CN113540294B - 低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。
Description
技术领域
本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法。
背景技术
紫外发光二极管是一种用于光固化的发光产品，常用于杀菌消毒、食物封口材料固化、医用胶固化等，低欧姆接触紫外发光二极管外延片则是用于制备紫外发光二极管的基础结构。低欧姆接触紫外发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上生长的n型AlGaN层、GaN/AlGaN多量子阱层、p型AlGaN层与p型GaN欧姆接触层。
p型GaN欧姆接触层中的p型杂质通常为重掺杂，以保证p型GaN欧姆接触层与电极金属之间可以形成良好的欧姆接触。但高度掺杂的p型杂质会导致p型GaN欧姆接触层的质量下降，且p型GaN欧姆接触层本身对紫外光的吸取严重，导致最终得到的紫外发光二极管的出光效率不高。
发明内容
本公开实施例提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，可以保证与电极形成良好的欧姆接触并有效提高紫外发光二极管的发光效率。
所述技术方案如下：
本公开实施例提供可一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片，所述低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型AlGaN层；
在所述n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层；
在所述GaN/AlGaN多量子阱层上生长P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上生长AlGaN欧姆接触层，所述AlGaN欧姆接触层的材料为本征AlGaN材料；
使氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，以降低所述AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。
可选地，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面的时长为10～30min。
可选地，在温度为200～300℃的条件下，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
可选地，在压力为1～15mTorr的条件下，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
可选地，所述AlGaN欧姆接触层的厚度为10～100nm。
可选地，所述使氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，包括：
将所述衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备；
向所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备的腔室通入氯气；
所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备电离所述氯气，并使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
可选地，向所述腔室内通入的氯气的流量为30～300sccm。
可选地，所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备电离所述氯气的功率为500～800w。
可选地，将所述衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备之后，向所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备的腔室通入氯气之前，所述制备方法包括：
对所述腔室进行抽真空的同时对所述衬底进行加热，直至所述腔室的真空度低于压力阈值，所述衬底的温度达到温度阈值；使所述腔室的真空度维持在所述压力阈值、所述衬底的温度维持在所述温度阈值2～12分钟。
可选地，所述压力阈值等于或小于1×10-7Torr；所述温度阈值的范围为100～200℃。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层中存在的杂质较少，本身的质量较好，AlGaN欧姆接触层也可以与P型AlGaN层之间形成良好的晶格匹配，保证P型AlGaN层上的AlGaN欧姆接触层的质量可以得到进一步提高。并且AlGaN欧姆接触层本身宽带间隙较大，对紫外光线的透过率非常高，可以减小AlGaN欧姆接触层对紫外光线的吸收以提高紫外发光二极管的出光率。而使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl-与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，氯单分子层可以起到对欧姆接触层表面的修饰作用，电离的Cl-进行亲核取代作用与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键，从而达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法流程图；
图2是本公开实施例提供的一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的另一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法流程图；
图4是本公开实施例提供的另一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法流程图，如图1所示，该低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上生长n型AlGaN层。
S103：在n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层。
S104：在GaN/AlGaN多量子阱层上生长P型AlGaN层。
S105：在P型AlGaN层上生长AlGaN欧姆接触层，AlGaN欧姆接触层的材料为本征AlGaN材料。
S106：使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，以降低AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。
材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层中存在的杂质较少，本身的质量较好，AlGaN欧姆接触层也可以与P型AlGaN层之间形成良好的晶格匹配，保证P型AlGaN层上的AlGaN欧姆接触层的质量可以得到进一步提高。并且AlGaN欧姆接触层本身宽带间隙较大，对紫外光线的透过率非常高，可以减小AlGaN欧姆接触层对紫外光线的吸收以提高紫外发光二极管的出光率。而使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl-与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，氯单分子层可以起到对欧姆接触层表面的修饰作用，电离的Cl-进行亲核取代作用与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键，从而达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命。
示例性地，步骤S105中，AlGaN欧姆接触层的厚度为10～100nm。
AlGaN欧姆接触层的厚度为10～100nm在以上范围内时，AlGaN欧姆接触层的质量较好，且可以实现与后续电极金属之间的良好粘连，保证电极金属的稳定连接与使用。
可选地，步骤S105中，P型AlGaN层的生长温度为950℃～1050℃，P型AlGaN层的生长压力为100Torr～600Torr。
P型AlGaN层的生长温度与生长压力分别在以上范围内时，得到的P型AlGaN层的质量较好。且P型AlGaN层的生长速率也会较快，有效提高P型AlGaN层的质量的同时提高P型AlGaN层的生长速率，提高紫外发光二极管外延片的质量的同时有效控制时间成本。
可选地，步骤S106中，使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面的时长为10～30min。
氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面的时长为10～30min，可以保证AlGaN欧姆接触层的表面与Cl-之间充分作用，保证可以稳定形成氯单分子层，最后有效降低AlGaN欧姆接触层与电极金属之间的欧姆接触，降低紫外发光二极管的工作电压以提高紫外发光二极管的使用寿命。
可选地，在温度为200～300℃的条件下，使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面。
可以保证AlGaN欧姆接触层的表面与Cl-之间充分作用，保证可以稳定形成氯单分子层，最后有效降低AlGaN欧姆接触层与电极金属之间的欧姆接触，降低紫外发光二极管的工作电压以提高紫外发光二极管的使用寿命。
示例性地，在压力为1～15mTorr的条件下，使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面。
在压力为1～15mTorr的条件下，Cl-可以稳定作用于AlGaN欧姆接触层的表面，定形成氯单分子层，最后有效降低AlGaN欧姆接触层与电极金属之间的欧姆接触，降低紫外发光二极管的工作电压以提高紫外发光二极管的使用寿命。
步骤S106中，使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，可包括：
将衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备；向射频溅射设备或磁控溅射设备的腔室通入氯气；射频溅射设备或磁控溅射设备电离氯气，并使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面。
射频溅射设备或磁控溅射设备，可以快速有效地电离通入的氯气，并控制氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，有效保证AlGaN欧姆接触层的表面的功函数的降低。
需要说明的是，射频溅射设备或磁控溅射设备的腔室内充满氯气之后，射频溅射设备或磁控溅射设备的金属靶材可以作为负极，AlGaN欧姆接触层的表面可以作为正极，在金属靶材与AlGaN欧姆接触层之间形成电离氯气的电场。氯气中的Cl2在水平方向磁场的洛伦兹力和垂直方向电场的库仑力共同作用下，形成等离子体在腔室内做圆周运动，在Cl2电场库仑力的作用下电离为Cl+和Cl-，电离后的Cl-向AlGaN欧姆接触层的正极运动，Cl-再与AlGaN欧姆接触层中的Ga作用，最后有效降低AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。金属靶材作为负极、AlGaN欧姆接触层的表面作为正极，可以通过分别连接射频溅射设备或磁控溅射设备的提供电场的负极与正极实现。
示例性地，向腔室内通入的氯气的流量为30～300sccm。
向腔室内通入的氯气的流量为30～300sccm，所通入的氯气的流量较为稳定，也可以支撑氯气的有效电离并保证腔室内的环境保持稳定与正常。
可选地，向腔室内通入的氯气的时间为1～2h。可以保证腔室内充满氯气，氯气较多可以满足氯气的有效电离，保证腔室内的环境保持稳定与正常，有利于Cl-与AlGaN欧姆接触层的稳定反应。
示例性地，射频溅射设备或磁控溅射设备电离氯气的功率为500～800w。
射频溅射设备或磁控溅射设备电离氯气的功率为500～800w，可以稳定电离氯气，保证Cl-的来源充足，且可以与AlGaN欧姆接触层的表面进行较为充分且较为全面的接触与反应，保证最终得到的AlGaN欧姆接触层的表面的功函数较小。
在本公开所提供的一种实现方式中，将衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备之后，向射频溅射设备或磁控溅射设备的腔室通入氯气之前，制备方法可包括：
对腔室进行抽真空的同时对衬底进行加热，直至腔室的真空度低于压力阈值，衬底的温度达到温度阈值；使腔室的真空度维持在压力阈值、衬底的温度维持在温度阈值2～12分钟。
