JP4224045B2 - 可変利得増幅器 - Google Patents
可変利得増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4224045B2 JP4224045B2 JP2005213256A JP2005213256A JP4224045B2 JP 4224045 B2 JP4224045 B2 JP 4224045B2 JP 2005213256 A JP2005213256 A JP 2005213256A JP 2005213256 A JP2005213256 A JP 2005213256A JP 4224045 B2 JP4224045 B2 JP 4224045B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- common gate
- amplifier
- gate transistor
- common
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
- H03F3/45188—Non-folded cascode stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
- H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45318—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45376—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more discrete resistors as shunts between collectors or drains
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45396—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45544—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45548—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors as shunts to earth or as short circuit between inputs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45554—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more coils
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
送信過程における無線通信装置の動作を説明する。
ベースバンドプロセッサ190から出力される基底帯域信号を基底帯域増幅器140で増幅する。増幅された基底帯域信号は、発振器180で発生した発振信号と上向き混合器130で混合されてRF(Radio Frequency)信号となる。現在、知られた通信システムは、大体は基底帯域信号を直ちにRF信号に変換せず、まずIF(Intermediate Frequency)信号に変換した後、IF信号をRF信号に変換する。RF信号は、電力増幅器120で増幅された後、アンテナ110を通じて出力される。送信過程で使われる電力増幅器120は、歪みを減らしつつ高い利得を得るために、複数段の増幅器より構成されうる。例えば、無線通信装置は、事前電力増幅器と電力増幅器とを含みうる。
アンテナ110を通じて入力されたRF信号は、低雑音増幅器150を経て増幅される。増幅されたRF信号は、下向き混合器(Down−Mixer)160を経て基底帯域信号となり、基底帯域増幅器170で増幅される。現在知られた通信システムは、大体はRF信号を直ちに基底帯域信号に変換せず、まずIF(Intermediate Frequency)信号に変換した後、IF信号を基底帯域信号に変換する。増幅された基底帯域信号は、ベースバンドプロセッサ190に伝達される。低雑音増幅器150も十分な利得を得るために複数段の増幅器より構成されうる。
図2の可変利得増幅器は、第1差動カスコード増幅器(Differential Cascode Amplifier)の構造を有し、入出力整合のためにLC整合する構造を有する。
第1カスコード増幅器は、コモンソーストランジスタ211とコモンゲートトランジスタ221とを含み、第2カスコード増幅器はコモンソーストランジスタ212とコモンゲートトランジスタ222とを含む。
上方の2つのグラフは、高い利得モードでのSパラメータ値の変化を、下方の2つのグラフは、低い利得モードでのSパラメータ値の変化を、各々示している。
高い利得モードでの入力整合の特性を示すS11パラメータは、−22.279dBであり、出力整合の特性を示すS22パラメータは−20.576dBである。可変利得増幅器での入出力整合の特性は−15dB以下であることが望ましいが、高い利得モードではこれを満足する。
低い利得モードでのS11パラメータは、−32.901dBであって入力整合の特性は良いが、S22パラメータは、−7.936dBであって出力整合がよくない。
これは利得調節部231のオン/オフによって出力インピーダンス値が変化するためである。したがって、高い利得で最適化された可変利得増幅器は低い利得での整合が良くなく、低い利得で最適化された可変利得増幅器は高い利得での整合が良くない。
本発明の目的は、前記で言及した目的に限定されず、言及しなかったさらに他の目的は以下の記載から当業者ならば明確に理解できる。
本発明の利点及び特徴、そしてこれを達成する方法は添付された図面に基づいて詳細に後述されている実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、この実施形態から外れて多様な形に具現でき、本明細書で説明する実施形態は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で当業者に発明の範ちゅうを完全に報せるために提供されるものであり、本発明は請求項及び発明の詳細な説明によってのみ定義される。一方、明細書全体にわたって同一な参照符号は同一な構成要素を示す。
図4は、本発明の一実施形態に係る可変利得増幅器の構造を示す回路図である。
図4の可変利得増幅器は、図2の可変利得増幅器と同様に、第1及び第2カスコード増幅器を含む差動カスコード増幅器の構造を有し、入出力整合のためにLC整合する構造を有する。
第1コモンゲートトランジスタ421のドレインは、+信号の出力端子Out+と連結され、第2コモンゲートトランジスタ422のドレインは、−信号の出力端子Out−と連結される。一方、インダクタ441、442は、各信号の出力端子の出力整合に使われる。一方、図4には図示されていないが、各出力端子は、出力整合のためのキャパシタをさらに含むこともある。
高利得モードでは、図2及び図4の可変利得増幅器のSパラメータ値は同一である。なぜなら、両者共に利得調節部のスイッチが開いているために、両者は同じ回路であるからである。
低利得モードで、図3のSパラメータと図5のSパラメータの値を比較すると、S21パラメータ値はあまり差を示さない。しかし、S22の場合、図3では−7.936dBであるが、図5では−20.438dBである。S11の場合、図3では−32.901dBであり、図5では−20.533dBである。つまり、出力整合は図4の可変利得増幅器が優秀であり、入力整合は図2の可変利得増幅器が優秀である。しかし、入出力整合に優れるためには、Sパラメータ値が約−15dB以下にならねばならない。図2の可変利得増幅器は、低利得モードで入力整合が非常に優秀であるが、出力整合は基準値−15dBよりよくない。図4の可変利得増幅器は、低利得モードで入力整合と出力整合何れも優秀な特性を有する。入出力整合特性が優秀なので、図4の可変利得増幅器は、図2の可変利得増幅器に比べてより広い利得制御範囲を有しうる。
図6の可変利得増幅器は、図4の可変利得増幅器と比較すると、複合カスコード増幅器を使用する。複合カスコード増幅器は、コモンソーストランジスタに複数のコモンゲート増幅器が連結された増幅器である。
第1コモンソーストランジスタ611のドレインには、第1コモンゲートトランジスタ621のソースと第1利得調節部631の一端とが連結される。第2コモンソーストランジスタ612のドレインには、第2コモンゲートトランジスタ622のソースと第1利得調節部631の他端とが連結される。第1コモンゲートトランジスタ621のドレインには、第3コモンゲートトランジスタ623のソースと第2利得調節部632の一端とが連結される。第2コモンゲートトランジスタ622のドレインには、第4コモンゲートトランジスタ624のソースと第2利得調節部632の他端とが連結される。
左側のグラフはS21の値を、右側のグラフはS11とS22との値を示す。上側のグラフは、下側のグラフより高い利得モードのSパラメータ値を示す。
具体的に説明すれば、S21の値は利得モードによって17.104dBないし9.279dBの値を有する。これは図5のグラフと比較すると、最も高い利得では17.104−15.728=1.376dB高いことが分かる。最も低い利得では、9.279−10.042=−0.763dB低いことが分かる。
つまり、図6の可変利得増幅器は、図4の可変利得増幅器に比べてさらに高い利得が作れ、利得ステップを4種に作れる。また、可変利得範囲がより広い。それにも拘わらず、入出力整合の特性は依然として優秀である。
図8の可変利得増幅器は、図6の可変利得増幅器と比較すると、利得調節部の連結が異なる。
図9は、図8の可変利得増幅器のSパラメータ値の変化を示すグラフである。
図8の可変利得増幅器は、利得調節ステップが3段階である。これは、第1利得調節部831が開状態であり、第2利得調節部832が閉状態である時と、第1利得調節部831が閉状態であり、第2利得調節部832が開状態である時とは、同じ状態になるからである。
図6の可変利得増幅器でS11の整合中心周波数が約200MHz移動したことに比べて、図8の可変利得増幅器でS11の整合中心周波数はほとんど移動しないことが分かる。また、図8の可変利得増幅器の利得制御範囲は、図6の可変利得増幅器とほぼ同一である。図8の可変利得増幅器は、入出力マッチング特性も優秀であることが分かる。
図10ないし図12は、本発明のさらに他の実施形態に係る可変利得増幅器の構造を簡略に示す図面である。
第1コモンソーストランジスタ1111のゲートに信号が入力される。第1コモンソーストランジスタ1111のドレインには、第1コモンゲートトランジスタ1121のソースと第1利得調節部1131の一端とが連結される。第1コモンゲートトランジスタ1121のドレインには、第2コモンゲートトランジスタ1122のソースと第2利得調節部1132の一端とが連結される。第2コモンゲートトランジスタ1122のドレインに信号が出力される。一方、インピーダンス1140は、出力整合に使われる。第1及び第2利得調節部1131、1132の他端は接地される。
図12の可変利得増幅器は、図4の可変利得増幅器と比較すると、差動カスコード増幅器を2段に連結した。
第1コモンソーストランジスタ1211のドレインには、第1コモンゲートトランジスタ1221のソースと第1利得調節部1231の一端が連結される。第2コモンソーストランジスタ1212のドレインには、第2コモンゲートトランジスタ1222のソースと第1利得調節部1231の他端とが連結される。
第3コモンソーストランジスタ1213のドレインには、第3コモンゲートトランジスタ1223のソースと第2利得調節部1232の一端とが連結される。第4コモンソーストランジスタ1214のドレインには、第4コモンゲートトランジスタ1224のソースと第2利得調節部1232の他端とが連結される。
第3コモンゲートトランジスタ1223のドレインの信号は、+信号出力端子Out+に出力され、第4コモンゲートトランジスタ1224のドレインの信号は、−信号出力端子Out−に出力される。インピーダンス1243、1244は出力整合に使われる。
利得調節部1300は、抵抗1330と利得調節部1300の開閉を決定するスイッチの役割をするトランジスタ対1310を含む。抵抗1330の一端は、一方のトランジスタのドレインに連結され、他端は他方のトランジスタのドレインに連結される。トランジスタ対1310のゲート端子1320には、制御バイアス電圧が印加されるが、制御バイアス電圧によってトランジスタ対1310が開または閉状態になる。
本実施形態で利得調節部1400は、図13の実施形態とは違って複数の抵抗1431、1432、1433と複数のトランジスタ対1411、1412、1413とを含む。各抵抗は、相異なる値を有しうるが、一部または全体抵抗が同じ値を有することもできる。各トランジスタ対1411、1412、1413の開閉は、各ゲート端子1421、1422、1423に印加される制御バイアス電圧による。
このように抵抗−梯子(resistor−ladder)構造を用いることによって、利得調節部1400は微細な利得ステップを有しうる。
421 第1コモンゲートトランジスタ
412 第2コモンソーストランジスタ
422 第2コモンゲートトランジスタ
441、442 インダクタ
Claims (3)
- 第1コモンソーストランジスタ、第1コモンゲートトランジスタ及び第3コモンゲートトランジスタを含む第1カスコード増幅器と、
前記第1カスコード増幅器と差動対をなす、第2コモンソーストランジスタ、第2コモンゲートトランジスタ及び第4コモンゲートトランジスタを含む第2カスコード増幅器と、
前記第1コモンソーストランジスタのドレインと前記第1コモンゲートトランジスタのソースとに一端が連結され、前記第2コモンゲートトランジスタのドレインと前記第4コモンゲートトランジスタのソースとに他端が連結される第1利得調節部と、
前記第1コモンゲートトランジスタのドレインと前記第3コモンゲートトランジスタのソースとに一端が連結され、前記第2コモンソーストランジスタのドレインと前記第2コモンゲートトランジスタのソースとに他端が連結される第2利得調節部と、を含む可変利得増幅器。 - 前記第1及び第2利得調節部は、各々制御バイアス電圧によって開閉されるトランジスタ対と抵抗とを含む請求項1に記載の可変利得増幅器。
- 前記第1及び第2利得調節部は、各々制御バイアス電圧によって開閉される複数のトランジスタ対と、各トランジスタ対と連結された複数の抵抗とを含む請求項1に記載の可変利得増幅器。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040078747A KR100587566B1 (ko) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 가변 이득 증폭기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006109409A JP2006109409A (ja) | 2006-04-20 |
JP4224045B2 true JP4224045B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=36124947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005213256A Expired - Fee Related JP4224045B2 (ja) | 2004-10-04 | 2005-07-22 | 可変利得増幅器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7352241B2 (ja) |
JP (1) | JP4224045B2 (ja) |
KR (1) | KR100587566B1 (ja) |
CN (1) | CN1758533B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7889007B2 (en) * | 2005-08-02 | 2011-02-15 | Qualcomm, Incorporated | Differential amplifier with active post-distortion linearization |
KR100824772B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | 한국과학기술원 | 바디-소스 교차 커플링을 이용한 차동증폭기 |
EP2122827B1 (en) * | 2007-03-13 | 2013-05-29 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Flexible dynamic range amplifier |
US20090075597A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Ofir Degani | Device, system, and method of low-noise amplifier |
US7746169B2 (en) * | 2008-02-06 | 2010-06-29 | Qualcomm, Incorporated | LNA having a post-distortion mode and a high-gain mode |
US8942760B2 (en) * | 2010-08-05 | 2015-01-27 | St-Ericsson Sa | Integrated bluetooth and wireless LAN transceivers having merged low noise and power amplifier |
US8786368B2 (en) * | 2011-03-09 | 2014-07-22 | Hittite Microwave Corporation | Distributed amplifier with improved stabilization |
JP2014096696A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | カスコードアンプ |
US8975968B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with improved isolation |
US9059665B2 (en) | 2013-02-22 | 2015-06-16 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with multiple outputs and configurable degeneration inductor |
US9106185B2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching |
US8742846B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-06-03 | Hittite Microwave Corporation | Selectable gain differential amplifier |
CN104065355A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-09-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 全差分低噪声放大器 |
US9083296B2 (en) | 2013-07-17 | 2015-07-14 | Qualcomm Incorporated | Folded cascode amplifier |
JP2015165639A (ja) | 2014-03-03 | 2015-09-17 | パナソニック株式会社 | 可変利得多段増幅器及び受信機 |
JP6132881B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-05-24 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 電圧可変利得増幅回路及び差動入力電圧の増幅方法 |
WO2017054864A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Amplifier, filter, communication apparatus and network node |
CN108574463A (zh) * | 2017-03-07 | 2018-09-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 低噪声放大器及射频前端电路 |
JP2019146044A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 日本電信電話株式会社 | 可変利得増幅器 |
US10686409B2 (en) * | 2018-05-29 | 2020-06-16 | Psemi Corporation | Drain switched split amplifier with capacitor switching for noise figure and isolation improvement in split mode |
US20200091876A1 (en) * | 2018-09-19 | 2020-03-19 | Psemi Corporation | Compact Architecture for Multipath Low Noise Amplifier |
US10868507B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-12-15 | Ronald Quan | Biasing circuits for voltage controlled or output circuits |
KR102189697B1 (ko) * | 2018-12-05 | 2020-12-11 | 광운대학교 산학협력단 | 하이브리드 빔포밍 레이다 시스템 |
JP7358316B2 (ja) * | 2020-09-17 | 2023-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体回路 |
US20230231522A1 (en) * | 2022-01-20 | 2023-07-20 | Apple Inc. | Gain Reduction Techniques for Radio-frequency Amplifiers |
US20230412136A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Mediatek Inc. | Gain equalizer and method for controlling tunable gain of gain equalizer |
CN114759885B (zh) * | 2022-06-16 | 2022-10-25 | 华南理工大学 | 超宽带可变增益放大器及无线通信设备、增益调节方法 |
US20240195373A1 (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-13 | Nokia Solutions And Networks Oy | Tia with tunable gain |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0474009A (ja) | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Iwatsu Electric Co Ltd | 差動増幅器 |
JPH0474010A (ja) | 1990-07-13 | 1992-03-09 | Iwatsu Electric Co Ltd | 差動増幅器 |
JPH04120908A (ja) | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Hitachi Ltd | Cmos増幅回路 |
SE519691C2 (sv) | 1997-07-08 | 2003-04-01 | Ericsson Telefon Ab L M | Operationsförstärkare med hög hastighet och hög förstärkning |
US6476675B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-11-05 | Globespanvirata, Inc. | Double-cascode two-stage operational amplifier |
US7579912B2 (en) * | 2001-08-15 | 2009-08-25 | Broadcom Corporation | Method and system for multiple tuner application using a low noise broadband distribution amplifier |
JP2003243951A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Sony Corp | 可変利得増幅器 |
US20030218502A1 (en) * | 2002-05-22 | 2003-11-27 | Mathstar | Variable gain amplifier |
JP2004159221A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 通信用半導体集積回路および無線通信システム |
KR100499856B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2005-07-07 | 한국전자통신연구원 | 가변 이득 증폭기 |
-
2004
- 2004-10-04 KR KR1020040078747A patent/KR100587566B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-07-22 JP JP2005213256A patent/JP4224045B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-07 CN CN2005100987724A patent/CN1758533B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-26 US US11/234,112 patent/US7352241B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7352241B2 (en) | 2008-04-01 |
CN1758533B (zh) | 2011-06-22 |
JP2006109409A (ja) | 2006-04-20 |
KR20060029887A (ko) | 2006-04-07 |
KR100587566B1 (ko) | 2006-06-08 |
CN1758533A (zh) | 2006-04-12 |
US20060071712A1 (en) | 2006-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4224045B2 (ja) | 可変利得増幅器 | |
JP5456684B2 (ja) | Sawレス受信機におけるディジェネレイトパッシブミキサ | |
US7420425B2 (en) | Power amplifier and method thereof | |
CN101933228B (zh) | 具有失真后模式和高增益模式的低噪声放大器及其控制方法 | |
US7439811B2 (en) | Broadband low noise amplifier and RF signal amplification method of the same | |
US8190115B2 (en) | Transmission line coupled to circuits and Q-enhancement cell | |
EP2946467B1 (en) | Amplifier with switchable common gate gain buffer | |
KR20140011402A (ko) | 정궤환 공통 게이트 저잡음 증폭기 | |
KR102133926B1 (ko) | 낮은 위상 변화를 갖는 광대역 가변 이득 증폭기 | |
CN115940852A (zh) | 低相移可变增益放大器、射频信号的处理方法 | |
KR100703784B1 (ko) | 가변 이득 증폭기와 이를 포함하는 무선 통신 장치 | |
CN117395761A (zh) | 电源和偏置可调的射频前端模组及射频芯片 | |
US20110148526A1 (en) | Low noise amplifier with variable frequency response | |
TWI475798B (zh) | 放大器電路、積體電路以及射頻通信單元 | |
KR20120015887A (ko) | 무선 통신 시스템에서 부정합을 제거하는 수신 장치 및 방법과 이를 위한 저전력 증폭기 | |
JP2007150433A (ja) | 可変利得増幅器およびそれを用いた送受信装置 | |
JP2009225342A (ja) | 利得可変型低雑音増幅器 | |
KR101046151B1 (ko) | 피드백 구조를 갖는 광대역 능동 회로 | |
JP5139963B2 (ja) | 差動増幅器 | |
JP2011205229A (ja) | 無線受信回路 | |
KR20120088988A (ko) | 병렬 등화기 | |
KR102487060B1 (ko) | 소형 광대역 증폭기 회로 | |
KR100664047B1 (ko) | 저잡음 증폭기 | |
WO2004030207A2 (ja) | 可変利得増幅器 | |
TW201042908A (en) | Mixer with high linearity and low operating voltage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081021 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |