JP4213163B2

JP4213163B2 - 磁気検出装置

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Publication number: JP4213163B2
Application number: JP2006012623A
Authority: JP
Inventors: 昌広横谷; 直樹平岡
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-01-20
Filing date: 2006-01-20
Publication date: 2009-01-21
Anticipated expiration: 2026-01-20
Also published as: US7157904B1; DE102006029945B4; DE102006029945A1; KR100777541B1; KR20070077018A; JP2007192733A

Description

この発明は、印加される磁界強度を磁電変換して検出するセンサ（磁気抵抗素子など）を備えた磁気検出装置に関し、特に磁性移動体の凹凸を電源ＯＮ時から検出する磁気検出装置に関するものである。

従来より、たとえば磁性移動体の凹凸を電源ＯＮ時から検出するために、磁電変換素子（たとえば、磁気抵抗素子）により構成されるセンサを備えた磁気検出装置を用いることは、よく知られている（たとえば、特許文献１参照）。
以下、図面を参照しながら、特許文献１に記載された従来の磁気検出装置について説明する。

図６および図７は従来の磁気検出装置を示す斜視図および拡大平面図である。
図８および図９は従来装置の処理回路を示す回路構成図であり、図８は磁気抵抗素子の抵抗変化により得られる検出信号の振幅をＤＣ処理する回路構成、図９は磁気抵抗素子の抵抗変化により得られる検出信号の振幅をＡＣ処理する回路構成を示している。
また、図１０は図８によりＤＣ処理した場合の動作波形を示すタイミングチャートであり、図１１は図９によりＡＣ処理した場合の動作波形を示すタイミングチャートである。

図６および図７において、従来の磁気検出装置は、バイアス磁界を発生する磁石１と、磁石１の上面に設けられたセンサ２とを有している。
センサ２は、第１および第２の磁気抵抗素子２ａ、２ｂをセグメントとして一体的に有するＩＣチップ２により構成されている。

第１、第２の磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、たとえば磁性移動体３に対向配置され、かつ磁性移動体３の移動方向（矢印参照）に並べて配置されている。
図６、図７のように、磁気検出装置のセンサ２を、磁性移動体３に対して近接かつ対向配置させるとともに、磁性移動体３の移動方向に並べて配置することにより、磁気抵抗素子２ａ、２ｂの抵抗値は、磁性移動体３の変位に応じて変化する。

図８および図９において、第１、第２の磁気抵抗素子２ａ、２ｂは、電源Ｖｃｃとグランドとの間に直列接続されて、ブリッジ回路１０を構成しており、第１、第２の磁気抵抗素子２ａ、２ｂの接続点から検出信号を出力する。
図８に示すＤＣ処理回路において、ブリッジ回路１０の検出信号ｃは、比較回路１１に入力され、比較レベルＶＲと比較されて矩形波に波形整形される。
比較回路１１の出力信号ｅは、トランジスタ１２、１３を介して、磁性移動体３に対応した最終出力信号ｉとなり、出力端子Ｖｏｕｔから出力される。

また、図９に示すＡＣ処理回路において、ブリッジ回路１０の検出信号ｃは、コンデンサ２２および抵抗２３からなるハイパスフィルタを介した電圧信号ｄとして比較回路１４に入力され、比較レベルＶＲａと比較されて矩形波に波形整形される。
比較回路１４の出力信号ｇは、トランジスタ１２、１３を介して、磁性移動体３に対応した最終出力信号ｊとなり、出力端子Ｖｏｕｔから出力される。

図８のＤＣ処理回路によれば、磁性移動体３の移動に応じてブリッジ回路１０から得られる検出信号ｃは、図１０のように、出力信号ｉに変換される。
すなわち、検出信号ｃは、比較回路１１の比較レベルＶＲによって矩形波信号ｅに変換され、矩形波信号ｅは、トランジスタ１２、１３を介して最終出力信号ｉとなる。

また、図９のＡＣ処理回路によれば、検出信号ｃは、図１１のように、出力信号ｊに変換される。
すなわち、検出信号ｃは、コンデンサ２２および抵抗２３からなるハイパスフィルタを介して位相の進んだ電圧信号ｄとなり、電圧信号ｄは、比較回路１４の比較レベルＶＲａによって矩形波信号ｇに変換され、矩形波信号ｇは、トランジスタ１２、１３を介して最終出力信号ｊとなる。

次に、図１２および図１３を参照しながら、図６〜図１１に示した従来装置の課題に関連した動作について説明する。
図１２は図８のＤＣ処理回路を用いた場合の動作波形を示すタイミングチャートであり、常温の室温時（Ｒ．Ｔ）と高温時（ＨＯＴ）との動作波形をそれぞれ比較して示している。
また、図１３は図９のＡＣ処理回路を用いた場合の動作波形を示すタイミングチャートであり、高回転時と低回転時との動作波形をそれぞれ比較して示している。

図１２において、室温時の検出信号ｃ（Ｒ．Ｔ）と、高温時の検出信号ｃ’（ＨＯＴ）との間には、磁気抵抗素子２ａ、２ｂの抵抗温度係数のバラツキや、磁気抵抗素子２ａ、２ｂに印加される磁界強度のバラツキなどにより、温度オフセットが生じる。
検出信号ｃ、ｃ’の温度オフセットにより、矩形波信号ｅ、ｅ’の立上りおよび立下りポイントに温度による大きなズレが生じ、最終出力信号ｉ、ｉ’の温度特性差Δｉが大きくなることが分かる。
同様に、図１３において、磁性移動体３の回転数の違いによって、矩形波信号ｇ、ｇ’の立上りおよび立下りポイントに大きなズレが生じ、最終出力信号ｉ、ｉ’の回転数特性差Δｊが大きくなることが分かる。

特開２００４−１０９１１３号公報

従来の磁気検出装置では、図８のＤＣ処理回路または図９のＡＣ処理回路のみを用いていたので、磁気抵抗素子２ａ、２ｂや磁界強度のバラツキなどにより検出信号ｃに温度オフセットが生じて、図１２のように最終出力信号の温度特性差Δｉが大きくなったり、磁性移動体３の回転数の違いにより、図１３のように最終出力信号の温度特性差Δｊが大きくなるという課題があった。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、磁性移動体に対応した最終出力信号の精度を向上させて、良好な検出性能を確保した磁気検出装置を得ることを目的とする。

この発明による磁気検出装置は、磁界強度を検出する磁電変換素子からなるセンサを備えた磁気検出装置であって、第１の比較レベルを有し、磁電変換素子からの検出信号の振幅をＤＣ結合にて波形整形する第１の比較回路と、第２の比較レベルを有し、磁電変換素子からの検出信号の振幅をＤＣ結合にて波形整形する第２の比較回路と、第３の比較レベルを有し、磁電変換素子からの検出信号の振幅をＡＣ結合後に波形整形する第３の比較回路と、第１、第２および第３の比較回路の各出力信号を論理処理して最終出力信号を生成する論理処理回路とをさらに備え、第１および第２の比較レベルは、第３の比較レベルが、第１の比較レベルと第２の比較レベルとの間のレベルとなるように設定され、論理処理回路は、第１の比較回路の出力信号によりオンオフされる第１のトランジスタと、第１のトランジスタの出力信号によりオンオフされる第２のトランジスタと、第１のトランジスタに直列接続され、第３の比較回路の出力信号によりオンオフされる第３のトランジスタと、第２のトランジスタに直列接続された第４のトランジスタと、第２の比較回路の出力信号によりオンオフされる第５のトランジスタとを含み、第４のトランジスタは、第５のトランジスタの出力信号によりオンオフされ、第２のトランジスタの出力信号を最終出力信号とするものである。

この発明によれば、ＡＣ結合とＤＣ結合の選択が可能となり、磁性移動体に対応した最終出力信号の精度を向上させて、良好な検出性能を確保することができる。

実施の形態１．
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態１について詳細に説明する。
図１はこの発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の処理回路を示す回路構成図であり、前述（図８、図９参照）と同様のものについては、前述と同一符号が付されている。
また、図２および図３は図１の処理回路による動作波形を示すタイミングチャートであり、図２は磁性移動体３の回転数が低回転の場合の各信号の動作波形を示し、図３は磁性移動体３の回転数が高回転の場合の各信号の動作波形を示す。

なお、図１〜図３内の各信号Ｃ〜Ｅ、Ｇは、それぞれ、前述（図８〜図１３参照）の各信号ｃ〜ｅ、ｇに対応している。
また、磁気抵抗素子２ａ、２ｂからなるセンサ２の構成は、図６および図７に示したとおりである。

図１において、この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置は、ブリッジ回路１０と、第１の比較回路３１と、第２の比較回路３２と、第３の比較回路３３と、論理処理回路３４と、出力用のトランジスタ１２、１３と、出力端子Ｖｏｕｔとを備えている。
ブリッジ回路１０は、前述と同様に、磁界強度を検出するセンサを構成しており、磁電変換素子として２つの磁気抵抗素子２ａ、２ｂを有する。
ブリッジ回路１０において、前述のように、磁気抵抗素子２ａ、２ｂの抵抗値は磁性移動体３の変位に応じて変化し、これにより、ブリッジ回路１０の検出信号Ｃは電圧変化する。

ブリッジ回路１０の検出信号Ｃは、第１および第２の比較回路３１、３２に入力されるとともに、コンデンサ２２および抵抗２３からなるハイパスフィルタを介して第３の比較回路３３に入力される。
第１の比較回路３１は、第１の比較レベルＶＲ１を有し、検出信号Ｃの振幅をＤＣ結合にて波形整形し、矩形波信号Ｅを出力する。

第２の比較回路３２は、第１の比較レベルＶＲ１とは異なる第２の比較レベルＶＲ２を有し、検出信号Ｃの振幅をＤＣ結合にて波形整形し、矩形波信号Ｆを出力する。
第３の比較回路３３は、第１の比較レベルＶＲ１と第２の比較レベルＶＲ２との間の第３の比較レベルＶＲ３を有し、検出信号Ｃの振幅をＡＣ結合後に波形整形し、矩形波信号Ｇを出力する。
以下、第１〜第３の比較レベルＶＲ１〜ＶＲ３を、それぞれ、単に「比較レベル」と称する。

すなわち、検出信号Ｃは、第１の比較回路３１において、比較レベルＶＲ１と比較されて矩形波信号Ｅに変換されるとともに、第２の比較回路３２において、比較レベルＶＲ２と比較されて矩形波信号Ｆに変換される。
また、検出信号Ｃは、コンデンサ２２および抵抗２３からなるハイパスフィルタを介して、ＡＣ処理された電圧信号Ｄに変換された後、第３の比較回路３３において、比較レベルＶＲ３と比較されて矩形波信号Ｇに変換される。

第１、第２および第３の比較回路３１、３２、３３の各出力信号Ｅ、Ｆ、Ｇは、論理処理回路３４で論理処理された後、トランジスタ１２、１３を介して最終出力信号Ｋとして入力される。
論理処理回路は、電源Ｖｃｃとグランドとの間に直列に挿入された第１および第２のトランジスタ４１、４２と、電源Ｖｃｃとグランドとの間に直列に挿入された第３および第４のトランジスタ４３、４４と、電源Ｖｃｃとグランドとの間に挿入された第５のトランジスタ４５とを有し、第２のトランジスタ４２の出力信号を最終出力信号として、出力用のトランジスタ１２に入力する。
以下、第１〜第５のトランジスタ４１〜４５を、それぞれ、単に「トランジスタ」と称する。

トランジスタ４１は、第１の比較回路３１の出力信号Ｅによりオンオフされ、トランジスタ４２は、トランジスタ４１の出力信号によりオンオフされる。
トランジスタ４３は、トランジスタ４１に直列接続され、第３の比較回路３３の出力信号Ｇによりオンオフされる。
トランジスタ４５は、第２の比較回路３２の出力信号Ｆによりオンオフされる。
トランジスタ４４は、トランジスタ４２に直列接続され、トランジスタ４５の出力信号によりオンオフされる。

すなわち、トランジスタ４１において、エミッタ端子はトランジスタ４３のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子（出力端子）は、トランジスタ４２のベース端子に接続されるとともに抵抗を介して電源Ｖｃｃに接続され、ベース端子には矩形波信号Ｅが印加されている。
また、トランジスタ４２において、ベース端子はトランジスタ４１の出力端子に接続され、エミッタ端子はトランジスタ４４のコレクタ端子に接続され、コレクタ端子（出力端子）は、抵抗を介して電源Ｖｃｃに接続されるとともに最終出力端子を構成している。

また、トランジスタ４５において、エミッタ端子は接地され、コレクタ端子（出力端子）は、トランジスタ４４のベース端子に接続されるとともに抵抗を介して電源Ｖｃｃに接続され、ベース端子には矩形波信号Ｆが印加されている。
さらに、トランジスタ４４において、エミッタ端子は接地され、コレクタ端子はトランジスタ４２のエミッタ端子に接続されている。

上記構成からなる論理処理回路３４において、トランジスタ４１、４３は反転入力タイプのアンドゲートを構成し、トランジスタ４２、４４は反転入力タイプのアンドゲートを構成し、トランジスタ４５はインバータを構成している。
なお、出力用のトランジスタ１２、１３は、最終出力信号Ｋを増幅するためのアンプを構成している。
すなわち、論理処理回路３４の機能構成は、図１４の論理回路図のように、２つのＮＡＮＤゲート５１、５２で簡略化表示することができる。
図１４において、ＮＡＮＤゲート５１（トランジスタ４１、４３）には、第１および第３の比較回路３１、３３の出力信号Ｅ、Ｇが入力される。また、ＮＡＮＤゲート５２（トランジスタ４２、４４）には、ＮＡＮＤゲート５１の出力信号と、トランジスタ４５で反転された第２の比較回路３２の出力信号Ｆが入力される。

したがって、最終出力信号Ｋの論理レベルは、第１〜第３の比較回路３１〜３３の出力信号Ｅ、Ｆ、Ｇの論理レベルの組み合わせに応じて、以下の（１）〜（８）ように変化する。
（１）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｈ、Ｈ、Ｈ」の場合→Ｋ＝「Ｈ」
（２）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｈ、Ｈ、Ｌ」の場合→Ｋ＝「Ｈ」
（３）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｈ、Ｌ、Ｈ」の場合→Ｋ＝「Ｈ」
（４）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｈ、Ｌ、Ｌ」の場合→Ｋ＝「Ｌ」
（５）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｌ、Ｈ、Ｈ」の場合→Ｋ＝「Ｈ」
（６）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｌ、Ｈ、Ｌ」の場合→Ｋ＝「Ｌ」
（７）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｌ、Ｌ、Ｈ」の場合→Ｋ＝「Ｈ」
（８）Ｅ、Ｇ、Ｆが「Ｌ、Ｌ、Ｌ」の場合→Ｋ＝「Ｌ」
上記出力信号Ｅ、Ｆ、Ｇと最終出力信号Ｋとの関係を論理レベル表で表すと、図１５の説明図のようになる。

次に、図１〜図３を参照しながら、この発明の実施の形態１による動作について説明する。
図２は磁性移動体３が低回転の場合の各信号Ｃ’〜Ｇ’、Ｋ’の動作波形を示し、図３は磁性移動体３が高回転の場合の各信号Ｃ〜Ｇ、Ｋの動作波形を示している。
図２において、各信号Ｅ’、Ｆ’、Ｇ’、Ｋ’の電圧レベル「Ｈ、Ｌ」の組み合わせから明らかなように、低回転時の最終出力信号Ｋ’の立上り「Ｌ→Ｈ」のタイミングは、第１の比較回路３１からの矩形波信号Ｅ’の立上りタイミングと同一となる。
また、最終出力信号Ｋ’の立下り「Ｈ→Ｌ」のタイミングは、第２の比較回路３２からの矩形波信号Ｆ’の立下りタイミングと同一となる。

一方、図３において、高回転時での最終出力信号Ｋは、立上りタイミングおよび立下りタイミングのいずれも、第３の比較回路３３からの矩形波信号Ｇの立上りタイミングおよび立下りタイミングと同一となる。
つまり、磁性移動体３が低回転の場合には、ＤＣ処理した第１および第２の比較回路３１、３２からの出力信号Ｅ、Ｆが用いられ、磁性移動体３が高回転の場合には、ＡＣ処理した第３の比較回路３３からの出力信号Ｇが用いられるように、切り換えられる。

このとき、ＤＣ処理した第１および第２の比較回路３１、３２からの矩形波信号Ｅ、Ｆと、ＡＣ処理した第３の比較回路３３からの矩形波信号Ｇとの位相差は、必ず１／４周期以下となるので、磁性移動体３が何回転しても、何ら支障無く最終出力信号Ｋを得ることができる。
また、第１および第２の比較回路３１、３２のＤＣ処理を適用する場合と、第３の比較回路３３のＡＣ処理を適用する場合とを切り換えるタイミングは、ハイパスフィルタを構成するコンデンサ２２および抵抗体２３の回路定数を調整することにより、任意に設定することができる。

次に、図４および図５を参照しながら、この発明の実施の形態１による作用効果について補足説明する。
図４および図５はこの発明の実施の形態１による効果を説明するためのタイミングチャートであり、それぞれ、前述の図１２および図１３に対応している。

図４は、図１２と同様に、磁気抵抗素子２ａ、２ｂの温度係数のバラツキや、磁気抵抗素子２ａ、２ｂに印加される磁界強度のバラツキなどによって、検出信号Ｃの電圧変化に温度オフセットが生じた場合の動作波形を示している。

図４において、各検出信号Ｃ（Ｒ．Ｔ）、Ｃ’’（ＨＯＴ）は、図１２内の各検出信号ｃ（Ｒ．Ｔ）、ｃ’（ＨＯＴ）に対応し、最終出力信号Ｋｉ（Ｒ．Ｔ）、Ｋｉ’’（ＨＯＴ）は、図１２内の最終出力信号ｉ（Ｒ．Ｔ）、ｉ’（ＨＯＴ）に対応している。
図４のように、ある設定回転数以上では、ＡＣ処理した第３の比較回路３３からの矩形波信号Ｇ、Ｇ’を用いることにより、最終出力信号Ｋｉ、Ｋｉ’’の温度特性差ΔＫｉを小さく（ほぼ「０」に）することができる。

図５は、図１３と同様に、磁性移動体３が低回転および高回転の場合での動作波形を示している。
図５において、各信号Ｄ（高回転）、Ｄ’（低回転）、Ｇ（高回転）、Ｇ’（低回転）、Ｋ（高回転）、Ｋ’（低回転）は、それぞれ、図１３内の各信号ｄ（高回転）、ｄ’（低回転）、ｇ（高回転）、ｇ’（低回転）、ｊ（高回転）、ｊ’（低回転）に対応している。

図５のように、磁性移動体３が低回転の場合には、ＤＣ処理した第１および第２の比較回路３１、３２からの矩形波信号Ｅ、Ｆを用い、磁性移動体３が高回転の場合には、ＡＣ処理した第３の比較回路３３からの矩形波信号Ｇを用いることにより、最終出力信号Ｋ、Ｋ’の回転数特性差ΔＫを小さく抑制することができる。

以上のように、この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置は、磁界強度を検出する磁電変換素子（磁気抵抗素子２ａ、２ｂ）からなるセンサ２（ブリッジ回路１０）と、比較レベルＶＲ１を有し、磁気抵抗素子２ａ、２ｂからの検出信号Ｃの振幅をＤＣ結合にて波形整形する第１の比較回路と、比較レベルＶＲ２を有し、磁気抵抗素子２ａ、２ｂからの検出信号Ｃの振幅をＤＣ結合にて波形整形する第２の比較回路３２と、比較レベルＶＲ３を有し、磁気抵抗素子２ａ、２ｂからの検出信号Ｃの振幅をＡＣ結合後に波形整形する第３の比較回路３３とを備えているので、ＡＣ結合とＤＣ結合の選択が可能となり、磁性移動体に対応した最終出力信号の精度を向上させて、良好な検出性能を確保することができる。

また、第１および第２の比較回路３１、３２の比較レベルＶＲ１、ＶＲ２は、第３の比較回路３３の比較レベルＶＲ３が、ＶＲ２＜ＶＲ３＜ＶＲ１の関係を満たすように設定されているので、磁気抵抗素子２ａ、２ｂからの検出信号Ｃの振幅をＤＣ処理する範囲と、ＡＣ処理する範囲とを有効に設定することができる。

さらに、第１、第２および第３の比較回路３１〜３３の各出力信号を論理処理する論理処理回路３４を備え、論理処理回路３４は、第１の比較回路３１の出力信号によりオンオフされるトランジスタ４１と、トランジスタ４１の出力信号によりオンオフされるトランジスタ４２と、トランジスタ４１に直列接続され、第３の比較回路３３の出力信号によりオンオフされるトランジスタ４３と、トランジスタ４２に直列接続されたトランジスタ４４と、第２の比較回路３２の出力信号によりオンオフされるトランジスタ４５とを含み、トランジスタ４４は、トランジスタ４５の出力信号によりオンオフされ、トランジスタ４２の出力信号を最終出力信号とするので、磁性移動体３の凹凸に対応した最終出力信号Ｋの精度を向上させることができる。

この発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の処理回路を示す回路構成図である。この発明の実施の形態１による磁性移動体低回転時の動作波形を示すタイミングチャートである。この発明の実施の形態１による磁性移動体低回転時の動作波形を示すタイミングチャートである。この発明の実施の形態１による温度係数差の軽減効果を説明するための動作波形を示すタイミングチャートである。この発明の実施の形態１による回転数特性差の軽減効果を説明するための動作波形を示すタイミングチャートである。従来の磁気検出装置の磁気回路構成を示す斜視図である。従来の磁気検出装置の磁気回路構成を拡大して示す平面図である。従来の磁気検出装置のＤＣ結合による処理回路を示す回路構成図である。従来の磁気検出装置のＡＣ結合による処理回路を示す回路構成図である。図８の磁気検出装置の動作波形を示すタイミングチャートである。図９の磁気検出装置の動作波形を示すタイミングチャートである。従来の磁気検出装置により生じる温度係数差を説明するための動作波形を示すタイミングチャートである。従来の磁気検出装置により生じる回転数特性差を説明するための動作波形を示すタイミングチャートである。図１内の論理処理回路の機能構成を簡略化して示す論理回路図である。図１内の論理処理回路の入出力信号の論理レベル表を示す説明図である。

符号の説明

２センサ、２ａ、２ｂ磁気抵抗素子（磁電変換素子）、３磁性移動体、２２コンデンサ、２３抵抗、１０ブリッジ回路、３１第１の比較回路、３２第２の比較回路、３３第３の比較回路、３４論理処理回路、４１第１のトランジスタ、４２第２のトランジスタ、４３第３のトランジスタ、４４第４のトランジスタ、４５第５のトランジスタ、Ｃ検出信号、ＤＡＣ処理後の電圧信号、Ｅ矩形波信号（第１の比較回路の出力信号）、Ｆ矩形波信号（第２の比較回路の出力信号）、Ｇ矩形波信号（第３の比較回路の出力信号）、Ｋ最終出力信号、Ｃ’ 低回転時の検出信号、Ｄ’ 低回転時の電圧信号、Ｅ’、Ｆ’、Ｇ’ 低回転時の矩形波信号、Ｋ’ 低回転時の最終出力信号、Ｃ’’（ＨＯＴ）高温時の検出信号、Ｄ’’（ＨＯＴ）高温時の電圧信号、Ｇ’’（ＨＯＴ）高温時の矩形波信号、Ｋｉ’’ 高温時の最終出力信号、ＶＲ１第１の比較レベル、ＶＲ２第２の比較レベル、ＶＲ３第３の比較レベル。

Claims

磁界強度を検出する磁電変換素子からなるセンサを備えた磁気検出装置であって、
第１の比較レベルを有し、前記磁電変換素子からの検出信号の振幅をＤＣ結合にて波形整形する第１の比較回路と、
第２の比較レベルを有し、前記磁電変換素子からの検出信号の振幅をＤＣ結合にて波形整形する第２の比較回路と、
第３の比較レベルを有し、前記磁電変換素子からの検出信号の振幅をＡＣ結合後に波形整形する第３の比較回路と、
前記第１、第２および第３の比較回路の各出力信号を論理処理して最終出力信号を生成する論理処理回路と
をさらに備え、
前記第１および第２の比較レベルは、前記第３の比較レベルが、前記第１の比較レベルと前記第２の比較レベルとの間のレベルとなるように設定され、
前記論理処理回路は、
前記第１の比較回路の出力信号によりオンオフされる第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの出力信号によりオンオフされる第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタに直列接続され、前記第３の比較回路の出力信号によりオンオフされる第３のトランジスタと、
前記第２のトランジスタに直列接続された第４のトランジスタと、
前記第２の比較回路の出力信号によりオンオフされる第５のトランジスタとを含み、
前記第４のトランジスタは、前記第５のトランジスタの出力信号によりオンオフされ、
前記第２のトランジスタの出力信号を前記最終出力信号とすることを特徴とする磁気検出装置。