JP2001351778A - 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法Info
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- JP2001351778A JP2001351778A JP2000171946A JP2000171946A JP2001351778A JP 2001351778 A JP2001351778 A JP 2001351778A JP 2000171946 A JP2000171946 A JP 2000171946A JP 2000171946 A JP2000171946 A JP 2000171946A JP 2001351778 A JP2001351778 A JP 2001351778A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 引出し電極５の表層にバリア層８を形成する
ことにより、接触抵抗を上昇させる変質層７の生成を防
止し、比較的定電圧で駆動可能な有機エレクトロルミネ
ッセンス表示デバイスを得る。 【構成】 この有機エレクトロルミネッセンス表示デバ
イスは、透明基板１に設けられた引出し電極５の表層に
バリア層８を形成している。引出し電極５は、有機発光
層３を介して透明基板１上に積層された金属電極４にバ
リア層８を介して接触している。引出し電極５は、Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚ
ｎ等の金属質導電材料で形成される。バリア層８は、耐
熱変質性の良好な高融点金属，貴金属，酸化物，窒化物
又は酸窒化物で形成される。
ことにより、接触抵抗を上昇させる変質層７の生成を防
止し、比較的定電圧で駆動可能な有機エレクトロルミネ
ッセンス表示デバイスを得る。 【構成】 この有機エレクトロルミネッセンス表示デバ
イスは、透明基板１に設けられた引出し電極５の表層に
バリア層８を形成している。引出し電極５は、有機発光
層３を介して透明基板１上に積層された金属電極４にバ
リア層８を介して接触している。引出し電極５は、Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚ
ｎ等の金属質導電材料で形成される。バリア層８は、耐
熱変質性の良好な高融点金属，貴金属，酸化物，窒化物
又は酸窒化物で形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極に対する接触抵抗
を低く維持し、比較的低い電圧で駆動可能な有機エレク
トロルミネッセンス表示デバイスに関する。
を低く維持し、比較的低い電圧で駆動可能な有機エレク
トロルミネッセンス表示デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ブラウン管に代わるカラー表示装置とし
て、液晶ディスプレイパネルが多方面で普及している。
しかし、液晶ディスプレイパネルは、バックライトから
液晶層を通過した光で画像表示する方式であるため、見
る角度や周囲の明暗度によって画像が見難くなることが
ある。この点、面発光によって必要画像を表示するエレ
クトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイパネル
は、画像の見易さが観察角度によって変わることなく、
暗所でも十分な鮮明度で画像が観察される。
て、液晶ディスプレイパネルが多方面で普及している。
しかし、液晶ディスプレイパネルは、バックライトから
液晶層を通過した光で画像表示する方式であるため、見
る角度や周囲の明暗度によって画像が見難くなることが
ある。この点、面発光によって必要画像を表示するエレ
クトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイパネル
は、画像の見易さが観察角度によって変わることなく、
暗所でも十分な鮮明度で画像が観察される。
【０００３】エレクトロルミネッセンス材料として種々
の無機材料及び有機材料が知られているが、低電力で高
輝度発光する有機材料が注目されている。有機発光材料
を使用した表示デバイスは、透明基板１に複数のストラ
イプ状透明電極２，有機発光層３，透明電極２に直交す
る複数のストライプ状金属電極４を順次積層した構造
（図１）をもっている。透明基板１の上には、金属電極
４に導通する引出し電極５が積層されている。
の無機材料及び有機材料が知られているが、低電力で高
