JP4393343B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記開口部が設けられたAlボンディングパッドのAlをマスクとして、前記半導体基板に第1の径を有する貫通孔を形成する工程と、
前記Alボンディングパッドの前記開口部の径を、前記第1の径より大きな第2の径に拡大する工程と、
前記貫通孔の内周面に、前記第1の絶縁膜と連続するように第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜を含む前記半導体基板の表面に、接着性金属膜を形成する工程と、
前記Alボンディングパッドを覆うことなく、前記接着性金属膜の上に電気めっきレジストを形成する工程と、
前記接着性金属膜をカソードメタルとして、前記接着性金属膜および前記電気めっきレジストで囲まれた領域を電気めっき法により金属で充填する工程と、
前記電気めっきレジストおよびその下の前記接着性金属膜を除去して、前記パッシベーション膜を露出する工程と、
前記第1の金属の上面および側面に、無電解めっき液を用いて第2の金属膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。
硫酸 225g/L
塩酸 10ppm
チオキサンテート−S−プロパンスルホン酸
(またはチオキサンテートスルホン酸) 20ppm
ポリエチレングリコール(分子量:400,000) 40ppm
ポリエチレンイミン(分子量:600)と塩化ベンジルとの反応生成物
2ppm
または
硫酸銅5水和物 225g/L
硫酸 60g/L
塩酸 30ppm
ジチオカルバメート−S−プロパンスルホン酸 30ppm
ポリプロピレングリコール(分子量:700) 10ppm
ポリエチレンイミンと臭化アリルまたは
ジメチル硫酸との反応生成物 0.3ppm。
硫酸ニッケル 20〜30g/L
次亜リン酸ナトリウム 25〜35g/L
グリコール酸 25〜35g/L
酢酸ナトリウム 15〜25g/L
安定剤(チオ尿素) 3〜5ppm
鉛 1〜2mL/L
(無電解ニッケルめっき液の例)
酢酸ニッケル 30g/L
ジメチルアミノボラン 2.5g/L
乳酸 25g/L
クエン酸ナトリウム 25g/L
チオグリコール酸 1.5g/L。
錫イオン(Sn2+) 12vol%
鉛イオン(Pb2+) 30vol%
脂肪族スルホン酸 41vol%
ノニオン系界面活性剤 5vol%
カチオン系界面活性剤 5vol%
イソプロピルアルコール 7vol%。
13…パッシベーション膜; 14…レジスト; 15…開口部
16…貫通孔; 17…レジスト; 18…開口; 19…SiO2膜
20…Cu/Ti膜; 21…めっきレジスト膜; 22…Cuめっき膜
24…バンプ電極; 25…3次元半導体装置; 30…従来の3次元半導体装置
31…半導体装置; 32…パッシベーション膜; 33…再配列配線
34…ボンディングパッド; 35…応力剥離。
Claims (1)
- 第1の絶縁膜を介して半導体素子およびAlボンディングパッドが設けられ、前記Alボンディングパッド以外の表面にパッシベーション膜が形成された半導体基板の前記Alボンディングパッドおよび前記第1の絶縁膜に第1の径を有する開口部を設ける工程と、
前記開口部が設けられたAlボンディングパッドのAlをマスクとして、前記半導体基板に第1の径を有する貫通孔を形成する工程と、
前記Alボンディングパッドの前記開口部の径を、前記第1の径より大きな第2の径に拡大する工程と、
前記貫通孔の内周面に、前記第1の絶縁膜と連続するように第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜を含む前記半導体基板の表面に、接着性金属膜を形成する工程と、
前記Alボンディングパッドを覆うことなく、前記接着性金属膜の上に電気めっきレジストを形成する工程と、
前記接着性金属膜をカソードメタルとして、前記接着性金属膜および前記電気めっきレジストで囲まれた領域を電気めっき法により第1の金属で充填する工程と、
前記電気めっきレジストおよびその下の前記接着性金属膜を除去して、前記パッシベーション膜を露出する工程と、
前記第1の金属の上面および側面に、無電解めっき液を用いて第2の金属膜を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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