JP4395047B2 - 相互関係マップの効率的な長距離計算用のデザインへの再ネスティング - Google Patents
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Description
31 幾何形状
34 同形な正方形
40 密度マップ
45 密度数
50 切り捨てマップ
55 切り捨て密度
70 マスク・レイアウト
72 切り捨て密度値
80 バケット
90 切り捨てマップ
Claims (20)
- モデルベースの光リソグラフィ補正を実行する方法であって、
複数の有限な幾何形状を有する所望のデザイン・データ階層のセル・アレイ・レイアウトを提供するステップと、
前記セル・アレイ・レイアウトを複数のセルに区分けするステップと、
前記複数の有限な幾何形状と前記複数のセルの間の相互関係から計算される密度マップへの畳み込みの処理を介して相互関係マップを生成するステップと、
前記相互関係マップに切り捨て操作を施して切り捨てセルのマップを生成するステップと、
前記切り捨てセルのマップから実質的に同一なセルを含む部分を1つのバケットにグループ化し、前記グループ化によって複数の異なるバケットを生成するステップと、
前記複数の異なるバケットを用いて前記所望のデザイン・データ階層を生成して光リソグラフィを補正するステップとを含む方法。 - 前記所望のデザイン・データ階層が、階層の複数のレベルを含み、階層の前記複数のレベルのどのレベルに対しても前記方法を適用し得る、請求項1に記載の方法。
- 前記セル・アレイ・レイアウトが、前記所望のデザイン・データ階層を生成するために決定された所望のデザイン・データ階層の原因イメージを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の有限な幾何形状が、複数の多角形を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の多角形が、正多角形、不正多角形、凸多角形、凹多角形、正凸多角形、正凹多角形、不正凸多角形、不正凹多角形、およびそれらの組合せから成る多角形の群から選択される、請求項4に記載の方法。
- 前記区分けされたセル・アレイ・レイアウトの前記複数のセルが、前記セル・アレイ・レイアウトの全域を被覆できる複数の有限な形状を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記相互関係マップを生成する前記ステップが、
複数の密度を含む前記密度マップを計算するステップであって、前記複数のセルがセル毎に前記密度を1つもち、前記複数の密度が前記複数のセルの各セルの前記相互関係に対応するステップと、
前記複数の密度を逆べき則カーネルを用いて畳み込むことによって複数の畳み込み密度を提供するステップと、
前記複数の畳み込み密度を用いて前記相互関係マップを生成するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記複数の有限な幾何形状と前記複数のセルの間の前記相互関係が、有限な幾何形状の幾何的配置、前記有限な幾何形状の被覆量、領域の被覆、計算された空間像の被覆、計算されたレジスト像の被覆、周囲の被覆、およびそれらの組合せから成る密度効果の群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記相互関係マップに切り捨て操作を施して前記切り捨てセルのマップを生成する前記ステップが、参照指示子の群から選択される参照指示子を前記切り捨てセルの各セルに割り当てるステップであって、同一の参照指示子が実質的に同一な切り捨てセルを示すステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記バケットにグループ化する前記ステップが、
前記切り捨てセルのマップ内に属する前記切り捨てセルの各セルの密度値とすべての隣接するセルを決定するステップと、
実質的に同一な前記密度と前記隣接するセルを有する前記切り捨てセルから選択されたセルを見つけることによって、前記マップ内の実質的に同一な切り捨てセルから成る少なくとも1つの組を決定するステップと、
実質的に同一な切り捨てセルから成る前記少なくとも1つの組を前記バケットにグループ化するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 実質的に同一な切り捨てセルから成る複数の異なる組を決定するステップと、前記複数の異なる組の各組を前記複数の異なるバケットから選択されたそれぞれ異なるバケットにグループ化するステップとをさらに含み、前記それぞれ異なるバケットの各バケットが前記切り捨てセルの実質的に同一なセルだけを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記バケットにグループ化するステップが、前記デザイン・データ階層を生成するために前記切り捨てセルから選択された前記セルを単一の構築ブロックに変換する、請求項1に記載の方法。
- 複数の異なる単一の構築ブロックを提供するステップと、
前記複数の異なる単一の構築ブロックの階層配置を生成するステップと、
前記階層配置を用いて前記所望のデザイン・データ階層を生成するステップとをさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記所望のデザイン・データ階層が、前記所望のデザイン・データ階層を維持することによって生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記所望のデザイン・データ階層が、前記所望のデザイン・データ階層が少なくとも部分的に破損した場合に、新しいデザイン・データ階層を構築することによって生成される、請求項1に記載の方法。
- モデルベースの光リソグラフィ補正を実行する方法であって、
複数の多角形を有する所望のデザイン・データ階層のセル・アレイ・レイアウト表現を提供するステップと、
前記セル・アレイ・レイアウトを複数のセルに区分けするステップと、
前記多角形と前記複数のセルの間の相互関係から計算される密度マップを提供するステップと、
前記密度マップへの畳み込みの処理を介して相互関係マップを生成するステップと、
前記相互関係マップに切り捨て操作を施して切り捨てセルのマップを生成するステップと、
前記切り捨てセルのマップから実質的に同一なセルを含む部分毎に1つのバケットにグループ化し、前記グループ化によって複数の異なるバケットに分別するステップと、
前記複数のバケットを用いて階層配置を生成するステップと、
前記階層配置を用いて前記所望のデザイン・データ階層を生成して光リソグラフィを補正するステップとを含む方法。 - 前記密度マップが、複数の密度を含み、前記複数のセルがセル毎に前記密度を1つもつ、請求項16に記載の方法。
- 前記階層配置が、複数の前記単一の構築ブロックを含み、前記単一の構築ブロックが、正確な複写、回転させた複写、鏡像の複写、回転させた鏡像の複写、およびそれらの組合せから成る構築ブロック出現の群から選択される仕方で、前記切り捨てセルのマップ全域の多数の場所に出現する、請求項16に記載の方法。
- モデルベースの光近接効果補正を実行するための方法の諸ステップを実行する、マシンによって実行可能な命令から成るプログラムであって、前記方法の諸ステップが、
複数の有限な幾何形状を有する所望のデザイン・データ階層のセル・アレイ・レイアウトを提供するステップと、
前記セル・アレイ・レイアウトを複数のセルに区分けするステップと、
前記複数の有限な幾何形状と前記複数のセルの間の相互関係から計算される密度マップへの畳み込みの処理を介して相互関係マップを生成するステップと、
前記相互関係マップに切り捨て操作を施して切り捨てセルのマップを生成するステップと、
前記切り捨てセルのマップから実質的に同一なセルを含む部分を1つのバケットにグループ化し、前記グループ化によって複数の異なるバケットを生成するステップと、
前記複数の異なるバケットを用いて前記所望のデザイン・データ階層を生成して光リソグラフィを補正するステップとを含む、プログラム。 - モデルベースの光近接効果補正を実行するための方法の諸ステップを実行する、マシンによって実行可能な命令から成るプログラムを格納する記憶装置であって、前記方法の諸ステップが、
複数の多角形を有する所望のデザイン・データ階層のセル・アレイ・レイアウト表現を提供するステップと、
前記セル・アレイ・レイアウトを複数のセルに区分けするステップと、
前記多角形と前記複数のセルの間の相互関係から計算される密度マップを提供するステップと、
前記密度マップへの畳み込みの処理を介して相互関係マップを生成するステップと、
前記相互関係マップに切り捨て操作を施して切り捨てセルのマップを生成するステップと、
前記切り捨てセルのマップから実質的に同一なセルを含む部分毎に1つのバケットにグループ化し、前記グループ化によって複数の異なるバケットに分別するステップと、
前記複数のバケットを用いて階層配置を生成するステップと、
前記階層配置を用いて前記所望のデザイン・データ階層を生成して光リソグラフィを補正するステップとを含む、プログラム記憶装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
JP2005128553A JP2005128553A (ja) | 2005-05-19 |
JP4395047B2 true JP4395047B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=34522586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004309697A Expired - Fee Related JP4395047B2 (ja) | 2003-10-27 | 2004-10-25 | 相互関係マップの効率的な長距離計算用のデザインへの再ネスティング |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7055126B2 (ja) |
JP (1) | JP4395047B2 (ja) |
CN (1) | CN1294456C (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071108 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090206 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |