JP4346560B2 - 上部反射防止膜(Top Anti−Reflective Coating;TARC)の重合体およびこの製造方法、並びにこれを含む上部反射防止膜の組成物 - Google Patents
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Description
t−ブチルアクリレート10g、アクリル酸4g、3−ハイドロキシプロピルメタクリレート6gおよびAIBN 0.4gをPGMEA溶媒200gに入れ、60℃で8時間重合反応させた。この重合反応が終了すると、エーテルを加えて沈澱させた後、フィルタリングして真空乾燥し、下記化3に示される、白色固体状のt−ブチルアクリレート−アクリル酸−3−ハイドロキシプロピルメタクリレート共重合体を17g得た。図1に前記重合体に対するNMRグラフを示す。
前記実施例1で製造した重合体2.5gと、アミノ酸の一種であるL−プロリン0.04gとを100gのノルマルブタノールに溶かしてイマージョンリソグラフィ用上部反射防止膜の組成物を製造した。
前記実施例2で製造した上部反射防止膜の組成物を、ウエハー上に2000rpmでコーティングした。このとき、厚さは46.4nmで、193nmの波長の光に対する透過度は96%で、屈折率は1.62であった。
前記実施例2で製造した上部反射防止膜の組成物を、JSRのAR1221J感光膜(220nm)上に2000rpmでコーティングした。このとき、厚さは、266.4nmであった。すなわち、本発明による上部反射防止膜の組成物が感光膜を溶解していないことが分かる。
前記実施例4で製造したフォトレジスト膜および上部反射防止膜が形成されたウエハーを蒸溜水に約5分間浸漬し、ウエハーを乾燥した後、その厚さを測定した。このとき、厚さは266.7nmであって、水に浸漬する前に比べて約0.3nmの厚さが増加したことが分かる。すなわち、本発明による上部反射防止膜の組成物が水によって溶解されない、またはほとんど膨潤されていないことが分かる。
前記実施例4で製造されたフォトレジスト膜および上部反射防止膜が形成されたウエハーを2.38wt%のTMAH現像液に約1分間現像し、蒸溜水で洗浄した後、その厚さを測定した。このとき、厚さは、220nmであって、上部反射防止膜の組成物が現像液によって完全に溶解されたことが分かる。
Claims (14)
- 請求項1記載の上部反射防止膜の三元共重合体において、
前記重合体は、2,000〜10,000の重量平均分子量を有する上部反射防止膜の三元共重合体。 - t−ブチルアクリレート単量体、アクリル酸単量体および3−ハイドロキシプロピルメタクリレート単量体を有機溶媒に溶解し、重合開始剤を添加した後、真空状態、温度55℃〜65℃で6〜12時間前記各単量体をフリーラジカル重合することを特徴とする請求項1記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記有機溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、テトラハイドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、メチルエチルケトン、エチルアセテート、ベンゼン、トルエンおよびキシレンからなるグループから選択された一つ以上の溶媒を使用する請求項3記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記重合開始剤には、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾイルペルオキシド、アセチルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、t−ブチルペルアセテート、t−ブチルハイドロペルオキシドおよびジ−t−ブチルペルオキシドからなるグループから選択されたものを使用する請求項3または請求項4記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記上部反射防止膜の三元共重合体の量を基準に、1,000〜10,000重量%のノルマルブタノールに前記重合体を溶解して製造される請求項6記載の上部反射防止膜の組成物。
- 前記上部反射防止膜の三元共重合体の量を基準に、1〜20重量%のL−プロリンをさらに含む請求項6または請求項7記載の上部反射防止膜の組成物。
- 屈折率は、1.4乃至2.0である請求項6乃至請求項8のいずれか一つに記載の上部反射防止膜の組成物。
- 半導体素子の製造工程に使用される請求項6乃至請求項9のいずれか一つに記載の上部反射防止膜の組成物。
- (a)所定の下部構造が形成された半導体基板上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
(b)前記フォトレジスト膜の上部に請求項6乃至請求項9のいずれか一つによる上部反射防止膜の組成物を塗布し、ベークして上部反射防止膜を形成する段階と、
(c)前記フォトレジスト膜に対する露光および現像を行ってフォトレジストパターンを形成する段階と、を含む半導体素子のパターン形成方法。 - 前記ベーク工程は、70〜200℃の温度で行われる請求項11記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記露光工程における光源に対する媒質は、水である請求項11または請求項12記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記現像工程は、0.01乃至5重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を現像液に用いて行われる請求項11乃至請求項13のいずれか一つに記載の半導体素子のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040029087A KR100574490B1 (ko) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005316387A JP2005316387A (ja) | 2005-11-10 |
JP4346560B2 true JP4346560B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=35137039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005013509A Expired - Fee Related JP4346560B2 (ja) | 2004-04-27 | 2005-01-21 | 上部反射防止膜(Top Anti−Reflective Coating;TARC)の重合体およびこの製造方法、並びにこれを含む上部反射防止膜の組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7147994B2 (ja) |
JP (1) | JP4346560B2 (ja) |
KR (1) | KR100574490B1 (ja) |
CN (1) | CN100339406C (ja) |
DE (1) | DE102005002410B4 (ja) |
NL (1) | NL1028255C2 (ja) |
TW (1) | TWI313271B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781141B2 (en) * | 2004-07-02 | 2010-08-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Compositions and processes for immersion lithography |
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KR100598910B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2006-07-10 | 주식회사 아이노스 | 이멀젼 리소그래피 공정에 사용되는 포토레지스트막코팅용 중합체, 비이온성 광산발생제 및 이를 포함하는포토레지스트막 코팅용 조성물 |
KR100676885B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2007-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
CN1786830A (zh) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 三洋电机株式会社 | 抗蚀剂图案形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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-
2004
- 2004-04-27 KR KR1020040029087A patent/KR100574490B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-01-11 US US11/032,971 patent/US7147994B2/en active Active
- 2005-01-18 TW TW094101435A patent/TWI313271B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-18 DE DE102005002410A patent/DE102005002410B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-21 JP JP2005013509A patent/JP4346560B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-11 NL NL1028255A patent/NL1028255C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2005-02-18 CN CNB2005100519014A patent/CN100339406C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005316387A (ja) | 2005-11-10 |
TWI313271B (en) | 2009-08-11 |
NL1028255A1 (nl) | 2005-10-31 |
KR100574490B1 (ko) | 2006-04-27 |
DE102005002410A1 (de) | 2005-11-17 |
NL1028255C2 (nl) | 2005-12-20 |
US20050239296A1 (en) | 2005-10-27 |
KR20050103788A (ko) | 2005-11-01 |
DE102005002410B4 (de) | 2009-07-30 |
CN1690098A (zh) | 2005-11-02 |
CN100339406C (zh) | 2007-09-26 |
TW200536866A (en) | 2005-11-16 |
US7147994B2 (en) | 2006-12-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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