JP4260630B2 - 被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置に関する。
背景技術
一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の枚葉処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはN2ガス等の不活性ガスやO2ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入する。
例えば半導体ウエハに対して1枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータを内蔵した載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で所定の処理ガスを流し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている。
ところで、この載置台には、周知のように処理容器内へ搬入されてきたウエハを載置台上に移載するために上下方向へ出没可能になされた押し上げピン(例えば特開平6−318630号公報)が設けられており、これを昇降させることにより、ウエハを載置台上に載置したり、或いは逆に、載置台上のウエハを上方へ突き上げたりできるようになっている。
この点について、図18A,18Bを参照して詳しく説明する。
図18A,18Bは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。図18A,18Bに示すように載置台2には、複数、例えば3つのピン挿通孔4(図示例では2つのみ記す)が形成されており、各ピン挿通孔4には遊嵌状態で上下移動可能に押し上げピン6がそれぞれ挿通されている。
各押し上げピン6の下端は、図示しないアクチュエータにより昇降可能になされたリング状の押し上げ部材8により離脱可能に支持されている。また、各押し上げピン6の上端部には、拡径された鍔部10が設けられており、この鍔部10が、載置台2の上面に形成した凹部12に、図18Bに示すように嵌まり込んで支持されるようになっている。
ウエハWを載置台2上に移載する場合には、図18Aに示すように押し上げピン6を上方へ上昇させた状態で、図示しない搬送アームからのウエハWを上記押し上げピン6の上端で受け取って支持させる。次に、押し上げピン6を下方へ降下させることによって、図18Bに示すように押し上げピンをピン挿通孔4内へ完全に没するようにして、これによりウエハWを載置台2上に支持させることができる。尚、ウエハWを処理容器内から搬出する場合には、上記操作と逆の操作を行えばよい。
ところで、図18Aに示す状態から図18Bに示すように、ウエハWを降下させて載置台2上に載置する場合、ウエハWの裏面側の空間、すなわちウエハWの裏面と載置台2の上面との間の空間S1におけるガスがウエハWの周辺部から外側に向けて迅速に抜けたり、或いは図18Bの矢印12に示すようにピン挿通孔4を解して載置台2の裏面側の空間S2に迅速に抜ける場合には問題がない。
しかしながら、ウエハWに対する処理が進んで、例えばピン挿通孔4の内壁に不要な膜が付着したり、或いはウエハWのサイズが大きくなるなどして、この空間S1におけるガスの抜け速度が劣化すると、この空間S1における僅かなガス圧によりエアークッション作用が生じてウエハWが非常に僅かな時間であるが浮いた状態となり、この時、ウエハWが横すべりして位置ずれを生ずる、といった問題が発生した。
この場合、ピン挿通孔4の内径を、押し上げピン6の外径よりもかなり大きくしてこの部分の空隙をより広くして空間S1のガスの排出を促進させることも考えられるが、この場合には、押し上げピン6が垂直方向から大きく傾いてしまって、これを昇降移動すると、ウエハWが水平方向へ許容量以上に位置ずれを生じてしまって、採用することはできない。
発明の開示
本発明の目的は、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを迅速に排除することにより、被処理体の位置ずれの発生を抑制することが可能な被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置を提供することにある。
本発明は、真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成するように構成したことを特徴とする被処理体の昇降機構である。
これにより、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを、押し上げピンに形成した連通路を介して載置台の裏面側へ迅速に排除することができるので、エアークッション作用が発生することがなくなって被処理体が載置台上を横スベリすることがなく、この位置ずれが生ずることを防止することが可能となる。
この場合、前記押し上げピンは、ピン本体と、このピン本体の先端部に設けられて降下した時に前記ピン挿通孔の上端の開口の周縁部に保持される鍔部とよりなるようにすることができる。
また、前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方に向けて開放されているようにすることができる。
また、前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されているようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの上方の開口部は、横方向に向けて開放されているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを防止でき、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に確実に排除することが可能となる。
また、前記鍔部は、上方に向けて凸状に曲面形状に成形されているようにすることができる。
この場合、前記鍔部には、前記開口部の一部を形成するための切り欠きが形成されているようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの鍔部に、開口部の一部を形成する切り欠きを設けるようにしているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれことを確実に防止することができ、これによって被処理体の裏面側の空間のガスを更に確実に排除することが可能となる。
また、前記ピン本体の下端は、前記押し上げ部材上に離間可能に載置状態で支持されるようにすることができる。或いは、前記押し上げピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されるようにすることができる。
また、前記連通路の下方の開口部は、前記押し上げピンの下端部において横方向に向けて開放されるようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの下方の開口部が、横方向に向けて開放されているので、この開口部が、押し上げ部材によって塞がれることを確実に防止することが可能となる。
本発明による被処理体の昇降機構は、真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成し、前記押し上げピンの連通路に摺動可能に挿入して前記押し上げピンを位置決めするとともに前記押し上げピンを上下駆動する位置決め駆動ピンを設け、前記位置決め駆動ピンを押し上げ部材により上下動させ得るようにしたことを特徴とするものである。
前記押し上げピンは、筒状のピン本体を有し、前記ピン本体はその上端部に環状部または押し上げピンの下降時に前記ピン挿通孔の周縁部に保持される鍔部を設けられていてもよい。
前記環状部または前記鍔部は、上部が凸状の曲面形状に形成されていてもよい。
前記環状部または前記鍔部の上部が凸状の曲面形状に形成されている場合には、被処理体を支持する部分の接触面積が小さいため、押し上げピンの傾斜による位置ずれが小さい。
前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方または横方向に開放されていてもよい。
連通路の上方の開口部が横方向に向けて開放されている場合には、連通路の開口部が被処理体の裏面側で塞がれることがないので、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に確実に排除することが可能となる。
前記位置決め駆動ピンは上昇時に前記押し上げピンの下端部と係合する突起または鍔を有するようにすることもできる。
前記押し上げピンの連通路は、前記位置決め駆動ピンが上昇する時に前記位置決め駆動ピンの上端と係合する突起または小径部または段部を有するようにすることもできる。
本発明によれば、位置決め駆動ピンが上昇する時に、位置決め駆動ピンの突起または鍔が押し上げピンの下端部と係合し、あるいは、位置決め駆動ピンの上端が押し上げピンの連通路内の突起または小径部または段部と係合し、押し上げピンを上方に移動させることができる。
前記位置決め駆動ピンは上端部に膨出部を有し、前記押し上げピンの連通路は下端部に狭窄部を有し、前記膨出部の最大外径寸法は前記狭窄部の最小内径寸法より大きいようにすることもできる。
本発明によれば、位置決め駆動ピンが下降するときに、位置決め駆動ピンの膨出部が押し上げピンの連通路の狭窄部と係合し、確実に押し上げピンを下方に移動させることができる。
前記載置台のピン挿通孔は、下端部に前記押し上げピンが下降する時に前記押し上げピンの下端と係合する突起を有するようにすることができる。
この場合、押し上げピンが下降する時にピン挿通孔の突起が押し上げピンと係合し、押し上げピンを支持することができる。
前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材上に摺動可能に支承されているようにすることができる。前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されているようにすることができる。
本発明による被処理体の処理装置は、真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置する載置台と、上述したいずれかの被処理体の昇降機構を備えたことを特徴とするものである。
発明を実施するための最良の形態
以下に、本発明に係る被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る処理装置を示す断面構成図、図2は被処理体の昇降機構の押し上げ部材を示す平面図、図3Aと図3Bは押し上げピンの構造を示す図(TypeA)、図4A,4Bは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。ここでは処理としては、TiN膜を堆積させる場合を例にとって説明する。
図示するようにこの処理装置20は、例えば断面の内部が略円形状になされたアルミニウム製の処理容器22を有している。この処理容器22内の天井部には必要な処理ガス、例えばTiCl4ガスやNH3ガス等を導入するためにガス供給手段であるシャワーヘッド構造24が設けられており、この下面に設けた多数のガス噴射口26A、26Bから処理空間Sに向けて処理ガスを噴射するようになっている。
このシャワーヘッド構造24内は、例えば2つのガス空間24A、24Bに分離区画されると共に各ガス空間24A、24Bに上記各ガス噴射孔26A、26Bがそれぞれ連通されており、シャワーヘッド構造24の内部では2つのガスが混ざらないように別々の通路を経て処理空間Sで2つのガスが初めて混合し得るようになっている。尚、このガス供給形態をポストミックスと称する。
このシャワーヘッド構造24の全体は、例えばニッケルやハステロイ等のニッケル合金等の導電体により形成されており、上部電極を兼ねている。この上部電極であるシャワーヘッド構造24の外周側や上方側は、処理容器22との接地を絶縁するために例えば石英やアルミナ(Al2O3)等よりなる絶縁体27により全体が覆われており、上記シャワーヘッド構造24はこの絶縁体27を介して処理容器22側に絶縁状態で取り付け固定されている。この場合、上記シャワーヘッド構造24と絶縁体27と処理容器22の各接合部間には、例えばOリング等よりなるシール部材29がそれぞれ介在されており、処理容器12内の気密性を維持するようになっている。
そして、このシャワーヘッド構造24には、例えば450KHzの高周波電圧を発生する高周波電源33がマッチング回路35を介して接続されており、上記上部電極であるシャワーヘッド構造24に必要に応じて高周波電圧を印加するようにしてもよい。尚、この高周波電圧の周波数は450KHzに限定されず、他の周波数、例えば13.56MHz等を用いてもよい。
また、処理容器22の側壁22Aには、この処理容器22内に対して被処理体としての半導体ウエハWを搬入搬出するための搬出入口28が設けられると共に、この搬出入口28には、気密に開閉可能になされたゲートバルブ30が設けられている。
そして、この処理容器22の底部22Bに排気落とし込め空間32が形成されている。具体的には、この容器底部22Bの中央部には大きな開口31が形成されており、この開口31に、その下方へ延びる有底円筒体状の円筒区画壁34を連結してその内部に上記排気落とし込め空間32を形成している。そして、この空間32を区画する円筒区画壁34の底部34Aには、これより起立させて例えば円筒体状の支柱36が設けられており、この上端部に図示しない円板メッシュ状の下部電極が埋め込まれた載置台38が固定されている。
そして、上記排気落とし込め空間32の入口開口部は、載置台38の直径よりも小さく設定されており、上記載置台38の周縁部の外側を流下する処理ガスが載置台38の下方に回り込んで入口開口部へ流入するようになっている。そして、上記円筒区画壁34の下部側壁には、この排気落とし込め空間32に臨ませて真空排気口40が形成されており、この真空排気口40には、図示しない真空ポンプが介設された排気管42が接続されて、処理容器22内及び排気落とし込め空間32の雰囲気を真空引きできるようになっている。
そして、この排気管42の途中には、開度コントロールが可能になされた図示しない圧力調整弁が介設されており、この弁開度を自動的に調整することにより、上記処理容器22内の圧力を一定値に維持したり、或いは所望する圧力へ迅速に変化させ得るようになっている。
また、上記載置台38は、加熱手段として例えば内部に所定のパターン形状に配置された抵抗加熱ヒータ44を有しており、この外側は焼結された例えばAlN等よりなるセラミックスにより構成され、上面に被処理体としての半導体ウエハWを載置し得るようになっている。また、上記抵抗加熱ヒータ44は上記支柱36内を配設された給電線46に接続されて、電力を制御しつつ供給できるようになっている。
この載置台38には、本発明の特徴とする被処理体の昇降機構48が設けられる。具体的には、上記載置台38には、この上下方向に貫通して複数、例えば3本のピン挿通孔50が形成されており(図1においては2つのみ示す)、上記昇降機構48は、上記各ピン挿通孔50に上下移動可能に遊嵌状態で挿通させた押し上げピン52を有している。上記各押し上げピン52の下端には、図2にも示すように、円形リング形状の一部を欠いてなる円弧形状に形成された例えばアルミナのようなセラミックス製の押し上げ部材54が配置されており、この押し上げ部材54の上面に、上記各押し上げピン52の下端は離脱可能に載置状態で支持されている。すなわち、押し上げピン52の下端は支持された状態で押し上げ部材54との間で相対的に摺動可能になっている。具体的には、この円弧形状の押し上げ部材54には、中心に対して略120度間隔で配置されたピン支持皿56が設けられており、各ピン支持皿56の上面で、上記押し上げピン52の下端を受けて支持するようになっている。この押し上げ部材54から延びるアーム部54Aは、容器底部22Bの下面側に設けたアクチュエータ58の出没ロッド60の上端にボルト62により連結されており、上記各押し上げピン52をウエハWの受け渡し時に各ピン挿通孔50の上端から上方へ出没させるようになっている。また、アクチュエータ58の出没ロッド60は上記容器底部22Bを貫通しており、この貫通部の下側に、伸縮可能なベローズ64が介設されており、上記出没ロッド60が処理容器22内の気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。
ここで、本発明の特徴とする上記押し上げピン52は、全体が例えばアルミナにより形成されて、図3A,3B及び図4A,4Bにも示すように、内部が中空になされたパイプ状になっており、この中空部分が連通路66として構成されている。これにより、図4Aにも示すように、ウエハWの裏面と載置台38の上面との間の空間S1と、載置台38の裏面側(下方)の空間S2とを連通するようになっている。
この押し上げピン52は、パイプ状になされたピン本体68と、このピン本体68の先端部に設けられて拡径された鍔部70とよりなり、上記連通路66は上下方向に貫通して設けられる。尚、この鍔部70は、例えば笠状、湾曲状に形成されるなど、どのような形状でもよい。また、上記鍔部70より上方に突出する環状部68Aの直径は、ピン本体68より小さく設定されている。
従って、ここでは上記連通路66の上方の開口部66Aは、ピン本体68の上端において上方に向けて開放されており、連通路66の下方の開口部66Bは、ピン本体68の下端において下方に向けて開放されている。
そして、ここでは上記ピン本体68の外径D1は2.8〜4.8mm程度、ピン挿通孔50の内径D2は3〜5mm程度にそれぞれ設定されると共に、上記鍔部70の直径D3は上記挿通孔50の内径D2よりも大きい3〜7mm程度に設定されており、載置台38の上面には、上記鍔部70を収容できる大きさで凹部72が形成されている。尚、連通路66の内径D4(図3B)参照は1〜4mm程度である。また、上記ピン挿通孔50の内径D2とピン本体68の外径D1のクリアランスは0.1〜0.5mm程度、好ましくは0.2〜0.4mm程である。
これにより、図4Bに示すように、押し上げ部材54が最下端へ降下した時に、上記鍔部70が載置台38の凹部72内に没入し、押し上げピン52はピン支持皿56に支持される。また、押し上げピン52の全体と離間した状態で載置台38の凹部72内に上記鍔部70を没入した状態で保持されるようにしてもよい。
次に、以上のように構成された処理装置及び被処理体の昇降機構の動作について説明する。
まず、半導体ウエハWの搬入に先立って、例えば図示しないロードロック室に接続されたこの処理装置20の処理容器22内は高真空に真空引きされており、また、ウエハWを載置する載置台38は加熱手段である抵抗加熱ヒータ44によって所定の温度に昇温されて安定的に維持されている。
さて、このような状態において、まず、未処理の半導体ウエハWは、図示しない搬送アームに保持されて開状態となったゲートバルブ30、搬出入口28を介して処理容器22内へ搬入され、このウエハWは、図4Aに示すように上昇された押し上げピン52に受け渡された後に、押し上げ部材54を降下させてこの押し上げピン52を降下させることにより、ウエハWを載置台38の上面に載置してこれを支持する。次に、シャワーヘッド構造24から処理ガスとして例えばTiCl4ガスやNH3ガスをそれぞれ別々のガス噴射孔26A、26Bを介して噴射供給すると共に、これらの両ガスを処理空間Sにて混合させ、そして、図示してないが排気管42に設けた真空ポンプの駆動を継続することにより、処理容器22内や排気落とし込め空間32内の雰囲気を真空引きし、そして、圧力調整弁の弁開度を調整して処理空間Sの雰囲気を所定のプロセス圧力に維持する。これにより、半導体ウエハWの表面に、TiCl4とNH3とが熱反応によりTiN膜を堆積させることになる。また、上部電極であるシャワーヘッド構造24と下部電極である載置台38との間に高周波電力を印加して処理空間Sにプラズマを立てて成膜してもよい。
ここで、載置台38上にウエハWを載置する時の状況について詳しく説明する。
前述したように、図4Aに示すように、最上端まで上昇した押し上げピン52の上端に、ウエハWを支持させた状態で、アクチュエータ58(図1参照)を駆動することによって押し上げ部材54を降下させると、これに支持されている上記押し上げピン52も上記押し上げ部材と一体的に降下することになる。そして、この降下した押し上げピン52は、最終的に図4Bに示すように、その押し上げピン52の上部の鍔部70が載置台38の上面の凹部72内に没入され、この時、押し上げピン52に支持されていたウエハWは載置台38の上面側に移載されて配置されることになる。更に上記押し上げ部材54に設けたピン支持皿56に支持された押し上げピン52の全体は、そのままの状態で支持される。また、上記鍔部70が載置台38の凹部72内に没入した状態で押し上げピン52を支持するようにしてもよい。
この際、従来の装置例にあっては、ウエハWの裏面側と載置台38との間の空間S1のガスが、前述したようにウエハWが降下してきても押し上げピン52とピン挿通孔50の隙間より迅速には抜けきれなかったので、エアクッションの作用が生じてウエハWが僅かな距離ではあるが、載置台38の上面を横スベリして位置ずれを生ずる場合があった。
しかしながら、本発明装置の場合には、上記空間S1のガスを上記押し上げピン54に形成した連通路66を介して、載置台38の下方の空間S2側へ迅速に排除することができるので、上記したエアクッション作用がほとんど発生することもなく、従って、ウエハWの横スベリも生ぜずに、このウエハWを位置ずれさせることなく載置台38上に適正な位置に支持させることができる。
すなわち、降下してきたウエハWが、載置台38の上面と接触して、この上に載置される時、このウエハWの裏面側の空間S1のガスは、各押し上げピン52のピン本体68に形成した連通路66内に入り込んでこれを介して載置台38の下方の空間S2へ排出されることになる。特に、この空間S2の下方側は真空引きされているので、より迅速に空間S1のガスは排除されることになり、上述したようにエアクッションの作用を生ぜずにウエハWに位置ずれが発生することを防止することができる。
この場合、ウエハWが載置台38上に載置されるまでは、この連通路66の上方の開口部66AはウエハWの裏面で塞がれ、また、下方の開口部66Bは押し上げ部材54の上面により塞がれることになるが、この部分をミクロ的に見れば上記両開口部66A、66Bは共に完全には塞がれてはおらずにガスが十分に流通できる程度の隙間が生じているので、空間S1のガスの排出をそれ程阻害することはない。
また、上述したように、空間S1のガスは主に連通路66を介して排出され、また、ピン挿通孔50の内壁と押し上げピン52の外周面との間に形成される隙間は非常に小さいため空間S1のガスが流入することもない。従って、ウエハに成膜する前の載置台38へ予めプリコート膜を形成した場合や、ウエハの成膜をしている際の成膜ガスの回り込みにより、この部分に不要な膜が堆積することも防止できるので、この押し上げピン52の上下方向への稼働状態を妨げる恐れもなく、スムーズに行なうことができる。
更には、各押し上げピン52に下端は、円弧状の押し上げ部材54のピン支持皿56上に固定されておらずに、ピン支持皿56とは離間ぜずにピン支持皿56と摺動可能に支持されているだけなので、この円弧状の押し上げ部材54が熱伸縮しても、これを許容することができ、押し上げピン52がこの押し上げ部材54の熱伸縮によって押し上げピン52とピン挿通孔50との接触負荷によって破損することも防止できる。
なお、上記実施形態では、連通路66は環状部68Aから上方に向かって開口している。しかし、連通路66をピン本体68の上端部で横方向に向けて開口させることができる。
図5A,5B,5Cに連通路66をピン本体68の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピン52を示す。図5Aは押し上げピン52を上方から見た平面図、図5Bは図5Aの矢印A−A方向に見た押し上げピン52の側断面図、図5Cは図5Aの矢印B−B方向に見た押し上げピン52の側面図を示している。
図5A,5B,5Cに示すように、本実施形態では、環状部68Aの一部を切り欠き、鍔部70にも一部溝を設けている。このような構成により、図5Bから明らかなように、連通路66は上端部において横方向に開放するようになる。この場合、環状部68A上にウエハWが載置されていても、連通路66の上方の開口部66AはウエハWの裏面で塞がれることがない。したがって、気体が容易に流通できるので、空間S1の気体が容易に排出される。
尚、上記実施形態では、押し上げピン52の上部の鍔部70を平板状に成形したが、これに限定されず、図6A,6B,6Cに示すように、上方に向けて凸状に曲面形状に成形するようにしてもよい(TypeB)。
図6A,6B,6Cはこのような押し上げピンの変形例を示す図であり、図6Aは側面図、図6Bは断面図である。図示するように、この変形例の押し上げピン52Aでは、鍔部70は、上方に向けて所定の半径R1、例えば3〜8mm程度で凸状に曲面形状に成形されている。そして、連通路66の上方の開口部66Aは、上記鍔部70の中心部を上方へ向けて開口することにより形成されている。
これによれば、TypeBのウエハWの裏面に直接的に接触する開口部66Aとの接触部(図6B参照)が、図3Bに示すTypeAの場合の接触部よりも小さくなっているので、押し上げピン52Aが上下移動する際にこれが垂直方向から僅かに傾いたとしても、上記TypeBの鍔部70にウエハWの裏面との接触面が曲面形状している分小さいため、ウエハWの位置ずれ量を抑制することができる、という作用効果を発揮することができる。
尚、上記変形例の場合には、連通路66の上方の開口部66Aを、ピン本体68の上端において上方へ向けて開放するように設けたが、これに限定されず、ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されるように設けてもよい。
図7A,7B,7Cはこのような押し上げピン52の変形例を示す図であり、図7Aは側面図、図7Bは断面図、図7Cは上面図である。図示するように、この変形例の押し上げピン52Bでは、図6A,6Bの変形例と同様に鍔部70は、上方に向けて所定の半径R1で凸状に曲面形状(ドーム状、笠状)に成形されている。そして、連通路66の上方の開口部66Aは、上方に向けて開放されるのではなく、この押し上げピン52の上端部において横方向、或いは水平方向へ向けて開放されている。図示例では左右反対方向へ一対の開口部66Aが形成されている場合を示す。この場合、図7Cに示すように上記鍔部70の一部に切り欠き74が形成されており、この切り欠き74が上記開口部66Aの一部を構成している。
この場合には、このドーム状の鍔部70の頂点P1にてウエハWの裏面と接触してこれを支持するようになり、いわば点接触状態となるので、前述したように、押し上げピン52Bが上下移動する際にこれが垂直方向から僅かに傾いたとしても、ウエハWは点接触状態で支持されているので、ウエハWの位置ずれ量を更に抑制することができる、という作用効果を発揮できる。
また、図3A,3Bの実施形態、或いは図6A,6Bの変形例では、上方の開口部66AはウエハWの裏面側と当接してある程度塞がれていて排気抵抗が少し存在したが、この図7A,7Bの変形例では開口部66Aを横方向に向けて開放しているので、この開口部66Aは、ウエハWで塞がれることなく常時開放されており、その分、ウエハWの裏面側の空間S1のガスをより迅速に排除することが可能となり、結果的に、ウエハWの位置ずれを更に抑制することが可能となる。
また、図3A,3Bの実施形態、図5A,5B,5Cの変形例、図6A,6Bの変形例、及び図7A,7B,7Cの変形例においては、ピン本体68の上部に鍔部70を設けた押し上げピンについて説明したが、本発明はこれに限定されず、鍔部70を設けていない構造の押し上げピンとしてもよい。
図8A,8Bはこのような本発明の変形例を示す図であり、図8Aは側面図を示し、図8Bは断面図を示す。図示するように、この変形例の押し上げピン52Cでは、拡径された鍔部70(図7A,7B,7C参照)を有しておらず、連通路66が形成されたピン本体68の上端を順次縮径して円錐状に成形しており、その先端部を開口してここに上方の開口部66Aを設けている。
この場合には、鍔部70を設けていないので、この押し上げピン52Cは載置台38で保持されることなく、常時、押し上げ部材54(図4A,4B参照)の上面でその下端が保持されることになる。
また、上記実施形態及び各変形例においては、ピン本体68の下端に下方の開口部66Bを設けていたが、これに代えて、或いはこれと共に、図9の断面図に示すようにピン本体(押し上げピン)68の例えば下端部においてその側壁を開口することにより、横方向に向けて開放された別の開口部66Cを設けるようにしてもよい。図示例では一対の別の開口部66Cを設けた場合を示している。この開口部66Cは、ピン本体68の下端部に限らず、その途中のどの部分に設けてもよい。図10は図3A,3Bに示すTypeAの押し上げピン52に上記開口部66Cを設けた状態を示す断面図である。
これによれば、押し上げピンの下方の開口部66Cは押し上げ部材54に塞がれることなく常時開放されているので、ウエハWの裏面側の空間S1(図4A参照)のガスをより迅速に載置台38の裏面側の空間S2に向けて排除することが可能となる。
また更に、図9に示すように下方の開口部66Cをピン本体68の下端部においてその側壁に形成した場合には、図11に示すようにピン本体68の下端部を、上下の締め付けネジ80により押し上げ部材54側に固定的に接続してこれに支持させるようにしてもよい。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図12は本実施形態による被処理体の昇降機構を示している。図12に示すように、本実施形態では、押し上げピン52が短く形成され、連通路66に押し上げピン52の位置決めをするとともに押し上げピン52を上下駆動する位置決め駆動ピン90の上端部90Aが摺動可能に挿入されている。
位置決め駆動ピン90の上端部90Aの外径は好ましくは連通路66の内径よりわずかに小さく形成され、上端部90Aの外周面と連通路66の内側面との間に隙間が形成されている。
位置決め駆動ピン90の上端部90Aの外周面にピンの長さ方向に複数の溝を設けてもよい。この場合、位置決め駆動ピン90の上端部90Aの最大外径部分によって押し上げピン52を位置決めするとともに、溝部分によってガスの流通空間を確保することができる。溝の代わりに、位置決め駆動ピン90の上端部90Aの横断面をたとえば4角形にしてもよい。このことは以下に説明する各実施形態について共通である。
位置決め駆動ピン90の上端部90Aは位置決め駆動ピン90の下端部90Bより相対的に小径に形成されていてもよい。連通路66の内側面との間の隙間を確保するとともに、位置決め駆動ピン90の剛性を確保するためである。
位置決め駆動ピン90の一部には、図12に示すように、突起または鍔91が設けられている。突起または鍔91は押し上げピン52の下端部と係合する寸法を有している。突起または鍔91が突起である場合は、突起は位置決め駆動ピン90の外周面から半径方向外方に突出する複数の突起物であればよい。半径方向外方に突出する複数の突起物の間の隙間により、連通路66が塞がれることがなく、容易に気体を流通させることができる。なお、突起または鍔91が鍔である場合も、ミクロ的には鍔と押し上げピン52の下端部との間には隙間があり、押し上げピン52を下降させる時のウエハWと載置台2の間のガスを十分に排出することができる。
位置決め駆動ピン90の下端部は押し上げ部材54に固定されている。
図12の状態から位置決め駆動ピン90が上昇すれば、突起または鍔91が押し上げピン52の下端部と係合して押し上げピン52を上方に移動させ、ウエハWを持ち上げる。また、図12の状態から位置決め駆動ピン90が下降すれば、押し上げピン52の頭部が載置台38の凹部72に没入し、鍔部70が載置台38と係止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構によれば、押し上げピン52の位置は位置決め駆動ピン90の位置によって定めら、位置決め駆動ピン90の位置は押し上げ部材54によって定められるので、押し上げピン52が常に一定の場所でウエハWを支持することができる。
本実施形態の被処理体の昇降機構によれば、押し上げピン52が位置決め駆動ピン90によって垂直に保持されるので、押し上げピン52の上下動をスムーズに行わせ、押し上げピン52が傾斜して上下動できなくなることを防止することができる。
ウエハWを載置台38上に降ろす時に、ウエハWと載置台38の間のガスを連通路66を介して載置台38の下方の空間S2に逃がし、ウエハWの位置ずれを防止することは前述した他の実施形態の被処理体の昇降機構と同様である。
本実施形態では位置決め駆動ピン90の下端部は押し上げ部材54に固定されているが、位置決め駆動ピン90による位置決めの要求が厳しくない場合には、位置決め駆動ピン90の下端部を押し上げ部材54上に摺動可能に支承させることができる。この場合には、押し上げ部材54の熱伸縮による影響を軽減させることができる。
本実施形態においては、押し上げピン52は載置台2の内部に埋没する程度に短く形成されているが、押し上げピン52の下端部が載置台2の下面から下方に突出させてもよい。
また、本実施形態においては、突起または鍔91の最大外径寸法が載置台2のピン挿通孔50の内径より小さく、突起または鍔91がピン挿通孔50の内部に進入できるようになっているが、突起または鍔91の最大外径寸法が載置台2のピン挿通孔50の内径より大きくなるように形成してもよい。
図13は、上記押し上げピン52の下端部が載置台2の下面から下方に突出する構成と、上記突起または鍔91の最大外径寸法が載置台2のピン挿通孔50の内径より大きい構成の二つの構成をともに具備する実施形態を示している。
図13に示した実施形態によれば、図12の作用効果をすべて具備するとともに、位置決め駆動ピン90を上昇させる時に、所定の高さで突起または鍔91が載置台38の下面と係合する。これにより、載置台38の上面からの押し上げピン52の突出高さが規定されるので、全部の押し上げピン52の載置台38上面からの突出高さを正確に等しくすることができる。
上記図12,13の実施形態において、鍔部70を図6A,6Bのように凸状の曲面形状にすることができる。また、連通路66の上方開口部を図5A,5B,5C及び図7A,7Bのように横方向に開口させることができる。押し上げピン52の上端部を図8A,8Bに示すように、漸次縮径して円錐状にすることもできる。
さらに、上記図12,13の実施形態において、図9に示すように、押し上げピン52のピン本体68の下端部の側壁に開口を設けることにより、横方向に向けて開放する開口を設けることができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図14に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。
図14に示すように、本実施形態は、押し上げピンの連通路66に、位置決め駆動ピン90が上昇する時に位置決め駆動ピン90の上端と係合する突起92を設けている。
突起92は、連通路66の内面の全周にわたって設けてもよいが、連通路66の内面の周方向に断続的に設けられた内方に突出する複数の突起であればよい。
本実施形態は、押し上げピン52が短く形成され、連通路66に位置決め駆動ピン90の上端部が摺動可能に挿入されている。突起92の最小内側寸法は位置決め駆動ピン90の上端部90Aの外径よりわずかに小さく形成されている。また、位置決め駆動ピン90と連通路66の間には気体を流通させるのに十分な隙間が形成されている。
位置決め駆動ピン90の下端部は押し上げ部材54に固定されている。
図14の状態から位置決め駆動ピン90が上昇すれば、突起92が位置決め駆動ピン90の上端と係合して押し上げピン52を上方に移動させ、ウエハWを持ち上げる。また、図14の状態から位置決め駆動ピン90が下降すれば、押し上げピン52の頭部が載置台38の凹部72に没入し、鍔部70が載置台38と係止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハWと載置台38の間のガスが連通路66を通じて逃がされること、押し上げピン52の位置が一定に維持されること、及び押し上げピン52が位置決め駆動ピン90によって垂直に維持されて傾斜によって上下動できなくなることを防止すること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、位置決め駆動ピン90の下端部を押し上げ部材54上に摺動可能に支承させること、押し上げピン52の下端部が載置台2の下面から下方に突出させること、鍔部70を図6A,6Bのように凸状の曲面形状にすること、連通路66の上方開口部を図5A,5B,5C及び図7A,7Bのように横方向に開口させること、鍔部70の代わりに押し上げピン52の上端部を図8A,8Bに示すように円錐状にすること、押し上げピン52のピン本体68の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること等の改変を加えることができる。
さらに、突起92の代わりに図15に示すように、連通路66の上部を小径部93に形成することができる。小径部93の内径は位置決め駆動ピン90の外径よりわずかに小さく形成する。この場合も位置決め駆動ピン90が上昇すると、位置決め駆動ピン90の上端部が小径部93の下端と係合し、押し上げピン52を上方に移動させる。また、図15の状態から位置決め駆動ピン90が下降すれば、押し上げピン52の頭部が載置台38の凹部72に没入し、鍔部70が載置台38と係止する。
小径部93は押し上げピン52の長さ方向に所定の距離だけ形成した後に再び拡径させてもよい。この場合、小径部93の下端部には位置決め駆動ピン90の上端と係合する段部が形成されているので、図14や図15の実施形態と全く同じ作用効果を奏することができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図16に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。
本実施形態は、押し上げピン52を下降させるときに、確実に押し上げピン52を引き下ろす構成を有していることを特徴とするものである。
図16に示すように、本実施形態は位置決め駆動ピン90の上端部に膨出部94を有し、連通路66の下端部に狭窄部95を有している。膨出部94の最大外径寸法は狭窄部95の最小内径寸法より大きく形成されている。膨出部94と狭窄部95はたとえばねじを設けることによって形成することができる。位置決め駆動ピン90の先端部を挿入するときはねじ込むことによって位置決め駆動ピン90の先端部を挿入することができ、通常の運転時では、ねじ山同士が係合する。ねじのほかに、挿入してから回転させることができる任意の嵌め合い形状にすることができる。
位置決め駆動ピン90の下端部は押し上げ部材54に固定されている。
図16の状態から位置決め駆動ピン90が上昇すれば、位置決め駆動ピン90の上端と連通路の小径部93が係合して押し上げピン52を上方に移動させ、ウエハWを持ち上げる。押し上げピン52が上方に移動した状態で位置決め駆動ピン90が下降するときは、仮に押し上げピン52が何らかの原因によって下降しない場合は、膨出部94が狭窄部95と係合し、確実に押し上げピン52を引き下ろすことができる。これにより、押し上げピン52が引き込まないトラブルを防止することができる。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハWと載置台38の間の気体が連通路66を通じて逃がされること、押し上げピン52の位置が一定に維持されること、及び押し上げピン52が位置決め駆動ピン90によって垂直に維持されること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、押し上げピン52の下端部が載置台2の下面から下方に突出させること、鍔部70を図6A,6Bのように凸状の曲面形状にすること、連通路66の上方開口部を図5A,5B,5C及び図7A,7Bのように横方向に開口させること、押し上げピン52の上端部を図8A,8Bに示すように、漸次縮径して円錐状にすること、押し上げピン52のピン本体68の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること、小径部93の代わりに突起や段部にすること等の改変を加えることができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図17に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。本実施形態は載置台のピン挿通孔の下端部で押し上げピンの下端を保持できるようにしたものである。
図17に示すように、本実施形態の載置台38はピン挿通孔50を有し、ピン挿通孔50の下端部には突起96が設けられている。突起96はピン挿通孔50の内面周方向の全周にわたって設けられていてもよいが、周方向に断続的に複数の内方に突出する突起物としてもよい。
ピン挿通孔50には押し上げピン52が上方から嵌挿されている。押し上げピン52の下端は突起96と係合する。押し上げピン52の内部には連通路66が設けられている。連通路66の内部には突起92が設けられている。突起92は連通路66の内面全周にわたって連続的に、すなわちリング状に形成されていてもよい。また、突起92の代わりに、前述した小径部93あるいは段部としてもよい。
連通路66には位置決め駆動ピン90の上端部が挿入されている。位置決め駆動ピン90の下端部は押し上げ部材54に固定されている。
本実施形態によれば、位置決め駆動ピン90が上昇すると、突起92が位置決め駆動ピン90の上端と係合して押し上げピン52を上方に移動させ、ウエハWを持ち上げる。また、位置決め駆動ピン90が下降すると、押し上げピン52の下端が突起96と係合し、下降を停止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハWと載置台38の間のガスが連通路66を通じて逃がされること、押し上げピン52の位置が一定に維持されること、押し上げピン52が位置決め駆動ピン90によって垂直に維持されて傾斜によって上下動できなくなることを防止すること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、位置決め駆動ピン90の下端部を押し上げ部材54上に摺動可能に支承させること、図3A,3Bのような鍔部70を設けること、その鍔部70を図6A,6Bのように凸状の曲面形状にすること、押し上げピン52の上端部を図8A,8Bに示すように円錐状にすること、連通路66の上方開口部を図5A,5B,5C及び図7A,7Bのように横方向に開口させること、押し上げピン52のピン本体68の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること等の改変を加えることができる。
尚、上記実施形態では、ウエハ表面にTiN膜を成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、他の膜種を堆積させる場合、或いは成膜処理に限らず、熱処理、改質処理、エッチング処理、スパッタ処理、プラズマを用いた各種の枚葉処理を行う場合にも本発明を適用できるのは勿論である。
また、本実施形態では、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、LCD基板、ガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
以上説明したように、本発明の被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを、押し上げピンに形成した連通路を介して載置台の裏面側へ迅速に排除することができるので、エアークッション作用が発生することがなくなって被処理体が載置台上を横スベリすることがなく、この位置ずれが生ずることを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの連通路に位置決め駆動ピンが挿入され、押し上げピンの位置が位置決め駆動ピンによって位置決めされ、ウエハの位置ずれを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの連通路に位置決め駆動ピンが挿入され、押し上げピンが位置決め駆動ピンによって垂直に保持されるので、押し上げピンの上下動をスムーズに行わせ、押し上げピンが傾斜して上下動できなくなることを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの上方の開口部は、横方向に向けて開放されているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを防止でき、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に、且つスムーズに確実に排除することができる。
本発明によれば、押し上げピンの鍔部に、開口部の一部を形成する切り欠きを設けるようにしているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを確実に防止することができ、これによって被処理体の裏面側の空間のガスを更に確実に排除することができる。
本発明によれば、押し上げピンの下方の開口部が、横方向に向けて開放されているので、この開口部が、押し上げ部材によって塞がれることを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は本発明に係る処理装置を示す断面構成図である。
図2は被処理体の昇降機構の押し上げ部材を示す平面図である。
図3Aは押し上げピンの構造を示す側面図である。
図3Bは押し上げピンの構造を示す断面図である。
図4Aは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。
図4Bは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。
図5Aは連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの平面図である。
図5Bは図5Aの矢印A−A方向に見た押し上げピンの断面図である。
図5Cは図5Aの矢印B−B方向に見た押し上げピンの側面図である。
図6Aは鍔部を凸状の曲面形状にした押し上げピンの側面図である。
図6Bは鍔部を凸状の曲面形状にした押し上げピンの断面図である。
図7Aは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの側面図である。
図7Bは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの断面図である。
図7Cは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの平面図である。
図8Aは押し上げピンの上端部を円錐状にした押し上げピンの側面図である。
図8Bは押し上げピンの上端部を円錐状にした押し上げピンの断面図である。
図9は押し上げピンの下端部の側壁に開口部を設けた時の状態を示す部分断面図である。
図10は図3A,3Bに示すTypeAの押し上げピンに開口部を設けた状態を示す断面図である。
図11は押し上げピンの下端を押し上げ部材に固定した時の状態を示す部分断面図である。
図12は位置決め駆動ピンに突起または鍔を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図13は図12の実施形態の変形例に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図14は連通路に突起を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図15は連通路に小径部を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図16は位置決め駆動ピンに膨出部を設け連通路に狭窄部を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図17はピン挿通孔の下端に突起を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図18Aは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。
図18Bは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。
Claims (20)
- 真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、
前記押し上げピンに、前記処理容器内の前記被処理体の裏面と前記載置台の上面の間の空間と前記処理容器内の前記載置台の下方の空間とを連通する連通路を形成したことを特徴とする被処理体の昇降機構。 - 前記押し上げピンは、ピン本体と、このピン本体の先端部に設けられて降下した時に前記ピン挿通孔の上端の開口の周縁部に保持される鍔部とよりなることを特徴とする請求項1記載の被処理体の昇降機構。
- 前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方に向けて開放されていることを特徴とする請求項2記載の被処理体の昇降機構。
- 前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されていることを特徴とする請求項2記載の被処理体の昇降機構。
- 前記鍔部は、上方に向けて凸状に曲面形状に成形されていることを特徴とする請求項2に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記鍔部には、前記開口部の一部を形成するための切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項2に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記ピン本体の下端は、前記押し上げ部材上に離間可能に載置状態で支持されていることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記押し上げピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されていることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記連通路の下方の開口部は、前記押し上げピンの下端部において横方向に向けて開放されていることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の昇降機構。
- 真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、
前記押し上げピンに、前記処理容器内の前記被処理体の裏面と前記載置台の上面の間の空間と前記処理容器内の前記載置台下方の空間とを連通する連通路を形成し、
前記押し上げピンの連通路に摺動可能に挿入して前記押し上げピンを位置決めするとともに前記押し上げピンを上下駆動する位置決め駆動ピンを設け、
前記位置決め駆動ピンを押し上げ部材により上下動させ得るようにしたことを特徴とする被処理体の昇降機構。 - 前記押し上げピンは、筒状のピン本体を有し、前記ピン本体はその上端部に環状部または押し上げピンの下降時に前記ピン挿通孔の周縁部に保持される鍔部を設けられていることを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記環状部または前記鍔部は、上部が凸状の曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項11に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方または横方向に開放されていることを特徴とする請求項11に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記位置決め駆動ピンは上昇時に前記押し上げピンの下端部と係合する突起または鍔を有することを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記押し上げピンの連通路は、前記位置決め駆動ピンが上昇する時に前記位置決め駆動ピンの上端と係合する突起または小径部または段部を有することを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記位置決め駆動ピンは上端部に膨出部を有し、前記押し上げピンの連通路は下端部に狭窄部を有し、前記膨出部の最大外径寸法は前記連通路の狭窄部の最小内径寸法より大きいことを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記載置台のピン挿通孔は、下端部に前記押し上げピンが下降する時に前記押し上げピンの下端と係合する突起を有することを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材上に摺動可能に支承されていることを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されていることを特徴とする請求項10に記載の被処理体の昇降機構。
- 真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置する載置台と、
前記載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにし、前記押し上げピンに、前記処理容器内の前記被処理体の裏面と前記載置台の上面の間の空間と前記処理容器内の前記載置台の下方の空間とを連通する連通路を形成した被処理体の昇降機構と、
減圧手段と、を有することを特徴とする処理装置。
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