JP4369211B2 - 有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4369211B2 JP4369211B2 JP2003399423A JP2003399423A JP4369211B2 JP 4369211 B2 JP4369211 B2 JP 4369211B2 JP 2003399423 A JP2003399423 A JP 2003399423A JP 2003399423 A JP2003399423 A JP 2003399423A JP 4369211 B2 JP4369211 B2 JP 4369211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- organic
- connection terminal
- solution
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 53
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイの製造方法に関する。
近年、有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬディスプレイの開発が盛んに行われている。有機ＥＬディスプレイは、液晶表示装置と比較して視野角が広く、また、応答速度も速く、有機物が多様な発光性を有することから、次世代の表示装置として期待されている。有機ＥＬ素子は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。
基板に設けられた電極上に有機化合物を積層する場合、有機材料を真空蒸着させて有機化合物層を形成する場合がある。しかし、有機材料を蒸着させる場合、有機化合物層の下地となる電極の表面に異物の付着や突起、窪みがあると、その影響により、有機化合物層を所望の状態にできないことがある。
この問題を解決する方法として、有機化合物層となる有機材料を液体中に分散または溶解させ、溶液として塗布することで異物、突起、窪み等を被覆し、所望の有機化合物層を形成する技術（湿式塗布方法、以下、単に塗布法と記す。）が知られている。例えば、特許文献１には、有機化合物層のうち少なくとも一層を塗布法により形成することが記載されている。
塗布法としては、例えば、オフセット印刷法、凸版印刷法、マスクスプレー法等がある。オフセット印刷法や凸版印刷法では、有機材料を溶媒中に分散または溶解した溶液の層を所定の領域のみに形成する。また、マスクスプレー法では、所望の領域に合致するような開口部を有する金属マスク等を配置し、有機材料を分散または溶解させた溶液を噴霧する。この場合、溶液を窒素等の気体媒体中に分散させたり、または二流体ノズル等を用いて溶液を霧状にする。
また、有機ＥＬディスプレイでは、分離構造体（以下、隔壁と記す。）を設け、有機化合物層の上に設ける陰極を分離配置する（特許文献１参照）。図６は、特許文献１に記載された隔壁の例を示す断面図である。基板１上には、陽極２を設け、その後、隔壁５を設ける。隔壁５は、例えば、基板１から離れるにつれて断面が広がるように形成する。このような隔壁５の構造は、逆テーパ構造あるいはオーバハング構造と称されている。隔壁５を逆テーパ構造とすることで、陰極の分離をより確実なものとすることができる。隔壁５を設けた状態で各有機化合物層（ホール注入輸送層１３、発光層１４、電子注入輸送層１５）を塗布法等により形成すると、隔壁５により有機化合物層が分離され、この結果、各隔壁５の間に各有機化合物層が形成される。その後、陰極７を、蒸着法等によって形成する。陰極７も隔壁５により分離し、パターニングされた陰極７を形成する。
また、開口部を有する絶縁膜を陽極上に形成し、表示画素となる位置を開口部の位置によって定める場合もある。図７は、特許文献１に記載された構成に、開口部を有する絶縁膜を設けた場合の構成例を示す説明図である。図７および図８は、電極が配置される側から基板を観察した状況を示す模式図であり、図８は、図７のＤ−Ｄ´における断面図である。図７では、上層に設けられた陰極等によって隠れる構成部も示している。
図７に示す例において、基板１上に、まず陽極２と、陰極７に接続される陰極接続端子３とを形成する。続いて、開口部４Ａを有する絶縁膜４を形成する。開口部４Ａは、陽極と陰極とが交差することになる位置に設ける。そして、陽極２と直交するように隔壁５を形成する。続いて、有機材料の溶液を塗布または蒸着し、有機化合物層６を形成する。なお、有機化合物層として複数の層を形成するが、図８では、複数の層をまとめて有機化合物層６として示している。溶液は、有機化合物層を形成すべき領域に一定の厚みの有機化合物層を形成するように、有機材料濃度等を調整する。有機化合物層６を形成した後、陰極７を有機化合物層上に蒸着する。隔壁５が有機化合物層６や陰極７を分離することにより、隔壁間に有機化合物層６を形成し、また、パターニングされた陰極７を形成する。
また、基板１の電極等が配置された面には、もう一枚の基板（図示せず）を対向するように配置する。この基板において、基板１の有機ＥＬ素子に対向する領域の外周にシール材（図示せず）を塗布する。このシール材によって、基板１ともう一枚の基板とを接着する。有機ＥＬ素子は、基板およびシール材によって封止することで、水分や酸素にさらされないように保たれる。
隔壁５を形成した後に、有機材料の溶液を塗布すると、塗布した溶液が隔壁５に沿って広がるという問題が生じる。例えば、図８に示す例では、隔壁５の側面と絶縁膜４とが交差する部分に沿って、溶液が広がる。これは、隔壁５の側面と絶縁膜４の表面の交差する部分の近傍の空間により毛管現象と同様の現象が生じるためである。特に、陰極７等を確実に分離するために逆テーパ構造を有するように隔壁５を形成すると、隔壁５の側面と絶縁膜４の表面の交差する部分の近傍の空間が狭くなり、溶液がより広がりやすくなる。
図９は、隔壁に沿って、有機材料の溶液が広がった状態を示す説明図である。図９では、隔壁５と有機材料溶液１２を示し、他の構成部の図示は省略した。図７および図９において、破線で示した領域は、塗布した溶液が広がらずに留まっているべき範囲を示している。すなわち、溶液は、破線の領域よりも広がらないことが理想的である。しかし、既に説明したように、有機材料溶液１２が隔壁５に沿って広がる結果、図９に示すように、溶液は破線で示す範囲よりも広がる。以下に示す各図においても、破線は溶液が留まっているべき範囲を示す。
このように溶液が広がることにより、陰極接続端子３上に有機薄膜が形成されると、その薄膜が、陰極接続端子３と、蒸着により形成する陰極７との間の抵抗体となる。有機ＥＬ素子では、陰極７と陽極２との間に電流を流すことによって駆動を行う。このため、陰極接続端子３と陰極７との間に抵抗体が存在すると発熱するという問題が生じる。また、抵抗体によって陰極７と陰極接続端子３との間の接続不良が生じる場合もある。
そこで、本発明は、有機化合物層を形成するために塗布した液体が広がることを防止し、抵抗体の発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の態様１は、基板上に第１の電極、表示画素となる位置に開口部を有する絶縁膜、複数の有機化合物層、第２の電極を順に積層し、第１の電極を形成した領域以外の領域に第２の電極と接続する接続端子を形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、接続端子の第２の電極との接続領域の周囲に、絶縁膜と同一材料で第１の構造体を形成した後、前記有機化合物層の少なくとも一層の液状材料を塗布する工程を有し、第１の構造体は、絶縁膜と分離して設けるとともに、接続端子の第２の電極との接続領域への液状材料の流入を防止するように接続領域を囲むように形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
本発明の態様２は、態様１において、絶縁膜と構造体を同時に形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。このような方法によれば、有機ＥＬディスプレイの製造工程を簡略化することができる。
本発明の態様３は、態様１または２において、第１の構造体に囲まれた領域内に、第１の構造体に囲まれた領域を複数の領域に分割する第２の構造体を設ける有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
本発明の態様４は、態様１、２または３において、絶縁膜の上に、第２の電極を分離する隔壁を形成し、第１の構造体の上には隔壁を形成しない有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。
本発明による有機ＥＬディスプレイは、第２の電極に接する抵抗体の発生を防止し、駆動時の発熱を防ぐことができる。
本発明による有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、液状材料の流入によって第２の電極に接する抵抗体が発生するのを防止し、生産歩留まりを向上させることができる。
次に、図１を用いて、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極、接続端子を陰極接続端子として説明する。図１は、本発明の一例である有機ＥＬ素子の構成例を示す図である。また、本明細書の図では、構造を理解し易くするため、上部に形成された陰極等によって隠れて見えない構造部も示している。
まず、基板１上に陽極２および陰極接続端子３を形成する。基板１として、例えばシリカを成膜したソーダライムガラス基板や無アルカリガラス基板等の透明基板を用いる。基板１上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を成膜し、エッチングを施すことによって図３に示すように、陽極２および陰極接続端子３を形成する。
次に、図４に示すように、陽極２を形成した基板１の面に絶縁膜４を成膜する。絶縁膜４は、例えば、ポリイミドの溶液を塗布することにより形成し、膜厚は、０．７μｍとなるようにすればよい。また、絶縁膜の層を形成した後、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部４Ａを設ける。後述する陰極７と、陽極２との交差部分が表示画素となる位置である。
また、表示画素以外の位置、すなわち、一番端の陽極より外側の領域において、絶縁膜の一部を除去して第１の構造体１１を設ける。
このとき、陰極接続端子３と後の工程で形成する陰極７との接続位置の周囲に第１の構造体１１を形成することが好ましい。例えば、図４に示すように絶縁膜４が中空の矩形形状となるように絶縁膜の一部を除去し、第１の構造体１１を設けるようにする。絶縁膜４と第１の構造体１１とが接続していないことが好ましい。絶縁膜４が第１の構造体１１に接続している部分があると、接続部分を流路として陰極接続端子３の陰極７との接続部へ溶液が流入する可能性があるからである。第１の構造体１１を設けることで、有機材料の溶液を塗布する際、溶液は第１の構造体１１を越えることができなくなり、陰極接続端子３の陰極７との接続部への溶液の流入を防止することができる。
