JP4335729B2 - Photomask blank and method for adjusting reflectance of photomask blank - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細加工に好適に用いられるフォトマスクブランクに関するものである。 The present invention relates to a photomask blank suitably used for fine processing of a semiconductor integrated circuit, a CCD (charge coupled device), a color filter for an LCD (liquid crystal display device), a magnetic head, and the like.
ＬＳＩ，ＶＬＳＩ等の高密度半導体集積回路や、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＬＣＤ（液晶表示素子）用のカラーフィルターや磁気ヘッド等の微細加工には、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられている。 Photolithography technology using a photomask is used for fine processing of high-density semiconductor integrated circuits such as LSI and VLSI, color filters for CCD (charge coupled device) and LCD (liquid crystal display device), and magnetic heads. ing.
上記フォトマスクとしては、石英ガラス、アルミノシリケートガラス等の透明な基板の上に、一般的にはクロム（Ｃｒ）から成る遮光膜をスパッタ法もしくは真空蒸着法等で形成したフォトマスクブランクを用い、この遮光膜に所定のパターンを形成したものをフォトマスクとして用いている。 As the photomask, a photomask blank in which a light-shielding film generally made of chromium (Cr) is formed on a transparent substrate such as quartz glass or aluminosilicate glass by a sputtering method or a vacuum evaporation method is used. The light shielding film having a predetermined pattern is used as a photomask.
このようなフォトマスクは、基板上に遮光膜を形成したフォトマスクブランクに、フォトレジストや電子線レジストを塗布した後に所定のパターンに選択的に露光し、現像、リンスおよび乾燥の各工程を経てレジストパターンを形成する。次いでこのレジストパターンをマスクにして、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液からなるエッチング液を用いてウエットエッチングを行うか、または塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、マスクされていない部分のクロム膜を除去した後にレジストを除去することによって、遮光部と透光部とから成る所定のパターンが形成されたフォトマスクを製造することができる。 In such a photomask, a photomask blank having a light shielding film formed on a substrate is coated with a photoresist or an electron beam resist, and then selectively exposed to a predetermined pattern, followed by development, rinsing, and drying processes. A resist pattern is formed. Next, using this resist pattern as a mask, wet etching is performed using an etching solution composed of a mixed aqueous solution of cerium ammonium nitrate and perchloric acid, or dry etching using a chlorine-based gas is performed, and an unmasked portion is etched. By removing the resist after removing the chromium film, it is possible to manufacture a photomask on which a predetermined pattern including a light shielding portion and a light transmitting portion is formed.
このようなフォトマスクをリソグラフィー法に使用した場合、Ｃｒ系の遮光膜は反射率が大きく、被露光物であるシリコンウエーハ等で反射した光が、投影レンズを通ってフォトマスクで反射し、再びシリコンウエーハに戻る多重反射を防止するため、通常、遮光膜には反射防止膜を形成している。 When such a photomask is used in the lithography method, the Cr-based light shielding film has a high reflectance, and the light reflected by the silicon wafer or the like to be exposed is reflected by the photomask through the projection lens, and again. In order to prevent multiple reflections returning to the silicon wafer, an antireflection film is usually formed on the light shielding film.
このような反射防止膜を有するフォトマスクブランクおよびフォトマスクとしては、透明基板上に形成されたＣｒ遮光膜の表面側に反射防止膜としてＣｒＯＮＣ膜を形成し、Ｃｒ遮光膜と透明基板の境界層にも反射防止膜を形成したフォトマスクブランクが提案されている（例えば特許文献１参照）。また、これらの反射防止膜にはＣｒＯＮを用いたもの（例えば特許文献２および特許文献３参照）やＣｒＮ（例えば特許文献４および特許文献５参照）を用いることが開示されている。
また、遮光膜にはＣｒ（例えば特許文献２参照）やＣｒＣ（例えば特許文献５参照）等を用いることが知られている。
As a photomask blank and a photomask having such an antireflection film, a CrONC film is formed as an antireflection film on the surface side of the Cr light shielding film formed on the transparent substrate, and a boundary layer between the Cr light shielding film and the transparent substrate. In addition, a photomask blank in which an antireflection film is formed has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Further, it is disclosed that these antireflection films are made of CrON (see, for example, Patent Document 2 and Patent Document 3) or CrN (see, for example,
Further, it is known to use Cr (for example, see Patent Document 2), CrC (for example, see Patent Document 5) or the like for the light shielding film.
