JP2008129118A - マスクパターン補正プログラムおよびマスクパターン補正システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、パターンが形成されたマスクを用いて基板上に露光を行い、設計値通りに転写されるように前記マスクのパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正プログラムにおいて、露光による転写パターンの寸法をシミュレーションするにあたり、当該シミュレーションの結果が収束するか否かを判断するステップ(ステップS1〜S4)と、シミュレーションの結果が収束しないと判断した場合、設計パターンのエッジを第1の対象エッジと第2の対象エッジとに区分けし、当該第1の対象エッジに補正を加えて前記シミュレーションを行うステップ(ステップS6〜S10)とをコンピュータにより実行するものである。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- パターンが形成されたマスクを用いて基板上に露光を行い、設計値通りに転写されるように前記マスクのパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正プログラムにおいて、
前記露光による転写パターンの寸法をシミュレーションするにあたり、当該シミュレーションの結果が収束するか否かを判断するステップと、
前記シミュレーションの結果が収束しないと判断した場合、前記設計パターンのエッジを第1の対象エッジと第2の対象エッジとに区分けし、当該第1の対象エッジに補正を加えて前記シミュレーションを行うステップと
をコンピュータにより実行することを特徴とするマスクパターン補正プログラム。 - 前記シミュレーションの結果が収束するか否かの判断は、前記設計パターンの各エッジと隣接するパターンのエッジとの間隔、および前記設計パターン内のエッジ間隔が所定の間隔より狭い場合には収束しないと判断する
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正プログラム。 - 前記シミュレーションの結果が収束するか否かの判断は、前記設計パターンの所定量の補正と、補正後の設計パターンによる再度の前記シミュレーションとを所定回数繰り返しても前記転写パターンと設計値との差が一定の範囲内の収まらなかった場合、収束しないと判断する
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正プログラム。 - 前記第1の対象エッジと前記第2の対象エッジとの区分けは、前記設計パターンを設計座標上においてX,Y両方向にわずかにずらした別の設計パターンのエッジと前記設計パターンのエッジとが交差するか否かによって決定する
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正プログラム。 - 前記第1の対象エッジに補正を加えて前記シミュレーションを行い、前記転写パターンと設計値との差が一定の範囲内に収まった場合、前記第2の補正対象エッジに補正を加えて補正後の設計パターンによる前記シミュレーションを再度行うステップを含む
ことを特徴とする請求項1記載のマスクパターン補正プログラム。 - パターンが形成されたマスクを用いて基板上に露光を行い、設計値通りに転写されるように前記マスクのパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正システムにおいて、
前記露光による転写パターンの寸法をシミュレーションするにあたり、当該シミュレーションの結果が収束するか否かを判断するステップと、
前記シミュレーションの結果が収束しないと判断した場合、前記設計パターンのエッジを第1の対象エッジと第2の対象エッジとに区分けし、当該第1の対象エッジに補正を加えて前記シミュレーションを行うステップと
が演算手段によって実行される特徴とするマスクパターン補正システム。
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