第１の構造体の高さは、０．４〜３．０μｍであることが好ましい。０．４μｍ未満であると有機化合物層の溶液の流入を防止することができなくなり、３．０μｍを超えると第１の構造体の側面部分が良好なテーパ形状とならず、側面部分が垂直に立った形状に近づくため、第１の構造体の上に陰極７を均一に形成するのが困難となる。
第１の構造体の幅Ｗは、１０〜３０μｍであることが好ましい（図１参照）。１０μｍ未満であると、構造体を陰極補助配線と陰極の接続部を囲むように形成するには、陰極を形成する時のマスク位置合わせ精度と構造体を形成する時のパターン形成精度の合計を±５μｍ以下にすることが必要となり、生産が困難となるからである。また、３０μｍを超えると陰極７と陰極接続端子３との接続部の面積が小さくなり、所望の電流を流すことができなくなるからである。
第１の構造体１１は、図２に記す陰極接続端子３と第１の構造体が重なる部分のＸ方向の長さＲが、１０〜２０μｍとなるように形成することが好ましい。
Ｒが１０μｍ以下の場合、陰極接続端子３と第１の構造体１１を形成する際のマスク位置合わせ精度の関係で、陰極接続端子３の端部を第１の構造体１１が被覆されない場合がある。その場合、陰極接続端子３の端部の段差が露出し、陰極接続端子３の上に形成する陰極７の膜厚が薄いため、段差の部分で陰極７が断線する可能性が高くなる。このため、Ｒは１０μｍ以上であることが好ましい。
また、Ｒが２０μｍ以上の場合、陰極７と陰極接続端子３との接触部の面積が小さくなり、所望の電流を流すことができなくなる。このため、Ｒは２０μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の構造体１１の外形状は、陰極７と陰極接続端子３との接続部の面積を十分確保できれば、矩形以外の形状であってもよい。例えば、多角形や円形、楕円形であってもよい。
第１の構造体１１のほかに、さらに陰極接続端子３の上に第２の構造体１６を設けることも好ましい。第２の構造体１６で陰極７と陰極接続端子３との接続位置を複数の領域に区分けすることによって、万一、有機材料の溶液が第１の構造体を越えて陰極と陰極接続端子との接続位置に流入した場合でも、接続位置全体に溶液が広がらないようにすることができる。図１０のように第１の構造体１１の内部の領域を第２の構造体１６で分割すればよい。第２の構造体１６で区分けされた各領域は矩形である必要はなく、有機材料の溶液が接続位置の一部に流入した場合でも接続位置の面積を十分確保できるように区分けされていれば、どのような形状であってもよい。
第２の構造体の幅Ｖは、５〜２０μｍであることが好ましい（図１１参照）。第２の構造体の幅Ｖが５μｍ未満であると、構造体１６の幅が細くなるため、構造体１６を形成時に構造体１６が剥離する場合があり、安定生産が困難となるからである。
また、第２の構造体の幅Ｖが２０μｍを超えると、陰極７と陰極接続端子３との接続部の面積が小さくなり、所望の電流を流すことができなくなるからであるからである。
第２の構造体の高さは、０．４〜３．０μｍであることが好ましい。０．４μｍ未満であると有機化合物層の溶液の流入を防止することができなくなり、３．０μｍを超えると構造体の断面形状が良好なテーパ形状とならず、側面部分が垂直に立った形状に近づくため、第２の構造体の上に陰極７を均一に形成するのが困難となるからである。
また、第１の構造体および第２の構造体は、アクリル樹脂のようにポリイミド以外の材質で形成してもよい。
続いて、絶縁膜４の上層に、隣接する陰極同士を区分する隔壁５を形成する。このとき、陰極７を分離すべき位置、すなわち、陰極７の配置位置の両側に隔壁５を形成する。陰極７は、陽極２と直交するように形成するので、隔壁５も陽極２と直交するように形成する。隔壁５の材料としては、例えば、アクリル樹脂膜を用い、隔壁５の高さは、例えば、３．４μｍになるようにすればよい。隔壁５は、基板１から離れるにつれて断面が広がる逆テーパ構造となるように形成することが好ましい。逆テーパ構造とすることにより、隔壁５の上から蒸着する有機化合物層６や陰極配線７が逆テーパ形状の段差のところで不連続となる。その結果、隔壁５に沿った方向では、有機化合物層６や陰極配線７は連続的に形成される。一方、隔壁と直交する陽極と平行の方向では、有機化合物層６や陰極配線７を確実に分離することができる。
なお、第１の構造体１１の上には、隔壁５を設けないことが好ましい。第１の構造体１１で溶液の流入を防止しているが、第１の構造体１１の上に隔壁５を設けると、隔壁５と第１の構造体１１との接続部分近傍の毛管現象によって溶液が引き上げられ、第１の構造体１１を乗越える場合があるからである。
図５に隔壁５を形成した後の有機ＥＬ素子の一例を示す。
隔壁を形成した後、各有機化合物層を積層する。発光領域が開口した金属マスクを予め作成しておき、その金属マスクを基板１に取り付ける。そして、正孔注入層を形成するための溶液を例えばマスクスプレー法によって塗布する。マスクスプレー法により、溶液を面状に配置することができる。正孔注入層を形成するための溶液としては、例えば、ポリビニルカルバゾールを０．５％（質量百分率）溶解した安息香酸エチル溶液がある。
このとき、塗布された溶液は、隔壁５に沿って広がり、陰極接続端子３と陰極７との接触部分まで溶液が流入しようとする。しかし、陰極７と陰極接続端子３との接続位置の周囲に第１の構造体１１が設けられているので、陰極接続端子３と陰極７との接触部分に溶液が流入することはない。
