぶ)となる。
副偏向器212は、ショット毎の電子ビーム200の位置を高速かつ高精度に制御するために用いられる。そのため、偏向範囲は図4に示すように狭く、マスクブランク上で、サブフィールドに限定され、その領域を超える偏向は主偏向器214でサブフィールドの位置を移動することによって行なう。一方、主偏向器214は、サブフィールドの位置を制御するために用いられ、複数のサブフィールドが含まれる範囲(主偏向領域)内で移動する。また、描画中はXYステージ105がX方向に連続的に移動しているため、主偏向器214でサブフィールドの描画原点を随時移動(トラッキング)することでXYステージ105の移動に追従させることができる。
図6は、実施の形態1における0°と90°の方向の電子ビームのビームプロファイルの一例を示す図である。
図5に示したように試料面のドットマーク220上を矩形ビームで0°と90°方向に走査し、副偏向非点補正値を変えながら直交する2方向の最適焦点を得る。最適焦点はドットマーク220上を走査して得られる反射電子信号をビームプロファイルとして取り込み、図6に示すように、ビームプロファイルのエッジの部分が急峻になる焦点を求める。
ここでは、一例として8極の静電偏向器を用いる。図7に示すように、例えば、XY方向の所定の方向に偏向させるため、90°方向の電極(1)には、y、45°方向の電極(2)には、(x+y)/√2、0°方向の電極(3)には、x、135°方向の対極となる電極(4)には、(x−y)/√2、90°方向の対極となる電極(5)には、−y、45°方向の対極となる電極(6)には、(−x−y)/√2、0°方向の対極となる電極(7)には、−x、135°方向の電極(8)には、(−x+y)/√2といった電圧を印加する。そして、0°、90°方向の副偏向非点補正量を調整するには、偏向電圧に非点電圧V1を重畳させ、このV1の値を変えることによって非点補正量を変えることができる。0°、90°方向の副偏向非点補正量を調整するには、電極(1)と電極(5)に、−V1、電極(3)と電極(7)に、+V1を重畳させればよい。
上述したように、副偏向非点補正値を変えながら直交する2方向の最適焦点を測定すると図8に示すような最適焦点と副偏向非点補正量S1との関係が得られる。0°と90°方向の副偏向非点格差をゼロにする点(2つの直線の交点)が本来求める副偏向非点補正値になる。
図8に示した非点格差を縦軸にとると、図9に示すような非点格差と副偏向非点補正量S1との関係を示すグラフを得ることができる。そして、かかるグラフの直線の傾きを副偏向非点係数R1と定義する。
副偏向器212で副偏向面内の他の位置に偏向させた場合に、位置によって定数C1は変化しても、かかる比例定数となる副偏向非点係数R2は変わらない値として用いることができる。
図11は、実施の形態1における45°と135°の方向の電子ビームのビームプロファイルの一例を示す図である。
図10に示したように試料面のドットマーク220上を2種類の三角形ビームを使って45°と135°方向に走査し、副偏向非点補正値を変えながら直交する2方向の最適焦点を得る。最適焦点はドットマーク220上を走査して得られる反射電子信号をビームプロファイルとして取り込み、図11に示すように、ビームプロファイルのエッジの部分が急峻になる焦点を求める。ここでは、2種類の三角形ビームを使ったが、走査方向に対して直行するエッジをもつビームで走査することで精度の高いビームプロファイルを得ることができる。
図7と同様、図12に示したように、例えば、XY方向の所定の方向に偏向させるため、90°方向の電極(1)には、y、45°方向の電極(2)には、(x+y)/√2、0°方向の電極(3)には、x、135°方向の対極となる電極(4)には、(x−y)/√2、90°方向の対極となる電極(5)には、−y、45°方向の対極となる電極(6)には、(−x−y)/√2、0°方向の対極となる電極(7)には、−x、135°方向の電極(8)には、(−x+y)/√2といった電圧を印加する。そして、45°と135°方向の副偏向非点補正量を調整するには、偏向電圧に非点電圧V2を重畳させ、このV2の値を変えることによって非点補正量を変えることができる。0°、90°方向の副偏向非点補正量を調整するには、電極(2)と電極(6)に、−V2、電極(4)と電極(8)に、+V2を重畳させればよい。
上述したように、副偏向非点補正値を変えながら直交する2方向の最適焦点を測定すると図13に示すような最適焦点と副偏向非点補正量S2との関係が得られる。45°と135°方向の副偏向非点格差をゼロにする点(2つの直線の交点)が本来求める副偏向非点補正値になる。
図13に示した非点格差を縦軸にとると、図14に示すような非点格差と副偏向非点補正量S2との関係を示すグラフを得ることができる。そして、かかるグラフの直線の傾きを副偏向非点係数R2と定義する。
副偏向器212で副偏向面内の他の位置に偏向させた場合に、位置によって定数C2は変化しても、かかる比例定数となる副偏向非点係数R2は変わらない値として用いることができる。
具体的には、図5に示したように試料面のドットマーク220上を矩形ビームで0°と90°方向に副偏向非点補正値S1(0)で走査し、0°と90°方向のそれぞれの最適焦点を得る。最適焦点はドットマーク220上を走査して得られる反射電子信号をビームプロファイルとして取り込み、図6に示したように、ビームプロファイルのエッジの部分が急峻になる焦点を求める。そして、0°と90°方向のそれぞれの最適焦点の格差を副偏向非点補正値S1(0)における副偏向非点格差として測定する。