对腔室进行抽真空的同时对衬底进行加热，加热与抽真空同时进行，可以缩短对AlGaN欧姆接触层进行处理的前序工作，降低紫外发光二极管的时间成本。直至腔室的真空度低于压力阈值，衬底的温度达到温度阈值，可以有效去除AlGaN欧姆接触层的表面的杂质，保证AlGaN欧姆接触层的表面与Cl-进行稳定反应，AlGaN欧姆接触层的表面的功函数可以有效降低。使腔室的真空度维持在压力阈值、衬底的温度维持在温度阈值2～12分钟，则可以有效去除杂质，AlGaN欧姆接触层的表面的功函数可以有效降低。
可选地，压力阈值等于或小于1×10-7Torr；温度阈值的范围为100～200℃。
压力阈值等于或小于1×10-7Torr；温度阈值的范围为100～200℃，可以有效去除杂质，且不会过分提高紫外发光二极管的制备成本。
依照图1所示的制备方法制备得到的紫外发光二极管外延片的结构可参考图2，图2是本公开实施例提供的一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的结构示意图，如图2所示，本公开实施例提供可一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片，低欧姆接触紫外发光二极管外延片包括衬底1及依次层叠在衬底1上的n型AlGaN层2、GaN/AlGaN多量子阱层3、p型AlGaN层4及AlGaN欧姆接触层5。
图3是本公开实施例提供的另一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法流程图，如图3所示，该低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法包括：
S201：提供一衬底。
可选地，衬底可为蓝宝石衬底。
S202：在衬底上生长缓冲层，缓冲层为AlN层。
步骤S202中的AlN层可通过磁控溅射得到。
可选地，AlN层的溅射温度为400～700℃，溅射功率为3000～5000W，压力为1～10torr。能够得到质量较好的缓冲层。
可选地，步骤S202还包括：对缓冲层进行原位退火处理，温度在1000℃～1200℃，压力区间为150Torr～500Torr，时间在5分钟至10分钟之间。可以进一步提高缓冲层的晶体质量。
S203：在缓冲层上生长未掺杂AlGaN层。
可选地，未掺杂AlGaN层的生长温度为1000℃-1200℃，压力为50～200torr。得到的未掺杂AlGaN层的质量更好，能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
可选地，未掺杂AlGaN层的生长厚度在0.1至3.0微米之间。能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
S204：在未掺杂AlGaN层上生长n型AlGaN层。
可选地，n型层为Si掺杂的n型AlGaN层。易于制备与获取。
可选地，n型AlGaN层的生长温度为1000℃-1200℃，压力为50～200torr。得到的n型AlGaN层的质量更好，能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
示例性地，n型AlGaN层的生长厚度在1至4.0微米之间。能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
示例性地，n型AlGaN层中，Si掺杂浓度在1018cm-3-1020cm-3之间。
S205：在n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层。
可选地，GaN/AlGaN多量子阱层可包括多量子阱结构。GaN/AlGaN多量子阱层包括多个交替层叠的GaN层和AlxGa1-xN层0<x<0.3。
示例性地，GaN层的生长温度的范围在850℃-950℃间，压力范围在100Torr与300Torr之间；AlxGa1-xN层的生长温度在900℃-1000℃，生长压力在50Torr到200Torr之间。能够得到质量较好的GaN/AlGaN多量子阱层。
可选地，GaN层的阱厚在3nm左右，垒的厚度在8nm至20nm间。得到的GaN/AlGaN多量子阱层的质量较好且成本合理。
S206：在GaN/AlGaN多量子阱层上生长电子阻挡层。
可选地，电子阻挡层可为p型AlyGa1-yN层0.2<y<0.5。
可选地，p型AlyGa1-yN层的生长温度为900℃-1050℃，压力为50～200torr。得到的p型掺杂AlGaN层的质量更好，能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
示例性地，p型掺杂AlGaN层的生长厚度在15至60纳米之间。能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
S207：在电子阻挡层上生长p型AlGaN层。
可选地，p型AlGaN层的生长温度为850℃-1050℃，压力为50～200torr。得到的p型AlGaN层的质量更好，能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
示例性地，p型AlGaN层的生长厚度在100至300纳米之间。能够提高最终得到的紫外发光二极管的晶体质量。
S208：在P型AlGaN层上生长AlGaN欧姆接触层，AlGaN欧姆接触层的材料为本征AlGaN材料。
步骤S208可参考图1中所示的制备方法的步骤S105，因此此处不再对步骤S208进行赘述。
S209：对AlGAN欧姆接触层进行退火。
可选地，步骤S209中，退火温度为650℃～850℃，退火时长为5到15分钟，退火之后反应腔温度降温至20℃～30℃。可以有效释放AlGAN欧姆接触层的应力，提高最终得到的低欧姆接触紫外发光二极管外延片的质量。
需要说明的是，此处的退后可以提高AlGAN欧姆接触层的质量，也可以提高在AlGAN欧姆接触层上生长的透明导电层的质量。后续透明导电层形成过程中的加热可以进一步释放低欧姆接触紫外发光二极管外延片内部所存在的应力，有效提高最终得到的紫外低欧姆接触紫外发光二极管外延片的质量。
S210：使氯气电离的Cl-作用于AlGaN欧姆接触层的表面，以降低AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。
步骤S210可参考图1中所示的制备方法的步骤S106，因此此处不再对步骤S210进行赘述。
执行完步骤S210后的低欧姆接触紫外发光二极管外延片的结构可参见图4。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现LED的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
图4是本公开实施例提供的另一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的结构示意图，参考图4可知，在本公开实施例提供的另一种实现方式中，具有透明导电层5的低欧姆接触紫外发光二极管外延片可包括衬底1与在衬底1上依次层叠的缓冲层6、未掺杂AlGaN层7、n型AlGaN层2、GaN/AlGaN多量子阱层3、电子阻挡层8、p型AlGaN层4及AlGAN欧姆接触层5。
示例性地，缓冲层6为AlN层。能够有效缓解衬底1与缓冲层6之后的结构的晶格失配。
可选地，缓冲层6的厚度为15～35nm。可以有效缓解晶格失配且不过度提高制备成本。
可选地，未掺杂AlGaN层7的厚度可为0.1至3.0微米。
未掺杂AlGaN层7的厚度较为恰当，成本较为合理的同时可以有效提高紫外发光二极管的质量。
可选地，n型AlGaN层2的厚度可在1.5～3.5微米之间。
n型AlGaN层2可以合理提供载流子，n型AlGaN层2本身的质量也好。
示例性地，n型AlGaN层2中所掺杂的n型元素可为Si元素。
示例性地，GaN/AlGaN多量子阱层3可为多量子阱结构。GaN/AlGaN多量子阱层3包括交替层叠的GaN层31和AlxGa1-xN层32，其中，0<x<0.3。发光效率较好。
GaN层31和AlxGa1-xN层32的层数可相同，且层数均可为4到12。得到的GaN/AlGaN多量子阱层3的质量较好，成本也较为合理。
可选地，GaN层31的厚度可在3nm左右，AlxGa1-xN层32的厚度可在8nm至20nm间。可以有效捕捉载流子并发光。
示例性地，电子阻挡层8可为P型AlyGa1-yN层0.2<y<0.5，P型AlyGa1-yN层的厚度可为15nm至60nm之间。阻挡电子的效果较好。
示例性地，p型AlGaN层4可为P型掺杂AlGaN层。便于制备与获取。
可选地，p型AlGaN层4的厚度为50～300nm。得到的p型AlGaN层4整体的质量较好。
需要说明的是，图4中所示的AlGAN欧姆接触层5的结构与图2中所示的AlGAN欧姆接触层5的结构相同，因此此处不再赘述。
图4中所示的低欧姆接触紫外发光二极管外延片相对图2中所示的低欧姆接触紫外发光二极管外延片，增加了缓冲层6、未掺杂AlGaN层7、电子阻挡层8等层次结构，最终得到的紫外发光二极管的质量可以进一步得到提高。
图4仅为本公开实施例提供的紫外发光二极管的一种实现方式，在本公开所提供的其他实现方式中，紫外发光二极管也可为包括有反射层的其他形式的紫外发光二极管，本公开对此不做限制。
需要说明的是，电极在制备时，可以制备在AlGAN欧姆接触层5上，图4中显示了与Cl-与AlGAN欧姆接触层5反应在AlGAN欧姆接触层5的表面得到的氯分子层100，图4中还显示了与AlGAN欧姆接触层5形成欧姆接触的电极金属200。需要说明的是，实际情况中氯分子层100较难检测到，图4仅为便于理解而将氯分子层100进行了示意。且图4中省略了芯片中通常存在的n电极的结构。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型AlGaN层；
在所述n型AlGaN层上生长GaN/AlGaN多量子阱层；
在所述GaN/AlGaN多量子阱层上生长P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上生长AlGaN欧姆接触层，所述AlGaN欧姆接触层的材料为本征AlGaN材料；
使氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，以降低所述AlGaN欧姆接触层的表面的功函数。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面的时长为10～30min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在温度为200～300℃的条件下，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，在压力为1～15mTorr的条件下，使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN欧姆接触层的厚度为10～100nm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述使氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面，包括：
将所述衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备；
向所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备的腔室通入氯气；
所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备电离所述氯气，并使所述氯气电离的Cl-作用于所述AlGaN欧姆接触层的表面。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，向所述腔室内通入的氯气的流量为30～300sccm。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备电离所述氯气的功率为500～800w。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将所述衬底放入射频溅射设备或磁控溅射设备之后，向所述射频溅射设备或所述磁控溅射设备的腔室通入氯气之前，所述制备方法包括：
对所述腔室进行抽真空的同时对所述衬底进行加热，直至所述腔室的真空度低于压力阈值，所述衬底的温度达到温度阈值；使所述腔室的真空度维持在所述压力阈值、所述衬底的温度维持在所述温度阈值2～12分钟。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述压力阈值等于或小于1×10- 7Torr；所述温度阈值的范围为100～200℃。
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