JP5458307B2 - 電気光学表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学表示装置に関し、詳しくは、同色のサブ画素が一方向に直線状に配
置されたサブ画素列が他色のサブ画素列と共にストライプ配列された表示領域を有する電
気光学表示装置において、前記サブ画素列の配列方向の両端に擬色が生じ難いようにした
電気光学表示装置に関する。
液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）表示装
置、無機ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動型表示装置、フィールドエミッショ
ンディスプレイ等のアクティブマトリクス型の電気光学表示装置は、スイッチング素子と
して薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を備えている。アクティブマ
トリクス型の電気光学表示装置では、少なくとも基板上にフォトリソグラフィ法によって
金属配線がパターニングされている。この金属配線には、表示領域に形成される走査線や
信号線が含まれ、これら走査線と信号線とで囲まれる領域がサブ画素を構成し、例えば赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色（他の色を更に含む場合もある）のサブ画素で１画素
（１ピクセルとも称される）が構成されている（下記特許文献１参照）。
また、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各サブ画素の配列としては、図６Ａに示されて
いるようなダイアゴナル配列、図６Ｂに示されているようなトライアングル配列、及び、
図６Ｃに示されているようなストライプ配列が知られている。特に、同色のサブ画素が一
方向に直線状に配置されたサブ画素列が他色のサブ画素列と共にストライプ配列された表
示領域を有する電気光学装置は、高精細化し易いこと、作成が容易であること等から、携
帯電話やパソコンのモニター等に多く採用されている。
特開２００７−０９３６６８号公報
しかしながら、上述のような同色のサブ画素をストライプ配列した電気光学表示装置で
は、表示領域の両端部でいわゆる擬色（本来予定したものではない色）が視認されること
がある。すなわち、同色のサブ画素をストライプ配列した電気光学表示装置では、サブ画
素列の配列方向の両端はそれぞれ特定の色のサブ画素列からなっているので、人の目の視
感度及び分解能が良好であることから、そのサブ画素列の色が視認されるわけである。例
えば、表示領域の一方の端部に赤（Ｒ）のサブ画素列が形成されており、他方の端部に青
（Ｂ）のサブ画素列が形成されている場合、両端部のそれぞれの画素列を無彩色表示して
いても、人の目の特性により、一方の端部が赤（Ｒ）に、他方の端部が青（Ｂ）に視認さ
れることがある。
この現象は、図６Ａに示したようなダイアゴナル配列の電気光学表示装置や図６Ｂに示
したようなトライアングル配列の電気光学表示装置の場合には生じ難く、図６Ｃに示した
ストライプ配列の電気光学表示装置の場合に独自に生じる現象である。しかも、同色のサ
ブ画素をストライプ配列した電気光学表示装置において、特に斜め方向から表示領域のサ
ブ画素列の配列方向の両端を視認した場合に生じ易く、大型の電気光学表示装置だけでな
く、小型の電気光学表示装置においても同様に生じる。
発明者等は、上述のような同色のサブ画素をストライプ配列した電気光学表示装置にお
けるサブ画素列の配列方向の両端の擬色の発生を抑制すべく種々検討を重ねた。その結果
、発明者等は、表示領域のサブ画素列の配列方向の両端の各サブ画素列の開口度を表示領
域の中央部のサブ画素の開口度よりも小さくすることにより解決し得ることを見出し、本
発明を完成するに至ったのである。すなわち、本発明は、同色のサブ画素が一方向に直線
状に配置されたサブ画素列が他色のサブ画素列と共にストライプ配列された表示領域を有
する電気光学表示装置において、サブ画素列の配列方向の両端で擬色が視認され難くした
電気光学表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の電気光学表示装置は、同色のサブ画素が一方向に直
線状に配置されたサブ画素列が他色のサブ画素列と共にストライプ配列された表示領域を
有する電気光学表示装置であって、前記表示領域の前記サブ画素列の配列方向の両端のそ
れぞれに位置する少なくとも１列のサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記表示領域の
中央部の同色のサブ画素の開口率よりも小さくされていることを特徴とする。
本発明の電気光学表示装置では、表示領域のサブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに
位置する少なくとも１列のサブ画素列の各サブ画素の開口率が表示領域の中央部の同色の
