TW202417969A - 光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 160
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 206
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 127
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims abstract description 86
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 230
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 36
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 679
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 14
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- -1 etc. are preferred Substances 0.000 description 11
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 6
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 3
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 3
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ca] Chemical compound [Na].[Ca] VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- FXNGWBDIVIGISM-UHFFFAOYSA-N methylidynechromium Chemical compound [Cr]#[C] FXNGWBDIVIGISM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
本發明提供一種具有半透過膜之光罩基底，該半透過膜即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
一種光罩基底，其特徵在於具備透光性基板、及設置於上述透光性基板之主表面上之半透過膜，
上述半透過膜中之對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k、以及對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足(式1)及(式2)之關係。
(式1)k≧0.282×n－0.514
(式2)k≦0.500×n＋0.800
Description
本發明係關於一種光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法。
於FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用光罩之領域中，正嘗試使用具有半透光性膜(所謂灰階光罩用半透光性膜)之灰階光罩(亦稱為多階光罩)而削減光罩片數(非專利文獻1)。
此處，灰階光罩如圖11(1)所示，於透明基板(透光性基板)上具有遮光部1、透過部2及灰階部3。灰階部3具有調整透過量之功能，例如，如圖11(1)所示，係形成有灰階光罩用半透光性膜(半透光性膜)3a'之區域，係為了減少透過該等區域之光之透過量而減少該區域之照射量，將與該區域對應之光阻顯影後之膜減少之膜厚控制為所需值而形成。
於將灰階光罩搭載於鏡面投影方式或使用透鏡之透鏡方式之大型曝光裝置而使用時，已通過灰階部3之曝光之光整體上曝光量不足，因此，經由該灰階部3曝光後之正型光阻僅膜厚變薄而殘留於基板上。即，抗蝕劑因曝光量不同而於和通常之遮光部1對應之部分與和灰階部3對應之部分，相對於顯影液之溶解性出現差異，因此，顯影後之抗蝕劑形狀如圖11(2)所示，與通常之遮光部1對應之部分1'例如為約1 μm，與灰階部3對應之部分3'例如為約0.4～0.5 μm，與透過部2對應之部分成為無抗蝕劑之部分2'。然後，於無抗蝕劑之部分2'對被加工基板進行第1蝕刻，藉由灰化等將與灰階部3對應之較薄之部分3'之抗蝕劑去除並於該部分進行第2蝕刻，藉此，利用1片光罩進行相當於先前之2片光罩之步驟，從而削減光罩片數。
又，最近，將上述之灰階光罩搭載於近接曝光(投影式曝光)方式之大型曝光裝置，用於形成彩色濾光片用之感光性間隔件。
上述圖11(1)所示之灰階光罩例如係使用專利文獻1所記載之光罩基底而製造。專利文獻1所記載之光罩基底之特徵在於，於透光性基板上至少包含具有調整透過量之功能之半透光性膜，上述半透光性膜係以於自超高壓水銀燈輻射之至少i線至g線之波長帶中，半透光性膜之透過率之變動範圍處於未達5%之範圍內的方式進行控制所得之膜。作為該半透光性膜，具體而言，例示CrN(膜厚20～250埃(2～25 nm)、MoSi
4(膜厚15～200埃(1.5～20 nm)等材料及膜厚。
[先前技術文獻]
[非專利文獻]
[非專利文獻1]月刊FPD Intelligence、p.31-35、1999年5月
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-199700號公報
[發明所欲解決之問題]
使用上述專利文獻1中例示之材料形成具有所需透過率之半透光性膜(半透過膜)時，控制上述半透過膜之膜厚而進行。但是，於製作尺寸較大之灰階光罩之情形時，於基板之面內會因膜厚分佈而產生透過率分佈，從而難以製造面內透過率之均一性良好之灰階光罩。
又，於光罩基底中之半透光性膜之成膜製程中，半透過膜之膜厚最大薄至80 nm左右，因此，難以按照設計膜厚來成膜，有時會相對於設計膜厚產生10%左右之膜厚差。於對半透過膜不考慮膜厚引起之透過率之變動範圍而進行膜設計之情形時，如上所述，存在如下問題，即，當半透過膜之膜厚偏離設計值時，透過率產生變化，而透過率之面內分佈變大。
尤其是，於將灰階光罩搭載於近接曝光方式之大型曝光裝置而對被轉印體進行圖案轉印之情形時，灰階光罩與被轉印體之間隔較窄，因此，無法使用防止異物附著於灰階光罩表面之護膜。
因此，通常在複數次使用灰階光罩之後，進行使用鹼或酸之藥液清洗，以將附著於灰階光罩表面之異物去除。但是，產生如下問題，即，上述藥液清洗導致產生半透過膜之膜減少，從而半透過膜之透過率產生變化。
又，於FPD用光罩之領域中，有時使用自特定範圍之波長區域中選擇之複合光作為曝光之光。例如，有時使用包含波長334 nm之光或h線(405 nm)之複合光作為曝光之光。於此種情形時，會產生如下問題，即，若僅藉由對任一代表波長調整至所需透過率，則無法充分抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且，無法充分抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
又，隨著近年來之轉印用遮罩之圖案之微細化、複雜化，為了能夠實現更高解像之圖案轉印，要求使對曝光之光之透過率更高(例如，將透過率設為20%以上)之半透過膜之情況有所增加。進而，對被轉印體上之感光性膜進行曝光轉印後形成之感光性膜之圖案之面內均一性之要求變得更嚴格，針對對曝光之光之複數個波長之透過率之面內均一性之要求提高。然而，進一步提高對曝光之光之透過率會導致更難抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且更難抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
因此，本發明係關於一種用於製造FPD器件之光罩基底，該光罩基底於透光性基板上至少包含具有調整曝光之光之透過量之功能之半透過膜，本發明之目的在於提供一種具有半透過膜之光罩基底，該半透過膜即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。又，本發明之目的在於提供一種具有半透過膜之轉印用遮罩及轉印用遮罩之製造方法，上述半透過膜即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。並且，本發明之目的在於提供一種使用此種轉印用遮罩之顯示裝置之製造方法。
[解決問題之技術手段]
作為解決上述問題之手段，本發明具有以下之構成。
(構成1)一種光罩基底，其特徵在於具備透光性基板、及設置於上述透光性基板之主表面上之半透過膜，
上述半透過膜中之對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k、以及
對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足(式1)及(式2)之關係。
(式1)k≧0.282×n－0.514
(式2)k≦0.500×n＋0.800
(構成2)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜之對波長334 nm之光之消光係數k大於0。
(構成3)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜之對波長334 nm之光之折射率n為2.0以上。
(構成4)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜之厚度為30 nm以上70 nm以下。
(構成5)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜之對波長334 nm之光之透過率為20%以上60%以下。
(構成6)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜之對波長334 nm之光之相位差為0度以上120度以下。
(構成7)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜中之對波長365 nm之光之折射率n及消光係數k亦滿足上述(式1)及(式2)之關係。
(構成8)如構成1之光罩基底，其特徵在於上述半透過膜含有金屬、矽及氮。
(構成9)如構成1之光罩基底，其特徵在於在上述半透過膜上具備相對於上述半透過膜而蝕刻選擇性不同之蝕刻遮罩膜。
(構成10)如構成9之光罩基底，其特徵在於上述蝕刻遮罩膜含有鉻。
(構成11)一種轉印用遮罩，其特徵在於在如構成1之光罩基底之上述半透過膜形成有轉印圖案。
(構成12)一種轉印用遮罩，其特徵在於在如構成9之光罩基底之上述半透過膜形成有轉印圖案，且於上述蝕刻遮罩膜形成有與上述轉印圖案不同之圖案。
(構成13)一種轉印用遮罩之製造方法，其特徵在於包含如下步驟：準備如構成1之光罩基底；
於上述半透過膜上形成具有轉印圖案之抗蝕膜；及
進行將上述抗蝕膜作為遮罩之濕式蝕刻，於上述半透過膜形成轉印圖案。
(構成14)一種轉印用遮罩之製造方法，其特徵在於包含如下步驟：準備如構成9之光罩基底；
於上述蝕刻遮罩膜上形成具有轉印圖案之抗蝕膜；
進行將上述抗蝕膜作為遮罩之濕式蝕刻，於上述蝕刻遮罩膜形成轉印圖案；及
進行將形成有上述轉印圖案之蝕刻遮罩膜作為遮罩之濕式蝕刻，於上述半透過膜形成轉印圖案。
(構成15)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包含如下步驟：將如構成11或12之轉印用遮罩載置於曝光裝置之遮罩台；及
對上述轉印用遮罩照射曝光之光，將轉印圖案轉印至設置於顯示裝置用之基板上之感光性膜。
(構成16)如構成15之顯示裝置之製造方法，其特徵在於上述曝光之光係包含波長334 nm之光與波長405 nm之光之複合光。
[發明之效果]
根據本發明，係關於一種用於製造FPD器件之光罩基底，該光罩基底於透光性基板上至少包含具有調整透過量之功能之半透過膜，能夠提供一種具有半透過膜之光罩基底，上述半透過膜即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
又，根據本發明，能夠提供一種具有半透過膜圖案之轉印用遮罩及轉印用遮罩之製造方法，上述半透過膜圖案即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。並且，本發明能夠提供一種使用此種轉印用遮罩之顯示裝置之製造方法。
首先，對完成本發明之經過進行敍述。本發明人對具有半透過膜之光罩基底之構成進行了銳意研究，上述半透過膜即便於提高對包含紫外線區域之波長在內之曝光之光(以下，有時簡稱為「曝光之光」)之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
於在透光性基板上具備半透過膜之光罩基底中，半透過膜之折射率n及消光係數k、膜厚受到作為對包含紫外線區域之波長在內之曝光之光之透過率調整膜之功能上之限制。因此，必須將半透過膜之折射率n與消光係數k控制於特定範圍內。
此處，本發明人對半透過膜之折射率n及消光係數k之關係進行了光學模擬，以針對包含紫外線區域之波長在內之曝光之光中波長334 nm之光、及波長405 nm之光(h線)，能夠滿足透過率為20%以上，抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且抑制膜厚變動所引起之透過率變動。就如下方面而言，可較佳地使用該波長334 nm之光，即，接近考慮中紫外光之波長區域之強度分佈所得之加權平均，且於高壓水銀燈之光譜中具有特定之強度(峰值高度)，於獲得DOF(焦點深度)提高效果之方面亦有利。藉由在該波長334 nm之光下滿足該等所需之關係，能夠提高對微細圖案之解像性。又，藉由在波長334 nm之光及h線下滿足該等所需之關係，若自波長334 nm之光至h線之波長之範圍內選擇設計半透過膜之透過率時之基準波長，則該半透過膜於基準波長下可獲得按照設計之透過率，且於波長334 nm之光至h線之範圍內之任一波長下均能夠抑制面內分佈，並能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。又，原因在於，對紫外線區域之其他波長亦可期待類似之效果。
於光學模擬中，一面於折射率n為1.80至3.00之範圍及消光係數k為0.00至0.80之範圍內改變半透過膜之折射率n及消光係數k各自之值，一面對半透過膜之膜厚與透過率(及反射率)之關係進行了研究。
圖5係表示對於波長405 nm之光(h線)之根據模擬結果導出之以特定之折射率改變消光係數時之半透過膜之膜厚與透過率之關係之一例的圖。具體而言，於圖5中，分別以曲線A1至A5之形式示出將折射率n設為2.40並將消光係數k設為0.10、0.16、0.30、0.40、0.50者。
針對各曲線A1～A5，對透過率之膜厚依存性是否處於容許範圍內(例如，當膜厚變化5 nm時透過率變動是否在2%以內)進行了研究。其結果，於曲線A2～A4中，透過率之膜厚依存性處於容許範圍內，於曲線A1、A5中處於容許範圍外。
將曲線A1、A3、A5中之膜厚與透過率之關係示於表1。
[表1]
| n | k | 曲線 膜厚 | 40 | 45 | 50 | 55 | 60 | 65 |
| 2.40 | 0.30 | A3 | 47.9% | 47.3% | 47.1% | 47.2% | 46.7% | 45.7% |
| 2.40 | 0.10 | A1 | 60.4% | 61.3% | 63.4% | 66.4% | 69.8% | 72.7% |
| 2.40 | 0.50 | A5 | 37.6% | 35.9% | 34.4% | 32.8% | 30.9% | 28.7% |
如表1所示，於曲線A3中，透過率之膜厚依存性非常良好，如圖5所示，於膜厚50 nm附近之範圍內透過率之變化非常小，具有實質上平坦之區域。另一方面，於曲線A1、A5中，存在當膜厚變化5 nm時透過率變動超過2%之部位，這處於容許範圍外。又，可知曲線A2表示透過率之膜厚依存性處於容許範圍之消光係數k之下限值，曲線A4表示透過率之膜厚依存性處於容許範圍之消光係數k之上限值。
然後，改變折射率n與消光係數k之值，進行與上述透過率相關之模擬，對透過率之膜厚依存性處於容許範圍之折射率n與消光係數k之關係進行了整理。又，對波長334 nm之光亦同樣地進行模擬，對透過率之膜厚依存性處於容許範圍之折射率n與消光係數k之關係進行了整理。其結果，對於波長334 nm之光與波長405 nm之光(h線)，滿足透過率為20%以上，透過率之膜厚依存性處於容許範圍之半透過膜之折射率n及消光係數各自之關係式如下(參照圖10)。
(式1) k≧0.282×n－0.514
(式2) k≦0.500×n＋0.800
即，本發明人發現，半透過膜中之對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k與對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足(式1)及(式2)之關係時，即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
圖10中之式(1)及式(2)與上述之(式1)及(式2)之等號部分對應。又，圖10中之
式(3)k＝0.370×n－0.590
係對透過率之變化相對於膜厚變動而言非常小而具有實質上平坦之區域的n與k之值進行繪圖所得者。
本發明人如以下般對透過率之膜厚依存性進行推測。
半透過膜之膜厚與透過率存在反比例(inverse proportion)之關係，通常具有半透過膜之膜厚增加時透過率降低(成為向右下降之曲線)之關係。
於本發明中，即便半透過膜之膜厚發生變動，透過率變動亦得到抑制之現象係發生了如下情況，即，若膜厚於目標透過率(設定膜厚)之前後產生變動，則透過率應該與膜厚變動成反比例地變動，但藉由背面反射率產生變動而補償了透過率之變動量。因此，可實現透過率與背面反射率之平衡，產生透過率變動相對於膜厚變動而言平緩之現象，相對於膜厚變動之透過率變動變小。
本發明係進行如上所述之銳意研究之後完成者。
以下，參照圖式對本發明之實施方式具體地進行說明。再者，以下之實施方式係將本發明具體化時之形態，並非將本發明限定於其範圍內。
圖1係表示本實施方式之光罩基底10之膜構成之模式圖。圖1所示之光罩基底10具備透光性基板20、形成於透光性基板20上之半透過膜30、及形成於半透過膜30上之蝕刻遮罩膜40。
圖2係表示另一實施方式之光罩基底10之膜構成之模式圖。圖2所示之光罩基底10具備透光性基板20、及形成於透光性基板20上之半透過膜30。
以下，對構成本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10之透光性基板20、半透過膜30及蝕刻遮罩膜40具體地進行說明。
＜透光性基板20＞
透光性基板20相對於曝光之光而言透明。透光性基板20係於假設不存在表面反射損失時，對曝光之光具有85%以上之透過率，較佳為具有90%以上之透過率。透光性基板20包含含有矽與氧之材料，可由合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、及低熱膨脹玻璃(SiO
2-TiO