また、解像度をあげるためにハーフトーン膜を形成した上にＣｒ膜を形成したマスクブランクも実用化されている。 In addition, a mask blank in which a Cr film is formed on a halftone film in order to increase resolution has been put into practical use.
フォトマスクブランクの反射率は、前述したフォトマスクと半導体基板等の被露光物の間の多重反射を防止するため、露光波長で低いことが求められている。それと同時に、欠陥検査を行う３６５ｎｍや４８８ｎｍなどの露光波長より長波長である検査波長において十分な感度を得るために、所定の反射率であることも要求されている。ところが、近年では半導体集積回路の高集積化等の市場要求に伴いフォトマスクのパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光波長を２４８，１９３ｎｍ，１５７ｎｍと短波長化するにしたがって、フォトマスクブランクの反射率を露光波長で低反射率にするのと同時に、検査波長で十分な検査感度が得られる反射率になるよう調整することが困難であるという問題が生じてきた。 The reflectance of the photomask blank is required to be low at the exposure wavelength in order to prevent the multiple reflection between the photomask and the exposed object such as a semiconductor substrate. At the same time, in order to obtain sufficient sensitivity at an inspection wavelength longer than the exposure wavelength such as 365 nm and 488 nm for performing defect inspection, a predetermined reflectance is also required. However, in recent years, along with market demands such as higher integration of semiconductor integrated circuits, the miniaturization of photomask patterns has progressed rapidly, and as the exposure wavelengths are shortened to 248, 193 nm, and 157 nm, There has been a problem that it is difficult to adjust the reflectivity of the mask blank so that a sufficient reflectivity can be obtained at the inspection wavelength, while at the same time reducing the reflectivity of the mask blank at the exposure wavelength.
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、露光波長と検査波長の両方において所定の反射率を有するフォトマスクブランク、及びこのようなフォトマスクブランクの反射率調整方法を提供する。 The present invention has been made to solve the above problem, and provides a photomask blank having a predetermined reflectance at both the exposure wavelength and the inspection wavelength, and a method for adjusting the reflectance of such a photomask blank. .
上記目的を達成するための本発明は、フォトマスクブランクであって、少なくとも基板上に、遮光膜と、反射防止膜と、遮光膜と反射防止膜の間に反射率調整層を含むことを特徴とするフォトマスクブランクである。 The present invention for achieving the above object is a photomask blank, comprising at least a light shielding film, an antireflection film, and a reflectance adjusting layer between the light shielding film and the antireflection film, at least on a substrate. A photomask blank .
このように、遮光膜と反射防止膜の間に反射率調整層を設けることにより、フォトマスクブランクの反射率が、露光波長で低くなりフォトマスクと被露光物間の多重反射を防止でき、かつ検査波長で充分な感度が得られる。 Thus, by providing a reflectance adjustment layer between the light-shielding film and the antireflection film, the reflectance of the photomask blank becomes lower at the exposure wavelength, and multiple reflections between the photomask and the object to be exposed can be prevented, and Sufficient sensitivity can be obtained at the inspection wavelength.
この場合、遮光膜、反射率調整層、反射防止膜が同じ金属元素を含むことが好ましい。 In this case, the light-shielding film, the reflectivity adjustment layer, it is good preferable that the antireflection film comprises the same metal element.
このように、遮光膜、反射率調整層、反射防止膜が同じ金属元素を含んでいれば、露光後のエッチング工程で同一のエッチングガスまたはエッチング液で処理することができるため有利である。 Thus, if the light shielding film, the reflectance adjustment layer, and the antireflection film contain the same metal element, it is advantageous because they can be processed with the same etching gas or etching solution in the etching process after exposure.
この場合、遮光膜がクロムを含むことが好ましい。 In this case, it is good preferable that the light shielding film includes chromium.
このように、遮光膜がクロムを含んでいれば、耐久性の高い遮光膜とすることが可能である。 Thus, if the light shielding film contains chromium, a highly durable light shielding film can be obtained.