図15において、図9に示したグラフと同様、横軸を副偏向非点補正量、縦軸を非点格差とする場合に、副偏向非点補正値S1(0)における副偏向非点格差の値を起点として、副偏向非点係数R1の傾きに直線を引くことで、非点格差の値が「0」となる副偏向非点補正値を得ることができる。そして、非点格差の値が「0」となる副偏向非点補正値を副偏向非点補正値S1(1)として算出する。しかしながら、図15に示すように、非点格差の値が「0」となるはずの副偏向非点補正値S1(1)で非点を補正しても、実際に測定してみると、非点格差の値が「0」にはならない場合が多い。そこで、後述するように非点格差の値が「0」に近づくように副偏向非点補正値S1(n)を収束させる。次に、45°と135°方向について同様に行なう。
具体的には、図10に示したように試料面のドットマーク220上を2種類の三角形ビームで45°と135°方向に副偏向非点補正値S2(0)で走査し、45°と135°方向のそれぞれの最適焦点を得る。最適焦点はドットマーク220上を走査して得られる反射電子信号をビームプロファイルとして取り込み、図11に示したように、ビームプロファイルのエッジの部分が急峻になる焦点を求める。そして、45°と135°方向のそれぞれの最適焦点の格差を副偏向非点補正値S2(0)における副偏向非点格差として測定する。
図16において、図14に示したグラフと同様、横軸を副偏向非点補正量、縦軸を非点格差とする場合に、副偏向非点補正値S2(0)における副偏向非点格差の値を起点として、副偏向非点係数R2の傾きに直線を引くことで、非点格差の値が「0」となる副偏向非点補正値を得ることができる。そして、非点格差の値が「0」となる副偏向非点補正値を副偏向非点補正値S2(1)として算出する。しかしながら、図16に示すように、非点格差の値が「0」となるはずの副偏向非点補正値S2(1)で非点を補正しても、実際に測定してみると、非点格差の値が「0」にはならない場合が多い。そこで、後述するように非点格差の値が「0」に近づくように副偏向非点補正値S2(n)を収束させる。
図17に示すように、ここでは副偏向領域内を3点×3点の合計9箇所に分けて、それぞれの位置で副偏向非点を測定し、その補正量を得ることにする。具体的には、主偏向位置は固定し、XYステージ105を移動させることでドットマーク220を移動させて、副偏向が相対的にシフトするように制御する。そして、それぞれのポイント(副偏向シフト位置)で副偏向非点を測定する。そして、上述したように0°と90°方向における差分の絶対値が値Δより小さくなった副偏向非点補正値S1(n+1)と副偏向非点補正値S1(n)と、45°と135°方向における差分の絶対値が値Δより小さくなった副偏向非点補正値S2(n+1)と副偏向非点補正値S2(n)とを得る。
副偏向非点は主偏向位置に依存して変化する性質があるため、図18に示すように主偏向領域内を5点×5点の合計25箇所に分けて、それぞれの位置で副偏向非点を測定する。具体的には、主偏向面内25箇所でそれぞれの3点×3点の副偏向非点分布を測定する。そして、上述したように、主偏向面内25箇所でそれぞれの3点×3点の9箇所の副偏向非点補正量分布を求める。
主偏向位置がある主偏向シフト位置で固定された副偏向領域内の3点×3点の合計9箇所の副偏向非点補正量分布は、図19に示すような副偏向位置を示す座標(x,y)を変数とする1次式(関係式)でフィッティングする。そして、0°と90°方向の関係式となる副偏向非点補正量S1(x,y)の係数a,b,cと、45°と135°方向の関係式となる副偏向非点補正量S2(x,y)の係数d,e,fとを算出する。同様にして、主偏向面内25箇所でそれぞれ副偏向非点補正係数となる6つの係数(a,b,c,d,e,f)を求める。
上述した25組の係数a,b,c(0°,90°方向の副偏向非点補正係数)、d,e,f(45°、135°方向の副偏向非点補正係数)を図20に示すように最小2乗法を用いてそれぞれ主偏向位置を示す座標(X,Y)を変数とする3次関数でフィッティングする。副偏向非点は主偏向位置に依存して変化する性質があるため、このように主偏向位置の関数にしておくと、任意の位置に副偏向を位置決めしても、その場所の副偏向非点補正係数を得ることができ精度良く副偏向非点を補正することができる。
そして、このようにして得られた副偏向非点補正係数a,b,c,d,e,fは、主偏向面の位置といった偏向シフト位置情報と共にメモリ122に格納される。そして、副偏向非点補正係数a,b,c,d,e,fを副偏向非点補正用のパラメータとして、副偏向非点補正回路114に設定する。
0°と90°の2方向の副偏向非点補正量S1と補正電圧V1とは、所定の係数k1を用いて、図21に示すように、S1=k1・V1で定義することができる。すなわち、S1はVS1に比例する関係となる。同様に、45°と135°の2方向の非点補正量S2と補正電圧V2とは、所定の係数k2を用いて、図21に示すように、S2=k2・V2で定義することができる。すなわち、S2はV2に比例する関係となる。主偏向位置(X,Y)と副偏向位置(x,y)との関数として定義された0°と90°の2方向の副偏向非点補正量S1と、45°と135°の2方向の副偏向非点補正量S2から、それぞれの位置での補正電圧V1と補正電圧V2とを求め、各位置におけるそれぞれの補正電圧V1と補正電圧V2とを用いて、静電型偏向器の副偏向器212の各極に印加する電圧を補正することにより副偏向非点を補正することができる。
副偏向器212の機械的な製作精度に依存して、領域の小さな副偏向領域においても焦点位置分布にある傾きが生じる。副偏向器212の偏向量に応じて焦点位置にある傾きが生じ、直交する2方向(例えばXおよびY方向)それぞれに焦点ずれが生じるため、偏向非点として現れる。ある領域について見ると、図22(a)に示すようにかかる領域内に位置する複数の副偏向領域は、どれもある一定の方向に焦点位置がずれる、すなわち、焦点位置分布にある傾き(フォーカス傾き)が生じる傾向がある。そこで、各位置におけるそれぞれの補正電圧V1と補正電圧V2とを用いて、静電型偏向器の副偏向器212の各極に印加する電圧を補正することにより、図22(b)に示すようにフォーカス傾きを低減させることができる。