サブ画素の開口率よりも小さくされている。これにより、表示領域のサブ画素列の配列方
向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の輝度は本来表示されるべき輝度よりも低くな
るので、サブ画素列の配列方向の両端での擬色が視認され難くなる。
また、本発明の電気光学装置においては、前記表示領域は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（
Ｂ）の３色のサブ画素列によって形成された画素列が隣接配置されており、前記サブ画素
列の配列方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列は赤（Ｒ）及び青（Ｂ）であること
が好ましい。
一般に、１画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３サブ画素からなる場合、視感度は
緑（Ｇ）が最も高く、青（Ｂ）及び赤（Ｒ）の視感度は緑（Ｇ）よりも低い。そのため、
表示領域の両端には緑（Ｇ）のサブ画素が位置しないようにすると、表示領域のサブ画素
列の配列方向の両端でより擬色が視認し難くなる。
また、本発明の電気光学表示装置においては、前記表示領域のサブ画素列の配列方向の
両端のそれぞれに位置するサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記表示領域中央部の同
色のサブ画素の開口率を１００％としたとき、４０％〜８０％とされていることが好まし
い。
表示領域のサブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の各サブ画素
の開口率をこのような値に設定することにより、より効率良く擬色が視認されるのを抑制
することができるようになる。なお、表示領域のサブ画素列の配列方向の両端のそれぞれ
に位置するサブ画素列の各サブ画素の開口率が表示領域中央部の同色のサブ画素の開口率
の４０％未満となると、表示領域のサブ画素列の配列方向の両端で正常に近いカラー表示
できなくなると共に、これらの各サブ画素に代わってそれらに隣接するサブ画素の擬色が
視認される要因となってしまうため、好ましくない。また、表示領域のサブ画素列の配列
方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の各サブ画素の開口率が表示領域中央部の同
色のサブ画素の開口率８０％を超えると、擬色が視認されるのを抑制し難くなる。
本発明においては、前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置する１列のサブ
画素列にそれぞれ隣接する内側のサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記サブ画素列の
配列方向の両端のそれぞれに位置する１列のサブ画素列の各サブ画素の開口率と前記表示
領域中央部の同色のサブ画素の開口率との間となるようにしてもよい。
本発明の電気光学表示装置によれば、サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置す
るサブ画素列とその内側にあるサブ画素列の両者について擬色が視認され難くなるため、
擬色を視認され難くするという点ではより良好な効果を奏する。なお、本発明の電気光学
表示装置においては、開口率を小さくするサブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置
するサブ画素列の内側にあるサブ画素列は２列以上であってもよい。ただし、開口率を小
さくするサブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の数が多くなると
、それに比例してサブ画素列の配列方向の両端が少しぼやけて見えるようになり、また、
画面が小さく感じられるようになる。それに対し、開口率を小さくするサブ画素列の配列
方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の数が少ないと、表示がシャープに見えるよ
うになる。
この場合、前記表示領域は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素列によっ
て形成された画素列が隣接配置されており、前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれ
に位置するサブ画素列は赤（Ｒ）及び青（Ｂ）であり、前記サブ画素列の配列方向の両端
のそれぞれに位置するサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記表示領域中央部の同色の
サブ画素の開口率を１００％としたとき、前記赤（Ｒ）のサブ画素列は３０％〜５０％と
され、前記青（Ｂ）のサブ画素列では１０％〜３０％とされ、前記赤（Ｒ）及び青（Ｂ）
のサブ画素列にそれぞれ隣接する内側の緑（Ｇ）のサブ画素列の開口率は５０％〜７０％