この場合、露光波長において反射率が２０％以下であることが好ましい。 In this case, it is good preferable reflectance at the exposure wavelength is 20% or less.
このように、露光波長において反射率が２０％以下であれば、例えば、前述のフォトマスクとシリコンウェーハなどの被露光物との間の多重反射を十分に防止することができる。 Thus, if the reflectance is 20% or less at the exposure wavelength, for example, multiple reflections between the aforementioned photomask and an object to be exposed such as a silicon wafer can be sufficiently prevented.
この場合、露光波長が２４８ｎｍ以下であることが好ましく、さらに、１９３ｎｍ以下であることがより好ましい。 In this case, it is good Mashiku exposure wavelength is below 248 nm, further, it is more favorable preferable is 193nm or less.
このように、本発明のフォトマスクブランクは、短波長の露光波長において、反射率を低いものとすることができるため、フォトリソグラフィーに用いた場合に、フォトマスクと被露光物間の多重反射を防いで、所望の微細な幅のパターンを正確に形成することができ、半導体集積回路装置などにおける高集積化、微細化に十分対応することができるものである。 As described above, since the photomask blank of the present invention can have a low reflectance at an exposure wavelength of a short wavelength, when used in photolithography, multiple reflections between the photomask and the object to be exposed are performed. Thus, a pattern with a desired fine width can be accurately formed, and can sufficiently cope with high integration and miniaturization in a semiconductor integrated circuit device or the like.
この場合、検査波長において反射率が１０〜２０％であることが好ましい。 In this case, it is good preferable reflectance of 10 to 20% at the inspection wavelength.
このように、検査波長での反射率が１０〜２０％であれば、欠陥検査を行う検査波長において十分な検査感度を得ることができ、精度良くフォトマスクブランクの欠陥検査を行うことが可能となる。 Thus, if the reflectance at the inspection wavelength is 10 to 20%, sufficient inspection sensitivity can be obtained at the inspection wavelength for performing the defect inspection, and the defect inspection of the photomask blank can be performed with high accuracy. Become.
そして本発明によれば、少なくとも基板上に、遮光膜と、反射防止膜とを有するフォトマスクブランクにおいて、遮光膜と反射防止膜との間に反射率調整層を設け、反射防止膜と反射率調整層とで露光波長及び検査波長におけるフォトマスクブランクの反射率を所定の範囲内に調整することを特徴とするフォトマスクブランクの反射率調整方法が提供される。 According to the present invention, in a photomask blank having at least a substrate and a light shielding film and an antireflection film, a reflectance adjustment layer is provided between the light shielding film and the antireflection film, and the antireflection film and the reflectance are provided. A reflectance adjustment method for a photomask blank is provided, wherein the reflectance of the photomask blank at an exposure wavelength and an inspection wavelength is adjusted within a predetermined range with the adjustment layer .
このように、遮光膜と反射防止膜との間に反射率調整層を設け、反射防止膜と反射率調整層とで露光波長及び検査波長におけるフォトマスクブランクの反射率を所定の範囲内に調整することで、得られるフォトマスクブランクの反射率を、露光波長で低くし且つ検査波長で十分な感度を有する値とすることが可能となる。 Thus, a reflectance adjustment layer is provided between the light shielding film and the antireflection film, and the reflectance of the photomask blank at the exposure wavelength and the inspection wavelength is adjusted within a predetermined range by the antireflection film and the reflectance adjustment layer. By doing so, it becomes possible to make the reflectance of the obtained photomask blank low at the exposure wavelength and at a value having sufficient sensitivity at the inspection wavelength.
以上説明したように、本発明によれば、露光波長で反射率が小さく、検査波長で所定の範囲内の反射率を有するフォトマスクブランクを得ることができる。また、露光波長と検査波長の両方においてフォトマスクブランクの反射率を所望の範囲内に調整することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain a photomask blank having a low reflectance at the exposure wavelength and a reflectance within a predetermined range at the inspection wavelength. In addition, the reflectance of the photomask blank can be adjusted within a desired range at both the exposure wavelength and the inspection wavelength.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these embodiments.
本発明者が検討した結果、遮光膜と反射防止膜との間に反射率調整層を設けることによって、露光波長と検査波長の両方においてフォトマスクブランクの反射率を調整でき、露光波長において反射率が低く、且つ欠陥検査を行う検査波長において十分な感度を得るために必要な反射率を有するフォトマスクブランクを得ることができることを見出し、本発明を完成させた。 As a result of investigation by the present inventors, by providing a reflectance adjustment layer between the light shielding film and the antireflection film, the reflectance of the photomask blank can be adjusted at both the exposure wavelength and the inspection wavelength, and the reflectance at the exposure wavelength can be adjusted. The present invention has been completed by finding that a photomask blank having a low reflectivity and a reflectance necessary for obtaining sufficient sensitivity at an inspection wavelength for performing defect inspection can be obtained.
図１は、本発明のフォトマスクブランクの構造の一例を示す図である。本発明のフォトマスクブランク１０では、基板１上に順に遮光膜２、反射率調整層３、反射防止膜４が形成されている。基板１には、石英などの透明基板を用いることができる。
FIG. 1 is a diagram showing an example of the structure of the photomask blank of the present invention. In the photomask blank 10 of the present invention, a light shielding film 2, a reflectance adjustment layer 3, and an
一般に、反射防止膜４は、多重反射の干渉効果を利用して特定の波長での反射率を低減するものである。フォトマスクブランクについて露光波長領域の光の反射率を低減させるには、フォトマスクブランクを構成する各層からの多重反射する光の干渉効果を大きくする必要があり、そのためには反射防止膜４を透明にする必要がある。しかし、反射防止膜４を透明にしフォトマスクブランクの露光波長領域で所望の反射率に低減させたとしても、露光波長領域以外の波長領域、例えば検査波長領域では反射率が大きくなったり、逆に小さくなり過ぎたりして所定範囲内に反射率を調整することは困難である。一方、反射防止膜４の光透過率を低くすると、多重反射による反射防止効果が小さくなり、露光波長領域におけるフォトマスクブランクの反射率を低減させることはできない。また、遮光膜２もフォトマスクブランクの反射率に寄与しているが、遮光膜２は光を十分に遮光する必要があるため、遮光膜２自体の特性を大きく変化させることはできない。
In general, the
そこで、本発明者は遮光膜２と反射防止膜４との間に反射率調整層３を形成することによって、検査波長から露光波長までの広い波長領域で反射率を調整することを発想した。反射防止膜４と異なり、反射率調整層３を光透過率の低い膜とすることで、反射率調整層３と反射防止膜４との界面で反射する光のみが反射防止膜４内で多重反射するので、実質上反射率調整層３と反射防止膜４とでフォトマスクブランクの反射率を制御できる。反射防止膜４と組み合わせて、特定の波長、すなわち露光波長及び検査波長におけるフォトマスクブランクの反射率が所定の範囲内となるように反射率調整層３と反射防止膜４との界面での反射率を調整する。したがって、本発明の反射率調整層３の露光波長及び検査波長における消衰係数の値は、反射防止膜４の消衰係数と遮光膜２の消衰係数の間の値である。このように、屈折率と消衰係数が反射防止膜４と遮光膜２の間の値となる反射率調整層３を設けることによって、種々の波長に対して適宜反射率を調整できる。
Therefore, the present inventor has conceived that the reflectance is adjusted in a wide wavelength region from the inspection wavelength to the exposure wavelength by forming the reflectance adjusting layer 3 between the light shielding film 2 and the
遮光膜２、反射率調整層３及び反射防止膜４は、それぞれ異なる金属元素で構成されていても良いが、エッチング工程を考慮すると同一金属元素を含むことが好ましい。本発明の場合、エッチング工程は公知のドライエッチングあるいはウェットエッチングから選択することができるが、遮光膜２、反射率調整層３及び反射防止膜４が異なる金属元素で構成されていると、金属元素ごとにエッチングガスやエッチング液を適宜選択する必要が生じ、工程が煩雑化してしまう。同一金属元素を含めば、同じエッチングガスあるいはエッチング液を使用することができ、エッチング工程が簡略化するので有利である。
The light shielding film 2, the reflectance adjusting layer 3, and the
本発明に用いられる遮光膜２は、耐久性の観点からＣｒ系膜であることが好ましく、特にＣｒ膜であることが好ましい。そのため、本発明の反射率調整層３及び反射防止膜４としてＣｒ系材料が用いられ、具体的にはＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯＮＣ等である。反射率調整層３と反射防止膜４は、異なる組成であっても良く、同一組成であっても良い。同一組成の物質を使用する場合は、構成元素の比率を変化させて光学特性を異なるものにすることができる。
The light shielding film 2 used in the present invention is preferably a Cr-based film from the viewpoint of durability, and particularly preferably a Cr film. Therefore, a Cr-based material is used as the reflectance adjustment layer 3 and the
