JP4358125B2 - クロストークノイズ低減回路を備えた半導体装置 - Google Patents
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Description
CMOSイメージセンサ等の固体撮像素子は、本発明に関連する先行技術文献である下記特許文献1及び特許文献2に記載されているように、フォトダイオードと複数個のトランジスタからなる画素(ピクセル)がアレイ状に配置され、その周辺に読み出す画素を指定するためのシフトレジスタや各画素のトランジスタを制御するドライバ回路等が配置されており、アレイ内には制御信号線が配線されている。
下記特許文献1、2には、上述したように、固体撮像素子が記載されている。そのうち特許文献1は、固体撮像装置におけるセンサのダイナミックレンジを高照度側へ拡大する技術等に関するものであり、イメージセンサにおけるノイズについては、信号電荷を初期化する際に発生するリセットノイズについての記載はあるが、ピクセル内の制御信号同士のクロストークについては記載されていない。
そして、本発明を固体撮像素子のリセット信号線とトランスファゲート線の間のクロストークノイズ低減に適用すると、さらに次のような効果が得られる。
(1)意図しないリセットを防ぐことができるので、出力画像のピクセル位置依存性(シェーディング)を軽減できる。
(2)ノイズゲートはピクセルの外側に設けられるから、ピクセルの開口率(FILFACTOR)を減らすことがない。
(3)ピクセルの開口率や配線数を変えないため、感度を劣化させない。
(4)ブルーミング対策などのピクセル走査に関する論理が必要なものとの両立ができる。
少なくとも1つの前記制御信号線の前記ドライバ回路が接続された側と反対側に、当該制御信号線上の論理により当該制御信号線と固定電位間のインピーダンスを制御するノイズガード回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
少なくとも1つの前記制御信号線の前記ドライバ回路が接続された側と反対側に、当該制御信号線上の論理により当該制御信号線と固定電位間のインピーダンスを制御するノイズガード回路を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
11 Vシフトレジスタ
12 ドライバ
13 ノイズガード
14 トランスファゲート信号線
15 リセット信号線
16 選択信号線
21 電源線
23 ノイズガード
231 インバータ回路
232 トランジスタ
24 電荷転送トランジスタ
25 リセットトランジスタ
26 読み出しトランジスタ
27 フォトダイオード
28 増幅トランジスタ
29 出力信号線
33 ノイズガード
331 ノア回路
332 トランジスタ
Claims (2)
- 複数のドライバ回路と、前記複数のドライバ回路にそれぞれ接続され、それぞれの前記ドライバ回路からの制御信号を伝達する複数の第1の制御信号線と、前記複数の第1の制御信号線に接続され、前記ドライバ回路からの制御信号が与えられて動作する複数の素子を含む半導体装置において、
少なくとも1つの前記第1の制御信号線の前記ドライバ回路が接続された側と反対側に、前記少なくとも1つの第1の制御信号線上の論理が前記素子を動作させる論理である場合には当該第1の制御信号線と固定電位間のインピーダンスを大きくするように、前記少なくとも1つの第1の制御信号線上の論理が前記素子を動作させる論理と反対の論理である場合には当該第1の制御信号線と固定電位間のインピーダンスを小さくするように、制御するノイズガード回路を備え、
前記ノイズガード回路は、一方の入力が前記少なくとも1つの第1の制御信号線に接続され、他方の入力が外部端子に接続されたノア回路と、前記ノア回路の出力がそのゲートに接続され、ドレインが前記第1の制御信号線に、ソースが固定電位に接続されたトランジスタとからなり、
前記外部端子には、前記少なくとも1つの第1の制御信号線の制御信号が立ち上がっているときには前記トランジスタをオフとし、前記少なくとも1つの第1の制御信号線に対してクロストークノイズの影響を与える第2の制御信号線上に当該制御信号が立ち上がる以前に前記トランジスタをオンにする信号が与えられ、
前記半導体装置は固体撮像素子であり、前記複数の素子の各々はピクセルアレイ内のピクセルであり、
前記少なくとも1つの第1の制御信号線がリセット信号線であり、前記クロストークノイズの影響を与える第2の制御信号線がトランスファゲート信号線であることを特徴とする半導体装置。 - 前記少なくとも1つの第1の制御信号線の本数は複数であり、当該複数の第1の制御信号線の各々に対応して前記ノイズガード回路をそれぞれ備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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