とされていることが好ましい。
一般に、電気光学表示装置においては、例えば１画素を構成する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、
青（Ｂ）の３サブ画素は一定の順序となるように配列されている。また、人の視感度は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれにおいて異なっている。そのため、サブ画素列の
配列方向の両端に位置するサブ画素列とその内側にあるサブ画素列の両者について開口率
を変える場合、サブ画素列の配列方向の両端に位置するサブ画素列の各色について上述の
ように開口率を調整すると、より一層サブ画素列の配列方向の両端に位置するサブ画素列
の擬色が視認されるのを抑制することができるようになる。
なお、一般に、１画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３サブ画素からなる場合、視
感度は緑（Ｇ）が最も高く、赤（Ｒ）が最も低い。そのため、表示領域のサブ画素列の配
列方向の両端で擬色が視認され難くするためには、表示領域のサブ画素列の配列方向の両
端に緑（Ｇ）のサブ画素が位置しないようにすることが好ましい。また、表示領域のサブ
画素列の配列方向の両端に位置する赤（Ｒ）及び青（Ｂ）のサブ画素列では、赤（Ｒ）の
サブ画素の開口率を青（Ｂ）のサブ画素の開口率よりも若干高くした方がよい。
第１実施形態及び第２実施形態に共通する液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１の液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。 図２のIII−III線に沿った断面図である。 第１実施形態の液晶表示装置における表示領域左右両端のサブ画素構成を示す図である。 第２実施形態の液晶表示装置における表示領域左右両端のサブ画素構成を示す図である。 図６Ａはダイアゴナル配列の例を示す図であり、図６Ｂはトライアングル配列の例を示す図であり、図６Ｃはストライプ配列の例を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を液晶表示装置の場合を例にとり説明するが、
以下に示す実施形態は本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではな
い。本発明は、特許請求の範囲に示した技術的思想を逸脱することがない限り、ＥＬ表示
装置、プラズマ表示装置、電気泳動型表示装置、フィールドエミッションディスプレイ等
の電気光学表示装置に対しても均しく適用し得るものである。なお、この明細書における
説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法
に比例して表示されているものではない。
［第１実施形態］
まず、図１〜図４を参照して、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａの構成について説明
する。図１に示すように、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、ガラス等からなる第１
透明基板１１上に各種配線等を形成したアレイ基板ＡＲとガラス等からなる第２透明基板
１２上にカラーフィルター層等を形成したカラーフィルター基板ＣＦが対向配置されてい
る。そして、このアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦはシール材１３で貼り合わ
されており、このシール材１３で形成された空間内に液晶ＬＣ（図３参照）が封入されて
いる。
また、シール材１３で囲まれた内側には、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の隣
接する３色のサブ画素Ｓｕｂ（図４参照）からなる単位画素が複数個形成され、この単位
画素がマトリクス状に配置された表示領域ＤＡが形成されている。この表示領域ＤＡの外
周側には非表示領域ＵＤＡ（「額縁領域」ともいわれる）が形成されている。そして、シ
ール材１３で囲まれた内側には液晶ＬＣが配置されている。
なお、アレイ基板ＡＲはカラーフィルター基板ＣＦと対向配置させたときに所定スペー
スの張出した部分が形成されるようにカラーフィルター基板ＣＦより若干サイズが大きい
ものが使用されている。この張出した部分は、液晶ＬＣを駆動するためのドライバー等の
集積回路ＤＲ等が配置される実装領域１１ａとなっている。また、第１実施形態の液晶表
示装置１０Ａでは、液晶注入口１４がシール材１３により形成され、この液晶注入口１４
を封止材１５で封止した例を示している。
次に各基板の構成について、図２及び図３を参照して説明する。先ず、アレイ基板ＡＲ
には、第１透明基板１１の表面に例えばＭｏ／Ａｌの２層配線からなるゲート電極Ｇを含
む複数の走査線１６が互いに平行になるように形成されている。また、この走査線１６が