2玻璃等)等玻璃材料構成。於透光性基板20由低熱膨脹玻璃構成之情形時，能夠抑制由透光性基板20之熱變形所引起之半透過膜圖案30a之位置變化。又，以顯示裝置用途使用之透光性基板20一般為矩形基板。具體而言，可使用透光性基板20之主表面(形成半透過膜30之面)之短邊之長度為300 mm以上者。於本實施方式之光罩基底10中，可使用主表面之短邊之長度為300 mm以上之較大尺寸之透光性基板20。可使用本實施方式之光罩基底10來製造於透光性基板20上具有包含例如寬度尺寸及/或直徑尺寸未達2.0 μm之微細之半透過膜圖案30a之轉印用圖案的轉印用遮罩100。藉由使用此種本實施方式之轉印用遮罩100，能夠將包含特定之微細圖案之轉印用圖案穩定地轉印至被轉印體。
＜半透過膜30＞
本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10(以下，有時簡稱為「本實施方式之光罩基底10」)之半透過膜30較佳為包含含有金屬、矽(Si)、及氮(N)之材料。作為金屬，較佳為過渡金屬。作為過渡金屬，較佳為鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鋯(Zr)等，特佳為鈦、鉬。
半透過膜30含有氮。作為輕元素成分之氮與同為輕元素成分之氧相比，具有不降低折射率n及消光係數k之效果。為了使半透過膜30發揮上述效果，理想的是將半透過膜30之消光係數k設為下述之上限值以下，並且將折射率n設為下述之下限值以上。藉由半透過膜30含有氮，容易調整為所需之折射率n與消光係數k。又，半透過膜30中所含之氮之含量較佳為30原子%以上，更佳為40原子%以上。另一方面，氮之含量較佳為60原子%以下，更佳為55原子%以下。藉由半透過膜30中之含氮量較多而能夠抑制對曝光之光之透過率變得過高。
於半透過膜30之性能不劣化之範圍內，半透過膜30可包含氧。作為輕元素成分之氧與同為輕元素成分之氮相比，降低折射率n與消光係數k之效果較大。但是，於半透過膜30之含氧量較多之情形時，有可能對獲得接近垂直之微細圖案之剖面、較高之光罩清洗耐受性帶來不良影響。因此，半透過膜30之含氧量較佳為7原子%以下，更佳為5原子%以下。半透過膜30可不含氧。
又，半透過膜30中亦可除了含有上述之氧、氮以外，還含有碳及氦等其他輕元素成分，以控制膜應力之降低及/或濕式蝕刻速率。
半透過膜30中所含之過渡金屬與矽之原子比率較佳為處於過渡金屬：矽＝1：3至1：15之範圍。若處於該範圍，則能夠增大抑制半透過膜30之圖案形成時之濕式蝕刻速率降低之效果。又，能夠提高半透過膜30之清洗耐受性，亦容易提高透過率。就提高半透過膜30之清洗耐受性之觀點而言，半透過膜30中所含之過渡金屬與矽之原子比率(過渡金屬：矽)較佳為處於1：5至1：15之範圍。
該半透過膜30較佳為由單一之層構成。由單一之層構成之半透過膜30不易於半透過膜30中形成界面而容易控制剖面形狀，就該方面而言較佳。另一方面，半透過膜30只要為在光學上實質上可視為單一之層者即可，亦可為於厚度方向上組成連續地變化之組成梯度膜。再者，組成梯度膜時之半透過膜30之折射率n與消光係數k使用將整體視為光學上均一之單層膜而導出之折射率n與消光係數k。
就圖案化時之剖面形狀或圖案化所需之蝕刻時間之觀點而言，半透過膜30之膜厚較佳為100 nm以下，更佳為80 nm以下，進而較佳為70 nm以下。又，就按照設計膜厚進行成膜之觀點而言，半透過膜30之膜厚較佳為20 nm以上，更佳為25 nm以上，進而較佳為30 nm以上。
＜＜半透過膜30之透過率及相位差＞＞
半透過膜30對曝光之光之透過率及相位差滿足作為半透過膜30所需之值。對於波長334 nm之光，半透過膜30之透過率較佳為20%以上60%以下，更佳為25%以上55%以下，進而較佳為30%以上50%以下。除非有特別記載，否則本說明書中之透過率係指將透光性基板之透過率作為基準(100%)進行換算所得者。
又，半透過膜對波長334 nm之光之相位差較佳為0度以上120度以下，更佳為0度以上90度以下，進而較佳為0度以上60度以下。
即，於曝光之光為包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光之複合光之情形時，半透過膜30對其波長範圍所包含之波長334 nm之光具有上述之透過率及相位差。藉由對334 nm之光具有此種特性，於使用包含i線、h線及g線之複合光作為曝光之光之情形時，對於i線、g線或h線下之透過率，亦可期待類似之效果。
透過率及相位差可使用相位偏移量測定裝置等進行測定。
半透過膜30中之對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k與對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k較佳為均滿足(式1)及(式2)之關係。
(式1)k≧0.282×n－0.514
(式2)k≦0.500×n＋0.800
又，半透過膜30中之對波長365 nm之光(i線)之折射率n及消光係數k亦較佳為滿足(式1)及(式2)之關係。
半透過膜30之對波長334 nm之光之消光係數k較佳為大於0，更佳為0.05以上。另一方面，半透過膜30之對波長334 nm之光之消光係數k較佳為1.0以下，更佳為0.8以下。
半透過膜30之對波長334 nm之光之折射率n較佳為2.0以上，更佳為2.1以上。另一方面，半透過膜30之對波長334 nm之光之折射率n較佳為3.0以下，更佳為2.8以下。
半透過膜30之反射率(表面反射率)係於334 nm～405 nm之波長區域中為40%以下，較佳為35%以下。半透過膜30之背面反射率係於334 nm～405 nm之波長區域中為25%以下，較佳為15%以下
表面反射率及背面反射率可使用分光光度計等進行測定。
半透過膜30可藉由濺鍍法等公知之成膜方法而形成。
＜蝕刻遮罩膜40＞
本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10較佳為於半透過膜30之上具備相對於半透過膜30而蝕刻選擇性不同之蝕刻遮罩膜40。
蝕刻遮罩膜40係配置於半透過膜30之上側，包含對蝕刻半透過膜30之蝕刻液具有耐蝕刻性(蝕刻選擇性與半透過膜30不同)之材料。又，蝕刻遮罩膜40可具有阻擋曝光之光透過之功能。進而，蝕刻遮罩膜40亦可具有如下功能，即，以半透過膜30對自半透過膜30側入射之光之膜面反射率於334 nm～405 nm之波長區域中成為15%以下的方式，降低膜面反射率。
蝕刻遮罩膜40較佳為包含含有鉻(Cr)之鉻系材料。蝕刻遮罩膜40更佳為包含含有鉻且實質上不含矽之材料。實質上不含矽係指矽之含量未達2%(但是，將半透過膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之組成梯度區域除外)。作為鉻系材料，更具體而言，可列舉鉻(Cr)、或含有鉻(Cr)及氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種之材料。又，作為鉻系材料，可列舉包含鉻(Cr)及氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種且進而包含氟(F)的材料。例如，作為構成蝕刻遮罩膜40之材料，可列舉Cr、CrO、CrN、CrF、CrCO、CrCN、CrON、CrCON、及CrCONF。
蝕刻遮罩膜40可藉由濺鍍法等公知之成膜方法而形成。
於蝕刻遮罩膜40具有阻擋曝光之光透過之功能之情形時，於半透過膜30與蝕刻遮罩膜40積層之部分，對曝光之光之光學密度較佳為3以上，更佳為3.5以上，進而較佳為4以上。光學密度可使用分光光度計或OD(optical density，光密度)計等進行測定。
蝕刻遮罩膜40可根據功能而設為組成均一之單一之膜。又，蝕刻遮罩膜40可設為組成不同之複數個膜。又，蝕刻遮罩膜40可設為於厚度方向上組成連續地變化之單一之膜。
再者，圖1所示之本實施方式之光罩基底10於半透過膜30上具備蝕刻遮罩膜40。本實施方式之光罩基底10包含於半透過膜30上具備蝕刻遮罩膜40且於蝕刻遮罩膜40上具備抗蝕膜的構造之光罩基底10。
＜光罩基底10之製造方法＞
接下來，對圖1所示之實施方式之光罩基底10之製造方法進行說明。圖1所示之光罩基底10係藉由進行以下之半透過膜形成步驟及蝕刻遮罩膜形成步驟而製造。圖2所示之光罩基底10藉由半透過膜形成步驟而製造。
以下，對各步驟詳細地進行說明。
＜＜半透過膜形成步驟＞＞
首先，準備透光性基板20。透光性基板20只要相對於曝光之光透明，則可由自合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、及低熱膨脹玻璃(SiO
2-TiO
2玻璃等)等中選擇之玻璃材料構成。
繼而，藉由濺鍍法於透光性基板20上形成半透過膜30。
半透過膜30之成膜可使用特定之濺鍍靶，於特定之濺鍍氣體氛圍中進行。特定之濺鍍靶例如將包含成為構成半透過膜30之材料之主成分之金屬與矽的金屬矽化物靶、或包含金屬、矽及氮之金屬矽化物靶設為濺鍍靶。特定之濺鍍氣體氛圍例如係包括包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種之惰性氣體的濺鍍氣體氛圍、或包括包含上述惰性氣體、氮氣且視情形包含選自由氧氣、二氧化碳氣體、一氧化氮氣體及二氧化氮氣體所組成之群中之氣體之混合氣體的濺鍍氣體氛圍。半透過膜30之形成可於進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力為0.3 Pa以上2.0 Pa以下、較佳為0.43 Pa以上0.9 Pa以下之狀態下進行。能夠抑制圖案形成時之側面蝕刻，並且能夠實現高蝕刻速率。
半透過膜30之組成及厚度係以半透過膜30成為上述之透過率及相位差之方式進行調整。半透過膜30之組成可藉由構成濺鍍靶之元素之含有比率(例如金屬之含量與矽之含量之比)、濺鍍氣體之組成及流量等來控制。半透過膜30之厚度可藉由濺鍍功率及濺鍍時間等來控制。又，半透過膜30較佳為使用連續式濺鍍裝置而形成。於濺鍍裝置為連續式濺鍍裝置之情形時，藉由基板之搬送速度，亦能夠控制半透過膜30之厚度。如此，半透過膜30含有金屬、矽及氮，以半透過膜30之折射率n及消光係數k滿足所需關係(對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k與對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足上述(式1)及上述(式2)之關係)的方式進行控制。
