JP4374720B2 - Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、p形の珪素(Si)単結晶表面上にリン化硼素(BP)系材料からなる結晶層を介してIII族窒化物半導体結晶層を形成したエピタキシャルウェーハを用いて、nサイドアップ(side−up)型の発光ダイオード(LED)或いはレーザーダイオード等のIII族窒化物半導体発光素子を作製するための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
III族窒化物半導体発光素子の作製に用いるIII族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハとして、導電性のSi等の立方晶結晶を基板に用いて、その上にIII族窒化物半導体であるAlXGaYInZN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製する従来技術が知られている(特開平11−40850号公報)。Si等のダイアモンド型、或いはリン化ガリウム(GaP)等の閃亜鉛鉱型の立方晶結晶を基板として利用すれば、劈開性を利用して発光素子の端面が簡便に構成できる。さらにp形或いはn形導電性の低抵抗のSi単結晶を基板とすれば、簡易に電極が形成できるという利点がある。
【0003】
Si結晶との格子ミスマッチ(mismatch)を低減して、結晶欠陥密度の低い結晶性に優れるIII族窒化物半導体結晶層をSi単結晶基板上に形成するために、BPからなる結晶層を、III族窒化物半導体結晶層をその上に形成するための下地層としてSi単結晶基板上に形成する技術が開示されている(特開平11−162848号明細書参照)。また、閃亜鉛鉱型の結晶構造のBPからなる結晶層上には、バンド(band)構造からして、六方晶結晶に比較して低抵抗の立方晶のp形III族窒化物半導体層が形成され易い(特開平2−275682号明細書参照)。低抵抗の立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層は、発光素子のpn接合型ダブルヘテロ(DH)構造の発光部を簡易に構成するために有利である。
【0004】
しかし、一方でIII族窒化物半導体結晶層は、生成エネルギーの低さからすれば、六方晶の結晶層となり易い傾向がある。(赤崎 勇編著、「III族窒化物半導体」(1999年12月8日初版)(株)培風館発行、37頁参照)このため、立方晶のBPからなる結晶層を下地層として、その上に立方晶のIII族窒化物半導体結晶層の形成を意図しても、成長したIII族窒化物半導体結晶層が下地層の結晶構造型の影響が薄れる層厚となると、六方晶のIII族窒化物半導体結晶層が成長しやすくなる。そのため、立方晶のバンド構造上の特性を生かせば簡便に作製できる低抵抗のp形III族窒化物半導体結晶層が、層厚が厚くなると安定して形成できない問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
積層構造から判別して、III族窒化物半導体を用いたLEDはpサイドアップ型とnサイドアップ型とに大別される。pサイドアップ型とは、n形基板を下方として、発光層の上方に在る上部クラッド層がp形結晶層から構成されているLEDである。逆に、nサイドアップ型とは、p形基板を下方として、発光層の上方にn形結晶層からなる上部クラッド層が配置されてなるLEDを指す。nサイドアップ型LEDでは、上部クラッド層或いはその上の電流拡散層がp形化合物半導体層に比較すれば一般に移動度が大きいn形化合物半導体層から構成されるため、元来、発光部の広範囲に素子動作電流を拡散するに有利となっている。即ち、高輝度のIII族窒化物半導体発光素子を簡便に獲得するに有利な構造となっている。
【0006】
従って本発明では、従来の技術上の問題点を克服して、高輝度のnサイドアップ型のIII族窒化物半導体発光素子を作製するための技術を提供するものとする。特に本発明では、p形Si単結晶基板上にBP系材料からなる結晶層を介して設けたIII族窒化物半導体結晶層を具備するエピタキシャルウェーハを利用して、nサイドアップ型のIII族窒化物半導体発光素子を作製する際に、低抵抗のp形層を形成するのに有利である立方晶のIII族窒化物半導体結晶層と、簡便に形成され得る六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とをうまく組み合わせて作製するための技術を提供する。さらに本発明は、立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するIII族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したnサイドアップ型のIII族窒化半導体発光素子を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、該p形単結晶層に接して設けられた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、該p形III族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを具備するIII族窒化物半導体発光素子である。
特に本発明は、前記p形III族窒化物半導体結晶層の層厚が10ナノメータ(nm)以上で500nm以下であるのが望ましい。また、前記p形III族窒化物半導体結晶層のドーパントが亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)または炭素(C)であることが望ましい。
本発明は、前記立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層及び六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層をIII族窒化物半導体発光素子の発光部に用いるものである。
【0008】
また本発明は、p形導電性のSi単結晶からなる基板上に、BP系材料からなる緩衝層と、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを順次形成するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記p形単結晶層を前記緩衝層の積層温度より高い温度で積層することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法である。
特に本発明は、前記緩衝層の積層温度を300℃〜400℃とすることが望ましい。
また本発明は、前記立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層の積層温度が、800℃〜1000℃であることが望ましい。
また本発明は、前記六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度を1000℃以上とするのが望ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態では、p形Si単結晶を基板としてエピタキシャルウェーハを形成する。この場合、結晶面の方位を{100}または{111}とする、硼素(B)が添加されたp形のSi単結晶が基板として利用できる。{100}−Si単結晶を基板とすれば劈開を利用して簡易に個別素子に分割できる利点がある。また{111}−Si単結晶を基板とすれば、その表面上には密着性に優れるBP系材料からなる結晶層が形成できる利点がある。
【0010】
上記のp形Si単結晶基板表面上に、先ずBP系材料からなる緩衝層を設ける。BP系材料とは、少なくとも、硼素(B)とリン(P)とを構成元素として含有する材料である。BP系材料には、リン化硼素(BP)の他に、窒化リン化硼素(組成式BPXN1-X:0<X<1)や砒化リン化硼素(組成式BAs 1-X P X :0<X<1)が含まれる。これらのBP系材料からなる結晶層は、ハロゲン(halogen)またはハイドライド(hydride)気相成長(VPE)法により積層できる。あるいは有機金属熱分解気相成長(MOCVD)法により積層できる。
【0011】
BP系材料からなる緩衝層は、アズグローン(as−grown)状態で非晶質(amorphous)を主体として構成されているのが最適である。これは例えばBPからなる単結晶層とSi単結晶基板との約17%に及ぶ大きな格子ミスマッチを効率的に緩和し、Si単結晶基板上にBP系材料からなる緩衝層を介してBP系材料からなる立方晶のp形単結晶層を形成するためである。そのためBP系材料からなる緩衝層の積層温度は、上記の成長法のいずれかによらず300℃〜400℃の低温とするのが好ましい。また上記緩衝層の層厚は、約5nmから約50nm程度が適する。また、緩衝層の層厚がおよそ15nmを越える場合は、p形不純物をドーピングしてp伝導形の層となすのが望ましい。
このBP系材料からなる緩衝層は、その上にBP系材料からなる立方晶のp形単結晶層を積層した後は、多結晶あるいは非晶質からなる層となる。
【0012】
BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層は、上記の緩衝層上に接して成長させる。上記の緩衝層は、Si単結晶基板とp形単結晶層との格子ミスマッチを緩和して、ミスフィット(misfit)転位等の結晶欠陥の密度が小さく結晶性に優れるp形単結晶層をもたらす下地層として作用する。また上記の緩衝層は、その上にBP系材料からなる立方晶のp形単結晶層を積層させるに際し、該p形単結晶層が基板から剥離するのを抑制する機能層として作用する。
Si単結晶及びBP系材料からなるp形単結晶層が立方晶の結晶であることは、その上に立方晶のIII族窒化物半導体結晶層を積層するのに有利に作用し、BP系材料からなるp形単結晶層に接合させて設けたIII族窒化物半導体結晶層は、閃亜鉛鉱型の立方晶の結晶層となる。
【0013】
本発明においてはp形Si単結晶基板上に上記の緩衝層を介してBP系材料からなるp形単結晶層を設ける。BP系材料からなるp形単結晶層は、三塩化硼素(BCl3)、三塩化リン(PCl3)、ジボラン(B2H6)やホスフィン(PH3)等を原料として上記の一般的なVPE法により積層できる。また、トリエチルボラン((C2H5)3B)やPH3等を原料とするMOCVD法により積層できる。BP系材料からなる単結晶層の積層時にp形不純物をドーピングすれば、p形の単結晶層が形成できる。好適なp形不純物として亜鉛(Zn)やマグネシウム(Mg)が例示できる。p形のキャリア濃度としては約5×1017cm-3以上で約5×1019cm-3以下であるのが好適である。約5×1019cm-3を越える高キャリア濃度の単結晶層では、総じて表面の平坦性が損なわれるため、表面の平坦性に優れる層をその上部に形成するのに不都合となる。
【0014】
BP系材料からなるp形単結晶層は、上記のBP系材料からなる緩衝層の場合とは異なり単結晶から形成する。この単結晶層は、積層温度を緩衝層の積層温度を越える温度とすることによって得られる。例えば、(C2H5)3BとPH3とを原料ガスとして用いH2を雰囲気ガスとする常圧(大気圧)のMOCVD法によるp形単結晶層の気相成長を例にすれば、単結晶層は積層温度を約500℃〜850℃とすれば得られる。
また、上記のp形単結晶層の層厚は約50nmから約5μmの範囲とするのが好適である。
【0015】
ここで、例えば閃亜鉛鉱結晶型の立方晶のBP結晶の格子定数は4.538Åであり、III族窒化物半導体のひとつである立方晶の窒化ガリウム(GaN)結晶の格子定数(=4.510Å)と略同等なため、両者の格子ミスマッチは小さい。従って立方晶のBPからなる単結晶層の上には、結晶欠陥が少なく結晶性に優れる立方晶のGaN結晶層が成長できる。このように界面での格子ミスマッチが小さくなるように、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層の組成を調整することにより、p形単結晶層に接して、結晶欠陥が少なく結晶性に優れるp形III族窒化物半導体結晶層を形成することが可能となる。
【0016】
一般に立方晶のIII族窒化物半導体は、そのバンド構造からしてn形伝導層及びp形伝導層が簡便に形成できる。そのため六方晶のIII族窒化物半導体結晶層に比較して、低抵抗のp形III族窒化物半導体結晶層が簡便に形成できる。立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層は、積層時に亜鉛(Zn)或いはマグネシウム(Mg)等の第II族元素、或いは第IV族元素の炭素(C)をドーピングすれば形成できる。立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層を積層するためには、積層温度を六方晶のIII族窒化物半導体結晶層を積層する場合に比較して低温である800℃〜1000℃とするのが好都合である。本発明に係わる立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層としては、キャリア濃度が1×1017cm-3以上であり、抵抗率が10オーム・センチメートル(Ω・cm)以下であるのが好ましい。上記のp形III族窒化物半導体結晶層は、上記の気相成長手段のほかに、分子線エピタキシャル(MBE)成長法によっても形成できる。
【0017】
立方晶のBP系材料からなるp形単結晶層上に立方晶のIII族窒化物半導体結晶層を設ける場合でも、III族窒化物半導体結晶層の層厚が大になると該結晶層中で六方晶の結晶形態が優勢となる傾向がある。極端に層厚を大とするIII族窒化物半導体結晶層は、立方晶と六方晶が混在する結晶層となり、立方晶を主体とするIII族窒化物半導体結晶層が得られなくなる。従って、立方晶のIII族窒化物半導体結晶層を得るには、層厚を500nm以下、好ましくは200nm以下とするのがよい。立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層は、例えばpn接合型DH構造の発光部をなすp形クラッド層として利用できる。p形III族窒化物半導体結晶層をp形クラッド層として利用する場合には、キャリアの閉じ込め効果を充分に発揮させるために、層厚は10nm以上であるのが好ましい。
【0018】
六方晶のIII族窒化物半導体結晶層は、VPE法やMOCVD法などの気相成長法により、立方晶のIII族窒化物半導体結晶層上に形成できる。特に、気相成長手段によらずに、積層温度を立方晶のIII族窒化物半導体結晶層の積層温度より高い1000℃以上に設定することにより、六方晶のIII族窒化物半導体結晶層を効率的に形成することができる。但しこの場合、六方晶のIII族窒化物半導体結晶層の積層温度は、該結晶の昇華の影響が無視できる温度とする。六方晶のIII族窒化物半導体結晶層は、立方晶のIII族窒化物半導体結晶層上に他の層を介して積層してもよい。
III族窒化物半導体結晶層が立方晶か六方晶かは、一般的なX線回折分析法や電子線回折法等に依る回折パターン(pattern)から判定される。また例えばX線回折法に依れば、X線回折強度の比率から立方晶と六方晶との混在比率(重量比率)を知ることができる。ここで、立方晶のIII族窒化物半導体結晶層または六方晶のIII族窒化物半導体結晶層とは、それぞれ立方晶または六方晶を少なくとも80重量%以上含む、立方晶または六方晶を主体とする結晶層をいう。
【0019】
pn接合型DH構造のn形クラッド層は、立方晶よりも六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層から、より好都合に構成できる。例えば、ウルツ鉱結晶型(wurtzite)の六方晶GaNの禁止帯幅は約3.4エレクトロンボルト(eV)であり、立方晶のGaNの禁止帯幅は約3.2eVである。従って、n形III族窒化物半導体結晶層を六方晶結晶から構成すれば、発光層に対してより接合障壁の高く、従ってより効率的にキャリアの閉じ込め効果を得られるクラッド層が形成できる利点がある。六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層は、アンドープ(undope)状態でも得られるが、n形不純物として周知の珪素(Si)、硫黄(S)やセレン(Se)を積層時にn形不純物としてドーピングすれば、キャリア濃度並びに抵抗率が調整されたn形結晶層を形成できる。n形III族窒化物半導体結晶層がクラッド層として適切なキャリア濃度はおよそ1×1018cm-3前後或いはそれ以上である。また層厚は約50nm以上で約5μm以下の範囲であるのが望ましい。
【0020】
本発明に係わるIII族窒化物半導体発光素子は、p形Si単結晶基板上にBP系材料からなる緩衝層及びBP系材料からなるp形単結晶層を介して設けた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層及び六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層を具備し、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層及び六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層をpn接合型DH構造の発光部に用いたエピタキシャルウェーハから作製する。このエピタキシャルウェーハのp形Si単結晶基板の裏面にp形オーミック(Ohmic)電極を、またウェーハのエピタキシャル層の上にn形オーミック電極を各々形成し、個別素子に分離することによりnサイドアップ型の発光素子が作製できる。この場合、p形オーミック電極は例えばアルミニウム(Al)または金(Au)或いはそれらの合金から構成でき、n形III族窒化物半導体結晶層へのn形オーミック電極は例えばAuまたはAu合金などから構成できる。
【0021】
【作用】
本発明のSi単結晶基板上に設けたBP系材料からなる緩衝層は、その上のBP系材料からなるp形単結晶層とSi単結晶基板との密着性を増強させる作用を有する。また、Si単結晶基板とBP系材料からなるp形単結晶層との格子ミスマッチを緩和して結晶性に優れるp形単結晶層をもたらす作用を有する。
【0022】
また本発明のBP系材料からなるp形単結晶層と立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層との界面での格子ミスマッチを小さくなるように、p形単結晶層とp形III族窒化物半導体結晶層の調整することにより、p形単結晶層の上には、結晶欠陥が少なく結晶性に優れるp形III族窒化物半導体結晶層を形成することができる。また立方晶のp形単結晶層は、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層を効率的にもたらす作用を有する。
【0023】
また本発明では、発光部のp形クラッド層を立方晶のIII族窒化物半導体結晶層、n形クラッド層を六方晶のIII族窒化物半導体結晶層で構成することにより、p形クラッド層の抵抗率が低く、またnクラッド層のキャリアの閉じ込め効果の大きいpn接合型DH構造の発光部を作製できる。
【0024】
【実施例】
以下に本発明に係わるIII族窒化物半導体発光素子を、実施例を基に詳細に説明する。図1はp形Si単結晶基板を用いIII族窒化物半導体層を発光部とする本実施例に係わるLED100の平面模式図である。また、図2は図1に示すLED100の破線A−A’に沿った断面模式図である。
【0025】
本実施例ではまず、下記(1)〜(6)のp形のSi単結晶からなる基板101、BPからなる緩衝層102、BPからなる立方晶のp形単結晶層103、立方晶のp形GaN層104、窒化ガリウムインジウムからなる発光層105、六方晶のn形GaN層106を備えたエピタキシャルウェーハを作製した。
(1)硼素(B)をドープしたp形の(100)面を有するSi単結晶からなる基板101。
(2)トリエチルボラン((C2H5)3B)とホスフィン(PH3)を原料に用い水素(H2)を雰囲気ガスとする常圧(大気圧)のMOCVD法により、PH3と(C2H5)3Bとの供給比率(V/III比率)を約100に設定して、350℃で成長させた、層厚を約20nmとする非晶質のリン化硼素(BP)からなるZnドープでp形の緩衝層102。
(3)ジメチル亜鉛((C2H5)2Zn)をZnのドーピング原料とし、上記のMOCVD法により、上記緩衝層102上に約550℃で積層された、層厚を約1μmとし、キャリア濃度が約2×1018cm-3である立方晶のBPからなるZnドープのp形単結晶層103。
(4)トリメチルガリウム((CH3)3Ga)とアンモニア(NH3)を原料に用いH2を雰囲気ガスとする常圧(大気圧)MOCVD法により、880℃で成長させた層厚を約50nmとし、キャリア濃度を約1×1018cm-3としたMgドープの立方晶のp形GaN層104。
(5)(CH3)3Gaとシクロペンタジエニルインジウム(I)(C5H5In(I))とNH3を原料に用いH2を雰囲気ガスとする常圧のMOCVD法により、880℃で成長させた、平均的なインジウム(In)組成比を約0.15とする、In組成を相違する複数の相(phase)からなる多相構造からなり、層厚を約12nmとするn形窒化ガリウムインジウム混晶(Ga 0.85 In 0.15 N)からなる発光層105。
(6)(CH3)3GaとNH3を原料に用いH2を雰囲気ガスとする常圧MOCVD法により1080℃で成長させた、層厚を約1.5μmとしキャリア濃度を約3×1017cm-3とした六方晶のn形GaN層106。LED100は、上記のエピタキシャルウェーハから作製した。ここで、立方晶のp形GaN層104と発光層105と六方晶のn形GaN層106がLED100のpn接合型DH構造の発光部となり、p形GaN層104とn形GaN層106とがそれぞれp形クラッド層、n形クラッド層に相当する。
【0026】
このエピタキシャルウェーハを透過型電子顕微鏡(TEM)法を利用した断面TEM法及びX線回折法で解析した結果、p形GaN層104は閃亜鉛鉱型の立方晶に起因する回折を示した。またp形GaN層104は、上記の如くキャリア(正孔)濃度が高く、且つ、抵抗率を約1Ω・cmとする低抵抗の結晶層となった。
【0027】
LED100は、周知のフォトリソグラフィー(写真食刻)技術を利用して、上記のエピタキシャルウェーハに次のn形およびp形のオーミック(Ohmic)電極107、108を形成して作製した。
(7)最表面のn形GaN層106上に形成した、金(Au)からなる直径を約130μmとする円形のn形オーミック電極107。
(8)Si単結晶基板101の裏面の略全面に形成したアルミニウム(Al)からなるp形オーミック電極108。
次に、基板101のSi単結晶の[110]方向の劈開性を利用して、オーミック電極107、108が形成されたエピタキシャルウェーハを、一般的なスクライブ手段により個別素子(チップ)に分割した。チップの平面形状は一辺を約350μmとする正方形とした。
【0028】
n形およびp形オーミック電極107、108の間に順方向に動作電流を流通し、LED100を発光させて次の発光特性を得た。
(a)発光波長=460nm
(b)発光輝度=1.0カンデラ(cd)
(c)順方向電圧=3.6ボルト(V)(ただし順方向電流=20mAとする)
(d)逆方向電圧=20V以上(ただし逆方向電流=10μA)
特に本実施例では、p形GaN層104を立方晶のBPからなるp形単結晶層103に接合させて設けたため、上記のように低抵抗の立方晶の結晶層とすることができ、その結果LED100では順方向電圧を従来のLEDより低下させることができた。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、p形Si単結晶基板上に、閃亜鉛鉱結晶型のBP系材料からなる単結晶層に接合させて、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層を形成するため、p形III族窒化物半導体結晶層が低抵抗となり易い。また、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層からpn接合型ダブルヘテロ(DH)接合構造の発光部のn形クラッド層を形成できるため、高輝度のnサイドアップ型のIII族窒化物半導体発光素子が作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかわるLEDの平面模式図である。
【図2】図1に示すLEDの破線A−A’に沿った断面模式図である。
【符号の説明】
100 LED
101 基板
102 緩衝層
103 P形単結晶層
104 p形GaN層
105 発光層
106 n形GaN層
107 n形オーミック電極
108 p形オーミック電極
Claims (8)
- p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、該p形単結晶層に接して設けられた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、該p形III族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを具備するIII族窒化物半導体発光素子。
- 前記p形III族窒化物半導体結晶層の層厚が10ナノメータ(nm)以上で500nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 前記p形III族窒化物半導体結晶層のドーパントが亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)または炭素(C)であることを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- 前記立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層及び六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層を発光部に用いることを特徴とする請求項1乃至3に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
- p形導電性のSi単結晶からなる基板上に、BP系材料からなる緩衝層と、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを順次形成するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記p形単結晶層を前記緩衝層の積層温度より高い温度で積層することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記緩衝層の積層温度を300℃〜400℃とすることを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層の積層温度が、800℃〜1000℃であることを特徴とする請求項5または6に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度が、1000℃以上であることを特徴とする請求項5乃至7に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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