JP4351036B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
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例えば、酸化亜鉛(ZnO)はn型の特性を有し、ある程度の導電率を備えている。この導電率をさらに高めるためには、3価のGa,In、Alなどをドーピングすることが行われている。
逆に、SAWフィルター用など、高抵抗率が必要な場合は、1価のLi,Na,Kなどをドーピングする。これらのドーピングによって、マトリックスである酸化亜鉛の亜鉛サイトにおいて各種ドーパントが置換するが、これによって電子の授受を行わせ、電子濃度を制御するものである。
この電位ポテンシャルを低減させるには、遷移金属(特にNi)を粒界にドーピングすることが有効である。
また、本出願人は光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを作製する場合に、セラミックス原料粉に100μm以下の金属又は合金をコーティングした材料を用いて焼結し、スパッタリングターゲットとする技術を提案した(特許文献2参照)。
しかし、近年電子材料分野においては、さらに成膜の均一化と成分の高純度化及びスパッタ膜の欠陥を抑制し、生産効率を上げることができるスパッタリングターゲットが要求されている。
本発明はこの知見に基づき、
1)めっきにより平均粒径10nm以下のドーパントを析出させた原料粉を用いて焼結したことを特徴とするスパッタリングターゲット、2)原料粉及びドーパントに含まれる各不純物が5wtppm以下であることを特徴とする1記載のスパッタリングターゲット、3)原料粉が、In2O3、SnO2、ZnO、TiO2、Ga2O3から選択した1種以上からなることを特徴とする1又は2記載のスパッタリングターゲット、4)ドーパントが、Ti、V、Cr、Mn、Co、Fe、Ni、Cuから選択した1種以上からなることを特徴とする1〜3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、5)ドーパントによる無電解めっき層を有する原料粉であることを特徴とする1〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを提供する。
また、このターゲットを用いてスパッタリングすることにより、基板への成膜の均一性を高めることが可能となり、より高純度化が可能であり、さらにスパッタ膜の欠陥を抑制し、生産効率を上げることができるという優れた効果を有する。
これまで、めっきにより平均粒径数十nmオーダーのドーパントを析出させた原料粉を使用してターゲットを作製することも試みたが、必ずしも十分なドーパントの分散性を得ることができなかった。ところが、ドーパントの平均析出粒径を10nm以下とすることにより、分散性を飛躍的に向上させることができた。
原料粉そのものも均一性を確保する上では微細粉であることが望ましく、通常0.5〜20μm程度の原料粉を使用する。しかし、必要に応じてこれ以外の径の原料粉を使用することもできる。いずれにしても、ドーパントの平均析出粒径を10nm以下とすることがターゲットの成分組成の均一性を確保する上で重要である。
後述する実施例で製造した焼結させたターゲットの研磨表面の元素分析をEPMAで行い、ドーパントであるNiの分布を調べた結果を図2に示すが、無電解めっきによりコーティングして得た酸化亜鉛粉の焼結体ターゲットは、極めて均一にNiが分散していた。図2に示す通り、白色部分がNiの存在を示すが、微細に分散しているのが分かる。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、原料粉及びドーパントに含まれる各不純物を5wtppm以下とすることにより、さらに特性の向上を図ることができる。めっきによるドーピングは、機械攪拌に比べて、はるかに不純物混入が少ないという利点がある。
また、ドーパントとしては、Ti、V、Cr、Mn、Co、Fe、Ni、Cuから選択した1種以上を使用することが有効である。しかし、これ以外の元素を使用することも特に制限するものではない。添加量又はめっき被覆の厚みは、ドーパントの目的に応じて決めることができ、特に制限されない。
めっきの手段としても特に制限されないが、無電解めっきによってコーティングするのが最も有効である。また、ドーパント濃度はめっきの厚みを調整することにより容易にでき、その量を微量に調節できるという優れた利点がある。さらにめっきによるドーピングは、めっき液の管理により、不純物の混入を容易に防止できるという効果もあり、極めて有効である。
平均粒径1μm、純度99.999%の酸化亜鉛(ZnO)粉末25.0gと塩化ニッケル6水和物(NiCl2・6H2O)1.023gを、1リットルの水(H2O)が入ったビーカーに入れ、ホットプレート上に設置してスターラーで攪拌させながら液温度を75°Cとした。
この溶液のpHが11.5となるように、水酸化ナトリウム(NaOH)を加えて調整した。その後、酒石酸ナトリウム2水和物[(CHOH)2(COONa)・2H2O]2.97g、硫酸ヒドラジン(N2H6SO4)1.68gをそれぞれ加えて無電解めっき反応を開始させた。
反応開始から1時間後、溶液を濾紙で濾過して酸化亜鉛粉末を取り出した。これを水による洗浄、濾過を3回繰返し、110°に設定した乾燥機内に入れ、30分後、乾燥した酸化亜鉛を得た。
不純物が混入する可能性としては、無電解めっきに使用した酒石酸ナトリウム2水和物[(CHOH)2(COONa)・2H2O]、塩化ニッケル6水和物(NiCl2・6H2O)、硫酸ヒドラジン(N2H6SO4)に含まれるC、N、S及びpH調整に使用した水酸化ナトリウムに含まれるNaがあり得るが、得られた酸化亜鉛粉の不純物分析結果から、これらの濃度はNaについては1ppm以下、Cは930ppm、Nは340ppm、Sは6ppmであった。
CとNは他の不純物元素より比較的高濃度であったが、後述するように、この原料を用いてターゲットを製作した場合、途中の焼結プロセスでの高温時にC、N等は酸化して気体成分となり、ターゲットから飛散していくために、ターゲットに残って不純物となることはない。
焼結させたターゲットの研磨表面の元素分析をEPMAで行い、ドーパントであるNiの分布を調べた。この結果、無電解めっきによりコーティングして得た酸化亜鉛粉の焼結体ターゲットは、極めて均一にNiが分散していた。この結果を図2に示す。図2では白色部分がNiの存在を示すが、微細に分散しているのが分かる。
また、不純物濃度の分析結果から、全ての元素で、5ppm以下の濃度とすることができ、極めて高純度であった。
比較例として混合粉の例を示す。平均粒径1μmの原料ZnO粉100gとM63μmパス(63メッシュの篩いを使用)Ni粉0.64gを秤量し混合した。この混合は不純物の混入をできるだけ少なくするために、ビニール袋に両粉とバインダーとして3%濃度のPVAを5cc加えて、できるだけ均一になるように30分間ビニール袋を機械的に振動させることにより混合した。
混合後、実施例1と同様に、φ31mmの型に入れ、面圧500kg/cm2でプレス成型した。成型したタブレットを酸素フロー5mL/minの雰囲気中、1350°Cで5時間焼結させた。
焼結させたターゲットの研磨表面の元素分析をEPMAで行い、ドーパントであるNiの分布を調べた。この結果、図3に示すように、粒径20μm以上のNiが観察され分散性は劣っているのが確認できた。
Claims (2)
- 原料粉が、0.5〜20μmのIn 2 O 3 、SnO 2 、ZnO、TiO 2 、Ga 2 O 3 から選択した1種以上からなり、めっきにより平均粒径10nm以下のTi、V、Cr、Mn、Co、Fe、Ni、Cuから選択した1種以上からなるドーパントを無電解めっきにより析出させた原料粉を用いて焼結したことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 原料粉及びドーパントに含まれる各不純物が5wtppm以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
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