具体的には、副偏向非点補正係数a,b,c,d,e,fがパラメータとして設定された副偏向非点補正回路114は、レーザ測長機160からXYステージ105の位置を入力し、偏向位置に応じて、ショット毎にリアルタイムに高速演算回路で補正電圧V1と補正電圧V2とを算出する。そして、副偏向制御回路112で演算された本来の偏向電圧が副中継器132でかかる補正電圧V1と補正電圧V2とで各極の印加電圧が補正される。そして、補正された印加電圧がDAC142を介して副偏向器212に印加される。また、主偏向制御回路116で演算された本来の偏向電圧は、主中継器134、DAC144を介して主偏向器214に印加される。ここでは、主偏向非点の補正については図示及び説明を省略している。そして、非点が補正された電子ビーム200が対物レンズ207により焦点を合わされ、試料に照射されることで試料に所定のパターンを描画する。
実施の形態2では、実施の形態1の手法により副偏向非点補正を行なう前に、以下に説明する手法で副偏向非点を軽減させてから行なう手法を説明する。
図23において、荷電粒子ビーム描画装置の一例である描画装置100は、描画部150を構成する電子鏡筒102、描画室103、XYステージ105、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、成形偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、副偏向器212、主偏向器214、アライメントコイル216を備え、制御系として、偏向制御回路110、CPU120、メモリ122、デジタルアナログコンバータ(DAC)中継器130、デジタルアナログコンバータ(DAC)142、デジタルアナログコンバータ(DAC)144、レンズ制御回路154、レンズ制御電源152、レーザ測長機160を備えている。偏向制御回路110は、副偏向制御回路112、副偏向非点補正回路114、主偏向制御回路116を有している。DAC中継器130は、副中継器132、主中継器134を有している。図2の構成に、さらに、アライメントコイル216を備えた点以外は、図2と同様である。そして、アライメントコイル216は、レンズ制御回路154によって制御されたレンズ制御電源152から所望する励磁電流が流されることで制御される。また、図23では、本実施の形態2を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。アライメントコイル216をさらに備えた点及びアライメントコイル216による電子ビーム200の制御以外は、実施の形態1と同様であるため、異なる点以外の説明は省略する。
ビーム平行移動工程として、アライメントコイル216は副偏向器212内のビームの軌道を平行移動(ビーム軸方向と直交する方向)させるように駆動される。
そして、焦点ずれ測定工程として、副偏向器212内のビームの軌道が平行移動された状態で、副偏向器212でビームを偏向して、副偏向面内の焦点ずれを測定して、面内焦点傾きを算出する。
20 副偏向領域
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 偏向制御回路
112 副偏向制御回路
114 副偏向非点補正回路
116 主偏向制御回路
120 CPU
122 メモリ
123 S(n+1)算出部
124 差分値判定部
126 副偏向非点係数算出部
130 DAC中継器
132 副中継器
134 主中継器
142,144 DAC
150 描画部
152 レンズ制御電源
154 レンズ制御回路
160 レーザ測長機
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 成形偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
212 副偏向器
214 主偏向器
216 アライメントコイル
220 ドットマーク
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (4)
- 主副2段偏向で偏向される荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
第n番目の副偏向非点補正値で副偏向非点が補正された荷電粒子ビームを用いて、直交する2方向に所定のマークを走査して、前記荷電粒子ビームの前記2方向での副偏向非点格差を測定する非点格差測定工程と、
前記第n番目の副偏向非点補正値と、前記第n番目の副偏向非点補正値を用いて測定された前記副偏向非点格差と、前記直交する2方向における副偏向非点補正量を変数とする場合の副偏向非点格差の変化量の傾き値となる予め求めた傾き係数と、を用いて、前記第n番目の副偏向非点補正値における前記副偏向非点格差の値を起点として前記傾き係数の傾きに直線を引くことで、副偏向非点格差がなくなるはずの第n+1番目の副偏向非点補正値を算出する副偏向非点補正値算出工程と、
前記第n+1番目の副偏向非点補正値と算出に用いた前記第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さいかどうかを判定する判定工程と、
を備えた荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記各工程を第1番目から繰り返し、前記第n+1番目の副偏向非点補正値と前記第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さくなったら終了し、前記所定の値より小さくなった第n+1番目の副偏向非点補正値を使って非点補正された前記荷電粒子ビームで試料を描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記荷電粒子ビーム描画方法は、さらに、描画領域の複数の位置で前記所定の値より小さくなる第n+1番目の副偏向非点補正量値をそれぞれ算出し、