形成された第１透明基板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素ないしは酸化ケイ素等の透明
絶縁材料からなるゲート絶縁膜１７が被覆されている。さらに、このゲート絶縁膜１７の
表面のスイッチング素子としての薄膜トランジスターＴＦＴ（Thin Film Transistor）が
形成される領域には、例えばアモルファスシリコン層からなる半導体層１８が形成されて
いる。この半導体層１８が形成されている位置の走査線１６の領域が薄膜トランジスター
ＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
また、ゲート絶縁膜１７の表面には、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層か
らなるソース電極Ｓを含む信号線１９及びドレイン電極Ｄが形成されている。この信号線
１９のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１８の表面に部分
的に重なっている。また、このアレイ基板ＡＲの表面全体に亘って窒化ケイ素ないしは酸
化ケイ素等の透明絶縁材料からなるパッシベーション膜２０が被覆されている。さらに、
このパッシベーション膜２０の表面全体に例えば樹脂材料からなる層間膜２１が被覆され
ており、ドレイン電極Ｄに対応する位置のパッシベーション膜２０及び層間膜２１にはコ
ンタクトホール２２が形成されている。
そして、図２に示したパターンとなるように、走査線１６及び信号線１９で囲まれたサ
ブ画素Ｓｕｂの領域の層間膜２１上には、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）ないしＩ
ＺＯ（Indium Zinc Oxide）からなる透明導電性材料で下電極２３が形成されている。こ
の下電極２３はコンタクトホール２２を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている
。そのため、この下電極２３は画素電極として作動する。さらに、この下電極２３上には
電極間絶縁膜２４が形成されている。この電極間絶縁膜２４には、例えば窒化ケイ素等の
絶縁性が良好な透明絶縁材料が使用されている。
そして、この電極間絶縁膜２４上にはサブ画素Ｓｕｂの領域に複数の、例えば平面視で
バー状のスリット状開口２５を有するＩＴＯないしＩＺＯからなる透明導電性材料で上電
極２６が形成されている。そして、この基板の表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）
が形成されている。この上電極２６は、表示領域ＤＡの全体に亘って形成されており、非
表示領域ＵＤＡにおいて共通配線（図示省略）と電気的に接続されている。そのため、上
電極２６は共通電極として作動する。
また、カラーフィルター基板ＣＦは、図３に示すように、ガラス基板等からなる第２透
明基板１２の表面に、アレイ基板ＡＲの走査線１６、信号線１９、薄膜トランジスターＴ
ＦＴ及び非表示領域ＵＤＡに対応する位置を被覆するように遮光層３１が形成されている
。遮光層３１は、例えばクロム等の金属製ないし不透明な顔料等が混合された樹脂材料か
らなる。
そして、遮光層３１が形成された第２透明基板１２の表面には、複数色、例えは赤（Ｒ
）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルター層３２が形成されている。このカラー
フィルター層３２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のそれぞれの色のカラーフィルタ
ー層が直線状に列方向に延在したストライプ状に形成されている。
さらに、遮光層３１及び、カラーフィルター層３２の表面を被覆するように透明樹脂か
らなるオーバーコート層３３が形成されている。また、オーバーコート層３３の表面には
、カラーフィルター基板ＣＦの表面全体に亘り、配向膜（図示省略）が形成されている。
また、アレイ基板ＡＲ及び、カラーフィルター基板ＣＦの外面には互いにクロスニコル配
置された偏光板３４、３５がそれぞれ設けられている。そのため、この液晶表示装置１０
Ａは、ノーマリーブラックモードで作動する。
そして、これらのアレイ基板ＡＲとカラーフィルター基板ＣＦのいずれか一方にシール
材１３を塗布し貼り合わせを行う。その後、シール材１３で形成した液晶注入口１４から
液晶ＬＣを注入し、液晶注入口１４を封止材１５で封止し、実装領域１１ａにドライバー
等の集積回路ＤＲ等を配置することで、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａとなる。
この第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、複数の単位画素が行方向（走査線方向）
及び列方向（信号線方向）に形成され、それにより、図４に示されるように、同色のサブ
