JP2012238580A - 有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 有機化合物層をパターニングするための層を設けた後は、有機化合物層を蒸着法により形成することで、有機化合物層をパターニングするための層の側面部の表面張力の影響を受けずに、均一な膜厚で発光層などの有機化合物層を形成する。
【選択図】 図1
Description
第1電極と第2電極との間に有機化合物層を備える有機EL素子を、複数有する有機EL表示装置の製造方法であって、複数の第1電極が設けられた基板の上に、第1有機化合物層を形成する工程と、
前記第1有機化合物層の上に剥離層を形成する工程と、
前記複数の第1電極のうち、所定の第1電極の上に前記剥離層および前記第1有機化合物層が残存するように、前記剥離層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、
前記剥離層および前記第1有機化合物層が残存する基板の上に、第2有機化合物層を蒸着法にて形成する工程と、
前記剥離層を溶解させて、前記剥離層の上に形成された第2有機化合物層を除去する工程と、
前記基板に残存する前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に、第2電極を形成する工程と、を有する。
図1は本発明の第1実施形態の有機EL表示装置の製造方法の各工程を示す図である。有機EL表示装置には、第1有機化合物層を有する第1有機EL素子と、第2有機化合物層を有する第2有機EL素子と、が配置さている。
図2は本発明の第2実施形態の有機EL表示装置の製造方法を表す図である。本実施形態は、図2(d)に示すように、剥離層4上に保護層7を設けた後に、保護層7、剥離層4及び第1有機化合物層3をパターニングする点で、第1実施形態とは異なっている。
図3は本発明にかかる第3実施形態の有機EL表示装置の製造方法を示す図である。本実施形態は、図3(e)に示すように、保護層7が剥離層4よりも広い領域に残存するようにパターニングする点で第2実施形態とは異なる。保護層7を剥離層4よりも広い領域に残存させるには、例えば、保護層7のエッチングレートよりも、剥離層4のエッチングレートの方が高いエッチングガスを用いたドライエッチングにて、保護層7、剥離層4、および第1有機化合物層3のパターニングを行う。ドライエッチングは、基板1をエッチング装置の一方の電極に配置し、基板1と対向するように他方の電極を配置し、両方の電極間に電界を印加してエッチングを行う。このとき、電界に平行な方向だけでなく、電界に対して垂直な方向にもエッチングが進行する(サイドエッチング)。そのため、マスク材(保護層7)に対して被エッチング材(剥離層4)の領域を狭くすることができる。この様な構造にしておくと、剥離層4の側面が保護層7の影になり、基板1に対して斜め方向から蒸着材料が入射しても、図3(f)の様にパターニングされた剥離層4の側部にはほとんど着膜せず、剥離層4の側部を露出させることができる。
図4は、本発明の第4実施形態の有機EL表示装置の製造方法を表す図である。図では、1組みの有機EL素子のみを記載している。本実施形態では、第3実施形態と同様に、剥離層4の上に保護層7を形成する方法にて、3種類の有機EL素子が配置された有機EL表示装置を作製する方法について説明する。他の実施形態と同様の材料を用いることができる場合や、同様の製造方法で形成できる場合は、説明を一部省略する。
本発明の実施例1にかかる有機EL表示装置の製造方法を、図1を用いて説明する。図1には有機EL表示装置の一部だけを示している。また、本実施例にて作製する有機EL表示装置の上面図を、図5に示す。基板1には外部電源や外部回路と接続して電力や信号等が入力される外部端子11と、有機EL素子を駆動するための周辺回路10と、第1有機化合物層3、第2有機化合物層5のいずれかを備える複数の有機EL素子と、が設けられている。図示していないが、他に外部端子11と周辺回路10とを接続する配線や画素回路等が設けられている。
本発明の実施例2にかかる有機EL表示装置の製造方法を、図4を用いて説明する。図4には有機EL表示装置の一部だけを示している。本実施例で作製した有機EL表示装置の概略を図6に示す。
2a、2b、2c 第1電極
3 第1有機化合物層
4、4’ 剥離層
5 第2有機化合物層
6 第3有機化合物層
7、7’ 保護層
8 共通有機化合物層
9 第2電極
Claims (11)
- 第1電極と第2電極との間に有機化合物層を備える有機EL素子を、複数有する有機EL表示装置の製造方法であって、
複数の第1電極が設けられた基板の上に、第1有機化合物層を形成する工程と、
前記第1有機化合物層の上に剥離層を形成する工程と、
前記複数の第1電極のうち、所定の第1電極の上に前記剥離層および前記第1有機化合物層が残存するように、前記剥離層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、
前記剥離層および前記第1有機化合物層が残存する基板の上に、第2有機化合物層を蒸着法にて形成する工程と、
前記剥離層を溶解させて、前記剥離層の上に形成された第2有機化合物層を除去する工程と、
前記基板に残存する前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に、第2電極を形成する工程と、を有することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第2有機化合物層を蒸着法にて形成する工程の後、前記第1有機化合物層の膜厚と前記剥離層の膜厚との合計は、前記第2有機化合物層の膜厚よりも厚くなっていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層を形成する工程と、前記剥離層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、の間に、
前記剥離層の上に保護層を形成する工程と、
前記複数の第1電極のうち前記所定の第1電極の上に前記保護層が残存するように、前記保護層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記剥離層および前記第1有機化合物層を除去する工程は、
前記保護層のエッチングレートが、前記剥離層および前記第1有機化合物層のエッチングレートよりも遅い、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記保護層を除去する工程と前記剥離層および前記第1有機化合物層を除去する工程とは連続して行われることを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記保護層を形成する工程と、前記保護層を除去する工程の間に、
前記保護層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記所定の第1電極の上に前記フォトレジスト層が残存するように、フォトリソグラフィー法にて前記フォトレジスト層をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記剥離層の上に形成された第2有機化合物層を除去する工程と、
前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2電極を形成する工程と、の間に、
前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2剥離層を形成する工程と、
前記第2有機化合物層が形成された前記複数の第1電極のうち、所定の第1電極の上に前記第2剥離層および前記第2有機化合物層が残存するように、前記第2剥離層および前記第2有機化合物層を除去する工程と、
前記第2剥離層および前記第2有機化合物層が除去された第1電極の上に第3有機化合物層を蒸着法にて形成する工程と、
第2剥離層を溶解させて、前記第2剥離層の上に形成された第3有機化合物層を除去する工程と、を有し、
前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2電極を形成する工程は、前記第3有機化合物層の上にも第2電極を形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第2剥離層を形成する工程と、前記第2剥離層および前記第2有機化合物層を除去する工程との間に、
前記第2剥離層の上に第2保護層を形成する工程と、
前記所定の第1電極の上に前記第2保護層が残存するように、前記第2保護層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第2剥離層および前記第2有機化合物層を除去する工程は、
前記第2保護層のエッチングレートが、前記第2剥離層および前記第2有機化合物層のエッチングレートよりも遅い、エッチングガスを用いて行うことを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第2保護層を除去する工程と前記第2剥離層および前記第2有機化合物層を除去する工程とは連続して行われることを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記第2保護層を形成する工程と、前記第2保護層を除去する工程の間に、
前記第2保護層の上に第2フォトレジスト層を形成する工程と、
前記所定の第1電極の上に前記第2フォトレジスト層が残存するように、フォトリソグラフィー法にて前記第2フォトレジスト層をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする請求項8に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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