各位置で算出された第n+1番目の副偏向非点補正値を用いて描画領域の各位置における副偏向非点補正量を定義する関係式の係数を算出する非点係数算出工程を備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記荷電粒子ビーム描画方法は、さらに、前記2方向とは異なる直交する2方向について、前記各工程を第1番目から繰り返し、前記第n+1番目の副偏向非点補正値と前記第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さくなったら終了し、前記所定の値より小さくなった第n+1番目の副偏向非点補正値を使って非点補正された前記荷電粒子ビームで試料を描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 主副2段偏向で偏向される荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画装置において、
第n番目の副偏向非点補正値と、前記n番目の副偏向非点補正値で副偏向非点が補正された荷電粒子ビームを用いて直交する2方向に所定のマークを走査して測定された前記荷電粒子ビームの副偏向非点格差と、前記直交する2方向における副偏向非点補正量を変数とする場合の副偏向非点格差の変化量の傾き値となる予め求めた傾き係数と、を用いて、前記第n番目の副偏向非点補正値における前記副偏向非点格差の値を起点として前記傾き係数の傾きに直線を引くことで、副偏向非点格差がなくなるはずの第n+1番目の副偏向非点補正値を算出する非点補正値算出部と、
前記第n+1番目の副偏向非点補正値と算出に用いた前記第n番目の副偏向非点補正値との差分の絶対値が所定の値より小さくなるまで第1番目から前記非点補正値算出部による算出を繰り返して得られた前記第n+1番目の副偏向非点補正値を用いて、副偏向位置を示す座標と副偏向非点補正量との関係を定義する関係式の係数を算出する非点係数算出部と、
算出された前記係数を持つ関係式を用いて副偏向非点が補正された前記荷電粒子ビームを用いて試料に所定のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005332998A JP4299293B2 (ja) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 荷電ビーム描画装置 |
JP2006047787A JP5025964B2 (ja) | 2005-11-17 | 2006-02-24 | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
TW095141955A TWI322460B (en) | 2005-11-17 | 2006-11-13 | Charged beam drawing apparatus and charged beam drawing method |
US11/560,127 US7476881B2 (en) | 2005-11-17 | 2006-11-15 | Charged beam drawing apparatus and charged beam drawing method |
KR1020060113203A KR100806482B1 (ko) | 2005-11-17 | 2006-11-16 | 대전 비임 드로잉 장치 및 대전 비임 드로잉 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005332998A JP4299293B2 (ja) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 荷電ビーム描画装置 |
JP2006047787A JP5025964B2 (ja) | 2005-11-17 | 2006-02-24 | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007227700A JP2007227700A (ja) | 2007-09-06 |
JP5025964B2 true JP5025964B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=38052575
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005332998A Active JP4299293B2 (ja) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 荷電ビーム描画装置 |
JP2006047787A Active JP5025964B2 (ja) | 2005-11-17 | 2006-02-24 | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005332998A Active JP4299293B2 (ja) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 荷電ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7476881B2 (ja) |
JP (2) | JP4299293B2 (ja) |
KR (1) | KR100806482B1 (ja) |
TW (1) | TWI322460B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007329267A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 荷電粒子線描画装置及び荷電粒子線描画方法 |