画素Ｓｕｂが例えば縦に直線状に配置されたストライプ配列となるようにされている。そ
して、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａにおいては、表示領域ＤＡの左端に位置する赤
（Ｒ）のサブ画素ＬＲの列及び表示領域ＤＡの右端に位置する青（Ｂ）のサブ画素ＲＢの
列では、各サブ画素の開口率が表示領域ＤＡの内側のサブ画素Ｓｕｂの開口率よりも小さ
くなるようになされている。具体的には、表示領域ＤＡの中央部の同色のサブ画素Ｓｕｂ
の開口率を１００％としたとき、左端のサブ画素ＬＲの列及び右端側のサブ画素ＲＢの列
では、それぞれのサブ画素の開口率は共に４０％〜８０％となるようにされている。
このように、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、表示領域ＤＡのサブ画素列の配
列方向の両端、すなわち左右両端のそれぞれに位置する１列の各サブ画素の開口率を、そ
れぞれの色が異なっても、ほぼ同様に表示領域ＤＡの中央部の同色のサブ画素Ｓｕｂの開
口率よりも小さくなるように調整している。このような構成を採用することにより、表示
領域ＤＡの左右両端に位置する同色のサブ画素ＬＲ及びＲＢの列の輝度は本来表示される
べき輝度よりも低くなるので、左右両端で擬色が生じることを抑制することができるよう
になる。
なお、表示領域ＤＡの左右両端に位置する同色のサブ画素ＬＲ及びＲＢの列の各サブ画
素の開口率は、カラーフィルター層３２（図３参照）の色に応じて実験的に擬色が視認さ
れないように適宜決定すればよい。一般的に、左端側のサブ画素ＬＲ及び右端側のサブ画
素ＲＢの開口率は、４０％未満となると正常に近いカラー表示ができなくなると共に、こ
れらの各サブ画素に代わって、それらの内側に隣接するサブ画素の擬色が視認される要因
となってしまう。同じく、開口率が８０％を超えると、擬色の発生を抑制し難くなる。ま
た、一般に、１画素が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３サブ画素からなる場合、視感度
は緑（Ｇ）が最も高く、青（Ｂ）及び赤（Ｒ）の視感度は緑（Ｇ）よりも低い。そのため
、表示領域の両端部で擬色が視認され難くするには、表示領域の両端には緑（Ｇ）のサブ
画素が位置しないようにするとよい。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂについて、図５を用いて説明する。第２実施
形態の液晶表示装置が第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと構成が相違する点は、開口率
を小さくされたサブ画素が、表示領域ＤＡの左端に位置するサブ画素ＬＲ及び表示領域Ｄ
Ａの右端に位置するサブ画素ＲＢだけでなく、これらのサブ画素列に隣接する内側のサブ
画素ＬＧ及びＲＧも開口率が小さくされている点である。そして、第２実施形態の液晶表
示装置１０Ｂのその他の具体的構成は、図１〜図３に示した第１実施形態の液晶表示装置
１０Ａの構成とは相違はないので、それらの詳細な説明は省略する。
第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおいては、表示領域ＤＡの左端に位置するサブ画
素ＬＲの列及び表示領域ＤＡの右端に位置するサブ画素ＲＢの列の各サブ画素の開口率は
最も小さくされている。そして、サブ画素ＬＲ及びＲＢのそれぞれ内側に位置するサブ画
素ＬＧ及びＲＧの列の各サブ画素の開口率は、表示領域ＤＡの中央部のサブ画素Ｓｕｂの
開口率より小さく、サブ画素ＬＲ及びＲＢの各サブ画素の開口率よりも大きくされている
。
具体的には、表示領域ＤＡの中央部の同色のサブ画素Ｓｕｂの開口率を１００％とした
とき、表示領域ＤＡの左右両端のそれぞれに位置するサブ画素列が赤（Ｒ）のサブ画素か
らなる場合は開口率が３０％〜５０％とされ、青（Ｂ）のサブ画素からなる場合は１０％
〜３０％とされ、更に、前記赤（Ｒ）及び青（Ｂ）のサブ画素列にそれぞれ隣接する内側
の緑（Ｇ）のサブ画素列の開口率は５０％〜７０％となされている。
このように、表示領域ＤＡの左端及び右端に位置するサブ画素列において、それぞれの
色によって各サブ画素の開口率を異ならせるのは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の視感
度の相違があるためであり、更に液晶表示装置等のカラーフィルター基板を採用するもの
においては各フィルターの色によって色素濃度に相違があるためである。一般に、１画素
が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３サブ画素からなる場合、視感度は緑（Ｇ）が最も高
く、赤（Ｒ）が最も低い。そのため、表示領域の両端部で擬色が視認され難くするには、
表示領域の両端には緑（Ｇ）のサブ画素が位置しないようにすると共に、表示領域の両端
に位置する赤（Ｒ）及び青（Ｂ）のサブ画素列では、赤（Ｒ）のサブ画素の開口率を青（
