JP4269264B2 - 薄型温度ヒューズ - Google Patents

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Description

本発明は薄型温度ヒューズに関するものである。
近来、携帯電話、ノート型パソコン等の携帯電子機器の二次電源として、リチウムイオン2次電池やリチウムポリマー二次電池等のエネルギー密度の大きい二次電池が使用されている。
これらの二次電池においては、異常時に生じる発熱温度がその大なるエネルギー密度のために高温である。
そこで、薄型温度ヒューズを装着し、その高温に達するまえに電池の通電回路を遮断して重大な事故に至るのを未然に防止することが知られている。
例えば、図9に示す電池パックのように、二次電池を収納する扁平ケース8の側面に薄型温度ヒューズP’を装着し、温度ヒューズの作動で二次電池を負荷から遮断させ得るように所定の回路板81を介して二次電池に回路接続している。
図9において、1’,1’は薄型温度ヒューズの扁平リード導体、82a,82bは電池パックの外部電極であり、リード導体と電極との間をスポット抵抗溶接等により接続してある。
この薄型温度ヒューズとしては、フィルムタイプ、基板タイプ、樹脂モールドタイプ等が知られている。
図10の(イ)は従来公知のフィルムタイプの一例を一部を断面で示す平面図、図10の(ロ)は図10の(イ)におけるロ−ロ断面図である。
図10において、41’は下側樹脂フィルム、1’,1’は下側樹脂フィルム上に配設された一対の扁平リード導体、2’はリード導体1’,1’間に接続された可溶合金片、3’は可溶合金片上及び可溶合金片近傍のリード導体部分に塗布されたフラックスである。42’は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス3’上に湾曲された状態で周囲が下側樹脂フィルム及41’び扁平リード導体1’に封着されている。
11の(イ)は従来公知のフィルムタイプの別例を一部を断面で示す平面図、図11の(ロ)は図11の(イ)におけるロ−ロ断面図である。
図11において、41’は下側樹脂フィルム、1’,1’は一対の扁平リード導体であり、前記フィルム41’の下面に前半部が固着されると共に先端部101’が絞り出されて前記フィルムの上面に現出されている。2’はリード導体現出部101’,101’間に接続された可溶合金片、3’は可溶合金片2’及び導体現出部101’の可溶合金片端近傍部分に塗布されたフラックスである。42’は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス3’上に湾曲された状態で周囲が下側樹脂フィルム41’及び扁平リード導体1’に封着されている。
図12の(イ)は従来公知の樹脂モールドタイプを示す平面図、図12の(ロ)は図12の(イ)におけるロ−ロ断面図である。
図12において、1’,1’は扁平リード導体、2’は扁平リード導体間に接続された可溶合金片、3’は可溶合金片及び可溶合金片端近傍のリード導体部分に塗布されたフラックスである。40’は樹脂モールド被覆であり、エポキシ樹脂等の硬化型樹脂液の浸漬塗装により設けられている。
図13の(イ)は従来公知の基板タイプの一例を一部を断面で示す平面図、図13の(ロ)は図13の(イ)におけるロ−ロ断面図である。
図13において、51’はセラミックス板のような絶縁基体、6’,6’は絶縁基体上に設けられた一対の電極、1’,1’は各電極6’,6’に接続された扁平リード導体、2’は電極6’,6’間に接続された可溶合金片、3’は可溶合金片及び可溶合金片端からリード導体先端部にわたり塗布されたフラックスである。52’はセラミックス板のようなカバープレート、7’はカバープレート52’の周囲を絶縁基体51’及び扁平リード導体1’に封着するための接着剤であり、出っ張った被覆フラックス3’上にカバープレート52’が載置され、そのプレート周囲にエポキシ樹脂等の二液型接着剤7’が塗着されている。
上記温度ヒューズの作動機構は次ぎの通りである。
上記二次電池の異常発熱に対し異常発熱温度よりも充分に低い温度で可溶合金片を溶断させ得るように可溶合金片2’の融点を設定してある。
而して、可溶合金片が溶融されると、溶融合金が既溶融のフラックスとの共存下、電極やリード導体端部に濡れて引っ張られ、その濡れが球状化により拡大されて溶融合金の分断が促進され、その分断により通電が遮断されて前記電池の発熱が停止されると、分断溶融合金が凝固されて非復帰のカットオフが終結される。
前記フラックスは、易酸化性の可溶合金片の酸化を防止すること、可溶合金片に不可避的に含有されている酸化物を加熱によるフラックスの活性化で溶解すること等により、可溶合金片を所定の融点で正確に溶融させると共に表面エネルギー面から溶融合金の前記電極やリード導体端部に対する濡れを促進させる作用を奏し、更に、溶融合金を球状化させる際の空間の確保に不可欠であり、電極やリード導体端部にも充分な量のフラックスを存在させることが必要である。
上記温度ヒューズのフラックスの塗布においては、通常、加熱溶融させた液状フラックスを所定の外郭で付着させ、図14の(イ)に示すように冷却凝固させている。この場合、塗布フラックスの縦断面形状を考察すると、図14の(ロ)に示すように、電極等の表面張力をr、凝固直前のフラックスの表面張力をr、同フラックスと電極等表面との間の界面張力をrmL、接触角をαとすると、
=rcosα+rmL
の関係があり、接触端から中央に至るほど角度が次第に小さくなっていき、中央で角度0となり、中央から接触端までの距離xが大きくなるほど、中央の高さyが大となる。従って、前記フラックスをリード導体端部にまで被覆させるには、中央高さyを相当に高くする必要がある。
上記フィルムタイプの薄型温度ヒューズでは、上側樹脂フィルムが出っ張った被覆フラックス上にかなり湾曲されて封着されるために、温度ヒューズボディが反り曲げられ、可溶合金片と扁平リード導体との接続箇所の損傷が問題となる。
すなわち、出っ張り被覆フラックスに湾曲状態で当接された当初の上側樹脂フィルムの曲げ半径をr’、上側樹脂フィルムの曲げ剛性を(EI)’、上側樹脂フィルムを除く温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性を(EI)とすれば、その温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力mが
m=1/{r’〔1+(EI)’/(EI)〕}
で与えられ、この曲げ反力mがリード導体の大なる曲げ剛性のために大となり、扁平リード導体と可溶合金片との接続界面にそれだけ大きな剥離力が作用し、接続界面の安全性が阻害される。
上記樹脂モールドタイプの薄型温度ヒューズでは、可溶合金片の上面側にフラックスが多量に塗布されているために、曲げ中立面が扁平リード導体の厚み中心面より外れることが避けられず、樹脂とリード導体との線膨張係数や断面積やヤング率の差に基づき温度変化のために温度ヒューズボディが曲げ変形されるが、曲げ剛性の大なるリード導体に作用する曲げ反力が大きくなり、この場合も、扁平リード導体と可溶合金片との接続界面に剥離力が作用し、接続界面の安全性が阻害される。
これらのフィルムタイプ薄型温度ヒューズや樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対し、基板型薄型温度ヒューズでは、全体の曲げ剛性(EI)が大であるために、例え曲げモーメント(M)が作用しても、その曲げの曲率半径(r=EI/M)を充分に大きく保持でき、実質的に曲げ変形を排除でき、前記した可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化を回避できる。
しかしながら、温度ヒューズのフラックス塗布では、冷却凝固後のフラックスの立体形状が背の高いドーム状曲面になるため、図22の(イ)に示すように、かかるドーム状曲面の被覆フラックス3’上にカバープレート52’を載置する以上、曲面と平面との接触のためにカバープレート52’の支持状態が不安定性が避けられず、カバープレート52’が長軸中心線に対し振れてバランスを崩し傾動を免れ得ない。而して、可溶合金片の前記した分断球状化が図22の(ロ)に示すように、可溶合金片が両側に分断球状化する際の分断溶融合金23a’、23b’に対するフラックス量に異同を来し、フラックス量の少ない側の溶融合金の球状化が他側の溶融合金の球状化よりも鈍化されれて分断作動に遅れが生じるようになる。この際、前記絶縁カバープレート52’の傾き角が製品ごとに異なるために分断作動のバラツキが惹起される。
上記した通り、温度ヒューズにおける電極乃至はリード導体端部にも充分な量のフラックスを存在させることが必要である。
従来、可溶合金片端近傍の扁平リード導体部分をポンチにより突出させ、この突出部を塗布フラックスに対する堰として用い、可溶合金片端近傍のリード導体部分のフラックス被覆厚みを厚くすることが公知である(特許文献1参照)。
特開2001−52582号
しかしながら、ポンチ加工では亀裂防止のために扁平リード導体の厚みをある程度厚くする必要があり、これでは扁平リード導体の曲げ剛性を低くし難く、前記したフィルムタイプや樹脂モールドタイプでの曲げ反力に基づく可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化回避に適合しない。
また、ポンチ加工では突出巾が扁平リード導体巾に較べて狭く、しかも突出外面の角にアールが付き易く、而して、前記基板タイプでのカバープレートの支持状態の不安定性を解消し難いために、カバープレートの傾き固定に起因する前記した分断作動性の低下の問題も解決できない。
本発明の目的は、薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から扁平リード導体先端部に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くし得ると共にフィルムタイプや樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対しては、曲げ反力に基づく可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化問題を良好に解決でき、基板タイプ薄型温度ヒューズに対しては、可溶合金片の一様な分断球状化を保証して円滑な作動を図ることにある。
請求項1に係る薄型温度ヒューズは、可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で可溶合金片が扁平リード導体間に接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが被覆され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、可溶合金片端とフィルム封止箇所との間のリード導体部分にその部分の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
請求項2に係る薄型温度ヒューズは、下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が所定の巾をもつて前記フィルム上面に現出され、この現出部がランド部とこのランド部後方側の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部とに形成され、その現出されたランド部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及前記ランド部のほぼ全面にフラックスが前記折り曲げ凸部を堰としてフラックスが塗布され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲され、下側樹脂フィルムの下面に補助樹脂フィルムが貼着されていることを特徴とする。
請求項3では、請求項1〜2何れかの薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている。
請求項4に係る薄型温度ヒューズは、扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体箇所までフラックスが付着され、これらを包囲して樹脂層が被覆された温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体部分にその部分の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
請求項5では、請求項1〜4何れかの薄型温度ヒューズにおいて、折り曲げ凸部の両脇上端にアールが付されている。
請求項6に係る薄型温度ヒューズは、可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが付着され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部前面に可溶合金片端が接続され、同凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
請求項7では、請求項6の薄型温度ヒューズにおいて、凸部の両脇上端にアールが付されており、請求項8では請求項7または8の薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされており、請求項9では、請求項1〜8何れかの薄型温度ヒューズにおいて、温度ヒューズボディ内のリード導体部分の巾が可溶合金片の巾より広くされ、請求項10では、請求項9の薄型温度ヒューズにおいて、温度ヒューズボディ内のリード導体部分が圧延により形成されている。
請求項11では、請求項1〜10何れかの薄型温度ヒューズにおいて、リード導体がNi製とされ、少なくとも先端部にSn,Cu,Ag,Auの何れか、またはこれらを主成分とする合金が被覆されており、請求項12では、請求項1〜11何れかの薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片を溶断させるための発熱体が付設されている。
請求項13では、請求項1〜12何れかの薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片にIn−Sn−Bi系合金、Bi−Sn−Sb系合金、In−Sn系合金、In−Bi系合金、Bi−Sn系合金、In系合金の何れかであり、In−Sn−Bi系合金の組成が(1)43%<Sn≦70%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(2)25%≦Sn≦40%,50%≦In≦55%,残Bi、(3)25%<Sn≦44%,55%<In≦74%,1%≦Bi<20%、(4)46%<Sn≦70%,18%≦In<48%,1%≦Bi≦12%、(5)5%≦Sn≦28%,15%≦In<37%,残Bi(但し、Bi57.5%,In25.2%,Sn17.3%とBi54%,In29.7%,Sn16.3%のそれぞれを基準にBi±2%,In及びSn±1%の範囲を除く)、(6)10%≦Sn≦18%,37%≦In≦43%,残Bi、(7)25%<Sn≦60%,20%≦In<50%,12%<Bi≦33%、(8)(1)〜(7)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(9)33%≦Sn≦43%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(10)47%≦Sn≦49%,51%≦In≦53%の100重量部にBiを3〜5重量部を添加、(11)40%≦Sn≦46%,7%≦Bi≦12%,残In、(12)0.3%≦Sn≦1.5%,51%≦In≦54%,残Bi、(13)2.5%≦Sn≦10%,25%≦Bi≦35%,残In、(14)(9)〜(13)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(15)10%≦Sn≦25%,48%≦In≦60%,残Biを100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、Bi−Sn−Sb系合金の組成が(16)30%≦Sn≦70%,0.3%≦Sb≦20%,残Bi、(17)(16)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In−Sn系合金の組成が(18)52%≦In≦85%,残Sn、(19)(18)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In−Bi系合金の組成が(20)45%≦Bi≦55%,残In、(21)(20)の組成の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、Bi−Sn系合金の組成が(22)50%<Bi≦56%,残Sn、(23)(22)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In系合金の組成が(24)Inの100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(25)90%≦In≦99.9%,0.1%≦Ag≦10%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(26)95%≦In≦99.9%,0.1%≦Sb≦5%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加の何れかを使用している。
請求項14では上記請求項1〜10の何れかまたは13の薄型温度ヒューズを電流ヒューズとして使用している。
本発明に係る温度ヒューズでは、リード導体の先端部に設けた折り曲げ凸部またはリード導体先端に設けた折り曲げ凸部を堰とし可溶合金片端近傍にもフラックスを充分な厚みで付着させることができるから、溶融合金の両側への分断球状化を迅速に生じさせ得、迅速な作動を保証できる。
この場合、リード導体を薄くしても前記の堰を良好に設けることができ、特に、フィルムタイプ薄型温度ヒューズに対しては、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する曲げ反力のリード導体負担分をリード導体の薄肉化・曲げ剛性の低減により軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、安定な作動性を保証できる。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1の(イ)は本発明に係る薄型温度ヒューズの一実施例の一部を断面で示す平面図、図1の(ロ)は図1の(イ)におけるローロ断面図である。
図1において、1,1は一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた箇所に折り曲げにより凸部11を設けてある。2は両扁平リード導体1,1の先端部の上面間に溶接等により接合した可溶合金片であり、溶接にはスポット抵抗溶接、レーザ溶接等を使用できる。3はフラックスであり、可溶合金片2及び可溶合金片端からリード導体の折り曲げ凸部11に至る部分に付着してあり、凸部11をフラックスの塗布に対する堰として使用し可溶合金片12からリード導体の折り曲げ凸部11に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。41は下側樹脂フィルム、42は上側樹脂フィルムであり、前記両扁平リード導体1,1の前半部と可溶合金片2とをこれらの樹脂フィルム41,42で挾み、上側樹脂フィルム42を出っ張った被覆フラックス3上で湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム41に封着してある。
図2の(イ)は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例の一部を断面で示す平面図、図2の(ロ)は図2の(イ)におけるローロ断面図である。
図2において、41は下側樹脂フィルムである。1,1は一対の扁平リード導体であり、前半部を下側樹脂フィルム41の下面に固着すると共にリード導体先端から所定の距離を隔てた位置において上面が下側樹脂フィルム面にほぼ面一の凸部101に、この凸部101の後端部を凸部11に一挙に膨出加工して下側樹脂フィルム41の上面側に現出させ、下側樹脂フィルム41と扁平リード導体1との全界面を融着や接着剤により接合してある。2は可溶合金片であり、リード導体現出部のうちの下側樹脂フィルム上面と実質的に面一の部分101に溶接、例えばスポット抵抗溶接、レーザ溶接等により接続してある。3はフラックスであり、可溶合金片2及び可溶合金片からリード導体の凸部11に至る部分に付着してあり、凸部11をフラックスの堰として使用し、可溶合金片2からリード導体の凸部11に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。42は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス2上に湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム41に封着してある。
図2に示した実施例では、リード導体1の下側樹脂フィルム上面への部分的な現出を膨出加工ににより行い、その現出箇所の両サイドを不加工としているが、図3の(イ)(平面図)及び(ロ)〔図3の(イ)におけるロ−ロ断面図〕に示すように、リード導体先端の近傍位置から所定の距離を隔てた位置までを上面が下側樹脂フィルム41の上面とほぼ面一のランド部101aに、この後方側を凸部11aに一挙に膨出加工し、水密性確保のために下側樹脂フィルム41の裏面に補助樹脂フィルム43を融着や接着剤により貼着することもできる。あるいは、図4の(イ)(平面図)及び(ロ)〔図4の(イ)におけるロ−ロ断面図〕に示すように、リード導体先端から所定の距離を隔てた位置までを上面が下側樹脂フィルム41の上面とほぼ面一のリード導体全巾にわたるランド部101bに、この後方側をリード導体全巾にわたる折り曲げ凸部11bに一挙に曲げ加工し、水密性確保のために下側樹脂フィルム41の裏面に補助樹脂フィルム43を融着や接着剤により貼着することもできる。
この補助樹脂フィルム43は、図2における補助樹脂フィルムが存在しない場合のリード導体先端間の絶縁強度の不足を補完する効果も奏する。
図1〜図4に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいては、可溶合金片2の厚み中心が扁平リード導体1の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体1,1間に可溶合金片2が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックス3が付着され、上側樹脂フィルム42がその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されるから、反りが発生する。この場合、出っ張り被覆フラックスに湾曲状態で当接された当初の上側樹脂フィルム42の曲げ半径をr’、上側樹脂フィルム42の曲げ剛性を(EI)’、上側樹脂フィルムを除く温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性を(EI)とすれば、その温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力mは、前記したとおり
m=1/{r’〔1+(EI)’/(EI)〕}
で与えられる。
而るに、上記フラックス3の塗布に対する堰を扁平リード導体の折り曲げ凸部11,11aまたは11bにより設けてあり、扁平リード導体1の厚みを100μmといった薄肉にしても、単純な曲げ加工で凸部11,11aまたは11bを形成でき、亀裂の発生を排除できる。尤も、図2に示した実施例の凸部11においては、リード導体1を下側樹脂フィルム41の上面にほぼ面一の凸部101に膨出加工する際に同時に加工するが、凸部11が小さく膨出加工代の増加を少にとどめることができるから、この場合も、リード導体の厚みを薄くしても、亀裂の発生を充分に防止できる。
従って、温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性(EI)を小にしてその温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力mを低減でき、曲げ反力mに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
図1および図2に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルム42の厚みを下側樹脂フィルム41の厚みよりも薄くして(EI)’を小さくし、上記曲げ反力mの軽減を図り、その接合界面の安定性を一層に高めることができる。
また、図3および図4に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいては、上側樹脂フィルム42の厚みを下側樹脂フィルム41と補助樹脂フィルム43の総厚みよりも薄くすることにより(EI)’を小さくし、上記曲げ反力mの軽減を図り、その接合界面の安定性を一層に高めることができる。
上記何れの実施例においても、樹脂フィルム同士の封着は、高周波溶着、超音波溶着、接着剤により行うことができ、リード導体と樹脂フィルムとの封着は、フィルム外面加圧下でのリード導体の電磁誘導加熱やヒートプレート接触加熱等により行うことができる。
図5の(イ)は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す平面図、図5の(ロ)は図5の(イ)におけるローロ断面図である。
図5において、1,1は一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた位置に折り曲げ凸部11を設けてある。2は可溶合金片であり、リード導体先端部の間に溶接、例えばスポット抵抗溶接、レーザ溶接等により接続してある。3はフラックスであり、可溶合金片2及び可溶合金片2からリード導体の折り曲げ凸部11に至る部分に付着してあり、凸部11をフラックスの堰として使用し可溶合金片2の端からリード導体の折り曲げ凸部11に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。40は可溶合金片及びフラックス並びにリード導体端部を包囲して設けた樹脂被覆層であり、例えばエポキシ樹脂液等の二液型硬化性樹脂液への浸漬塗装により被覆してある。
図5に示した実施例では、力学的にフラックスのヤング率が極めて小さいので、被覆樹脂40と可溶合金片2−リード導体1,1との複合体として取扱うことができ、被覆樹脂側の曲げ剛性を(EI)’、可溶合金片−リード導体側の曲げ剛性を(EI)とし、両者のヤング率や断面積や熱膨張係数の差異のために温度変化時に発生する曲げモーメントをMとすれば、可溶合金片−リード導体側が負担する曲げモーメントmは
m=M/{1+〔(EI)’/(EI)〕}
で与えられる。
而るに、上記フラックス3に対する堰を扁平リード導体の折り曲げ凸部11により設けてあり、扁平リード導体1の厚みを100μmといった薄肉にしても凸部の折り曲げが単純な曲げ加工であるために亀裂の発生を排除でき、従って、可溶合金片−リード導体側の曲げ剛性(EI)を小にしてそのリード導体に作用する曲げモーメントmを低減でき、曲げモーメントmに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
上記において、折り曲げ凸部11の両脇上端にアールを付すると、その上端がエッジである場合の上側樹脂フィルムの局所的損傷、被覆樹脂の表面張力減少による局所的薄肉化の懸念を払拭できる。
図6の(イ)は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例の一部を断面で示す平面図、図6の(ロ)は図6の(イ)におけるローロ断面図である。
図6において、1,1は一対の扁平リード導体であり、先端を上向き折り曲げ凸部110に加工してある。2は両扁平リード導体1,1先端の上向き折り曲げ凸部110の前面間に溶接等により接合したヒューズエレメントであり、レーザ溶接等を使用できる。3はフラックスであり、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部110をフラックスの堰として使用しフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。41は下側樹脂フィルム、42は上側樹脂フィルムであり、前記両扁平リード導体1,1の前半部とヒューズエレメント2とをこれらの樹脂フィルム41,42で挾み、上側樹脂フィルム42を出っ張った被覆フラックス3上に湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム41に封着してある。
図6に示した実施例では、上記フラックス3に対する堰110を扁平リード導体先端の上向き折り曲げにより設けてあり、扁平リード導体の厚みを100μmといった薄肉にしても単純な曲げ加工であるために亀裂の発生を排除できる。従って、図1に示した実施例と同様に、温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性(EI)を小にしてその温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力mを低減でき、曲げ反力mに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
図6に示す実施例においても、上側樹脂フィルム42の厚みを下側樹脂フィルム41の厚みよりも薄くすることができる。
上記において、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部110の両脇上端にアールを付すると、その上端がエッジである場合の上側樹脂フィルムの局所的損傷、被覆樹脂の表面張力減少による局所的薄肉化の懸念を払拭できる。
本発明に係る樹脂モールドタイプの温度ヒューズは、図5に示したもの以外に、可溶合金片端をリード導体先端の上向き折り曲げ凸部の前面に溶接等により接続し、可溶合金片及びフラックス並びにリード導体端部を包囲する樹脂被覆層、例えばエポキシ樹脂被覆層を設けることによって実施することもできる。
本発明において、温度ヒューズボディの巾を温度ヒューズボディ外部のリード導体部分の巾以下とすることができる。また、温度ヒューズボディの巾両端側では樹脂フィルム同士の封着代や絶縁カバープレートの絶縁基体への封着代を可及的に大きくすることが望ましい。この場合、図14の(イ)に示すように、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分の巾w1を温度ヒューズボディ外部のリード導体部分の巾w2よりも狭くすることができる。
本発明において、フラックスを付着するには、フラックスを加熱溶融して可溶合金片を包含する外郭で付着させ、この付着フラックスを表面張力と界面張力との作用下、堰に至るまで流延させて自然冷却により凝固させる。この場合、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分の巾を可溶合金片の巾よりも広くすることによりフラックスに対する堰としての凸部の巾を可溶合金片の巾よりも広くし、可溶合金片巾を包含する巾のフラックスを凸部で良好に堰止めるようにしてある。
上記扁平リード導体は、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分が扁平であればよく、全体が扁平で、図7の(イ)に示すように内側の導体部分の巾をw1、外部の導体部分の巾をw2として、w1<w2としたもの、図7の(ロ)に示すように、w1=w2としたもの、図7の(ハ)に示すように、w1>w2としたものの外、図7の(ニ)に示すように、丸線材の前半部を圧延し、この圧延部分を内側リード導体部分とするものも使用できる。折り曲げにより凸部11を設けるものについても同様である。
扁平リード導体先端の上向き折り曲げ凸部110は、可溶合金片端を接続でき、かつフラックスに対する堰となし得るものであれば、付随的な加工が施されていてもよく、例えば、図7の(ホ)に示すような水平かぎ部1101や図7の(ヘ)に示すような折り返し部1102を付加することもできる。
また、折り曲げ凸部11は、通常図7の(ト)に示すような三角形凸部とされるが、図7の(チ)に示すような方形凸部、図7の(リ)に示すような台形凸部とすることもできる。
また、図7の(ヌ)に示すように、切出し曲げにより凸部1100を設けたものの使用も可能である。
上記リード導体には、Cu、Fe等の使用も可能であるが、溶接、特にスポット抵抗溶接が容易なNiを使用することが好ましい。また、リード導体の少なくとも先端部には、可溶合金片との溶接の容易化、電極との溶接の容易化のために、Sn,Cu,Ag,Auの何れか、またはこれらの金属を主成分とする合金を被覆しておくことが好ましい。特に、Niリード導体の場合、電極への固着をスポット抵抗溶接により行うとき、Sn皮膜がナゲットでの熱的衝撃を熱的、応力的に緩和するから、セラミックス製絶縁基体のクラック防止の保証に有効である。
上記の上側樹脂フィルム、下側樹脂フィルムや補助樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレ−トが好適であるが、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンサルファイド、ポリサルホン等のエンジニアリングプラスチック、ポリアセタ−ル、ポリカ−ボネ−ト、ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポリエ−テルエ−テルケトン、ポリエ−テルイミド等のエンジニアリングプラスチックやポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)、AS樹脂、ABS樹脂、アイオノマ−、AAS樹脂、ACS樹脂等の熱可塑性樹脂のフィルムも使用できる。
上記電極は、Agペースト、Cuペースト、Auペースト、Ptペースト、Ag−Ptペースト、Ag−Pdペースト等の導電ペーストの塗布・焼き付けの外、金属箔積層絶縁基板の金属箔の印刷・エッチング等により形成することもできる。
上記可溶合金片には、丸線材または圧延線材を使用でき、圧延線材の巾は扁平リード導体の先端の巾にほぼ等しくすることができる。
可溶合金片の融点は機器の保護温度に応じて選定されるが、電池用の場合、固相線温度が80℃〜120℃、液相線温度が90℃〜120℃である合金が使用される。例えばIn50〜55%、Sn25〜40%、残部Biの合金、In30〜75%、Sn5〜50%、Cd0.5〜25%の合金、更にこの合金組成にCu、Ag、Au、Al、Biのうちの1種または2種以上を合計0.1〜5%添加した合金、Bi48〜53%、Pb28〜33%、Sn13〜19%の合金、In0.5〜4%、Bi50〜54%、Pb30〜34%、Sn14〜18%の合金等を例示できる。
可溶合金片は母材の鋳造または押し出しによりロッドを得、このロッドを線引きし、更には圧延する線引き法乃至は線引き圧延法により製造できる。また、ドラム内の冷却液をドラムの回転により層状になし、ノズルからの溶融合金のジェットをこの回転液層中にその回転周速と同速で入射させて冷却凝固させる回転液紡糸法を使用することもできる。
近来、可溶合金片としては環境衛生上、PbやCd等の生体系に有害金属を含まない組成を使用することが要請されており、この要請を満たして前記線引き法乃至線引き圧延法や回転紡糸法により製線可能な組成としては、[A](1)43%<Sn≦70%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(2)25%≦Sn≦40%,50%≦In≦55%,残Bi、(3)25%<Sn≦44%,55%<In≦74%,1%≦Bi<20%、(4)46%<Sn≦70%,18%≦In<48%,1%≦Bi≦12%、(5)5%≦Sn≦28%,15%≦In<37%,残Bi(但し、Bi57.5%,In25.2%,Sn17.3%とBi54%,In29.7%,Sn16.3%のそれぞれを基準にBi±2%,In及びSn±1%の範囲を除く)、(6)10%≦Sn≦18%,37%≦In≦43%,残Bi、(7)25%<Sn≦60%,20%≦In<50%,12%<Bi≦33%、(8)(1)〜(7)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(9)33%≦Sn≦43%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(10)47%≦Sn≦49%,51%≦In≦53%の100重量部にBiを3〜5重量部を添加、(11)40%≦Sn≦46%,7%≦Bi≦12%,残In、(12)0.3%≦Sn≦1.5%,51%≦In≦54%,残Bi、(13)2.5%≦Sn≦10%,25%≦Bi≦35%,残In、(14)(9)〜(13)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(15)10%≦Sn≦25%,48%≦In≦60%,残Biを100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、等のIn−Sn−Bi系合金の組成[B](16)30%≦Sn≦70%,0.3%≦Sb≦20%,残Bi、(17)(16)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、等のBi−Sn−Sb系合金の組成[C](18)52%≦In≦85%,残Sn、(19)(18)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、等のIn−Sn系合金の組成[D](20)45%≦Bi≦55%,残In、(21)(20)の組成の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、等のIn−Bi系合金の組成、[E](22)50%<Bi≦56%,残Sn、(23)(22)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、等のBi−Sn系合金の組成[F](24)Inの100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(25)90%≦In≦99.9%,0.1%≦Ag≦10%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(26)95%≦In≦99.9%,0.1%≦Sb≦5%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加等のIn系合金の組成等を挙げることができ、これらのうちから温度ヒューズの動作温度に適合した融点の組成を選定することが好ましい。
上記フラックスには、天然ロジン、変性ロジン(水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン等)及びこれらの精製ロジンにジエチルアミンの塩酸塩、ジエチルアミンの臭化水素酸塩、アジピン酸等の有機酸等を添加したものを使用できる。
上記接着剤には、通常エポキシ樹脂が使用されるが、フエノール樹脂やポリウレタン等の硬化性樹脂も使用可能である。
上記下側樹脂フィルム、上側樹脂フィルムや補助樹脂フィルムの寸法は、通常長辺が5.0〜15.0mm,短辺が3.0〜5.0mmとされる。下側樹脂フィルムの厚みは0.2〜0.4mmとされ、上側樹脂フィルムの厚みは下側樹脂フィルムの厚みに等しいか、50μm〜80μm薄くされる。
上記リード導体の寸法は、通常外側部分の巾が2.0〜4.0mm,内側部分の巾が1.0〜3.0mmとされる。リード導体の厚みは、基板タイプに対しては0.15〜0.3mmとされ、フィルムタイプや樹脂モールドタイプに対しては、0.07〜0.15mmとされる。
本発明に係る温度ヒューズは二次電池用として使用できる。例えば、図9に示すように、二次電池パックの扁平ケースの側面に装着して電池と負荷との間に直列に挿入させることができる。従って、電池に異常が生じ、電池の発熱により温度ヒューズの可溶合金片がその融点温度、例えば80℃〜100℃内の所定温度に達すると、可溶合金片が溶断されて電池と負荷との間が電気的に遮断され、以後の電池の温度上昇が停止される。従って、電池の異常発熱を未然に防止できる。
上記において、可溶合金片のジュール発熱を無視できるときは、電池が許容温度Tmに達したときの可溶合金片の温度TxはTmより2℃〜3℃低くなり、可溶合金片の融点を〔Tm−(2℃〜3℃)〕に設定すればよい。
しかしながら、可溶合金片のジュール発熱を無視できないときは、可溶合金片の電気抵抗をR、通電電流をI、機器とヒューズエレメント間の熱抵抗をHとすれば、
Tx=Tm−(2℃〜3℃)+HRI
が成立し、可溶合金片の融点を上式に基づき設定することが有効である。
本発明に係る温度ヒューズにおいては、通電発熱体を付設し、例えば抵抗ペースト(例えば、酸化ルテニウム等の酸化金属粉のペースト)の塗布・焼き付けにより膜抵抗を付設し、電池の異常発熱の原因となる前兆、例えば過充電時の電池電圧の異常上昇を検出し、この検出信号で膜抵抗を通電して発熱させ、この発熱で可溶合金片を溶断させることもできる。
例えば、上記膜抵抗を絶縁基体の上面に設け、この上に耐熱性・熱伝導性の絶縁膜、例えばガラス焼き付け膜を形成し、更に一対の電極を設け、先端に上向き折り曲げ凸部を設けた扁平リード導体を各電極に接続し、両電極間に可溶合金片を接続し、可溶合金片から前記リード導体の先端凸部にわたってフラックスを被覆し、絶縁カバープレートを前記の絶縁基体上に配設し、該絶縁カバープレート周囲を絶縁基体に接着剤により封着することができる。
図8は発熱体付き温度ヒューズの使用状態を示す回路図であり、Pは温度ヒューズを、2は可溶合金片を、Rは抵抗体を、ICは異常電圧検出通電回路を、Dはツエナダイオードを、Trはトランジスターを、Eは電池を、Sは充電機をそれぞれ示し、過充電により電池電圧が上昇すると、ツエナダイオードDが降伏導通され、トランジスターTrが導通して抵抗体Rに電流が流され、その抵抗体Rの通電発熱で可溶合金片2が溶断される。前記異常電圧検出通電回路は電池パックに装着した回路板に形成してある。
図1に示す構成のフィルムタイプ薄型ヒューズである。下側樹脂フィルム41及び上側樹脂フィルム42には、長辺7.3mm,短辺3.4mm,厚み188μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。扁平リード導体1には、厚み100μm、リード導体先端から折り曲げ凸部11までの距離2.3mm,凸部11の高さ0.50mm,内側部巾2.6mm,外側部巾3.5mmで、先端部にCu膜を被覆したNi導体を使用し、リード導体間の間隔を0.8mmとした。可溶合金片2には組成がIn52%−Sn36%−Bi12%で、直径0.3mm,長さ4.4mmの丸線材を使用し、フラックス3には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させたものを両リード導体1,1の凸部11,11間に流延し、冷却凝固させた。
フィルム同士の封着は超音波溶着により行い、リード導体とフィルム間の融着はセラミックチップ加圧下での電磁誘導加熱により行った。
〔比較例1〕
実施例1に対しリード導体の凸部折り曲げに代えポンチ加工により凸部を形成することを試みたが、厚み100μmのリード導体では亀裂が発生したので、リード導体厚みを300μmにしてポンチ加工により凸部(高さは、実施例1の折り曲げ凸部高さに同じとした)を設けた。これ以外は実施例1と同じとした。
実施例1及び比較例1の各試料数を50箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例1の抵抗値のバラツキが比較例1に較べて著しく小さいことが明かになった。
この結果から、実施例、比較例ともフラックス厚みを高くするために堰を設けた点では共通しているが、実施例ではリード導体の厚みを薄くでき、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する曲げ反力のリード導体負担分を軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、その界面の抵抗値を安定に維持できることが確認できる。
実施例1に対し上側樹脂フィルムの厚みを125μmにして薄くした以外、実施例1に同じとした。
実施例2の各試料数を50箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例1の抵抗値のバラツキに対して同等以上であることが判明した。
この結果は、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する反りを実施例1より小さくできたためであり、リード導体と可溶合金片との接合界面の安定化による界面抵抗値のより一層の安定維持が期待できる。
図2に示す構成のフィルムタイプ薄型ヒューズである。下側樹脂フィルム41には、長辺7.3mm,短辺3.4mm,厚み188μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用し、上側樹脂フィルム42には外郭が下側樹脂フィルムと同じで厚みが125μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。扁平リード導体1には、厚み100μm、下側樹脂フィルム表面に面一の表出部101とリード導体先端から折り曲げ凸部11までの距離2.3mm,凸部11の高さ0.6mm,内側部巾2.6mm,外側部巾3.5mmで、表出部を包含する先端部にCu膜を被覆したNi導体を使用し、両リード導体先端間の間隔を0.8mmとした。可溶合金片2には組成がIn52%−Sn36%−Bi12%で、直径0.3mm,長さ4.4mmの丸線材を使用し、フラックス3には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させたフラックスを両リード導体の凸部11,11間に流延し、冷却凝固させた。
リード導体と下側樹脂フィルムとの界面は熱溶着し、フィルム同士の封着は超音波溶着により行った。
実施例3の試料数を50箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例2の抵抗値のバラツキに対して同等であることが判明した。
図5に示す構成の樹脂モールドタイプ薄型ヒューズである。扁平リード導体1には、厚み100μm、リード導体先端から折り曲げ凸部11までの距離2.3mm,凸部11の高さ0.50mm,内側部巾2.6mm,外側部巾3.5mmで、先端部にCu膜を被覆したNi導体を使用し、リード導体間の間隔を0.8mmとした。可溶合金片2には組成がIn52%−Sn36%−Bi12%で、直径0.3mm,長さ4.4mmの丸線材を使用し、フラックス3には、ロジンを主成分とするmのを使用し、加熱溶融させたフラックスを両リード導体の凸部11,11間に流延し、冷却凝固させた。
樹脂モールド被覆層40は、常温硬化エポキシ樹脂液の浸漬塗装により設けた。
〔比較例2〕
実施例4に対しリード導体の凸部折り曲げに代えポンチ加工により凸部を形成することを試みたが、厚み100μmのリード導体では亀裂が発生したので、リード導体厚みを300μmにしてポンチ加工により凸部(高さは、実施例4の折り曲げ凸部高さに同じとした)を設けた。これ以外は実施例4と同じとした。
実施例4及び比較例2の各試料数を50箇として所定のヒートサイクル試験ののち、リード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例4の抵抗値のバラツキが比較例2に較べて著しく小さいことが判明した。
この結果から、実施例4、比較例2ともフラックス厚みを高くするために堰を設けた点では共通しているが、実施例4ではリード導体の厚みを薄くでき、ヒートサイクルに基づき発生する曲げモーメントのリード導体作用分を軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、その界面の抵抗値を安定に維持できることが確認できる。
上記した温度ヒューズは、通電による自己発熱で可溶合金片を溶断させて通電を遮断する薄型電流ヒューズとしても利用可能である。
本発明に係る温度ヒューズの一実施例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。 本発明において使用する扁平リード導体の異なる多数の例を示す図面である。 本発明に係る温度ヒューズのうちの発熱体付きの実施例の作動機構を示す回路図である。 本発明に係る温度ヒューズが装着される電池パックを示す図面である。 従来の薄型温度ヒューズの一例を示す図面である。 従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。 従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。 従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。 従来の薄型温度ヒューズのフラックスの形状を示す図面である。 従来の温度ヒューズの問題点を説明するために使用した図面である。
符号の説明
1 扁平リード導体
11 折り曲げ凸部
110 上向き折り曲げ凸部
2 可溶合金片
3 フラックス
41 下側樹脂フィルム
42 上側樹脂フィルム
43 補助フィルム
51 絶縁基体
52 絶縁カバー
53 水密樹脂被覆
6 電極
7 接着剤

Claims (14)

  1. 可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で可溶合金片が扁平リード導体間に接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが被覆され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、可溶合金片端とフィルム封止箇所との間のリード導体部分にその部分の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
  2. 下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が所定の巾をもつて前記フィルム上面に現出され、この現出部がランド部とこのランド部後方側の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部とに形成され、その現出されたランド部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及前記ランド部のほぼ全面にフラックスが前記折り曲げ凸部を堰としてフラックスが塗布され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲され、下側樹脂フィルムの下面に補助樹脂フィルムが貼着されていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
  3. 上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている請求項1〜2何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  4. 扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体箇所までフラックスが付着され、これらを包囲して樹脂層が被覆された温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体部分にその部分の曲げ剛性を低くし、かつ塗布フラックスに対する堰を形成するための折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
  5. 折り曲げ凸部の両脇上端にアールが付されている請求項1〜4何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  6. 可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが付着され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端に上向き折り曲げ部が設けられ、この折り曲げ部前面に可溶合金片端が接続され、同折り曲げ部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
  7. 凸部の両脇上端にアールが付されている請求項6記載の薄型温度ヒューズ。
  8. 上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている請求項6または7記載の薄型温度ヒューズ。
  9. 扁平リード導体として、温度ヒューズボディ内のリード導体部分の巾が可溶合金片の巾より広くされている導体が用いられている請求項1〜8何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  10. 温度ヒューズボディ内のリード導体部分が圧延により形成されている請求項9記載の薄型温度ヒューズ。
  11. リード導体がNi製とされ、少なくとも先端部にSn,Cu,Ag,Auの何れか、またはこれらを主成分とする合金が被覆されている請求項1〜10何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  12. 可溶合金片を溶断させるための発熱体が付設されている請求項1〜11何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  13. 可溶合金片がIn−Sn−Bi系合金、Bi−Sn−Sb系合金、In−Sn系合金、In−Bi系合金、Bi−Sn系合金、In系合金の何れかであり、In−Sn−Bi系合金の組成が(1)43%<Sn≦70%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(2)25%≦Sn≦40%,50%≦In≦55%,残Bi、(3)25%<Sn≦44%,55%<In≦74%,1%≦Bi<20%、(4)46%<Sn≦70%,18%≦In<48%,1%≦Bi≦12%、(5)5%≦Sn≦28%,15%≦In<37%,残Bi(但し、Bi57.5%,In25.2%,Sn17.3%とBi54%,In29.7%,Sn16.3%のそれぞれを基準にBi±2%,In及びSn±1%の範囲を除く)、(6)10%≦Sn≦18%,37%≦In≦43%,残Bi、(7)25%<Sn≦60%,20%≦In<50%,12%<Bi≦33%、(8)(1)〜(7)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(9)33%≦Sn≦43%,0.5%≦In≦10%,残Bi、(10)47%≦Sn≦49%,51%≦In≦53%の100重量部にBiを3〜5重量部を添加、(11)40%≦Sn≦46%,7%≦Bi≦12%,残In、(12)0.3%≦Sn≦1.5%,51%≦In≦54%,残Bi、(13)2.5%≦Sn≦10%,25%≦Bi≦35%,残In、(14)(9)〜(13)の何れか100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(15)10%≦Sn≦25%,48%≦In≦60%,残Biを100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、Bi−Sn−Sb系合金の組成が(16)30%≦Sn≦70%,0.3%≦Sb≦20%,残Bi、(17)(16)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In−Sn系合金の組成が(18)52%≦In≦85%,残Sn、(19)(18)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In−Bi系合金の組成が(20)45%≦Bi≦55%,残In、(21)(20)の組成の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Sb、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、Bi−Sn系合金の組成が(22)50%<Bi≦56%,残Sn、(23)(22)の100重量部にAg、Au、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、In系合金の組成が(24)Inの100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(25)90%≦In≦99.9%,0.1%≦Ag≦10%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加、(26)95%≦In≦99.9%,0.1%≦Sb≦5%の100重量部にAu、Bi、Cu、Ni、Pd、Pt、Ga、Ge、Pの1種または2種以上を合計0.01〜7重量部添加の何れかであることを特徴とする請求項1〜12何れか記載の薄型温度ヒューズ。
  14. 請求項1〜11何れかまたは13記載の薄型温度ヒューズを電流ヒューズとして使用することを特徴とする薄型電流ヒューズ。
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