＜＜表面處理步驟＞＞
於半透過膜30包含氧之情形時，為了對半透過膜30之表面抑制因存在金屬氧化物而引起之蝕刻液之滲透，亦可進行調整半透過膜30之表面氧化之狀態之表面處理步驟。再者，於半透過膜30包含含有金屬、矽及氮之金屬矽化物氮化物之情形時，與上述之含有氧之金屬矽化物材料相比，過渡金屬之氧化物之含量較小。因此，於半透過膜30之材料為金屬矽化物氮化物之情形時，可進行上述表面處理步驟，亦可不進行上述表面處理步驟。
作為調整半透過膜30之表面氧化之狀態之表面處理步驟，可列舉利用酸性之水溶液進行表面處理之方法、利用鹼性之水溶液進行表面處理之方法、利用灰化等乾式處理進行表面處理之方法等。
以此方式，可獲得本實施方式之光罩基底10。
＜＜蝕刻遮罩膜形成步驟＞＞
本實施方式之光罩基底10進而可具有蝕刻遮罩膜40。進而進行以下之蝕刻遮罩膜形成步驟。再者，蝕刻遮罩膜40較佳為包含含有鉻且實質上不含矽之材料。
於半透過膜形成步驟之後，視需要進行調整半透過膜30之表面之表面氧化之狀態之表面處理，其後，藉由濺鍍法於半透過膜30上形成蝕刻遮罩膜40。蝕刻遮罩膜40較佳為使用連續式濺鍍裝置而形成。於濺鍍裝置為連續式濺鍍裝置之情形時，藉由透光性基板20之搬送速度，亦能夠控制蝕刻遮罩膜40之厚度。
蝕刻遮罩膜40之成膜可使用包含鉻或鉻化合物(氧化鉻、氮化鉻、碳化鉻、氮氧化鉻、氮碳化鉻、及碳氮氧化鉻等)之濺鍍靶，於包含惰性氣體之濺鍍氣體氛圍、或包含惰性氣體與活性氣體之混合氣體之濺鍍氣體氛圍下進行。惰性氣體例如可包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群中之至少一種。活性氣體可包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、烴系氣體及氟系氣體所組成之群中之至少一種。作為烴系氣體，例如可列舉甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體及苯乙烯氣體等。
於蝕刻遮罩膜40包含組成均一之單一之膜之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量而僅進行1次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40包含組成不同之複數個膜之情形時，針對每一成膜製程改變濺鍍氣體之組成及流量而進行複數次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40包含於厚度方向上組成連續地變化之單一之膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量隨著成膜製程之時間經過而變化，一面進行1次上述成膜製程。
以此方式，可獲得具有蝕刻遮罩膜40之本實施方式之光罩基底10。
再者，圖1所示之光罩基底10於半透過膜30上具備蝕刻遮罩膜40，因此，於製造光罩基底10時，進行蝕刻遮罩膜形成步驟。又，當製造於半透過膜30上具備蝕刻遮罩膜40且於蝕刻遮罩膜40上具備抗蝕膜之光罩基底10時，於蝕刻遮罩膜形成步驟後於蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜。又，於圖2所示之光罩基底10中，當製造於半透過膜30上具備抗蝕膜之光罩基底10時，於半透過膜形成步驟後形成抗蝕膜。
圖1所示之實施方式之光罩基底10係於半透過膜30上形成有蝕刻遮罩膜40。又，圖2所示之實施方式之光罩基底10中形成有半透過膜30。於任一者中，均以半透過膜30之折射率n及消光係數k滿足所需關係(對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k與對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足上述(式1)及上述(式2)之關係)的方式進行控制。
圖1及圖2所示之實施方式之光罩基底10具有折射率n及消光係數k滿足所需關係(對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k與對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足上述(式1)及上述(式2)之關係)的半透過膜30。藉由使用實施方式之光罩基底10，可製造能夠高精度地轉印半透過膜圖案30a之轉印用遮罩100，半透過膜圖案30a即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
＜轉印用遮罩100之製造方法＞
接下來，對本實施方式之轉印用遮罩100之製造方法進行說明。該轉印用遮罩100具有與光罩基底10相同之技術特徵。關於轉印用遮罩100中之透光性基板20、半透過膜30、蝕刻遮罩膜40之相關事項，與光罩基底10相同。
圖3係表示本實施方式之轉印用遮罩100之製造方法之模式圖。圖4係表示本實施方式之轉印用遮罩100之另一製造方法之模式圖。
＜＜圖3所示之轉印用遮罩100之製造方法＞
圖3所示之轉印用遮罩100之製造方法係使用圖1所示之光罩基底10而製造轉印用遮罩100之方法。圖3所示之轉印用遮罩100之製造方法包含如下步驟：準備圖1所示之光罩基底10；於蝕刻遮罩膜40之上形成抗蝕膜，將由抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩而對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，於半透過膜30之上形成轉印圖案(第1蝕刻遮罩膜圖案40a)；及將形成有轉印圖案之蝕刻遮罩膜40(第1蝕刻遮罩膜圖案40a)作為遮罩，對半透過膜30進行濕式蝕刻，而於半透過膜30形成轉印用圖案。再者，本說明書中之轉印用圖案係藉由將形成於透光性基板20上之至少1個光學膜圖案化而獲得者。上述光學膜可設為半透過膜30及/或蝕刻遮罩膜40，亦可進而包含其他膜(遮光性之膜、用於抑制反射之膜、導電性之膜等)。即，轉印用圖案可包含圖案化之半透過膜及/或蝕刻遮罩膜，亦可進而包含圖案化之其他膜。
具體而言，圖3所示之轉印用遮罩100之製造方法係於圖1所示之光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜。繼而，藉由在抗蝕膜上描繪、顯影所需圖案，而形成抗蝕膜圖案50(參照圖3(a)，第1抗蝕膜圖案50之形成步驟)。繼而，將該抗蝕膜圖案50作為遮罩而對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，於半透過膜30上形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a(參照圖3(b)，第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟)。繼而，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩，對半透過膜30進行濕式蝕刻而於透光性基板20上形成半透過膜圖案30a(參照圖3(c)，半透過膜圖案30a之形成步驟)。其後，可進而包含第2抗蝕膜圖案60之形成步驟與第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟(參照圖3(d)及(e))。
更具體而言，於第1抗蝕膜圖案50之形成步驟中，首先，於圖1所示之本實施方式之光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕膜。使用之抗蝕膜材料並無特別限制。抗蝕膜例如只要為對具有自下述之350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光感光者即可。又，抗蝕膜可為正型、負型之任一者。
其後，使用具有自350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光，於抗蝕膜上描繪所需圖案。於抗蝕膜上描繪之圖案係形成於半透過膜30之圖案。作為於抗蝕膜上描繪之圖案，可列舉線與間隙圖案及孔圖案。
其後，利用特定之顯影液對抗蝕膜進行顯影，如圖3(a)所示，於蝕刻遮罩膜40上形成第1抗蝕膜圖案50。
＜＜＜第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟＞＞＞
於第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟中，首先，將第1抗蝕膜圖案50作為遮罩而對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻，形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。蝕刻遮罩膜40可由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻之蝕刻液只要能夠對蝕刻遮罩膜40選擇性地進行蝕刻，則並無特別限制。具體而言，可列舉包含硝酸鈰銨與過氯酸之蝕刻液。
其後，使用抗蝕劑剝離液或者藉由灰化，如圖3(b)所示，將第1抗蝕膜圖案50剝離。根據情況，亦可不將第1抗蝕膜圖案50剝離而進行以下之半透過膜圖案30a之形成步驟。
＜＜＜半透過膜圖案30a之形成步驟＞＞＞
於半透過膜圖案30a之形成步驟中，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩而對半透過膜30進行濕式蝕刻，如圖3(c)所示，形成半透過膜圖案30a。作為半透過膜圖案30a，可列舉線與間隙圖案及孔圖案。對半透過膜30進行蝕刻之蝕刻液只要能夠對半透過膜30選擇性地進行蝕刻，則並無特別限制。例如，可列舉包含氟化氫銨與過氧化氫之蝕刻液、或包含氟化銨、磷酸及過氧化氫之蝕刻液等。