本発明のフォトマスクブランクで使用できる露光波長には特に制限はないが、近年用いられる短波長である波長２４８ｎｍ以下、特に波長１９３ｎｍ以下とすることができる。マスクとシリコンウエーハ等の被露光物の間における多重反射を低減するため、フォトマスクブランクの露光波長での反射率は小さければ小さいほど好ましく、例えば、反射率２０％以下とすれば多重反射の影響を十分に低減することができる。 The exposure wavelength that can be used in the photomask blank of the present invention is not particularly limited, but can be a wavelength of 248 nm or less, particularly a wavelength of 193 nm or less, which is a short wavelength used in recent years. In order to reduce the multiple reflection between the exposure object such as the mask and the silicon wafer, the reflectance at the exposure wavelength of the photomask blank is preferably as small as possible. For example, if the reflectance is 20% or less, the influence of the multiple reflection is caused. Can be sufficiently reduced.
一方、欠陥検査等の検査波長は、一般に露光に用いられる波長よりも長い波長が用いられ、例えば露光波長を１９３ｎｍや２４８ｎｍとする場合では、３６５ｎｍ及び４８８ｎｍが用いられる。この検査波長において十分な感度を得るためには、フォトマスクブランクの反射率を１０〜２０％にする必要がある。 On the other hand, the inspection wavelength for defect inspection or the like is generally longer than the wavelength used for exposure. For example, when the exposure wavelength is 193 nm or 248 nm, 365 nm and 488 nm are used. In order to obtain sufficient sensitivity at this inspection wavelength, the reflectance of the photomask blank needs to be 10 to 20%.
本発明のフォトマスクブランクは、反応性スパッタリング法などにより遮光膜２、反射率調整層３、反射防止膜４を順次成膜することにより製造することができる。反応性スパッタリングの場合、反応性ガスの種類、ガス流量、成膜圧力などをパラメーターとして、所望の組成や物性を有する膜を成膜することが可能である。
The photomask blank of the present invention can be manufactured by sequentially forming the light shielding film 2, the reflectance adjusting layer 3, and the
スパッタリング方式としては、直流（ＤＣ）電源を用いても高周波（ＲＦ）電源を用いても良く、マグネトロン方式あるいはその他の方式であっても良い。また、成膜装置としては、通過式でも枚葉式でも構わない。 As a sputtering method, a direct current (DC) power source or a high frequency (RF) power source may be used, and a magnetron method or other methods may be used. Further, the film forming apparatus may be a passing type or a single wafer type.
ターゲットとしては金属クロムの他、目標の組成に合わせてクロムを主成分とし酸素、窒素、炭素等を添加したターゲットであっても良い。 In addition to metallic chromium, the target may be a target containing chromium as a main component and oxygen, nitrogen, carbon or the like added in accordance with the target composition.
スパッタリングガスとしては、Ａｒ、Ｎｅなどの不活性ガスを用いることができる。また、反応性ガスは、目的の組成に合わせて適宜選択する。例えば、ＣｒＯを成膜する時にはＯ２等の酸素を含むガスを用い、ＣｒＯＮを成膜する時にはＮ２、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ等の窒素を含むガスとＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２等の酸素を含むガスを混合して用い、ＣｒＯＮＣを成膜する時にはＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ４等の炭素を含むガスとＮ２、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ等の窒素を含むガスとＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、ＣＯ２等の酸素を含むガスを混合して用いる。 As the sputtering gas, an inert gas such as Ar or Ne can be used. The reactive gas is appropriately selected according to the target composition. For example, a gas containing oxygen such as O 2 is used when depositing CrO, and a gas containing nitrogen such as N 2 , NO 2 , N 2 O, and NO and O 2 , N 2 O, A gas containing oxygen such as NO and NO 2 is used in combination, and a gas containing carbon such as CO, CO 2 and CH 4 and nitrogen such as N 2 , NO 2 , N 2 O and NO are used when forming a CrONC film. A gas containing oxygen and a gas containing oxygen such as O 2 , N 2 O, NO, NO 2 , CO 2 are mixed and used.
具体的には、Ｃｒから成る遮光膜２を成膜する際には、基板１上に、ＣｒをターゲットとしスパッタリングガスとしてＡｒを用いて成膜する。エッチング特性を考慮して、スパッタリングガスに、少なくともＮ、Ｏ、Ｃのいずれかの元素を含むガスを加えても良い。 Specifically, when the light shielding film 2 made of Cr is formed, the film is formed on the substrate 1 using Cr as a target and Ar as a sputtering gas. In consideration of etching characteristics, a gas containing at least one of N, O, and C may be added to the sputtering gas.
反射率調整層３あるいは反射防止膜４に適用可能なＣｒＯＣＮを成膜する際には、Ｃｒをターゲットとし、スパッタリングガスとしてのＡｒと反応性ガスとしてのＣＯ、ＣＨ４、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２等のＣ、Ｎ、Ｏのいずれか一種以上を含むガスを混合したガスを用いて成膜する。反射率調整層が光吸収膜となり、且つ露光波長及び検査波長における反射率調整層の消衰係数が反射防止膜の消衰係数と遮光膜の消衰係数の間の値になるよう、スパッタされるＣｒ原子に対する反応性ガス量を適宜制御しながら成膜する。
When forming CrOCN applicable to the reflectivity adjusting layer 3 or the
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
６インチの角形石英基板上に、ＣｒをターゲットとしてスパッタリングガスとしてＡｒを用い、成膜圧力０．３Ｐａ、投入電力２５０Ｗ、成膜前加熱温度１２０℃でＤＣスパッタリング法にて、膜厚７０ｎｍのＣｒ遮光膜を形成した。次に、このＣｒ遮光膜上にＣｒをターゲットにして、スパッタリングガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＣＯ２、Ｎ２を用い、成膜圧力０．３Ｐａ、投入電力２５０ＷでＤＣスパッタリング法にて、膜厚１０ｎｍのＣｒＯＮＣからなる反射率調整層を形成した。さらにこの反射率調整層の上に、ＣｒをターゲットとしてスパッタリングガスとしてＡｒ、反応性ガスとしてＣＯ２、Ｎ２を用い、成膜圧力０．３Ｐａ、投入電力２５０ＷでＤＣスパッタリング法にて、膜厚２０ｎｍのＣｒＯＮＣから成る反射防止膜を形成し、フォトマスクブランクを得た。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited to these.
Example 1
On a 6-inch square quartz substrate, Cr is used as a sputtering gas, Ar is used as a sputtering gas, a film forming pressure is 0.3 Pa, an input power is 250 W, a heating temperature before film formation is 120 ° C., and a film having a thickness of 70 nm is formed by DC sputtering. A light shielding film was formed. Next, using Cr as a target on this Cr light-shielding film, using Ar as a sputtering gas, CO 2 and N 2 as reactive gases, a film forming pressure of 0.3 Pa, an input power of 250 W, and a DC sputtering method, A reflectance adjustment layer made of CrONC having a thickness of 10 nm was formed. Furthermore, on this reflectance adjustment layer, Cr is used as a sputtering gas, Ar is used as a sputtering gas, CO 2 and N 2 are used as reactive gases, a film forming pressure is 0.3 Pa, an input power is 250 W, and a DC sputtering method is used. An antireflection film made of 20 nm CrONC was formed to obtain a photomask blank.
得られたフォトマスクブランクの反射率を、波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍ、４８８ｎｍで測定した。その結果、波長１９３ｎｍでの反射率が１２％、波長２４８ｎｍでの反射率が１２％、波長３６５ｎｍでの反射率が１０％、波長４８８ｎｍでの反射率が１４％であった。
このように、本発明の実施例のフォトマスクブランクは、露光波長及び検査波長の両方で所望の反射率範囲内であることが判る。
The reflectance of the obtained photomask blank was measured at wavelengths of 193 nm, 248 nm, 365 nm, and 488 nm. As a result, the reflectance at a wavelength of 193 nm was 12%, the reflectance at a wavelength of 248 nm was 12%, the reflectance at a wavelength of 365 nm was 10%, and the reflectance at a wavelength of 488 nm was 14%.
Thus, it can be seen that the photomask blank of the example of the present invention is within the desired reflectance range at both the exposure wavelength and the inspection wavelength.
（比較例１）
６インチの角形石英基板上に、実施例１と同様の条件で膜厚７０ｎｍのＣｒ遮光膜を形成した。次に、反射率調整層を形成することなく、このＣｒ遮光膜上に実施例１と同様の条件で膜厚２０ｎｍのＣｒＯＮから成る反射防止膜を形成し、フォトマスクブランクを得た。
(Comparative Example 1)
A Cr light-shielding film having a thickness of 70 nm was formed on a 6-inch square quartz substrate under the same conditions as in Example 1. Next, an antireflection film made of CrON having a thickness of 20 nm was formed on the Cr light-shielding film under the same conditions as in Example 1 without forming a reflectance adjustment layer, thereby obtaining a photomask blank.
得られたフォトマスクブランクの反射率を、波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍ、４８８ｎｍで測定した。その結果、波長１９３ｎｍでの反射率は１６％、波長２４８ｎｍでの反射率が１４％、波長３６５ｎｍでの反射率が８％、波長４８８ｎｍでの反射率が２３％であった。 The reflectance of the obtained photomask blank was measured at wavelengths of 193 nm, 248 nm, 365 nm, and 488 nm. As a result, the reflectance at a wavelength of 193 nm was 16%, the reflectance at a wavelength of 248 nm was 14%, the reflectance at a wavelength of 365 nm was 8%, and the reflectance at a wavelength of 488 nm was 23%.
このように、比較例のフォトマスクブランクは、露光波長では所望の範囲内の反射率を有し十分な反射防止効果が得られるが、検査波長では所望の反射率から外れるため欠陥検査で十分な感度を得ることはできない。 As described above, the photomask blank of the comparative example has a reflectance within a desired range at the exposure wavelength and has a sufficient antireflection effect. However, since it deviates from the desired reflectance at the inspection wavelength, the defect inspection is sufficient. Sensitivity cannot be obtained.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above embodiment is merely an example, and the present invention has the same configuration as that of the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
例えば、上記では、遮光層上に反射率調整層と反射防止膜とを設けているが、反射防止膜は遮光膜上に積層する場合に限られず、遮光膜を挟んで上下に設けるようにしてもよい。 For example, in the above description, the reflectance adjustment layer and the antireflection film are provided on the light shielding layer. Also good.
１…基板、 ２…遮光膜、 ３…反射率調整層、 ４…反射防止膜、
１０…フォトマスクブランク。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate, 2 ... Light-shielding film, 3 ... Reflectivity adjustment layer, 4 ... Antireflection film,
10: Photomask blank.
Claims (7)
前記遮光膜、反射率調整層、反射防止膜は同じ金属元素を含み、
前記反射率調整層は、露光波長及び検査波長における消衰係数の値が、前記反射防止膜の消衰係数と前記遮光膜の消衰係数の間の値であるものであり、
前記反射防止膜は、前記反射率調整層と前記反射防止膜との界面で反射する光を多重反射して、露光波長及び検査波長における前記フォトマスクブランクの反射率を所定の範囲内に調整するものであることを特徴とするフォトマスクブランク。 A photomask blank, comprising at least a light shielding film, an antireflection film, and a reflectance adjustment layer between the light shielding film and the antireflection film, on at least the substrate,
The light shielding film, the reflectance adjustment layer, and the antireflection film contain the same metal element,
The reflectance adjustment layer is such that the value of the extinction coefficient at the exposure wavelength and the inspection wavelength is a value between the extinction coefficient of the antireflection film and the extinction coefficient of the light shielding film,
The antireflection film multi-reflects light reflected at the interface between the reflectance adjustment layer and the antireflection film, and adjusts the reflectance of the photomask blank within a predetermined range at an exposure wavelength and an inspection wavelength. A photomask blank characterized by being a thing.
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