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP2011066236A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5809912B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-11-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6080540B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2017-02-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6262007B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-01-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | セトリング時間の取得方法 |
CN113296372B (zh) * | 2021-05-24 | 2022-01-28 | 北京大学 | 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制***及方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0713937B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1995-02-15 | 富士通株式会社 | 電子ビ−ム露光方法 |
JP2946537B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1999-09-06 | 株式会社ニコン | 電子光学鏡筒 |
JP2835097B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1998-12-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビームの非点収差補正方法 |
JPH07201701A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置および露光方法 |
KR100202971B1 (en) | 1996-04-24 | 1999-06-15 | Fujitsu Ltd | Charged electron beam exposure pparatus and charged electron beam exposure method |
JP3393996B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置及び荷電ビームの非点収差補正方法 |
JP3449238B2 (ja) | 1998-09-18 | 2003-09-22 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
US6252412B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-06-26 | Schlumberger Technologies, Inc. | Method of detecting defects in patterned substrates |
JP3577487B2 (ja) | 2002-05-24 | 2004-10-13 | 株式会社日立製作所 | 電子ビーム描画装置 |
JP3968334B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2007-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法 |
-
2005
- 2005-11-17 JP JP2005332998A patent/JP4299293B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-24 JP JP2006047787A patent/JP5025964B2/ja active Active
- 2006-11-13 TW TW095141955A patent/TWI322460B/zh active
- 2006-11-15 US US11/560,127 patent/US7476881B2/en active Active
- 2006-11-16 KR KR1020060113203A patent/KR100806482B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4299293B2 (ja) | 2009-07-22 |
KR100806482B1 (ko) | 2008-02-21 |
KR20070052670A (ko) | 2007-05-22 |
JP2007142100A (ja) | 2007-06-07 |
TW200731337A (en) | 2007-08-16 |
JP2007227700A (ja) | 2007-09-06 |
TWI322460B (en) | 2010-03-21 |
US20070114461A1 (en) | 2007-05-24 |
US7476881B2 (en) | 2009-01-13 |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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