輝度発光する有機材料が注目されている。有機発光材料
を使用した表示デバイスは、透明基板１に複数のストラ
イプ状透明電極２，有機発光層３，透明電極２に直交す
る複数のストライプ状金属電極４を順次積層した構造
（図１）をもっている。透明基板１の上には、金属電極
４に導通する引出し電極５が積層されている。
【０００４】透明電極２及び金属電極４で形成されるＸ
Ｙマトリックス上の所定位置に駆動電流を供給すると、
陽極側からのホールと陰極側からの電子が有機発光層３
で再結合し、有機発光体分子が励起され面状に発光す
る。発光は、透明電極２及び透明基板１を通して外部に
取り出される。本出願人は、この有機エレクトロルミネ
ッセンス表示デバイスにおいて層間絶縁膜６を形成する
とき、透明電極２エッジ部の段差に起因する透明電極２
と金属電極４との短絡が防止され、鮮明な画像が表示さ
れることを特開平８−３１５９８１号公報で紹介した。
Ｙマトリックス上の所定位置に駆動電流を供給すると、
陽極側からのホールと陰極側からの電子が有機発光層３
で再結合し、有機発光体分子が励起され面状に発光す
る。発光は、透明電極２及び透明基板１を通して外部に
取り出される。本出願人は、この有機エレクトロルミネ
ッセンス表示デバイスにおいて層間絶縁膜６を形成する
とき、透明電極２エッジ部の段差に起因する透明電極２
と金属電極４との短絡が防止され、鮮明な画像が表示さ
れることを特開平８−３１５９８１号公報で紹介した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】層間絶縁膜６は、たと
えばシリカ分散ペーストを所定パターンで塗布し、ベー
クによって形成される。或いは、ポリイミド系塗料を塗
布して、熱処理で架橋させることにより安定なポリマー
皮膜として形成される。何れの場合も、層間絶縁膜６の
形成にベークを必要とし、引出し電極５の表面を変質さ
せやすい。引出し電極５の材料としては抵抗値が低い金
属が使用されているが、ベークによって表面に変質層７
（図２）が生成すると、金属電極４との接触抵抗Ｒが増
加する。その結果、有機エレクトロルミネッセンス表示
デバイスの駆動に高い電圧が必要となり、また昇温によ
る有機エレクトロルミネッセンス表示デバイスの劣化も
促進される。
えばシリカ分散ペーストを所定パターンで塗布し、ベー
クによって形成される。或いは、ポリイミド系塗料を塗
布して、熱処理で架橋させることにより安定なポリマー
皮膜として形成される。何れの場合も、層間絶縁膜６の
形成にベークを必要とし、引出し電極５の表面を変質さ
せやすい。引出し電極５の材料としては抵抗値が低い金
属が使用されているが、ベークによって表面に変質層７
（図２）が生成すると、金属電極４との接触抵抗Ｒが増
加する。その結果、有機エレクトロルミネッセンス表示
デバイスの駆動に高い電圧が必要となり、また昇温によ
る有機エレクトロルミネッセンス表示デバイスの劣化も
促進される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような問
題を解消すべく案出されたものであり、引出し電極の表
面にバリア層を形成することにより、ベーク等の加熱時
に引出し電極の変質、ひいては引出し電極と金属電極と
の接触抵抗の上昇を防止し、比較的低い電圧で駆動可能
な有機エレクトロルミネッセンス表示デバイスを提供す
ることを目的とする。本発明の有機エレクトロルミネッ
センス表示デバイスは、その目的を達成するため、透明
基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成
し、有機発光層を介して透明基板上に積層された金属電
極に、前記バリア層を介して前記引出し電極が接触して
いることを特徴とする。
題を解消すべく案出されたものであり、引出し電極の表
面にバリア層を形成することにより、ベーク等の加熱時
に引出し電極の変質、ひいては引出し電極と金属電極と
の接触抵抗の上昇を防止し、比較的低い電圧で駆動可能
な有機エレクトロルミネッセンス表示デバイスを提供す
ることを目的とする。本発明の有機エレクトロルミネッ
センス表示デバイスは、その目的を達成するため、透明
基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成
し、有機発光層を介して透明基板上に積層された金属電
極に、前記バリア層を介して前記引出し電極が接触して
いることを特徴とする。
【０００７】引出し電極は、たとえばＣｒ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚｎから選ばれ
