JP4383340B2 - 多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
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Description
123 ゲート電極
140 ゲート絶縁膜
151 半導体層
160 接触層
170 導電体層
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
176 方向制御電極
180 保護膜
190 画素電極
Claims (16)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているゲート配線と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ゲート配線と絶縁して交差しているデータ配線と、
前記絶縁基板上に形成され、前記データ配線と絶縁して交差している維持電極配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されており、切開部を有する画素電極と、
前記ゲート配線と前記データ配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されている方向制御電極と、
前記ゲート配線と前記データ配線と前記画素電極とに接続されている第1薄膜トランジスタと、
前記ゲート配線と前記維持電極配線と前記方向制御電極とに接続されている第2薄膜トランジスタと、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ基板。 - 同じ画素領域内に位置する前記第1薄膜トランジスタと前記第2薄膜トランジスタは、それぞれ、前記ゲート配線と、前記ゲート配線の前段のデータ配線とに接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、第1ゲート電極と第2ゲート電極とゲート線とを含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に形成され、維持電極と維持電極線とを含む維持電極配線と、
前記ゲート配線及び前記維持電極配線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記データ線と接続されている第1ソース電極と、前記第1ゲート電極に対して前記第1ソース電極と対向している第1ドレイン電極と、前記維持電極配線と電気的に接続されている第2ソース電極と、前記第2ゲート電極に対して前記第2ソース電極と対向している第2ドレイン電極と、を含むデータ配線と、
前記第2ドレイン電極と接続されている方向制御電極と、
前記データ配線及び前記方向制御電極上に形成され、接触孔を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、切開部を有し、前記接触孔を通じて前記第1ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ基板。 - 前記方向制御電極は、前記画素電極の切開部と少なくとも一部分が重畳することを特徴とする、請求項3に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記画素電極の切開部は複数のX字状パターンと複数の直線状パターンからなり、
前記方向制御電極は前記X字状パターンと重畳することを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記半導体層は、
前記データ線の下部に形成されているデータ線部半導体層と、
前記第1ソース電極と前記第1ドレイン電極の下部に形成されている第1チャンネル部半導体層と、
前記第2ソース電極と前記第2ドレイン電極下部に形成されている第2チャンネル部半導体層と、
を含むことを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記保護膜上に形成され、前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜に形成されている接触孔を通じて第2ソース電極と前記維持電極配線と接続しているソース電極連結部をさらに含むことを特徴とする、請求項3に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記方向制御電極は前記データ配線と同一層に同一物質から形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板上に形成されているゲート配線と、
前記第1絶縁基板上に形成され、前記ゲート配線と絶縁して交差しているデータ配線と、
前記第1絶縁基板上に形成され、前記データ配線と絶縁して交差している維持電極配線と、
前記ゲート配線と前記第2配線とが交差して定義する画素領域ごとに形成され、切開部を有する画素電極と、
前記ゲート配線と前記データ配線が交差して定義する画素領域ごとに形成されている方向制御電極と、
前記ゲート配線と前記データ配線と前記画素電極とに接続されている第1スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記維持電極配線と前記方向制御電極とに接続されている第2スイッチング素子を有する第2薄膜トランジスタと、
前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板と、
前記第2絶縁基板上に形成されている基準電極と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板の間に注入されている液晶層と、
を含むことを特徴とする、液晶表示装置。 - 前記維持電極配線には前記基準電極と同一な電位が印加されることを特徴とする、請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層に含まれている液晶は負の誘電率異方性を有し、前記液晶層の液晶分子はその長軸が前記第1及び第2基板に対して垂直配向されていることを特徴とする、請求項10に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層に含まれている液晶は正の誘電率異方性を有し、前記液晶層の液晶分子はその長軸が前記第1及び第2基板に対して水平配向されていることを特徴とする、請求項10に記載の液晶表示装置。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているゲート配線と、
前記絶縁基板上に形成されている維持電極配線と、
前記ゲート配線及び前記維持電極配線上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、非晶質シリコン層とドーピングされた非晶質シリコン層と金属層の3重層を含んで構成されたデータ配線と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、非晶質シリコン層とドーピングされた非晶質シリコン層と金属層の3重層を含んで構成されており、第2ドレイン電極と電気的に接続されている方向制御電極、
前記データ配線及び前記方向制御電極上に形成され、接触孔を有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、切開部を有し、前記接触孔を通じて前記データ配線と電気的に接続されている画素電極と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ基板。 - 前記ゲート配線は第1及び第2ゲート電極を含み、
前記データ配線は第1及び第2ソース電極と第1及び第2ドレイン電極を含み、
前記方向制御電極は前記第2ドレイン電極と接続されており、
前記画素電極は前記第1ドレイン電極と接続されており、
前記第2ソース電極は前記維持電極配線と接続されていることを特徴とする、請求項13に記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記保護膜上に形成されており、前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜に形成されている接触孔を通じて第2ソース電極と前記維持電極配線とに接続しているソース電極連結部をさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の薄膜トランジスタ基板。
- 基板上に金属層を積層した後、パターニングしてゲート配線及び維持電極配線を形成する段階と、
前記ゲート配線及び維持電極配線上にゲート絶縁膜と非晶質シリコン層と接触層と金属層とを積層する段階と、
前記金属層上に厚さの異なる感光膜パターンを形成した後、前記感光膜パターンをマスクにして前記金属層と接触層と非晶質シリコン層とをパターニングして、データ配線とデータ配線から分離されているソース電極と方向制御電極と薄膜トランジスタのチャンネル部とを形成する段階と、
前記基板上に第1乃至第3接触孔を有する保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記第1接触孔を通じて前記データ配線に接続される画素電極、及び、前記第2接触孔と前記第3接触孔とを通じて前記維持電極配線と前記データ配線から分離されているソース電極とに接続されるソース電極連結部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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