正孔注入層の上に、正孔輸送層、発光層を順に積層していく。これらの層を塗布法により形成する際にも、第１の構造体１１によって液状材料の流入は防止される。正孔輸送層、発光層を蒸着法によって積層してもよい。
陰極界面層を形成した後、陰極７を形成する。発光層の上層に陰極界面層を蒸着し、その上層に陰極７を蒸着する。例えばＬｉＦを蒸着し、さらに陰極７として、例えばアルミニウムを蒸着すればよい。
このようにして、有機化合物層、陰極界面層および陰極７を、隔壁５によって分離し、各隔壁５の間の領域に形成する。
次に、基板１と対になる基板（図示せず）を準備し、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周にシール材を塗布する。そして、シール材を塗布した基板と基板１とを重ね合わせる。
このような有機ＥＬディスプレイによれば、陰極７と陰極接続端子３とは良好な状態で接続される。従って、駆動時における発熱を防止できる。
次に本発明の具体例を説明する。なお、以下の例１および例２は実施例で、例３は比較例である。
［例１］
ガラス基板上にＩＴＯを成膜した後、エッチングを施し、厚さ３００ｎｍの陽極および陰極接続端子を形成する。陰極接続端子の幅は２００μｍとする。
ガラス基板上にＩＴＯを成膜した後、エッチングを施し、厚さ３００ｎｍの陽極および陰極接続端子を形成する。陰極接続端子の幅は２００μｍとする。
次に、陽極を設けた基板の面にポリイミドの溶液を塗布し、０．４μｍの膜厚の絶縁膜を成膜する。続いて、表示画素となる位置のポリイミドを除去し、３００μｍ×３００μｍの正方形の開口部を設ける。開口部を設けると同時に、一番端の陽極より外側の領域において、絶縁膜が陰極接続端子の一部を囲むように残るように絶縁膜の一部を除去し、第１の構造体を設ける。
図１は、本実施例の有機ＥＬ素子の構成を示す図である。図２は、図１のＤ−Ｄ´切断線での部分断面図である。図２では、第１の構造体１１のＸ方向の外形寸法をＴ、第１の構造体１１の開口部のＸ方向のサイズをＳ、第１の構造体１１の幅をＷ、陰極接続端子の幅をＵとしている。
第１の構造体１１は、Ｘ方向、Ｙ方向の外形寸法をそれぞれ２４０μｍ、Ｘ方向、Ｙ方向の開口部をそれぞれ１８０μｍ、幅を２０μｍとし、基板と第１の構造体のなす角度が３７〜４０°の範囲に入るようにする。なお、本実施例では、第１の構造体の外形寸法および開口部のサイズ、幅はＸ方向とＹ方向で同じであるが、Ｘ方向とＹ方向で異なっていてもよい。
また、図２に記す陰極接続端子３と第１の構造体が重なる部分のＸ方向の長さＲが、２０μｍとなるように、第１の構造体を形成する。
続いて、絶縁膜の上層にアクリル樹脂膜を塗布することにより６４本の陰極を分離配置できるように高さ３．４μｍの隔壁を形成する。また、隔壁断面が逆テーパ構造となるように形成する。
その後、開口部を有する金属マスクを、金属マスクの開口部と有機化合物層を設けるべき位置が重なるように配置し、ガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクとガラス基板との間に５０μｍの空間があくようにする。そして、０．５％（質量百分率）のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布し、正孔注入層を形成する。
続いて、正孔注入層の上にα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ´−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、その上に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、膜厚６０ｎｍの発光層を形成する。
続いて、発光層の上層にＬｉＦを蒸着して、膜厚０．５ｎｍの陰極界面層を形成する。その後、アルミニウムを蒸着して、膜厚１００ｎｍの陰極を形成する。この結果、隔壁によってアルミニウムの膜は分離され、６４本の陰極を形成する。
このガラス基板とは別の基板に、シール材としてエポキシ系紫外線硬化性樹脂を塗布し、有機ＥＬ素子を配置したガラス基板と対向させる。また、シール材は、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周に塗布する。二枚の基板を対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために８０℃のクリーンオーブン中で１時間熱処理を施す。この結果、シール材および一対の基板によって、有機ＥＬ素子が存在する基板間と、基板の外部とを隔離できる。
基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極に信号電極ドライバを接続し、陰極接続端子に走査電極ドライバを接続する。
基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極に信号電極ドライバを接続し、陰極接続端子に走査電極ドライバを接続する。
本例によると、有機ＥＬ素子の溶液を塗布する際、溶液が、陰極と陰極接続端子の接触部分まで広がることを防止出来る。その結果、有機ＥＬディスプレイを駆動したときに、発熱による断線が発生しない。
［例２］
陰極接続端子の上に第２の構造体１６を設けた点を除き、例１と同様に形成した有機ＥＬディスプレイを製造する。
