JP4235615B2 - 多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
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Description
下部パネル上に形成されている画素電極には切開パターンを形成し、上部パネルに形成されている対向電極上には突起を形成することによっても、切開パターン及び突起によって形成されるフリンジフィールドを利用して液晶分子の傾く方向を調節することによって、複数のドメインを形成する。
絶縁基板と、絶縁基板上に形成されていて、第1乃至第3ゲート電極及び複数のゲート線を含むゲート配線と、ゲート配線上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、半導体層上に形成されていて、ゲート線と交差している複数のデータ線、データ線と接続されている第1乃至第3ソース電極、及び第1乃至第3ゲート電極に関して第1乃至第3ソース電極と対向している第1乃至第3ドレイン電極を含むデータ配線と、第2ドレイン電極と接続されている方向制御電極と、データ配線及び方向制御電極上に形成されていて、複数の接触孔を有する保護膜と、保護膜上に形成されていて、複数の切開部を有していて、接触孔を通じて第1及び第3ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極とを含む、薄膜トランジスタアレイパネルを提供する。
図1は本発明の実施形態による液晶表示装置の回路図である。
本発明では、DCE TFTをストレージ電極線に接続して、コモン電位が方向制御電極に印加されるようにする。したがって、次のフレームで画素電極に印加される電位の極性が何であるかに関係なく、常に二つの電極の電位が同一極性で上昇または下降する。結局、本発明は、ライン反転またはドット反転などの駆動方式に拘束されずに適用することができる。
DCE TFTがデータ線に接続されないため、データ線の負荷が増加するのを防止することができる。
図2Aは、本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図2B及び図2Cは、図2AのIIb−IIb’線に沿った断面図である。
絶縁基板110上に複数のゲート線121が形成されており、ゲート線121と交差するように複数のデータ線171が形成されている。ゲート線121及びデータ線171は互いに絶縁されていて、これらが交差して複数の画素領域を定義する。
絶縁基板110上に実質的に横方向にゲート線121が形成されており、複数の第1及び第2ゲート電極123a、123bがゲート線121に接続されている。また、絶縁基板110上には、複数のストレージ電極線131及び複数組の第1ないし第4のストレージ電極133a、133b、133c、133dが形成されている。ストレージ電極線131は実質的に横方向に形成されていて、第1及び第2ストレージ電極133a、133bは、ストレージ電極線131から縦方向に形成されている。第3及び第4ストレージ電極133c、133dは、横方向に形成されていて、第1ストレージ電極133a及び第2ストレージ電極133bを接続している。
ゲート絶縁膜140上には、非晶質シリコンなどからなる半導体層151、154a、154b、155が形成されている。半導体層151、154a、154b、155は、薄膜トランジスタのチャンネルを形成する複数の第1及び第2チャンネル部半導体層154a、154b、データ線171下に位置する複数のデータ線部半導体層151、及び方向制御電極178及びストレージ電極133c、133dが交差する部分近くに配されてこれら配線間の絶縁を保障する交差部半導体層155を含む。
保護膜180には、第1ドレイン電極を露出する複数の接触孔181、ゲート絶縁膜140へ延び、ストレージ電極線131を露出する複数の接触孔182、第2ソース電極173bを露出する複数の接触孔183、データパッドを露出する複数の接触孔(図示せず)、ゲート絶縁膜140へ延び、ゲートパッドを露出する複数の接触孔(図示せず)が形成されている。パッドを露出する接触孔は、角形や円形などの様々な形状に形成され得る。接触孔の面積は2mm×60μmを越えず、0.5mm×15μm以上であるのが好ましい。
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる上部基板210に、光漏れを防止するためのブラックマトリックス220、複数の赤、緑、青の色フィルター230、及びITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなるコモン電極270が形成されている。
図3A乃至図3Dは、本発明の第1実施形態による液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイパネルを製造する過程を順に示した断面図である。
本発明の第2実施形態による薄膜トランジスタアレイパネルは、4枚のマスクを利用する製造方法で製造したものであって、5枚のマスクを利用する製造方法で製造した薄膜トランジスタアレイパネルに比べて次のような特徴を有する。
図6A乃至図11Bは、液晶表示装置用の薄膜トランジスタアレイパネルを製造する過程を順に示した配置図または断面図である。
次に、図11A及び11Bに示したように、チャンネル部(C)のソース/ドレイン用導電体170a、170b及びその下部のソース/ドレイン用抵抗性接触層160a、160bの部分をエッチングして除去する。この時のエッチングは、ソース/ドレイン用導電体170a、170b及びソース/ドレイン用抵抗性接触層160a、160bの両方に対して乾式エッチングのみを行う。代替例としては、ソース/ドレイン用導電体170a、170bに対しては湿式エッチングを行い、ソース/ドレイン用抵抗性接触層160a、160bに対しては乾式エッチングを行うこともできる。前者の場合、ソース/ドレイン用導電体170a、170bとソース/ドレイン用抵抗性接触層160a、160bとの間のエッチング選択性が大きいという条件下で、エッチングを行うのが好ましい。これは、エッチング選択性が大きくない場合、エッチング終点を見つけるのが難しく、従って、チャンネル部(C)に残る半導体パターン154a、154bの部分の厚さを調節するのが容易でないためである。湿式エッチング及び乾式エッチングを交互に行う後者の場合には、階段形状の横の側壁が形成される。なぜなら、湿式エッチングは、ソース/ドレイン用導電体170a、170bの側面をエッチングするが、乾式エッチングは、ソース/ドレイン用抵抗性接触層パターン160a、160bの側面はほとんどエッチングしないからである。ソース/ドレイン用抵抗性接触層160a、160bをエッチングする時に使用するエッチング気体の例としては、CF4及びO2の混合気体がある。CF4及びO2の混合気体を使用すれば、半導体パターン154a、154bのエッチングされる部分を均一な厚さにできる。この時、半導体パターン154a、154bの露出される一部がエッチングされて厚さが薄くされ、データ配線部(A)のフォトレジストパターンPRの部分も厚さが薄くされる。この時のエッチングは、ゲート絶縁膜140がエッチングされないという条件で行われ、また、データ配線部(A)のフォトレジストパターンPRの部分が除去されてその下部のデータ配線171、173a、173b、175a、175b、179の部分が露出されることがないように、フォトレジストパターンPRが十分に厚いのが好ましい。
データ線171に接続された薄膜トランジスタT1は、画素電極190へ送られる信号をスイッチングし、ストレージ電極線に連結された薄膜トランジスタT2は、方向制御電極178へ入る信号をスイッチングする。画素電極190及び方向制御電極178は容量性結合する。同一の階調では、画素電極190と方向制御電極178との間の電位差の偏差が無い。したがって、ライン反転、ドット反転その他などの反転のタイプとかかわりなく、安定した画像品質が保証される。
図13は本発明の第3実施形態による液晶表示装置の等価の回路図である。
本発明の実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイパネル、これと対向している色フィルターアレイパネル、及びこれらの間に注入されている液晶層からなる。薄膜トランジスタアレイパネルには、複数のゲート線と複数のデータ線とが交差して複数の画素領域を定義され、複数のストレージ電極線がゲート線と平行に形成されている。ゲート線を通じて走査信号が伝達され、データ線を通じて画像信号が伝達される。ストレージ電極線にはコモン電圧Vcomが印加される。各画素領域には、画素電極用の画素用薄膜トランジスタと、方向制御電極用の第1および第2方向制御電極用薄膜トランジスタDCE TFT1およびDCE TFT2を備える。画素用薄膜トランジスタは、対応するゲート線に接続されているゲート電極、対応するデータ線に接続されているソース電極、及び対応する画素電極に接続されているドレイン電極を有する。第1方向制御電極用薄膜トランジスタは、前段のゲート線に接続されているゲート電極、前段のデータ線に接続されているソース電極、及び当該段の方向制御電極に接続されているドレイン電極を有する。第2方向制御電極用薄膜トランジスタは、前段のゲート線に接続されているゲート電極、当該段のデータ線に接続されているソース電極、及び当該段の画素電極に接続されているドレイン電極を有する。
図13に示す構造は、ドット反転及びライン反転方式に適用することができ、その他の方式には三つのTFTの接続を適切に変更して適用すればよい。
図14は本発明の第3実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図15は図14のXV−XV’線に沿った液晶表示装置の断面図であり、図16は図14のXVI−XVI’線に沿った液晶表示装置の断面図であり、図17は図14のXVII−XVII’線及びXVII’−XVII”線に沿った液晶表示装置の断面図である。
絶縁基板110上に複数のゲート線121が形成されており、その上に複数のデータ線171が形成されている。ゲート線121及びデータ線171は互いに絶縁されていて、これらが交差して複数の画素領域を定義する。
絶縁基板110上に実質的に横方向に延びる複数のゲート線121が形成されており、複数の第1乃至第3ゲート電極123a、123b、123cがゲート線121に接続されている。ゲート線121の一端には複数のゲートパッド125が接続されている。
ゲート絶縁膜140上には、非晶質シリコンなどからなる半導体層151、154ab、154cが形成されている。半導体層151、154ab、154cは、薄膜トランジスタのチャンネルを形成する複数の第1及び第2チャンネル部半導体層154ab、154c、及びデータ線171下に位置する複数のデータ線部半導体層151を含む。
保護膜180には、第1及び第2ドレイン電極175a、175bを露出させる複数の接触孔181、182と、ゲート絶縁膜140へ延びてゲートパッド125を露出させる複数の第3接触孔183と、データパッド179を露出させる複数の第4接触孔184とが形成されている。パッド125、179を露出させる接触孔は、多角形や円形などの様々な形状に形成され得る。接触孔の面積は、2mm×60μmを越えず、0.5mm×15μm以上であるのが好ましい。
ガラスなどの透明な絶縁物質からなる上部基板210に、光漏れを防止するためのブラックマトリックス220、複数の赤、緑、青の色フィルター230、及びITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなるコモン電極270が形成されている。
Claims (13)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成される複数の第1信号線と、
前記絶縁基板上に形成され、前記第1信号線と絶縁され且つ交差する複数の第2信号線と、
前記第1信号線と前記第2信号線とが交差して定義される画素領域ごとに形成され、それぞれに切開部を有する複数の画素電極と、
前記第1信号線と前記第2信号線とが交差して定義される画素領域ごとに形成される複数の方向制御電極と、
当該段の前記第1信号線の1つ、当該段の前記第2信号線の1つ、及び当該段の前記画素電極の1つと接続される第1薄膜トランジスタと、
前段の前記第1信号線の1つ、前段の前記第2信号線の1つ、及び当該段の前記方向制御電極の1つと接続される第2薄膜トランジスタと、
前記前段の前記第1信号線、前記当該段の前記第2信号線、及び前記当該段の前記画素電極と接続される第3薄膜トランジスタと
を含む薄膜トランジスタアレイパネル。 - 前記第2信号線と絶縁され且つ交差し、前記画素電極の切開部と重畳する部分を含む第3信号線さらにを含む請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、第1乃至第3ゲート電極及び複数のゲート線を含むゲート配線と、
前記ゲート配線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層上に形成され、前記ゲート線と交差する複数のデータ線と、前記データ線と接続される第1乃至第3ソース電極と、前記第1乃至第3ゲート電極について前記第1乃至第3ソース電極と対向する第1乃至第3ドレイン電極とを含むデータ配線と、
前記第2ドレイン電極と接続される方向制御電極と、
前記データ配線及び前記方向制御電極上に形成され、複数の接触孔を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、複数の切開部を有し、前記接触孔を通じて前記第1及び前記第3ドレイン電極と電気的に接続される画素電極と
を含む薄膜トランジスタアレイパネル。 - 前記第1極及び第3ソース電極は当該段の前記データ線の1つに接続され、前記第2ソース電極は前段の前記データ線の1つに接続され、前記第1及び第2ゲート電極は前段の前記ゲート線の1つに接続され、前記第3ゲート電極は当該段の前記ゲート線の1つに接続される、請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記画素電極の切開部は、前記画素電極を上半部と下半部とに分ける横方向切開部、及び前記横方向切開部を中心にして面対称をなす斜線方向の複数の切開部を含む、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記方向制御電極は、前記画素電極の切開部の少なくとも1つと重畳し、前記画素電極の横方向の切開部の1つを中心にして面対称をなす、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記ゲート配線と実質的に同じ層を含み、前記画素電極の切開部の少なくとも1つと重畳する部分を有するストレージ電極配線をさらに含む請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記方向制御電極は、前記データ配線と実質的に同じ層および物質を含む、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記接触孔は矩形に形成されていて、前記矩形の辺は前記斜方向の切開部に平行または垂直である、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記データ配線及び前記方向制御電極は、半導体層及び金属層の二重層を含む、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 前記半導体層は、非晶質シリコン膜及び抵抗性接触層の二重層を含む、請求項4に記載の薄膜トランジスタアレイパネル。
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に形成される複数の第1信号線と、
前記第1絶縁基板上に形成され、前記第1信号線と絶縁され且つ交差する複数の第2信号線と、
前記第1信号線と前記第2信号線とが交差して定義される画素領域ごとに形成され、切開部を有する複数の画素電極と、
前記第1信号線と前記第2信号線とが交差して定義される画素領域ごとに形成される複数の方向制御電極と、
当該段の前記第1信号線の1つ、当該段の前記第2信号線の1つ、及び当該段の前記画素電極の1つと接続される第1薄膜トランジスタと、
前段の前記第1信号線の1つ、前段の前記第2信号線の1つ、及び当該段の前記方向制御電極の1つと接続される第2薄膜トランジスタと、
前記前段の前記第1信号線、前記当該段の前記第2信号線、及び前記当該段の前記画素電極と接続される第3薄膜トランジスタと、
前記第1絶縁基板と対向する第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成されるコモン電極と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に配置されている液晶層と
を含む液晶表示装置。 - 前記液晶層は負の誘電異方性を有し、前記液晶層の液晶分子の主軸が、前記第1基板及び前記第2基板に対して垂直に配向される、請求項12に記載の液晶表示装置。
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