Ｂ）のサブ画素の開口率よりも若干高くした方がよい。
このように、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、表示領域ＤＡのサブ画素列の配
列方向の両端、すなわち左右両端のそれぞれに位置するそれぞれ２列のサブ画素列上のサ
ブ画素の開口率を適切に調整することにより、サブ画素がストライプ配列された表示領域
の左右両端で擬色が視認されるのを抑制している。この第２実施形態の液晶表示装置１０
Ｂでは、左右両端のそれぞれに位置するサブ画素列とその内側にあるサブ画素列の両者に
ついて擬色が視認され難くなるため、擬色を視認され難くするという点では第１実施形態
の液晶表示装置１０Ａの場合よりも良好な効果を奏する。
かかる点を考慮すると、開口率を小さくする左右両端のそれぞれに位置するサブ画素列
の内側にあるサブ画素列は、１列であっても２列以上であってもよいことになる。しかし
ながら、開口率を小さくする左右両端のそれぞれに位置するサブ画素列の数が多くなると
、それに比例して左右両端部が少しぼやけて見えるようになり、また、画面が小さく感じ
られるようになる。それに対し、開口率を小さくする左右両端のそれぞれに位置するサブ
画素列の数が少ないと、表示がシャープに見えるようになる。
なお、上述の第１及び第２実施形態では、電気光学表示装置の一例として液晶表示装置
の例を示したが、電気泳動型表示装置、有機ＥＬ表示装置、無機ＥＬ表示装置、プラズマ
表示装置、フィールドエミッションディスプレイ等の電気光学表示装置に対しても均しく
適用し得るものである。
また、上述の第１、第２実施形態では、サブ画素列が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の
順で配置されたものを示したが、サブ画素列がストライプ配列である限り、その他の色（
例えば白（Ｗ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黄（Ｙ）等）が更に含まれるものや、
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）等の配列順序が異なるものにも均しく適用し得るものであ
る。
１０Ａ、１０Ｂ…液晶表示装置 １１…透明基板 １１ａ…実装領域 １２…透明基板
１３…シール材 １４…液晶注入口 １５…封止材 １６…走査線 １７…ゲート絶縁
膜 １８…半導体層 １９…信号線 ２０…パッシベーション膜 ２１…層間膜 ２２…
コンタクトホール ２３…下電極 ２４…電極間絶縁膜 ２５…スリット状開口 ２６…
上電極 ３１…遮光層 ３２…カラーフィルター層 ３３…オーバーコート層 ３４、３
５…偏光板 ＡＲ…アレイ基板 ＣＦ…カラーフィルター基板 ＤＡ…表示領域 ＵＤＡ
…非表示領域 ＤＲ…集積回路 ＬＣ…液晶 ＬＧ…両端のサブ画素の内側のサブ画素
ＬＲ…左端の赤のサブ画素 ＲＢ…右端の青のサブ画素 Ｓｕｂ…サブ画素 ＴＦＴ…薄
膜トランジスター

Claims (1)

  1. 同色のサブ画素が一方向に直線状に配置されたサブ画素列が他色のサブ画素列と共にス
    トライプ配列された表示領域を有する電気光学表示装置であって、
    前記表示領域の前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置する少なくとも１列
    のサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記表示領域の中央部の同色のサブ画素の開口率
    よりも小さくされており、
    前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置する１列のサブ画素列にそれぞれ隣
    接する内側の１列のサブ画素列の各サブ画素の開口率は、前記サブ画素列の配列方向の両
    端のそれぞれに位置する１列のサブ画素列の各サブ画素の開口率と前記表示領域中央部の
    同色のサブ画素の開口率との間とされており、
    前記表示領域は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素列によって形成された画素列が隣接配置されており、
    前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列は赤（Ｒ）及び青（
    Ｂ）であり、
    前記サブ画素列の配列方向の両端のそれぞれに位置するサブ画素列の各サブ画素の開口
    率は、前記表示領域中央部の同色のサブ画素の開口率を１００％としたとき、
    前記赤（Ｒ）のサブ画素列は３０％〜５０％とされ、
    前記青（Ｂ）のサブ画素列では１０％〜３０％とされ、
    前記赤（Ｒ）及び青（Ｂ）のサブ画素列にそれぞれ隣接する内側の緑（Ｇ）のサブ画素
    列の開口率は５０％〜７０％とされていることを特徴とする電気光学表示装置。
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