JP4232852B1 - 炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 炭化硼素X体積部、炭化珪素Y体積部、シリコンZ体積部を主成分とし、10<X<60、20<Y<70、5<Z<30であり、炭化硼素と炭化珪素の10μm以上の粒子が10〜50体積部であることを特徴とする複合材料。
【選択図】 図3
Description
その例としては高精度の位置決め機能が必要な移動体装置である3次元測定器、直線度測定器、平面状物体のパターンを形成するための露光機などがあげられる。特に露光機においては半導体ウェハーや液晶パネルなどを製造するにあたり、近年のパターンの微細化の要求に対応したさらに高精度の位置決め機能が求められていると共に、経済的にパターンを形成するために高速で被露光ワークやレチクルなどが搭載された静水圧流体軸受け装置などの移動体を高速で動かして、装置のスループットを向上させることが求められている。
比剛性とはヤング率を比重で割った値であり、比重は水に対する密度比で単位はないので、比剛性率の単位はヤング率の単位と同じである。ヤング率は共振法にて測定し、比重はアルキメデス法により測定する。
複合材料中の粒子の粒径とは複合材料の切断面をラップし、光学顕微鏡で観察したときの粒子のさしわたし最大径をさすものとする。
上記粒径が10μm以上の粒子をさすものとする。
上記粒径が10μm未満の粒子をさすものとする。
本発明における複合材料の製造工程において鋳込成形を採用するとき、スラリー中の固形分の体積分率をさすものとする。
本発明における複合材料の製造工程における成形体の固形分の充填率をさすものでアルキメデス法により測定する
本発明における複合材料の製造工程における成形体の固形分の充填率から揮散分を除いたものであり、揮散分は調合比から計算する。
(実施例)
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末30重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末70重量部、平均粒径が55nmのカーボンブラック粉末10〜30重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500CP未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。なお、実施例1〜3はカーボン粉末の添加量がそれぞれ10、20、30重量部である。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末20重量部、平均粒径が65μmの炭化珪素粉末30重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末50重量部、平均粒径が55nmのカーボンブラック粉末30重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500CP未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末25重量部、平均粒径が65μmの炭化珪素粉末25重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末50重量部、平均粒径が55nmのカーボンブラック粉末10重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末25重量部、平均粒径が65μmの炭化珪素粉末25重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末50重量部、平均粒径が55nmのカーボンブラック粉末20重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末50重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末50重量部を炭化珪素、炭化硼素粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末80重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末20重量部と平均粒径が55nmのカーボンブラック粉末10重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末30重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末70重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末50重量部と平均粒径が50μmの炭化硼素粉末50重量部、平均粒径55nmのカーボン粉末50重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80nmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
平均粒径が0.6μmの炭化珪素粉末80重量部と平均粒径が4μmの炭化硼素粉末20重量部、平均粒径が55nmのカーボン粉末50重量部を炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボンブラック粉末に対して0.1〜1重量部の分散剤を添加した純水中に入れ分散させ、アンモニア水等でpHを8〜9.5に調整して500cp未満の低粘度のスラリーを作製した。このスラリーをポットミル等で数時間混合した後バインダーを炭化珪素粉末、炭化硼素粉末、カーボン粉末に対して1〜2重量部添加し混合、その後脱泡し石膏板の上に内径80mmのアクリルパイプを置きスラリーを鋳込み、厚み10mm程度の成形体を作製した。成形体は自然乾燥、100〜150℃の乾燥の後、1×10−4〜1×10−3torrの減圧下において温度600℃で2h保持し脱脂を行い、温度1700℃で1h保持することで仮焼を行う。仮焼を行った後、温度1470℃に加熱し30min保持し、成形体中に溶融したシリコンを含浸させることにより反応焼結体を製造した。
Claims (3)
- 炭化硼素X体積部、炭化珪素Y体積部、シリコンZ体積部を主成分とし、10<X<60、20<Y<70、5<Z<30であり、炭化硼素と炭化珪素の10μm以上の粒子が10〜50体積部である複合材料において、前記複合材料の比剛性率が130GPa以上であることを特徴とする複合材料。
- 炭化硼素、炭化珪素、炭素源を主成分とする原料を成形して成形体を製造する成形工程と、該成形体に溶融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素X体積部、炭化珪素Y体積部、シリコンZ体積部を主成分とし、10<X<60、20<Y<70、5<Z<30であり、炭化硼素と炭化珪素の10μm以上の粒子が10〜50体積部である複合材料の製造方法において、前記複合材料の比剛性率が130GPa以上であることを特徴とする複合材料の製造方法。
- 請求項2に記載の複合材料の製造方法において、前記成形工程における成形体の充填率が60〜80%であることを特徴とする複合材料の製造方法。
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