た金属質導電材料で形成される。バリア層は、耐熱変質
性の良好な高融点金属，貴金属，酸化物，窒化物又は酸
窒化物で形成される。また、引出し電極用金属質導電材
料の酸化物，窒化物又は酸窒化物の薄層としてもバリア
層を形成できる。更に、引出し電極用金属質導電材料の
酸化物，窒化物又は酸窒化物の薄層を密着性改善層とし
て形成した後で、引出し電極を透明基板上に形成しても
よい。引出し電極の表層に形成されるバリア層は、密着
性改善層を含む引出し電極と共に同じエッチング液を用
いて加工することができる。
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚｎから選ばれ
た金属質導電材料で形成される。バリア層は、耐熱変質
性の良好な高融点金属，貴金属，酸化物，窒化物又は酸
窒化物で形成される。また、引出し電極用金属質導電材
料の酸化物，窒化物又は酸窒化物の薄層としてもバリア
層を形成できる。更に、引出し電極用金属質導電材料の
酸化物，窒化物又は酸窒化物の薄層を密着性改善層とし
て形成した後で、引出し電極を透明基板上に形成しても
よい。引出し電極の表層に形成されるバリア層は、密着
性改善層を含む引出し電極と共に同じエッチング液を用
いて加工することができる。
【０００８】
【実施の形態】本発明に従った有機エレクトロルミネッ
センス表示デバイスは、たとえば図３に示すように、引
出し電極５の表面をバリア層８で被覆している。その他
は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス
（図１）とほぼ同じ層構造をもっている。バリア層８の
形成によって、層間絶縁膜６形成時に引出し電極５の表
面が熱的に保護され、変質層７の生成が防止される。引
出し電極５の材料には、たとえば抵抗値の低いＣｒ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚｎ等の
金属又は合金が使用される。これらの金属又は合金は、
蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング等の方法
により薄膜として透明基板１上に形成される。
センス表示デバイスは、たとえば図３に示すように、引
出し電極５の表面をバリア層８で被覆している。その他
は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス
（図１）とほぼ同じ層構造をもっている。バリア層８の
形成によって、層間絶縁膜６形成時に引出し電極５の表
面が熱的に保護され、変質層７の生成が防止される。引
出し電極５の材料には、たとえば抵抗値の低いＣｒ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ａｇ−Ｍｇ，Ｚｎ等の
金属又は合金が使用される。これらの金属又は合金は、
蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング等の方法
により薄膜として透明基板１上に形成される。
【０００９】バリア層８の材料としては、層間絶縁膜６
形成時のベーク等、熱処理の際に変質しない高融点金
属，貴金属，酸化物，窒化物，酸窒化物等が適してい
る。導電性を妨げない程度の膜厚（具体的には１０〜１
００Å，好ましくは１０〜５００Å，最適には１０〜２
００Å）でバリア層８を形成する場合、絶縁物に分類さ
れている材料でも使用可能である。具体的には、耐変質
性に優れたＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｍｏ等の金属材料の
他に、ＣｒＯx，ＡｌＯx，ＭｏＯx，ＦｅＯx，Ｎｉ
Ｏx，ＡｇＯx，ＺｎＯx，ＴａＯx，ＷＯx，ＳｉＯx，Ｓ
ｎＯx，ＣｒＮx，ＳｉＮ x，ＣｒＮxＯy，ＴｉＣx，Ｔａ
ＳｎＯx，ＴａＳｎＯxＮy等の酸化物，窒化物，酸窒化
物等がある。
形成時のベーク等、熱処理の際に変質しない高融点金
属，貴金属，酸化物，窒化物，酸窒化物等が適してい
る。導電性を妨げない程度の膜厚（具体的には１０〜１
００Å，好ましくは１０〜５００Å，最適には１０〜２
００Å）でバリア層８を形成する場合、絶縁物に分類さ
れている材料でも使用可能である。具体的には、耐変質
性に優れたＡｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｍｏ等の金属材料の
他に、ＣｒＯx，ＡｌＯx，ＭｏＯx，ＦｅＯx，Ｎｉ
Ｏx，ＡｇＯx，ＺｎＯx，ＴａＯx，ＷＯx，ＳｉＯx，Ｓ
ｎＯx，ＣｒＮx，ＳｉＮ x，ＣｒＮxＯy，ＴｉＣx，Ｔａ
ＳｎＯx，ＴａＳｎＯxＮy等の酸化物，窒化物，酸窒化
物等がある。
【００１０】また、引出し電極５に使用する金属又は合
金の酸化物，窒化物又は酸窒化物をバリア層８に使用す
ることも可能である。この場合、たとえば引出し電極５
を成膜する最終段階で、雰囲気に酸素及び／又は窒素を
導入することにより金属酸化物，金属窒化物，金属酸窒
化物等のバリア層８が引出し電極５上に形成される。引
出し電極５と同じ金属の酸化物，窒化物又は酸窒化物で
形成されたバリア層８は，引出し電極５と同じエッチン
グ液を用いてパターニングできる場合も多い。引出し電
極５の表層に形成されたバリア層８は、層間絶縁膜６を
形成するベーク処理時に変質層７の生成を防止する上で
有効であるが、ベーク処理時に限らず他の熱処理工程に
おいても変質層７の生成を有効に抑制し、金属電極４に
対する引出し電極５の接触抵抗を低位に維持する。
金の酸化物，窒化物又は酸窒化物をバリア層８に使用す
ることも可能である。この場合、たとえば引出し電極５
を成膜する最終段階で、雰囲気に酸素及び／又は窒素を
導入することにより金属酸化物，金属窒化物，金属酸窒
化物等のバリア層８が引出し電極５上に形成される。引
出し電極５と同じ金属の酸化物，窒化物又は酸窒化物で
形成されたバリア層８は，引出し電極５と同じエッチン
グ液を用いてパターニングできる場合も多い。引出し電
極５の表層に形成されたバリア層８は、層間絶縁膜６を
形成するベーク処理時に変質層７の生成を防止する上で
有効であるが、ベーク処理時に限らず他の熱処理工程に
おいても変質層７の生成を有効に抑制し、金属電極４に
対する引出し電極５の接触抵抗を低位に維持する。
【００１１】更に、引出し電極５の形成に先立って，酸
素を導入したＡｒ雰囲気でたとえばＣｒをスパッタリン
グすると、ＣｒＯx質の薄膜が透明基板１上に形成され
る。ＣｒＯx質薄膜は、基板１に対する引出し電極５の
密着性を向上させる密着性改善層９（図５）として働
く。ＣｒＯx質薄膜も、引出し電極５と同じエッチング
液を用いてパターニングできる。
素を導入したＡｒ雰囲気でたとえばＣｒをスパッタリン
グすると、ＣｒＯx質の薄膜が透明基板１上に形成され
る。ＣｒＯx質薄膜は、基板１に対する引出し電極５の
密着性を向上させる密着性改善層９（図５）として働
く。ＣｒＯx質薄膜も、引出し電極５と同じエッチング
液を用いてパターニングできる。
【００１２】
【実施例１】透明基板１に透明電極２を形成した後、Ａ
ｒ雰囲気でＣｒをターゲットに用いたスパッタリングに
よって膜厚２９００Åの純Ｃｒ薄膜を形成した（図４
ａ）。次いで、Ａｒ雰囲気に酸素を導入し、ＣｒＯxを
引出し電極５の上に堆積させ，膜厚１００ÅのＣｒＯx
薄膜を形成した（図４ｂ）。ＣｒＯx薄膜が形成された
後の透明基板１にレジストパターンを形成した後、硝酸
セリウムアンモンを含むエッチング液を用いてエッチン
グし，レジストを剥離することによって純Ｃｒ薄膜及び
ＣｒＯx薄膜をパターニングして所定形状の引出し電極
５及びバリア層８を形成した（図４ｃ）。このとき、同
じエッチング液で引出し電極５及びバリア層８の双方を
パターニングできるため、簡便な工程で所定形状の引出
し電極５及びバリア層８が作成できる。
ｒ雰囲気でＣｒをターゲットに用いたスパッタリングに
よって膜厚２９００Åの純Ｃｒ薄膜を形成した（図４
ａ）。次いで、Ａｒ雰囲気に酸素を導入し、ＣｒＯxを
引出し電極５の上に堆積させ，膜厚１００ÅのＣｒＯx
薄膜を形成した（図４ｂ）。ＣｒＯx薄膜が形成された
後の透明基板１にレジストパターンを形成した後、硝酸
セリウムアンモンを含むエッチング液を用いてエッチン
グし，レジストを剥離することによって純Ｃｒ薄膜及び
ＣｒＯx薄膜をパターニングして所定形状の引出し電極
５及びバリア層８を形成した（図４ｃ）。このとき、同
じエッチング液で引出し電極５及びバリア層８の双方を
パターニングできるため、簡便な工程で所定形状の引出
し電極５及びバリア層８が作成できる。
【００１３】次いで、透明基板１をオーブンに装入して
１５０〜３００℃の範囲でベークした後、Ａｌを蒸着す
るリフトオフ法で金属電極４を形成した（図４ｄ）。形
成された金属電極４と引出し電極５との接触抵抗Ｒを測
定した結果を表１に示す。表１から明らかなように、Ｃ
ｒＯxをバリア層８として形成した引出し電極５では、
ベーク後にも金属電極４に対して低い接触抵抗を維持し
ており、ベーク温度２００℃以上でほぼ一定した低接触
抵抗を示した。
１５０〜３００℃の範囲でベークした後、Ａｌを蒸着す
るリフトオフ法で金属電極４を形成した（図４ｄ）。形
成された金属電極４と引出し電極５との接触抵抗Ｒを測
定した結果を表１に示す。表１から明らかなように、Ｃ
ｒＯxをバリア層８として形成した引出し電極５では、
ベーク後にも金属電極４に対して低い接触抵抗を維持し
ており、ベーク温度２００℃以上でほぼ一定した低接触
抵抗を示した。
【００１４】
【実施例２】透明基板１に対する引出し電極５の密着性
を向上させるため、酸素を導入したＡｒ雰囲気でＣｒを
ターゲットにしたスパッタリングによって膜厚１００Å
のＣｒＯx薄膜（密着性改善層９）を透明基板１上に形
成した（図５ａ）。次いで、酸素フリーのＡｒ雰囲気に
代えてＣｒをスパッタリングし、膜厚２８００ÅのＣｒ
薄膜（引出し電極５）を堆積させ（図５ｂ）、再び酸素
をＡｒ雰囲気に導入してスパッタリングし、膜厚１００
ÅのＣｒＯｘ薄膜（バリア層８）を金属電極４の上に形
成した（図５ｃ）。各薄膜を実施例１と同じエッチング
方法でパターニングし、下層に密着性改善層９，表層に
バリア層８を備えた引出し電極５を形成した（図５
ｄ）。次いで、透明基板１をオーブンに装入して１５０
〜３００℃の範囲でベークした後、Ａｌを蒸着するリフ
トオフ法で金属電極４を形成した（図５ｅ）。
を向上させるため、酸素を導入したＡｒ雰囲気でＣｒを
ターゲットにしたスパッタリングによって膜厚１００Å
のＣｒＯx薄膜（密着性改善層９）を透明基板１上に形
成した（図５ａ）。次いで、酸素フリーのＡｒ雰囲気に
代えてＣｒをスパッタリングし、膜厚２８００ÅのＣｒ
薄膜（引出し電極５）を堆積させ（図５ｂ）、再び酸素
をＡｒ雰囲気に導入してスパッタリングし、膜厚１００
ÅのＣｒＯｘ薄膜（バリア層８）を金属電極４の上に形
成した（図５ｃ）。各薄膜を実施例１と同じエッチング
方法でパターニングし、下層に密着性改善層９，表層に
バリア層８を備えた引出し電極５を形成した（図５
ｄ）。次いで、透明基板１をオーブンに装入して１５０
〜３００℃の範囲でベークした後、Ａｌを蒸着するリフ
トオフ法で金属電極４を形成した（図５ｅ）。
【００１５】密着性改善層９及びバリア層８のＣｒＯx
薄膜で挟持された引出し電極５の金属電極４に対する接
触抵抗Ｒを測定した結果を表１に示す。この場合にも、
ベーク温度に拘わらず低い接触抵抗が維持された。ま
た、基板／Ｃｒ薄膜及び基板／ＣｒＯｘ薄膜／Ｃｒ薄膜
を碁盤目密着試験に供して密着性を調査したところ、そ
れぞれ７５／１００及び１００／１００の試験結果が得
られ、ＣｒＯｘ薄膜を介在させることによって基板１に
対する引出し電極５の密着性が向上することが判った。
薄膜で挟持された引出し電極５の金属電極４に対する接
触抵抗Ｒを測定した結果を表１に示す。この場合にも、
ベーク温度に拘わらず低い接触抵抗が維持された。ま
た、基板／Ｃｒ薄膜及び基板／ＣｒＯｘ薄膜／Ｃｒ薄膜
を碁盤目密着試験に供して密着性を調査したところ、そ
れぞれ７５／１００及び１００／１００の試験結果が得
られ、ＣｒＯｘ薄膜を介在させることによって基板１に
対する引出し電極５の密着性が向上することが判った。
【００１６】
【比較例】バリア層８及び密着性改善層９を形成しない
ことを除き、実施例１と同じ方法で引出し電極５を透明
基板１の上に形成した後、金属電極４を堆積させた。形
成された引出し電極５の金属電極４に対する接触抵抗Ｒ
を測定したところ、表１にみられるようにベークにより
接触抵抗が増加し、なかでも２５０℃を超えるベーク温
度では接触抵抗の増加が著しかった。接触抵抗の著しい
増加は、引出し電極５の表面に変質層７が生成した結果
であり、駆動時に有機エレクトロルミネッセンス表示デ
バイスを昇温させる原因にもなる。
ことを除き、実施例１と同じ方法で引出し電極５を透明
基板１の上に形成した後、金属電極４を堆積させた。形
成された引出し電極５の金属電極４に対する接触抵抗Ｒ
を測定したところ、表１にみられるようにベークにより
接触抵抗が増加し、なかでも２５０℃を超えるベーク温
度では接触抵抗の増加が著しかった。接触抵抗の著しい
増加は、引出し電極５の表面に変質層７が生成した結果
であり、駆動時に有機エレクトロルミネッセンス表示デ
バイスを昇温させる原因にもなる。
【００１７】
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の有機エ
レクトロルミネッセンス表示デバイスは、透明基板の上
に設けられる引出し電極の表層にバリア層を形成してい
るので、層間絶縁膜形成時等の際に加熱されても引出し
電極の表面に変質層が生じることがない。したがって、
引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、比
較的低い電圧で駆動することが可能な有機エレクトロル
ミネッセンス表示デバイスとなる。また、密着性改善層
を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する
引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と
の良好な導通状態が維持される。
レクトロルミネッセンス表示デバイスは、透明基板の上
に設けられる引出し電極の表層にバリア層を形成してい
るので、層間絶縁膜形成時等の際に加熱されても引出し
電極の表面に変質層が生じることがない。したがって、
引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、比
較的低い電圧で駆動することが可能な有機エレクトロル
ミネッセンス表示デバイスとなる。また、密着性改善層
を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する
引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と
の良好な導通状態が維持される。
【図１】 層間絶縁膜を設けた有機エレクトロルミネッ
センス表示デバイスの層構造を示す断面図
センス表示デバイスの層構造を示す断面図
【図２】 引出し電極の表面に生成した変質層により接
触抵抗が上昇することを説明する図
触抵抗が上昇することを説明する図
【図３】 本発明に従ってバリア層を形成した有機エレ
クトロルミネッセンス表示デバイスの層構造を示す断面
図
クトロルミネッセンス表示デバイスの層構造を示す断面
図
【図４】 実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表
示デバイスを作製する工程図
示デバイスを作製する工程図
【図５】 実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表
示デバイスを作製する工程図
示デバイスを作製する工程図
１：透明基板 ２：透明電極 ３：有機発光層
４：金属電極 ５：引出し電極 ６：層間絶縁膜
７：変質層 ８：バリア層 ９：密着性改善層
４：金属電極 ５：引出し電極 ６：層間絶縁膜
７：変質層 ８：バリア層 ９：密着性改善層
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板に設けられた引出し電極の表層
にバリア層を形成し、有機発光層を介して透明基板上に
積層された金属電極に、前記バリア層を介して前記引出
し電極が接触していることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス表示デバイス。 - 【請求項２】 Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，
Ｐｄ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ，Ｆｅ，Ｉｎ，
Ａｇ−Ｍｇ，Ｚｎから選ばれた金属質導電材料で引出し
電極が形成されている請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンス表示デバイス。 - 【請求項３】 耐熱変質性の良好な高融点金属，貴金
属，酸化物，窒化物又は酸窒化物でバリア層が形成され
ている請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表
示デバイス。 - 【請求項４】 引出し電極用金属質導電材料の酸化物，
窒化物又は酸窒化物の薄層としてバリア層が形成されて
いる請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
デバイス。 - 【請求項５】 引出し電極用金属質導電材料の酸化物，
窒化物又は酸窒化物の薄層を密着性改善層として介在さ
せて引出し電極が透明基板上に形成されている請求項１
記載の有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス。 - 【請求項６】 バリア層及び密着性改善層を含む引出し
電極を同じエッチング液で加工することを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス表示デバイスの製造方法。
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