図１０および図１１に示すように第１の構造体の他に第２の構造体１６を陰極接続端子の上に設け、万一、有機材料の溶液が第１の構造体を越えて陰極と陰極接続端子との接続位置に流入した場合でも、接続位置全体に溶液が広がらないように接続位置の領域を６つに区分けする。第２の構造体１６の幅は１０μｍとし、高さは０．４μｍとする。
陰極接続端子の上に第２の構造体１６を設けた点を除き、例１と同様に形成した有機ＥＬディスプレイを製造する。
図１０および図１１に示すように第１の構造体の他に第２の構造体１６を陰極接続端子の上に設け、万一、有機材料の溶液が第１の構造体を越えて陰極と陰極接続端子との接続位置に流入した場合でも、接続位置全体に溶液が広がらないように接続位置の領域を６つに区分けする。第２の構造体１６の幅は１０μｍとし、高さは０．４μｍとする。
有機ＥＬ素子の溶液を塗布する際、溶液が、陰極と陰極接続端子の接触部分まで広がることを防止でき、万一、有機材料の溶液が第１の構造体を越えて陰極と陰極接続端子との接続位置に流入した場合でも、接続位置全体に溶液が広がらない。有機ＥＬディスプレイを駆動した際、発熱による断線も発生しない。
［例３］
例１と同様に有機ＥＬディスプレイを製造する。ただし、絶縁膜に表示画素となる開口部４Ａのみを設け、陰極接続端子の一部を囲む構造体は設けない。
例１と異なり、有機ＥＬ素子の溶液を塗布する際、陰極接続端子３と陰極７との接続部分に溶液が流入するため、陰極接続端子３と陰極７の接続抵抗が高くなり、発熱に起因すると考えられる接続不良が発生する。
例１と同様に有機ＥＬディスプレイを製造する。ただし、絶縁膜に表示画素となる開口部４Ａのみを設け、陰極接続端子の一部を囲む構造体は設けない。
例１と異なり、有機ＥＬ素子の溶液を塗布する際、陰極接続端子３と陰極７との接続部分に溶液が流入するため、陰極接続端子３と陰極７の接続抵抗が高くなり、発熱に起因すると考えられる接続不良が発生する。
１：ガラス基板
２：陽極
３：陰極接続端子
４：絶縁膜
４Ａ：開口部
５：隔壁
６：有機化合物層
７：陰極
１０：ＩＴＯ
１１：第１の構造体
１２：有機材料溶液
１３：ホール注入輸送層
１４：発光層
１５：電子注入輸送層
２：陽極
３：陰極接続端子
４：絶縁膜
４Ａ：開口部
５：隔壁
６：有機化合物層
７：陰極
１０：ＩＴＯ
１１：第１の構造体
１２：有機材料溶液
１３：ホール注入輸送層
１４：発光層
１５：電子注入輸送層
Claims (4)
- 基板上に第１の電極、表示画素となる位置に開口部を有する絶縁膜、複数の有機化合物層、第２の電極を順に積層し、第１の電極を形成した領域以外の領域に第２の電極と接続する接続端子を形成する有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
接続端子の第２の電極との接続領域の周囲に、絶縁膜と同一材料で第１の構造体を形成した後、前記有機化合物層の少なくとも一層の液状材料を塗布する工程を有し、
第１の構造体は、絶縁膜と分離して設けるとともに、接続端子の第２の電極との接続領域への液状材料の流入を防止するように接続領域を囲むように形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 絶縁膜と第１の構造体を同時に形成する請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 第１の構造体に囲まれた領域内に、第１の構造体に囲まれた領域を複数の領域に分割する第２の構造体を設ける請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 絶縁膜の上に、第２の電極を分離する隔壁を形成し、第１の構造体の上には隔壁を形成しない請求項１、２または３に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003399423A JP4369211B2 (ja) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| CNB2004100974630A CN100508245C (zh) | 2003-11-28 | 2004-11-25 | 有机el显示器及其制造方法 |
| US10/996,405 US7427224B2 (en) | 2003-11-28 | 2004-11-26 | Organic EL display and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003399423A JP4369211B2 (ja) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005166266A JP2005166266A (ja) | 2005-06-23 |
| JP4369211B2 true JP4369211B2 (ja) | 2009-11-18 |
Family
ID=34674830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003399423A Expired - Fee Related JP4369211B2 (ja) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7427224B2 (ja) |
| JP (1) | JP4369211B2 (ja) |
| CN (1) | CN100508245C (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060182993A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-08-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| KR100705319B1 (ko) * | 2004-12-01 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2006286309A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
| KR100638143B1 (ko) | 2005-10-12 | 2006-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2007250520A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル |
| JP2007257840A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| KR100822204B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2008-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP4356899B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2009-11-04 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| JP5312909B2 (ja) | 2008-11-11 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | カラー有機ｅｌディスプレイ用色変換フィルタパネルおよびカラー有機ｅｌディスプレイ |
| KR20150025994A (ko) * | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP2019174637A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| US20230209924A1 (en) * | 2020-05-20 | 2023-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and display device production method |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306665A (ja) | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JPH1174084A (ja) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Toray Ind Inc | 発光素子及びその製造方法 |
| JP4279391B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2009-06-17 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP3864009B2 (ja) | 1999-02-16 | 2006-12-27 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2001351778A (ja) | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法 |
| JP2002196699A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JP2002343560A (ja) | 2001-03-16 | 2002-11-29 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| DE10133684A1 (de) * | 2001-07-11 | 2003-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches, farbiges, elektrolumineszierendes Display und dessen Herstellung |
| DE10152919A1 (de) * | 2001-10-26 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches elektrolumineszierendes Display |
| JP4271915B2 (ja) | 2002-04-11 | 2009-06-03 | オプトレックス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| CN1452437A (zh) | 2002-04-17 | 2003-10-29 | 朱星厚 | 覆盖保护膜的有机电发光显示板的制造方法 |
-
2003
- 2003-11-28 JP JP2003399423A patent/JP4369211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-25 CN CNB2004100974630A patent/CN100508245C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-26 US US10/996,405 patent/US7427224B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1627871A (zh) | 2005-06-15 |
| US7427224B2 (en) | 2008-09-23 |
| JP2005166266A (ja) | 2005-06-23 |
| CN100508245C (zh) | 2009-07-01 |
| US20050134170A1 (en) | 2005-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4255724B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法および有機ｅｌディスプレイ | |
| WO2015173965A1 (ja) | 発光装置 | |
| JP2007299741A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JP4369211B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JP2012238580A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2008243545A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
| US20150243926A1 (en) | Amoled panel and method of encapsulating the same | |
| JP2010282903A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネル | |
| JP2005183209A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| KR100360328B1 (ko) | 유기 전계발광 표시소자 | |
| JP2005093421A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2006073222A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR100605124B1 (ko) | 종이기판을 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| JP2005183184A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2005174842A (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| JP2004087508A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
| JP2007317546A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP4795665B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法 | |
| JP2005063959A (ja) | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP6802156B2 (ja) | 有機ｅｌデバイス、有機ｅｌ照明パネル、有機ｅｌ照明装置および有機ｅｌディスプレイ | |
| JP2005078892A (ja) | 有機ｅｌ表示素子、その製造方法およびマスク | |
| JP2004200027A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| KR20050116278A (ko) | 유기 전계발광표시소자 | |
| JP2005158388A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| KR20160038663A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060811 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060814 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080218 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090825 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090827 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120904 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150904 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |