JP4235997B2 - 光学膜厚計測方法及び装置 - Google Patents
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Description
基板ドーム(5)中心に取り付けられた成膜基板(6)は、基板内膜厚分布の均一化を図るため、図示していない高速回転機構により基板ドーム(5)と共に1000rpmで回転し、基板加熱用シースヒーター(7)及びハロゲンヒーター(21)により加熱される。また、成膜基板(6)の温度は放射型温度計(17)を用いて測定し、実測データは温度調節器(18)に入力され、温度調節器(18)は、予め設定された温度と実測温度を比較・演算し、その結果を基に、成膜基板(6)が電子ビームからの輻射熱やプラズマ発生時の熱を受けても基板温度が常に一定となるようハロゲンヒーター用電力調整器(19)を制御する(特願2002-229025号)。
マッチングボックス(23)は高周波電源(22)の出力インピーダンスと負荷である基板ドーム(5)を含む放電機構のインピーダンスの整合をとるものである。
水晶膜厚センサ(4)は蒸発速度を検出し、図示していないが電子ビーム蒸発源コントローラに検出信号をフィードバックし成膜速度を一定に制御している。
NBPF製造時に於ける各層の膜厚制御は前記光学膜厚計測装置を用いるが、前記スペーサ層及びスペーサ層近傍の前記反射帯層での透過率の変化量は、他の反射帯層に比べて極めて小さい。
そこでスペーサ層のように透過率の変化量が小さい層の極値検出には、受光器(15)以降の信号処理回路で電気的もしくは演算により透過率の変化量を拡大する手法もあるが、SN比(Signal to Noise ratio)は変わらないため極値検出精度の向上は望めない。
目的達成のため、成膜基板に照射するレーザ光の出力強度を、成膜工程中任意の値に設定可能な構成とすることを特徴とする。
具体的には、成膜基板にレーザ光を照射するレーザ光源と、レーザ光源の出力制御を行う制御装置とを備え、成膜工程中にレーザ光の照射強度を可変することを特徴とする。レーザ光の出力制御は、各層における透過率または反射率の変化を予め算出し、透過率または反射率の変化量が小さい層を成膜する際にレーザ光源の出力を増大し、透過光量または反射光量を増大させて変化量を拡大し、極値検出を行う。
制御装置(33)は、レーザ光源の出力を成膜工程中任意の値に設定可能な構成とする。レーザ光の出力は、各層における透過率の変化量を予めシミュレーションし、変化量の小さい層では出力を増大するように設定する。
具体的には、スペーサ層及びスペーサ層近傍の反射帯層成膜開始前に、波長可変レーザの出力を増加させておく。
制御装置(33)を用いて基板に投光するレーザ光の光量を増大させることにより、透過光量が増加し、ノイズを増大させることなく透過率の変化量を拡大することが可能となるため、SN比を向上させ高精度の膜厚測定を行うことが可能となる。
上記実施例では透過率を測定したが、反射率を測定してもよい。
図6より、本発明膜厚計測装置を用いてスペーサ層及びスペーサ層近傍の反射帯層での透過率の変化量を拡大したことにより、極値の検出精度が向上し、図7に示す従来の膜厚計測装置を用いて成膜を行った結果に比べて極めて良好な光学的特性が得られているのが判る。
また、上記実施例では光源に波長可変レーザを用いたが、本発明は波長可変レーザに限定するものではなく、他の出力可変可能な光源にも転用が可能である。
2 電子ビーム蒸発源
3 シャッタ
4 水晶センサ
5 基板ドーム
6 成膜基板
7 基板加熱用シースヒーター
8 下部覗き窓
9 上部覗き窓
10 コントローラ
11 波長可変レーザ
12 デポラライザー
13 光ファイバ
14 出射筒
15 単色測光用受光器
16 覗き窓
17 放射型温度計
18 温度調節器
19 ハロゲンヒーター用電力調整器
20 低圧導入電極
21 ハロゲンヒーター
22 高周波電源
23 マッチングボックス
24 高圧導入電極
25 高屈折率物質
26 低屈折率物質
27 反射帯層
28 スペーサ層
29 キャビティ
30 結合層
31 基板
32 14層目のスペーサ層における透過率の変化
33 制御装置
Claims (2)
- 多層膜を堆積する成膜基板にレーザ光を投光して該成膜基板の透過率または反射率を測定し、該成膜基板の膜厚を測定する光学薄膜計測方法において、
各層における透過率または反射率の変化を予め算出し、
透過率または反射率の変化量の相対的に小さい層を成膜する際に、該成膜基板に照射する該レーザ光の強度を増大させ、透過光量または反射光量を増大させ、極値検出を行うことを特徴とする光学薄膜計測方法。 - 成膜基板にレーザ光を投光して該成膜基板の透過率または反射率を測定し、該成膜基板の膜厚を測定する光学薄膜計測装置であって、
該成膜基板に多層膜を成膜する光学薄膜形成用装置に搭載され、
該成膜基板に該レーザ光を照射するレーザ光源と、
該レーザ光源の出力制御を行う制御装置とを備え、
該制御装置は、成膜工程中に該レーザ光の照射強度を可変する光学薄膜計測装置において、
各層における透過率または反射率の変化を予め算出し、
透過率または反射率の変化量の相対的に小さい層を成膜する際に、
該制御装置により該レーザ光源の出力を増大することを特徴とする光学薄膜計測装置。
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