為了使半透過膜圖案30a之剖面形狀良好，濕式蝕刻較佳為以較直至透光性基板20於半透過膜圖案30a中露出為止之時間(適量蝕刻時間)長之時間(過蝕刻時間)進行。作為過蝕刻時間，若考慮對透光性基板20造成之影響等，則較佳為處於將適量蝕刻時間加上該適量蝕刻時間之20%之時間所得之時間內，更佳為處於加上適量蝕刻時間之10%之時間所得之時間內。
＜＜＜第2抗蝕膜圖案60之形成步驟＞＞＞
於第2抗蝕膜圖案60之形成步驟中，首先，形成覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之抗蝕膜。使用之抗蝕膜材料並無特別限制。例如，只要為對具有自下述之350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光感光者即可。又，抗蝕膜可為正型、負型之任一種。
其後，使用具有自350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光，於抗蝕膜上描繪所需圖案。於抗蝕膜上描繪之圖案係將形成有半透過膜圖案30a之區域之外周區域遮光之遮光帶圖案、及將半透過膜圖案30a之中央部遮光之遮光帶圖案等。再者，根據半透過膜30對曝光之光之透過率，於抗蝕膜上描繪之圖案亦有可能係不存在將半透過膜圖案30a之中央部遮光之遮光帶圖案的圖案。
其後，利用特定之顯影液對抗蝕膜進行顯影，如圖3(d)所示，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成第2抗蝕膜圖案60。
＜＜＜第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟＞＞＞
於第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟中，將第2抗蝕膜圖案60作為遮罩而對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻，如圖3(e)所示，形成第2蝕刻遮罩膜圖案40b。第1蝕刻遮罩膜圖案40a可由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻之蝕刻液只要能夠對第1蝕刻遮罩膜圖案40a選擇性地進行蝕刻，則並無特別限制。例如，可列舉包含硝酸鈰銨與過氯酸之蝕刻液。
其後，使用抗蝕劑剝離液或者藉由灰化而將第2抗蝕膜圖案60剝離。
以此方式，能夠獲得轉印用遮罩100。即，本實施方式之轉印用遮罩100係於半透過膜30形成有轉印圖案(半透過膜圖案30a)，且於蝕刻遮罩膜40形成有與轉印圖案不同之圖案(第2蝕刻遮罩膜圖案40b)。
再者，於上述說明中，對蝕刻遮罩膜40具有阻擋曝光之光透過之功能之情形進行了說明。於蝕刻遮罩膜40僅具有對半透過膜30進行蝕刻時之硬罩之功能之情形時，不進行上述說明中之第2抗蝕膜圖案60之形成步驟、及第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟。於該情形時，於半透過膜圖案30a之形成步驟之後，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a剝離，而製作轉印用遮罩100。即，轉印用遮罩100具有之轉印用圖案亦可僅由半透過膜圖案30a構成。
根據本實施方式之轉印用遮罩100之製造方法，由於使用圖1所示之光罩基底10，故能夠形成半透過膜圖案30a，該半透過膜圖案30a即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。因此，可製造能夠高精度地轉印包含高精細之半透過膜圖案30a之轉印用圖案之轉印用遮罩100。如此製造之轉印用遮罩100可應對線與間隙圖案及/或接觸孔之微細化。
＜＜圖4所示之轉印用遮罩100之製造方法＞＞
圖4所示之轉印用遮罩100之製造方法係使用圖2所示之光罩基底10製造轉印用遮罩100之方法。圖4所示之轉印用遮罩100之製造方法包含如下步驟：準備圖2所示之光罩基底10；及於半透過膜30之上形成抗蝕膜，將由抗蝕膜形成之抗蝕膜圖案作為遮罩而對半透過膜30進行濕式蝕刻，於半透過膜30形成轉印用圖案。
具體而言，於圖4所示之轉印用遮罩100之製造方法中，於光罩基底10之上形成抗蝕膜。繼而，藉由在抗蝕膜上描繪、顯影所需圖案而形成抗蝕膜圖案50(圖4(a)，第1抗蝕膜圖案50之形成步驟)。繼而，將該抗蝕膜圖案50作為遮罩而對半透過膜30進行濕式蝕刻，於透光性基板20上形成半透過膜圖案30a(圖4(b)及(c)，半透過膜圖案30a之形成步驟)。
更具體而言，於抗蝕膜圖案之形成步驟中，首先，於圖2所示之本實施方式之光罩基底10之半透過膜30上形成抗蝕膜。使用之抗蝕膜材料與上述中說明之材料相同。再者，於形成抗蝕膜之前，為了使半透過膜30與抗蝕膜之密接性良好，可視需要對半透過膜30進行表面改質處理。與上述同樣地，形成抗蝕膜之後，使用具有自350 nm～436 nm之波長區域中選擇之任一波長之雷射光，於抗蝕膜上描繪所需圖案。其後，利用特定之顯影液對抗蝕膜進行顯影，如圖4(a)所示，於半透過膜30上形成抗蝕膜圖案50。
＜＜＜半透過膜圖案30a之形成步驟＞＞＞
於半透過膜圖案30a之形成步驟中，將抗蝕膜圖案作為遮罩而對半透過膜30進行蝕刻，如圖4(b)所示，形成半透過膜圖案30a。對半透過膜圖案30a及半透過膜30進行蝕刻之蝕刻液及過蝕刻時間與上述之圖3所示之實施方式中之說明相同。
其後，使用抗蝕劑剝離液或者藉由灰化而將抗蝕膜圖案50剝離(圖4(c))。
以此方式，能夠獲得轉印用遮罩100。即，本實施方式之轉印用遮罩100係於半透過膜30形成有轉印圖案(半透過膜圖案30a)。再者，本實施方式之轉印用遮罩100具有之轉印用圖案僅由半透過膜圖案30a構成，但亦可進而包含其他膜圖案。作為其他膜，例如可列舉抑制反射之膜、導電性之膜等。
根據本實施方式之轉印用遮罩100之製造方法，由於使用圖2所示之光罩基底10，故能夠形成半透過膜圖案30a，該半透過膜圖案30a即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。因此，可製造能夠高精度地轉印包含高精細之半透過膜圖案30a之轉印用圖案之轉印用遮罩100。如此製造之轉印用遮罩100可應對線與間隙圖案及/或接觸孔之微細化。
＜顯示裝置之製造方法＞
對本實施方式之顯示裝置之製造方法進行說明。本實施方式之顯示裝置之製造方法包含曝光步驟，該曝光步驟係將上述之本實施方式之轉印用遮罩100載置於曝光裝置之遮罩台，將形成於顯示裝置製造用轉印用遮罩100上之轉印用圖案曝光轉印至形成於顯示裝置用之基板上之抗蝕劑。
具體而言，本實施方式之顯示裝置之製造方法包含將使用上述光罩基底10所製造之轉印用遮罩100載置於曝光裝置之遮罩台的步驟(遮罩載置步驟)、及對轉印用遮罩100照射曝光之光而將轉印用圖案曝光轉印至設置於顯示裝置用之基板上之感光性膜(抗蝕膜)的步驟(曝光步驟)。以下，對各步驟詳細地進行說明。
＜＜載置步驟＞＞
於載置步驟中，將本實施方式之轉印用遮罩100載置於曝光裝置之遮罩台。此處，轉印用遮罩100係以介隔曝光裝置之投影光學系統與形成於顯示裝置用之基板上之抗蝕膜對向的方式配置。
＜＜圖案轉印步驟＞＞
於圖案轉印步驟中，對轉印用遮罩100照射曝光之光，將包含半透過膜圖案30a之轉印用圖案轉印至形成於顯示裝置用之基板上之抗蝕膜。曝光之光係包含自313 nm～436 nm之波長區域中選擇之複數個波長之光之複合光。例如，曝光之光較佳為包含波長334 nm之光、i線、h線及g線中之至少1個之複合光，更佳為包含波長334 nm之光及h線之複合光。藉由使用複合光作為曝光之光，能夠提高曝光之光強度而提昇產出量。因此，能夠降低顯示裝置之製造成本。
根據本實施方式之顯示裝置之製造方法，能夠製造具有高解像度、微細之線與間隙圖案及/或接觸孔的高精細之顯示裝置。
[實施例]
以下，利用實施例對本發明具體地進行說明，但本發明並不限定於該等。
(實施例1)
為了製造實施例1之光罩基底10，首先，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透光性基板20。
其後，將合成石英玻璃基板以主表面朝向下側之方式搭載於托盤(未圖示)，並搬入至連續式濺鍍裝置之腔室內。
為了於透光性基板20之主表面上形成半透過膜30，首先，將包括氬氣(Ar)與氮氣(N
2)之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝14：86)，藉由反應性濺鍍而使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。半透過膜30之膜厚設為膜厚50 nm，以使半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為58%。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚50 nm之半透過膜30。
繼而，將帶有半透過膜30之透光性基板20搬入至第2腔室內，並將氬氣(Ar)與氮氣(N
2)之混合氣體導入至第2腔室內。然後，使用包含鉻之第2濺鍍靶，藉由反應性濺鍍而於半透過膜30上形成含有鉻與氮之氮化鉻(CrN)。繼而，於將第3腔室內設為特定之真空度之狀態下，將氬氣(Ar)與甲烷(CH
4)氣體之混合氣體導入，使用包含鉻之第3濺鍍靶，藉由反應性濺鍍而於CrN上形成含有鉻與碳之碳化鉻(CrC)。最後，於將第4腔室內設為特定之真空度之狀態下，將氬氣(Ar)與甲烷(CH
4)氣體之混合氣體、及氮氣(N
2)與氧氣(O
2)之混合氣體導入，使用包含鉻之第4濺鍍靶，藉由反應性濺鍍而於CrC上形成含有鉻、碳、氧及氮之鉻碳氮氧化物(CrCON)。以如上方式，於半透過膜30上形成CrN層、CrC層及CrCON層之積層構造之蝕刻遮罩膜40。
以此方式，獲得於透光性基板20上形成有半透過膜30與蝕刻遮罩膜40之光罩基底10。
於另一合成石英基板(約152 mm×約152 mm)之主表面上，以與上述實施例1相同之成膜條件形成另一半透過膜。對該半透過膜測定波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k。波長334 nm之光下之折射率n為2.18，消光係數k為0.21。i線(365 nm)下之折射率n為2.19，消光係數k為0.17。又，h線(405 nm)下之折射率n為2.20，消光係數k為0.12。
圖10係表示根據模擬結果導出之能夠抑制透過率之面內分佈及膜厚變動所引起之透過率變動之折射率n與消光係數k之關係、及實施例1、2、比較例1、2中之折射率n與消光係數k的圖。如該圖所示，實施例1之半透過膜30係波長334 nm之光下之折射率n及消光係數k、i線(365 nm)下之折射率n及消光係數k、以及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k均處於上述之(式1)及(式2)所規定之範圍內。
繼而，基於上述實施例1之半透過膜30之折射率n與消光係數k，進行使半透過膜30之膜厚相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為58%之設定膜厚變化時的半透過膜30之透過率、相位差、反射率之模擬。
圖6係表示根據模擬結果導出之實施例1中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係之圖。如該圖所示，可知實施例1之半透過膜30相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為58%之設定膜厚，於39 nm至60 nm之範圍(圖6之Δd之範圍)內，對波長334 nm之光之透過率之膜厚依存性、對i線(365 nm)之透過率之膜厚依存性、對h線(405 nm)之透過率之膜厚依存性均處於容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。
＜透過率及相位差之測定＞
對實施例1之光罩基底10之半透過膜30之表面，藉由Lasertec公司製造之MPM-100測定i線(365 nm)下之透過率及相位差。半透過膜30之透過率、相位差之測定係使用於上述之另一合成石英玻璃基板之主表面上成膜有另一半透過膜的帶有薄膜之基板(於以下之實施例2、比較例1、2中亦同樣)。其結果，實施例1中之i線(365 nm)下之半透過膜30之透過率為58%，相位差為55度。
又，於基準面內之11×11個測定點處測定對波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)之透過率，結果為，透過率變動均為1%以內，均處於容許範圍內。
又，對所獲得之半透過膜30重複6次鹼清洗(氨水過氧化氫混合物(APM)、30℃、5分鐘)而進行清洗，並對半透過膜30之膜厚變動所引起之透過率變化進行評價。其結果，相對於鹼清洗處理前而言，對波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)之透過率之變動均為1%以內，處於容許範圍內。再者，對以相同之成膜條件形成於合成石英玻璃基板上之半透過膜30(虛設基板)進行該評價。根據以上之結果可認為，實施例1之半透過膜30係能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且相對於膜厚變動之透過率變動極小的半透過膜30。
＜轉印用遮罩100及其製造方法＞
使用如上述般製造之實施例1之光罩基底10而製造轉印用遮罩100。首先，使用抗蝕劑塗佈裝置於該光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上塗佈光阻膜。
其後，經過加熱、冷卻步驟而形成光阻膜。
其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪圖，並經過顯影、沖洗步驟而於蝕刻遮罩膜40上形成孔徑為1.5 μm之孔圖案之抗蝕膜圖案。
其後，將抗蝕膜圖案作為遮罩，藉由包含硝酸鈰銨與過氯酸之鉻蝕刻液對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，而形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。
其後，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a作為遮罩，藉由利用純水稀釋氟化氫銨與過氧化氫之混合液所得之矽化鈦蝕刻液而對半透過膜30進行濕式蝕刻，形成半透過膜圖案30a。
其後，將抗蝕膜圖案剝離。
其後，使用抗蝕劑塗佈裝置，以覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之方式塗佈光阻膜。
其後，經過加熱、冷卻步驟而形成光阻膜。
其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪圖，並經過顯影、沖洗步驟而於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成用以形成遮光帶之第2抗蝕膜圖案60。
其後，將第2抗蝕膜圖案60作為遮罩，藉由包含硝酸鈰銨與過氯酸之鉻蝕刻液對形成於轉印用圖案形成區域之第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行濕式蝕刻。
其後，將第2抗蝕膜圖案60剝離。
以此方式，獲得實施例1之轉印用遮罩100，實施例1之轉印用遮罩100係於透光性基板20上，於轉印用圖案形成區域中形成有孔徑為1.5 μm之半透過膜圖案30a、及包括半透過膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。
以如上方式獲得之實施例1之轉印用遮罩100係使用具有半透過膜30之光罩基底10而製作，上述半透過膜30即便於提高對曝光之光之透過率之情形時，亦能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動，因此，成為具有半透過膜圖案30a之轉印用遮罩100，上述半透過膜圖案30a能夠提高對曝光之光之透過率而提高透過率調整效果，能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
根據以上內容可認為，於將實施例1之轉印用遮罩100設置於曝光裝置之遮罩台而曝光轉印至顯示裝置用之基板上之抗蝕膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
(實施例2)
實施例2之光罩基底10除了以如下方式製造半透過膜30以外，按照與實施例1之光罩基底10相同之順序來製造。
實施例2之半透過膜30之形成方法如下所述。
為了於透光性基板20之主表面上形成半透過膜30，首先，將包括氬氣(Ar)與氮氣(N
2)之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝19：81)，藉由反應性濺鍍而使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。半透過膜30之膜厚設為膜厚50 nm，以使半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為44%。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚50 nm之半透過膜30。
其後，與實施例1同樣地，成膜蝕刻遮罩膜40。
於另一合成石英基板(約152 mm×約152 mm)之主表面上，以與上述實施例2相同之成膜條件形成另一半透過膜。對該半透過膜測定波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k。波長334 nm之光下之折射率n為2.39，消光係數k為0.36。i線(365 nm)下之折射率n為2.42，消光係數k為0.31。又，h線(405 nm)下之折射率n為2.44，消光係數k為0.22。
如圖10所示，實施例2之半透過膜30係波長334 nm之光下之折射率n及消光係數k、i線(365 nm)下之折射率n及消光係數k、以及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k均處於上述之(式1)及(式2)所規定之範圍內。
繼而，基於上述實施例2之半透過膜30之折射率n與消光係數k，進行使半透過膜30之膜厚相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為44%之設定膜厚變化時的半透過膜30之透過率、相位差、反射率之模擬。
圖7係表示根據模擬結果導出之實施例2中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係之圖。如該圖所示，可知實施例2之半透過膜30相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為44%之設定膜厚，於38 nm至62 nm之範圍(圖7之Δd之範圍)內，對波長334 nm之光之透過率之膜厚依存性、對i線(365 nm)之透過率之膜厚依存性、對h線(405 nm)之透過率之膜厚依存性均處於容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。
＜透過率及相位差之測定＞
對實施例2之光罩基底10之半透過膜30之表面，藉由Lasertec公司製造之MPM-100測定i線(365 nm)下之透過率及相位差。其結果，實施例2中之i線(365 nm)下之半透過膜30之透過率為44%，相位差為64度。
又，於基準面內之11×11個測定點處測定對波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)之透過率，結果為，透過率變動均為1%以內，均處於容許範圍內。
又，對所獲得之半透過膜30重複6次鹼清洗(氨水過氧化氫混合物(APM)、30℃、5分鐘)而進行清洗，並對半透過膜30之膜厚變動所引起之透過率變化進行評價。其結果，相對於鹼清洗處理前而言，對波長334 nm之光、i線(365 nm)及h線(405 nm)之透過率之變動均為1%以內，處於容許範圍內。再者，對以相同之成膜條件形成於合成石英玻璃基板上之半透過膜30(虛設基板)進行該評價。根據以上之結果可認為，實施例2之半透過膜30係能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且相對於膜厚變動之透過率變動極小的半透過膜30。
＜轉印用遮罩100及其製造方法＞
使用以如上方式製造之實施例2之光罩基底10，按照與實施例1相同之順序製造轉印用遮罩100，獲得實施例2之轉印用遮罩100，實施例2之轉印用遮罩100係於透光性基板20上，於轉印用圖案形成區域中形成有孔徑為1.5 μm之半透過膜圖案30a、及包括半透過膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。
以如上方式獲得之實施例2之轉印用遮罩100係使用具有半透過膜30之光罩基底10而製作，上述半透過膜30能夠提高對曝光之光之透過率而提高透過率調整效果，能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動，因此，成為具有半透過膜圖案30a之轉印用遮罩100，上述半透過膜圖案30a能夠提高對曝光之光之透過率而提高透過率調整效果，能夠抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，並且能夠抑制膜厚變動所引起之透過率變動。
根據以上內容可認為，於將實施例2之轉印用遮罩100設置於曝光裝置之遮罩台而曝光轉印至顯示裝置用之基板上之抗蝕膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
(比較例1)
比較例1之光罩基底10除了以如下方式製造半透過膜30以外，按照與實施例1之光罩基底10相同之順序來製造。
比較例1之半透過膜30之形成方法如下所述。
為了於透光性基板20之主表面上形成半透過膜30，首先，將包括氬氣(Ar)與氮氣(N
2)之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鉬與矽之第1濺鍍靶(鉬：矽＝20：80)，藉由反應性濺鍍而使含有鉬、矽及氮之矽化鉬之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。半透過膜30之膜厚設為膜厚5 nm，以使半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%。以此方式，成膜以矽化鉬之氮化物為材料之膜厚5 nm之半透過膜30。
其後，與實施例1同樣地成膜蝕刻遮罩膜40。
於另一合成石英基板(約152 mm×約152 mm)之主表面上，以與上述比較例1相同之成膜條件形成另一半透過膜。對該半透過膜測定波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k。波長334 nm之光下之折射率n為3.40，消光係數k為1.90。i線(365 nm)下之折射率n為3.50，消光係數k為1.81。又，h線(405 nm)下之折射率n為3.60，消光係數k為1.61。
比較例1之半透過膜30係波長334 nm之光下之折射率n及消光係數k、i線(365 nm)下之折射率n及消光係數k、以及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k均處於圖10所示之上述之(式1)及(式2)所規定之範圍外(由於處於圖10中之折射率n及消光係數k之範圍外，故而未圖示)。
繼而，基於上述比較例1之半透過膜30之折射率n與消光係數k，進行使半透過膜30之膜厚相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%之設定膜厚變化時的半透過膜30之透過率、相位差、反射率之模擬。
圖8係表示根據模擬結果導出之比較例1中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係之圖。如該圖所示，可知比較例1之半透過膜30相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%之設定膜厚，僅能於5 nm至6 nm之範圍(圖8之Δd之範圍)內容許透過率變動，對i線(365 nm)之透過率之膜厚依存性不在容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。又，可知對波長334 nm之光及h線(405 nm)之透過率之膜厚依存性亦不在容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。
＜透過率及相位差之測定＞
對比較例1之光罩基底10之半透過膜30之表面，藉由Lasertec公司製造之MPM-100測定i線(365 nm)下之透過率及相位差。其結果，比較例1中之i線(365 nm)下之半透過膜30之透過率為46%，相位差為12度。
又，於基準面內之11×11個測定點處測定對波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)之透過率，結果為，透過率變動均大幅超過1%，均處於容許範圍外。
又，對所獲得之半透過膜30重複6次鹼清洗(氨水過氧化氫混合物(APM)、30℃、5分鐘)而進行清洗，對半透過膜30之膜厚變動所引起之透過率變化進行評價。其結果，相對於鹼清洗處理前而言，對波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)之透過率之變動均大幅超過1%，處於容許範圍外。再者，對以相同之成膜條件形成於合成石英玻璃基板上之半透過膜30(虛設基板)進行該評價。根據以上之結果可認為，比較例1之半透過膜30係無法抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，而相對於膜厚變動之透過率變動較大的半透過膜30。
＜轉印用遮罩100及其製造方法＞
使用以如上方式製造之比較例1之光罩基底10，按照與實施例1相同之順序製造轉印用遮罩100，獲得比較例1之轉印用遮罩100，比較例1之轉印用遮罩100係於透光性基板20上，於轉印用圖案形成區域中形成有孔徑為1.5 μm之半透過膜圖案30a、及包括半透過膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。
以如上方式獲得之比較例1之轉印用遮罩100係使用基板面內之透過率均一性較差而半透過膜30之相對於膜厚變動之透過率變動較大的光罩基底10來製作，因此，於重複清洗轉印用遮罩100之情形時，半透過膜圖案30a之膜厚減少時，半透過膜圖案30a之透過率之變動較大，製作顯示裝置時，會因轉印用遮罩100而產生圖案轉印之CD(Critical Dimension，臨界尺寸)錯誤。
(比較例2)
比較例2之光罩基底10除了以如下方式製造半透過膜30以外，按照與實施例1之光罩基底10相同之順序來製造。
比較例2之半透過膜30之形成方法如下所述。
為了於透光性基板20之主表面上形成半透過膜30，首先，將包括氬氣(Ar)與氮氣(N
2)之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鉻與矽之第1濺鍍靶(鉻：矽＝80：20)，藉由反應性濺鍍而使含有鉻、矽及氮之矽化鉻之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。半透過膜30之膜厚設為膜厚5 nm，以使半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%。以此方式，成膜以矽化鉬之氮化物為材料之膜厚5 nm之半透過膜30。
其後，與實施例1同樣地成膜蝕刻遮罩膜40。
於另一合成石英基板(約152 mm×約152 mm)之主表面上，以與上述比較例2相同之成膜條件形成另一半透過膜。對該半透過膜測定波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k。波長334 nm之光下之折射率n為2.41，消光係數k為2.65。i線(365 nm)下之折射率n為2.45，消光係數k為2.81。又，h線(405 nm)下之折射率n為2.55，消光係數k為3.00。
比較例2之半透過膜30係波長334 nm之光下之折射率n及消光係數k、i線(365 nm)下之折射率n及消光係數k、以及h線(405 nm)下之折射率n及消光係數k均處於圖10所示之上述之(式1)及(式2)所規定之範圍外(由於處於圖10中之折射率n及消光係數k之範圍外，故而未圖示)。
繼而，基於上述比較例2之半透過膜30之折射率n與消光係數k，進行使半透過膜30之膜厚相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%之設定膜厚變化時的半透過膜30之透過率、相位差、反射率之模擬。
圖9係表示根據模擬結果導出之比較例2中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係之圖。如該圖所示，可知比較例2之半透過膜30相對於半透過膜30對i線(365 nm)之透過率為46%之設定膜厚，僅能於4 nm至5 nm之範圍(圖9之Δd之範圍)內容許透過率變動，對i線(365 nm)之透過率之膜厚依存性不在容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。又，可知對波長334 nm之光及h線(405 nm)之透過率之膜厚依存性亦不在容許範圍內(當膜厚變化5 nm時，透過率變動為2%以內)。
＜透過率及相位差之測定＞
對比較例2之光罩基底10之半透過膜30之表面，藉由Lasertec公司製造之MPM-100測定i線(365 nm)下之透過率及相位差。其結果，比較例1中之i線(365 nm)下之半透過膜30之透過率為46%，相位差為3度。
又，於基準面內之11×11個測定點處測定對波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)之透過率，結果為，透過率變動均大幅超過1%，均處於容許範圍外。
又，對所獲得之半透過膜30重複6次鹼清洗(氨水過氧化氫混合物(APM)、30℃、5分鐘)而進行清洗，對半透過膜30之膜厚變動所引起之透過率變化進行評價。其結果，相對於鹼清洗處理前而言，對波長334 nm之光、i線(365 nm)、及h線(405 nm)之透過率之變動均大幅超過1%，處於容許範圍外。再者，對以相同之成膜條件形成於合成石英玻璃基板上之半透過膜30(虛設基板)進行該評價。根據以上之結果可認為，比較例2之半透過膜30係無法抑制對曝光之光中之複數個波長之透過率之面內分佈，而相對於膜厚變動之透過率變動較大的半透過膜30。
＜轉印用遮罩100及其製造方法＞
使用以如上方式製造之比較例2之光罩基底10，按照與實施例1相同之順序製造轉印用遮罩100，獲得比較例2之轉印用遮罩100，比較例2之轉印用遮罩100係於透光性基板20上，於轉印用圖案形成區域中形成有孔徑為1.5 μm之半透過膜圖案30a、及包括半透過膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶。
以如上方式獲得之比較例2之轉印用遮罩100係使用基板面內之透過率均一性較差而半透過膜30之相對於膜厚變動之透過率變動較大的光罩基底10來製作，因此，於重複清洗轉印用遮罩100之情形時，半透過膜圖案30a之膜厚減少時，半透過膜圖案30a之透過率變動較大，製作顯示裝置時，會因轉印用遮罩100而產生圖案轉印之CD錯誤。
於上述實施例中，對顯示裝置製造用之轉印用遮罩100、及用於製造顯示裝置製造用之轉印用遮罩100之光罩基底10之例進行了說明，但並不限於此。本發明之光罩基底10及/或轉印用遮罩100亦可應用於半導體裝置製造用途、MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統)製造用途、及印刷基板製造用途等。
又，於上述實施例中，對透光性基板20之尺寸為1214尺寸(1220 mm×1400 mm×13 mm)之例進行了說明，但並不限於此。於顯示裝置製造用之光罩基底10之情形時，使用大型(Large Size)之透光性基板20，該透光性基板20之尺寸係主表面之一邊之長度為300 mm以上。顯示裝置製造用之光罩基底10所使用之透光性基板20之尺寸例如為330 mm×450 mm以上2280 mm×3130 mm以下。
又，於半導體裝置製造用、MEMS製造用、印刷基板製造用之光罩基底10之情形時，使用小型(Small Size)之透光性基板20，該透光性基板20之尺寸係一邊之長度為9英吋以下。上述用途之光罩基底10所使用之透光性基板20之尺寸例如為63.1 mm×63.1 mm以上228.6 mm×228.6 mm以下。通常，作為用於半導體裝置製造用及MEMS製造用之轉印用遮罩100之透光性基板20，使用6025尺寸(152 mm×152 mm)或5009尺寸(126.6 mm×126.6 mm)。又，通常，作為用於印刷基板製造用之轉印用遮罩100之透光性基板20，使用7012尺寸(177.4 mm×177.4 mm)或9012尺寸(228.6 mm×228.6 mm)。
1:遮光部
1':部分
2:透過部
2':部分
3:灰階部
3':部分
3a':灰階光罩用半透光性膜(半透光性膜)
10:光罩基底
20:透光性基板
30:半透過膜
30a:半透過膜圖案(轉印圖案)
40:蝕刻遮罩膜
40a:第1蝕刻遮罩膜圖案(轉印圖案)
40b:第2蝕刻遮罩膜圖案
50:第1抗蝕膜圖案
60:第2抗蝕膜圖案
100:轉印用遮罩
A1:曲線
A2:曲線
A3:曲線
A4:曲線
A5:曲線
k:消光係數
n:折射率
圖1係表示本發明之實施方式之光罩基底之膜構成之剖視模式圖。
圖2係表示本發明之實施方式之光罩基底之其他膜構成之剖視模式圖。
圖3(a)～(e)係表示本發明之實施方式之轉印用遮罩之製造步驟之剖視模式圖。
圖4(a)～(c)係表示本發明之實施方式之轉印用遮罩之其他製造步驟之剖視模式圖。
圖5係表示根據模擬結果導出之對於波長405 nm之光(h線)之以特定之折射率n改變消光係數k時之半透過膜之膜厚與透過率之關係之一例的圖。
圖6係表示根據模擬結果導出之實施例1中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係的圖。
圖7係表示根據模擬結果導出之實施例2中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係的圖。
圖8係表示根據模擬結果導出之比較例1中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係的圖。
圖9係表示根據模擬結果導出之比較例2中之半透過膜之膜厚、透過率、及反射率之關係的圖。
圖10係表示根據模擬結果導出之能夠抑制透過率之面內分佈及膜厚變動所引起之透過率變動之折射率n與消光係數k之關係、及實施例1、2、比較例1、2中之折射率n與消光係數k的圖。
圖11係用於說明具有半透光性膜(半透過膜)之灰階光罩之圖，(1)係局部俯視圖，(2)係局部剖視圖。
k:消光係數
n:折射率
Claims (16)
- 一種光罩基底，其特徵在於具備透光性基板、及設置於上述透光性基板之主表面上之半透過膜， 上述半透過膜中之對波長334 nm之光之折射率n及消光係數k、以及對波長405 nm之光之折射率n及消光係數k均滿足(式1)及(式2)之關係： (式1)k≧0.282×n－0.514 (式2)k≦0.500×n＋0.800。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜之對波長334 nm之光之消光係數k大於0。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜之對波長334 nm之光之折射率n為2.0以上。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜之厚度為30 nm以上70 nm以下。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜之對波長334 nm之光之透過率為20%以上60%以下。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜之對波長334 nm之光之相位差為0度以上120度以下。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜中之對波長365 nm之光之折射率n及消光係數k亦滿足上述(式1)及(式2)之關係。
- 如請求項1之光罩基底，其中上述半透過膜含有金屬、矽、及氮。
- 如請求項1之光罩基底，其中於上述半透過膜上具備相對於上述半透過膜而蝕刻選擇性不同之蝕刻遮罩膜。
- 如請求項9之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜含有鉻。
- 一種轉印用遮罩，其特徵在於在如請求項1之光罩基底之上述半透過膜形成有轉印圖案。
- 一種轉印用遮罩，其特徵在於在如請求項9之光罩基底之上述半透過膜形成有轉印圖案，且於上述蝕刻遮罩膜形成有與上述轉印圖案不同之圖案。
- 一種轉印用遮罩之製造方法，其特徵在於包含如下步驟： 準備如請求項1之光罩基底； 於上述半透過膜上形成具有轉印圖案之抗蝕膜；及 將上述抗蝕膜作為遮罩而進行濕式蝕刻，於上述半透過膜形成轉印圖案。
- 一種轉印用遮罩之製造方法，其包含如下步驟： 準備如請求項9之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成具有轉印圖案之抗蝕膜； 將上述抗蝕膜作為遮罩而進行濕式蝕刻，於上述蝕刻遮罩膜形成轉印圖案；及 將形成有上述轉印圖案之蝕刻遮罩膜作為遮罩而進行濕式蝕刻，於上述半透過膜形成轉印圖案。
- 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包含如下步驟： 將如請求項11或12之轉印用遮罩載置於曝光裝置之遮罩台；及 對上述轉印用遮罩照射曝光之光，將轉印圖案轉印至設置於顯示裝置用之基板上之感光性膜。
- 如請求項15之顯示裝置之製造方法，其中上述曝光之光係包含波長334 nm之光與波長405 nm之光之複合光。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022-107664 | 2022-07-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202417969A true TW202417969A (zh) | 2024-05-01 |
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ID=
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