JP4207860B2 - 層形成方法、配線基板、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、層形成方法、配線基板、電気光学装置、および電子機器に関する。

印刷法によるアディティブプロセス（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて配線基板を製造する方法が注目されている。薄膜の塗布プロセスとフォトリソグラフィープロセスとを繰り返して配線基板を製造する方法に比べて、アディティブプロセスのコストは低いからである。

このようなアディティブプロセスに利用される技術の一つとして、インクジェット法による金属配線の形成技術が知られている（例えば特許文献１）。

特開２００４−６５７８号公報

インクジェット法で物体上に膜や層のパターンを形成する場合に、形成されるべきパターンの形状によっては、吐出された材料の物体上での塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることが求められることがある。例えば、層の境界部を形成する場合であれば、物体上に着弾した材料がなるべく塗れ広がらないことが好ましい。層の境界部の形状を明確にしたいからである。一方、同じ層であっても、層の内部を形成する場合には、物体上に着弾後の材料は塗れ広がってもよい。

例えば、コンタクトホールを有する絶縁層を形成する場合には、比較的濃度の高い液状の材料を用いることが求められる。比較的濃度が高い液状の材料であれば、吐出された後で、溶媒の気化に伴なって流動性を失うまでの時間が比較的に短いので、コンタクトホールとなる開口部の外形を形取るのが容易だからである。

しかしながらそのような液状の材料が着弾後に塗れ広がる面積は小さい。したがって、そのような液状の材料を用いた場合には、下地層の段差を吸収して平坦な面を提供するような層を設けることが難しい。

本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成することである。

本発明の層形成方法は、インクジェット法を用いて配線基板を製造する方法である。上記層形成方法は、（ａ）第１レベルの表面上に位置する第１導電層の側面が第１絶縁材料で覆われるように、前記表面上に第１の濃度を有する液状の前記第１絶縁材料を吐出するステップと、（ｂ）吐出された前記第１絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第１導電層に接する第１絶縁層を形成するステップと、（ｃ）前記第１導電層上と前記第１絶縁層上とに、前記第１の濃度よりも高い第２の濃度を有する液状の第２絶縁材料を吐出するステップと、（ｄ）吐出された前記第２絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第１導電層と前記第１絶縁層とを覆う第２絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で、第１導電層を覆う平坦な絶縁層が容易に得られることである。

本発明のある態様では、前記第１導電層は銅配線である。

上記構成によって得られる効果の一つは、一般に入手し易い配線基板にインクジェット法による絶縁層を設けることができることである。

好ましくは、上記層形成方法が、（ｅ）前記表面上に液状の第１導電性材料を吐出するステップと、（ｆ）吐出された前記第１導電性材料層を活性化または乾燥して前記第１導電層を得るステップと、をさらに含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、導電層の形成にインクジェット法を適用できることである。

さらに好ましくは、前記ステップ（ｅ）は、銀を含んだ前記第１導電性材料を吐出するステップを含む。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法による導電層の形成が容易になることである。

好ましくは、前記ステップ（ｃ）は、前記吐出された第２絶縁材料によって前記第１導電層の一部を露出するコンタクトホールが形取られるように、前記第２絶縁材料を吐出するステップを含み、前記ステップ（ｄ）は、前記吐出された第２絶縁材料を活性化または乾燥して、前記コンタクトホールを有する前記第２絶縁層を得るステップを含む。

上記構成によって得られる効果の一つは、コンタクトホールを有する絶縁層をインクジェット法で形成できることである。

本発明のある態様では、上記層形成方法が、（ｇ）前記コンタクトホール内に前記第１導電層に接する第２導電層を設けるステップ、をさらに含んでいる。

好ましくは、前記ステップ（ｇ）は、前記コンタクトホールに液状の第２導電性材料を吐出するステップと、前記吐出された第２導電性材料を活性化または乾燥して前記第２導電層を得るステップと、を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、上記コンタクトホールを埋める導電層をインクジェット法で形成できることである。

本発明の層形成方法は、第１部分と前記第１部分と接する第２部分とを覆う層をインクジェット法で形成する層形成方法である。この層形成方法は、（ａ）前記第１部分へ第１の濃度を有する液状の第１絶縁材料を吐出するステップと、（ｂ）前記ステップ（ａ）の後で、前記第２部分へ第２の濃度を有する液状の第２絶縁材料を吐出するステップと、を含んでいる。

上記構成によって得られる効果の一つは、物体上での液状の材料の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができることである。このため、上記構成によれば、層の境界部と内部とを容易に形成できる。

本発明の配線基板は、上記層形成方法で製造される。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で配線基板を製造できることである。

本発明の電気光学装置は、上記層形成方法で製造される。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で電気光学装置を製造できることである。

本発明の電子機器は、上記層形成方法で製造される。

上記構成によって得られる効果の一つは、インクジェット法で電子機器を製造できることである。

（実施形態１）
本実施形態の配線基板は、テープ形状を有するベース基板から製造される。ここでベース基板は、ポリイミドからなっており、フレキシブル基板とも呼ばれる。ベース基板上には、後述する製造工程によって、金属配線が形成される。そして、金属配線が形成された後で、ベース基板はプレス処理を受けて、ベース基板から複数の基板が切り抜かれる。この結果、ベース基板から、それぞれが金属配線を有する複数の基板が得られる。ここで、本実施形態では、複数の基板のそれぞれに設けられた金属配線は、どれも同じパターンを構成している。このように、金属配線が形成された基板を「配線基板」と表記する。

（Ａ．層形成装置）
本実施形態の配線基板は、６つの層形成装置が行う層形成工程を経て製造される。これら６つの層形成装置は、いずれも基本的に同じ構成・機能を有している。このため、以下では、記載の重複を避ける目的で、６つの層形成装置を代表して、１つの層形成装置についてのみ構成・機能を説明する。

図１の層形成装置１０は、所定のレベルに位置する表面上に導電層または絶縁層を形成する装置である。この層形成装置１０は、一対のリールＷ１と、吐出装置１０Ａと、オーブン１０Ｂと、を含んでいる。そして、層形成装置１０において、ベース基板１ａがリールＷ１の一方から巻き出されて他方に巻き取られるまでに、吐出装置１０Ａとオーブン１０Ｂとによって、ベース基板１ａに対してそれぞれの処理が行われる。このような処理方式は、リール・トゥ・リール（Ｒｅｅｌ Ｔｏ Ｒｅｅｌ）とも呼ばれる。

吐出装置１０Ａは、ベース基板１ａの所定のレベルに位置する表面に向けて液状の材料を吐出する装置である。また、オーブン１０Ｂは、吐出装置１０Ａによって付与または塗布された液状の材料を加熱することで活性化する装置である。

本明細書では、６つの層形成装置１０のそれぞれに含まれる６つの吐出装置１０Ａを、説明の便宜上、第１吐出装置１１Ａ、第２吐出装置１２Ａ、第３吐出装置１３Ａ、第４吐出装置１４Ａ、第５吐出装置１５Ａ、第６吐出装置１６Ａと、表記する。同様に、６つのオーブン１０Ｂを、説明の便宜上、第１オーブン１１Ｂ、第２オーブン１２Ｂ、第３オーブン１３Ｂ、第４オーブン１４Ｂ、第５オーブン１５Ｂ、第６オーブン１６Ｂと、表記する。

６つの吐出装置１１Ａ、１２Ａ、１３Ａ、１４Ａ、１５Ａ、１６Ａは、基本的にいずれも同じ構造・機能を有している。このため、以下では、記載の重複を避ける目的で、６つの吐出装置１１Ａ、１２Ａ、１３Ａ、１４Ａ、１５Ａ、１６Ａを代表して、第１吐出装置１１Ａについてのみ構成・機能を説明する。

（Ｂ．吐出装置の全体構成）
図２に示す第１吐出装置１１Ａはインクジェット装置である。より具体的には、第１吐出装置１１Ａは、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、チューブ１１０を介してタンク１０１から液状の材料１１１が供給される吐出走査部１０２と、を備えている。ここで、吐出走査部１０２は、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。

吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図３）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。

ステージ１０６はベース基板１ａを固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いてベース基板１ａの位置を固定する機能も有する。

第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。

第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。

上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータやサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。

さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、ベース基板１ａはステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、ベース基板１ａに対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３）は、ベース基板１ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。

制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データ（例えばビットマップデータ）を外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。

上記構成を有する第１吐出装置１１Ａは、ビットマップデータに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図３）をベース基板１ａに対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。このビットマップデータは、ベース基板１ａ上に、材料を所定パターンで付与するためのデータである。なお、第１吐出装置１１Ａによるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状の材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出装置」と表記することもある。

また「被吐出部」とは、液状の材料１１１の液滴が着弾して塗れ広がる部分である。さらに「被吐出部」は、液状の材料１１１が所望の接触角を呈するように、下地の物体に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物体の表面が、液状の材料１１１に対して所望の撥液性または親液性を呈する（つまり着弾した液状の材料１１１が下地の物体の表面上で望ましい接触角を呈する）場合には、下地の物体の表面そのものが「被吐出部」であってもよい。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。

（Ｃ．ヘッド）
図３（ａ）および（ｂ）に示すように、第１吐出装置１１Ａにおけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、を備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。

また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。

さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。

本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。

（Ｄ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図４に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と記憶装置２０２とは、相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と走査駆動部２０６とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４とヘッド駆動部２０８とは相互に通信可能に接続されている。また、走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。

入力バッファメモリ２００は、第１吐出装置１１Ａの外部に位置するホストコンピュータ（不図示）から、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図４では、記憶装置２０２はＲＡＭである。

処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対してヘッド１１４が相対移動する。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。

制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータであってもよい。この場合には、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。

（Ｅ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴として吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。

液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上であれば、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１の流出により汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であれば、ノズル１１８における目詰まり頻度が低くなり、この結果、円滑な液滴の吐出が実現し得る。

後述する第１導電性材料、第２導電性材料、および第３導電性材料は、いずれも上記のような「液状の材料１１１」である。そして、第１導電性材料は第１吐出装置１１Ａから吐出され、第２導電性材料は第４吐出装置１４Ａから吐出され、第３導電性材料は第５吐出装置１５Ａから吐出される。

本実施形態では、第１導電性材料、第２導電性材料、および第３導電性材料は、いずれも平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散剤と、有機溶媒と、を含む。そして導電性材料において、銀粒子は分散剤に覆われている。分散剤に覆われた銀粒子は有機溶媒中に安定して分散されている。ここで、分散剤は、銀原子に配位可能な化合物である。このような分散剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。

平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、第１導電性材料、第２導電性材料、および第３導電性材料は、いずれも銀のナノ粒子を含んでいる。

さらに、後述する第１絶縁材料、第２絶縁材料、および第３絶縁材料も、いずれも上記のような「液状の材料１１１」である。そして、第１絶縁材料は第２吐出装置１２Ａから吐出され、第２絶縁材料は第３吐出装置１３Ａから吐出される。第３絶縁材料は第６吐出装置１６Ａから吐出される。なお、第１絶縁材料と第３絶縁材料とは同じである。

本実施形態では、第１絶縁材料および第２絶縁材料は、いずれも、ポリイミド前駆体と、溶媒（希釈剤）であるＮメチル２ピロリドンと、を含んだ溶液である。そして、第１絶縁材料および第２絶縁材料のそれぞれにおいて、ポリイミド前駆体の濃度がそれぞれ所定値になるよう設定されている。本実施形態では、第１絶縁材料におけるポリイミド前駆体の濃度が、第２絶縁材料におけるポリイミド前駆体の濃度よりも低い。ここで、一般的に、ポリイミド前駆体の濃度が高いほど、吐出後の第１絶縁材料および第２絶縁材料が流動性を実質的に失うまでの時間が短い。一方、ポリイミド前駆体の濃度が低いほど、吐出後の第１絶縁材料および第２絶縁材料が流動性を維持する期間は長くなる。

第１絶縁材料および第２絶縁材料におけるポリイミド前駆体の濃度は、本発明の「絶縁材料の濃度」に対応する。なお、重合反応の代わりに、絶縁微粒子が凝集して絶縁層が形成される場合には、絶縁微粒子の濃度または重量％が、本発明の「絶縁材料の濃度」に対応する。

（Ｆ．製造方法）
以下では、層形成方法、すなわち製造方法を説明する。

（Ｆ１．第１導電層）
最初に、ベース基板１ａのほぼ同一レベル上に第１導電層２１を形成する。

具体的には、図５（ａ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第１吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第１吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａの被吐出部上に第１導電性材料層２１Ｂを形成する。

より具体的には、まず、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第１吐出装置１１Ａはノズル１１８から第１導電性材料２１Ａの液滴を吐出する。吐出された第１導電性材料２１Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして第１導電性材料２１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に第１導電性材料層２１Ｂが得られる。

上述の第１ビットマップデータは「吐出データ」の一種である。「吐出データ」とは、ノズル１１８から液滴を吐出すべき相対位置（吐出位置）を表す情報と、吐出位置ごとの液滴の体積を示す情報と、を含んでいる。このような吐出データは、図示しない外部情報処理装置（ホストコンピュータ）から、第１吐出装置１１Ａにおける制御部１１２のメモリに供給される。そして、制御部１１２は、供給された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４によるヘッド１１４の移動と、ヘッド１１４による液滴の吐出と、を制御する。

第１導電性材料層２１Ｂを形成した後で、第１導電性材料層２１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第１オーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、第１導電性材料層２１Ｂを加熱することで、第１導電性材料層２１Ｂにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。このような活性化の結果、図５（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、第１パターン形状を有する第１導電層２１が得られる。

第１パターン形状を有する第１導電層２１は、図５（ｃ）に示すような配線２５Ａと、配線２５Ｂと、配線２５Ｃと、を含む。具体的には、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのそれぞれは、ベース基板１ａの被吐出部上に位置している。つまり、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃはいずれも、ほぼ同一のレベルにある表面Ｌ１上に位置している。ただし、これら配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのうちのどの２つの配線も、面Ｌ１上では互いから物理的に分離されている。なお、後述の工程によって、配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５Ｃは、配線２５Ａと配線２５Ｂとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。

（Ｆ２．第１絶縁層）
第１パターン形状の第１導電層２１が設けられた後では、ベース基板１ａ上に第１導電層２１の厚さに相当する段差が生じる。そこで、図５（ｄ）に示すように、本実施形態では、ベース基板１ａの部分であって第１導電層２１がない部分に第１絶縁層３１を形成する。第１絶縁層３１は第１導電層２１の側面を覆うので、このことで第１導電層２１によって生じた段差がなくなる。

具体的には、図５（ｄ）に示すように、まず、第１導電層２１が設けられたベース基板１ａを第２吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第２吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａの被吐出部上に第１絶縁材料層３１Ｂを形成する。

より具体的には、まず、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ノズル１１８が被吐出部に対応する位置に達した場合に、第２吐出装置１２Ａはノズル１１８から第１絶縁材料３１Ａの液滴を吐出する。吐出された第１絶縁材料３１Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして第１絶縁材料３１Ａの液滴が被吐出部に着弾することで、ベース基板１ａ上に第１絶縁材料層３１Ｂが得られる。

ここで、着弾後の第１絶縁材料３１Ａが第１導電層２１の側面を覆って塗れ広がるまで、第１絶縁材料３１Ａが流動性を維持できるように、本実施形態の第１絶縁材料３１Ａの濃度は十分低く設定されている。このため、被吐出部に着弾した第１絶縁材料３１Ａは、被吐出部上で、均一な厚さの層（第１絶縁材料層３１Ｂ）を形成する。

第１絶縁材料層３１Ｂを形成した後で、第１絶縁材料層３１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第２オーブン１２Ｂの内部に位置させる。そして、第１絶縁材料層３１Ｂを加熱することで、第１絶縁材料層３１Ｂにおけるポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図６（ａ）に示すように、ベース基板１ａ上に、第１絶縁層３１（ポリイミド層）を得る。

第１絶縁層３１が形成されると、第１導電層２１によって形成されたベース基板１ａ上の段差が吸収される。第１導電層２１の表面と、第１絶縁層３１の表面と、がほぼ同一のレベルに位置するからである。本明細書では、第１導電層２１の表面と、第１絶縁層３１の表面と、によって提供される表面を、「第２レベルの表面」とも表記する。

（Ｆ３．第２絶縁層）
第１絶縁層３１を形成した後で、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層を形成する。

具体的には、図６（ｂ）に示すように、まず、第１導電層２１と第１絶縁層３１とが設けられたベース基板１ａを第３吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第３吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、第１導電層２１と、第１絶縁層３１と、を覆う第２絶縁材料層３２Ｂを形成する。

より具体的には、まず、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ノズル１１８が、第１導電層２１の被吐出部および第１絶縁層３１の被吐出部に対応する位置に達した場合に、第３吐出装置１３Ａはノズル１１８から第２絶縁材料３２Ａの液滴を吐出する。吐出された第２絶縁材料３２Ａの液滴は、第１導電層２１の被吐出部および第１絶縁層３１の被吐出部に着弾する。そして第２絶縁材料３２Ａの液滴が被吐出部に着弾することで、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁材料層３２Ｂが得られる。

ここで、配線２５Ａ上と、配線２５Ｃ上と、にコンタクトホール３５がそれぞれ形成されるように、第２絶縁材料３２Ａの液滴が吐出される。つまり、着弾した第２絶縁材料３２Ａによってコンタクトホール３５の外形が規定されるように、第２絶縁材料３２Ａの液滴が吐出される。このため、コンタクトホール３５が形成されるべき箇所には、第２絶縁材料３２Ａの液滴は吐出されない。

第２絶縁材料３２Ａの濃度は、第１絶縁材料３１Ａの濃度よりも高い。このため、第１導電層２１上に着弾した第２絶縁材料３２Ａが流動性を失うまでの時間が、第１絶縁材料３１Ａが流動性を失うまでの時間よりも短い。この結果、第２絶縁材料３２Ａは、第１絶縁材料３１Ａよりも、コンタクトホール３５を形取るのに適している。本実施形態では、第２絶縁材料層３２Ｂが活性化される前であっても、コンタクトホール３５が形成されるべき部位は、開口部として維持される。

第２絶縁材料層３２Ｂを形成した後で、第２絶縁材料層３２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第３オーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、第２絶縁材料層３２Ｂを加熱することで、第２絶縁材料層３２Ｂにおけるポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図６（ｃ）に示すように、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層３２（ポリイミド層）を得る。さらに上述したように、この第２絶縁層３２は、配線２５Ａ上と配線２５Ｃ上とに、それぞれコンタクトホール３５を有している。

しかも、第２絶縁材料３２Ａの濃度が高いにもかかわらず、第２絶縁材料３２から形成される第２絶縁層３２の表面は平坦になる。第２絶縁材料３２Ａが着弾する被吐出部（第２レベルの表面）が、第１導電層２１と第１絶縁層３１とによって形成される平坦面だからである。

ところで、上述の第１絶縁材料３１Ａと第２絶縁材料３２Ａとは、次のように生成される。まず、溶液におけるポリイミド前駆体の濃度を調整することで、コンタクトホール３５の形状を形取るのに適した濃度を有する第２絶縁材料３２Ａを得る。そして、第２絶縁材料３２Ａに所定量の溶媒を加えて第２絶縁材料３２Ａを希釈することで、第１絶縁材料３１Ａを得る。なお、溶媒として、Ｎメチル２ピロリドンや、Ｎ，Ｎジメチルアセトアミドを用いることができる。

（Ｆ４．第２導電層）
第２絶縁層３２を形成した後で、第２絶縁層３２に設けられたコンタクトホール３５を貫通する第２導電層を形成する。

具体的には、図６（ｄ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第４吐出装置１４Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第４吐出装置１４Ａは、第４ビットマップデータに応じて、第２絶縁層３２に設けられたコンタクトホール３５を貫通する第２導電性材料層２２Ｂを形成する。

より具体的には、まず、第２絶縁層３２に対するノズル１１８の相対位置を、２次元的に変化させる。そして、コンタクトホール３５に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第４吐出装置１４Ａはノズル１１８から第２導電性材料２２Ａの液滴を吐出する。吐出された第２導電性材料２２Ａの液滴は、コンタクトホール３５によって露出した第１導電層２１の被吐出部に着弾する。そしてコンタクトホール３５内を満たすのに充分な数の液滴がコンタクトホール３５内に着弾することによって、コンタクトホール３５を貫通する第２導電性材料層２２Ｂが得られる。

第２導電性材料層２２Ｂを形成した後で、第２導電性材料層２２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第４オーブン１４Ｂの内部に位置させる。そして、第２導電性材料層２２Ｂを加熱することで、第２導電性材料層２２Ｂにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。このような活性化の結果、図６（ｅ）に示すように、第１導電層２１における配線２５Ａと配線２５Ｃとに電気的かつ物理的に連結されるとともに、コンタクトホール３５を貫通するそれぞれの第２導電層２２が得られる。

（Ｆ５．第３導電層）
第２導電層２２を形成した後で、第２絶縁層３２上と第２導電層２２上とに第３導電層２３を形成する。

具体的には、図７（ａ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第５吐出装置１５Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第５吐出装置１５Ａは、第５ビットマップデータに応じて、第２パターン形状を有する第３導電性材料層２３Ｂを第２絶縁層３２の被吐出部上と第２導電層２２の被吐出部上に形成する。ここで、第２パターン形状とは、２つのコンタクトホール３５のそれぞれに設けられた第２導電層２２を結ぶ形状である。

より具体的には、まず、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第５吐出装置１５Ａはノズル１１８から第３導電性材料２３Ａの液滴を吐出する。吐出された第３導電性材料２３Ａの液滴は、第２絶縁層３２の被吐出部と第２導電層２２の被吐出部とに着弾する。そして第３導電性材料２３Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、第２絶縁層３２の被吐出部上と第２導電層２２の被吐出部上とに第３導電性材料層２３Ｂが得られる。

第３導電性材料層２３Ｂを形成した後で、第３導電性材料層２３Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第５オーブン１５Ｂの内部に位置させる。そして、第３導電性材料層２３Ｂを加熱することで、第３導電性材料層２３Ｂにおける銀の微粒子を燒結または融着させる。このような活性化の結果、図７（ｂ）に示すように、２つのコンタクトホール３５のそれぞれに設けられた第２導電層２２に電気的に連結された第３導電層２３が得られる。

第３導電層２３によって、第１導電層２１の一部である配線２５Ａと配線２５Ｃとは、互いに電気的に連結される。ここで、第１導電層２１の一部である配線２５Ｂは、配線２５Ａに対しても配線２５Ｃに対しても電気的絶縁が保たれる。

（Ｆ６．第３絶縁層）
第３導電層２３を形成した後で、第３導電層２３を覆う第３絶縁層３３を形成する。

具体的には、図７（ｃ）に示すように、まず、ベース基板１ａを第６吐出装置１６Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると第６吐出装置１６Ａは、第６ビットマップデータに応じて、第３導電層２３を覆う第３絶縁材料層３３Ｂを形成する。

より具体的には、まず、ベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を、２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、形成すべきパターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、第６吐出装置１６Ａはノズル１１８から第３絶縁材料３３Ａの液滴を吐出する。吐出された第３絶縁材料３３Ａの液滴は、第２絶縁層３２の被吐出部と第３導電層２３の被吐出部とに着弾する。そして第３絶縁材料３３Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、第３絶縁材料層３３Ｂが得られる。なお、本実施形態では、第３絶縁材料３３Ａは第１絶縁材料３１Ａと同じである。

第３絶縁材料層３３Ｂを形成した後で、第３絶縁材料層３３Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａを第６オーブン１６Ｂの内部に位置させる。そして、第３絶縁材料層３３Ｂを加熱することで、第３絶縁材料層３３Ｂにおけるポリイミド前駆体を重合してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図７（ｄ）に示すように、第３導電層２３を覆う第３絶縁層３３が得られる。

このように、本実施形態によれば、インクジェット法を利用して立体的な配線構造を有する配線基板を製造することができる。

特に、第１レベルの表面上に段差が生じた場合でも、比較的濃度が低い第１絶縁材料３１Ａを第１レベルの表面上に吐出するので、第１レベルの次の第２レベルの表面を平坦にできる。さらに、本実施形態では、第２レベルの表面上に、第１絶縁材料３１Ａの濃度よりも高い濃度を有する第２の絶縁材料３２Ａを吐出するので、明確な形状のコンタクトホール３５を形成することができる。つまり、本実施形態によれば、平坦性がよく、かつコンタクトホール３５の形状が明確な絶縁層を、液状の材料（絶縁材料）の吐出によって形成できる。しかも、第１絶縁層３１と、第２絶縁層３２と、が同じ材料からなるので、線膨張率が互いに同じであり、この結果、熱膨張による応力が生じにくい。

（実施形態２）
本実施形態の層形成方法は、第２絶縁層の形成工程を除いて、実施形態１の層形成方法と基本的に同じである。このため、以下では、記載の重複を避ける目的で、第２絶縁層の形成だけを説明する。

（Ｇ．第２絶縁層）
まず、実施形態１の層形成方法で、ベース基板１ａ上に第１導電層２１と第１絶縁層３１とを形成する（図８（ａ））。そして、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層を形成する。

具体的には、第２吐出装置１２Ａおよび第３吐出装置１３Ａが、それぞれのビットマップデータに応じて、第１導電層２１の被吐出部上と第１絶縁層３１の被吐出部上とに、第２絶縁材料層を設ける。そして、設けられた第２絶縁材料層は、後で活性化されることで第２絶縁層となる。

この工程によって形成されるべき第２絶縁材料層（後の第２絶縁層）は、「層境界部」と「層内部」とからなる。「層境界部」とは、第２絶縁材料層または第２絶縁層の最も外側に位置する部分である。一方、「層内部」とは、その「層境界部」に囲まれた部分である。ただし、「層境界部」が、第２絶縁材料層においてコンタクトホールやビアホールの外形を形取る場合には、「層境界部」が「層内部」に囲まれる。いずれにしても、「層境界部」と「層内部」とは互いに密着している。

本実施形態では、第１導電層２１上の被吐出部と第１絶縁層３１上の被吐出部のうち、層境界部に対応する被吐出部を「第１部分４１」とも表記する。同様に、第１導電層２１上の被吐出部と第１絶縁層３１上の被吐出部のうち、層内部に対応する被吐出部を「第２部分４２」とも表記する。第１部分４１は、被吐出部の最も外側に位置する部分でもある。一方、第２部分４２は、第１部分４１によって囲まれた部分でもある。そして、これら第１部分４１と第２部分４２とは互いに接している。なお、本実施形態では、第１部分４１と第２部分４２とは、どちらも同じレベル（第２レベル）の表面上に位置している。ただしもちろん、これら第１部分４１と第２部分４２とが異なるレベルの表面上に位置していてもよい。

（Ｇ１．層境界部（第１部分４１への吐出））
以下では、第２絶縁層の形成をより具体的に説明する。まず、図８（ｂ）に示すように、第３吐出装置１３Ａが、ベース基板１ａに対するノズル１１８（図３）の相対位置を、Ｙ軸方向の正の方向に相対速度Ｖで変化させる。そして、ノズル１１８が第１部分４１に対応する位置に達した場合に、ヘッド１１４は第２絶縁材料３２Ａの液滴を吐出する。

そして、ヘッド１１４のＸ軸方向への相対移動とＹ軸方向への相対移動とを繰り返すことで、第３吐出装置１３Ａは、ベース基板１ａ上の第１部分４１のすべての範囲に第２絶縁材料３２Ａの液滴を着弾させる。そうすると、第１部分４１を覆う第２絶縁材料層（層境界部）３２Ｂが得られる。

さて、第２絶縁材料３２Ａの濃度は、実施形態１で説明した第１絶縁材料３１Ａの濃度よりも高い。このため、第１導電層２１上に着弾した第２絶縁材料３２Ａが流動性を失うまでの時間が、第１絶縁材料３１Ａが流動性を失うまでの時間よりも短い。この結果、第２絶縁材料３２Ａは、第１絶縁材料３１Ａよりも、層境界部を形取るのに適している。例えば、図８（ｂ）および（ｃ）に示すように、第１部分４１がコンタクトホール３５の外形に対応するように位置している場合には、第１部分４１上の層境界部が活性化（硬化）されるまで、層境界部は、後にコンタクトホール３５となる開口部を維持し得る。

第２絶縁材料層３２Ｂの層境界部が形成された後で、層境界部を活性化する。この目的で、ベース基板１ａを第３オーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、ベース基板１ａを加熱することで、第２絶縁材料層３２Ｂの層境界部を硬化させて、図８（ｃ）に示すように第２絶縁層３２の層境界部を得る。

（Ｇ２．層内部（第２部分４２への吐出））
第２絶縁層３２の層境界部を形成した後で、層内部を形成する。まず、図８（ｄ）に示すように、第２吐出装置１２Ａが、ベース基板１ａに対するノズル１１８（図３）の相対位置を、Ｙ軸方向の正の方向に相対速度Ｖで変化させる。そして、ノズル１１８が第２部分４２に対応する位置に達した場合に、ヘッド１１４は第１絶縁材料３１Ａの液滴を吐出する。ここで、実施形態１で説明したように、第１絶縁材料３１Ａの濃度は十分低く設定されている。このため、第２部分４２に着弾した第１絶縁材料３１Ａは十分広く塗れ広がる。

第２吐出装置１２Ａは、ヘッド１１４のＸ軸方向への相対移動とＹ軸方向への相対移動とを繰り返すことで、層境界部によって縁取られた部分（第２部分４２）を第１絶縁材料３１Ａで満たす。この結果、第２吐出装置１２Ａは、第２絶縁材料層３２Ｂの層内部を形成する。

第２絶縁材料層３２Ｂの層内部が形成された後で、層内部を活性化する。この目的で、ベース基板１ａを第２オーブン１２Ｂの内部に位置させる。そして、ベース基板１ａを加熱することで、第２絶縁材料層３２Ｂの層内部を硬化させて、第２絶縁層３２の層内部を得る。ここで、既に第２絶縁層３２の層境界部は形成されているので、第２オーブン１２Ｂによる活性化の後で、第２絶縁層３２の全体が完成する。つまり、第２オーブン１２Ｂによる活性化の後で、図８（ｅ）に示すように、第１導電層２１と第１絶縁層３１とを覆う第２絶縁層３２（ポリイミド層）が得られる。さらに上述したように、この第２絶縁層３２は、配線２５Ａ上と配線２５Ｃ上とに、それぞれコンタクトホール３５を有している。

このように第２吐出装置１２Ａと第３吐出装置１３Ａとによれば、物体上に施される表面改質処理が同じであっても、物体上での液状の材料１１１の塗れ広がりの度合いを部分的に異ならせることができる。

実施形態１および２の配線基板の一例は、液晶表示装置において液晶パネルに接続される配線基板である。このため、実施形態１および２の製造方法は、液晶表示装置の製造に適用できる。

さらに、実施形態１および２の製造方法は、液晶表示装置の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用され得る。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。

具体的には、電気光学装置は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）、および電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）を含む用語である。

さらに、実施形態１および２の製造方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図９に示すような、液晶表示装置５２を備えた携帯電話機５０の製造方法や、図１０に示すような、液晶表示装置６２を備えたパーソナルコンピュータ６０の製造方法にも、実施形態１および２の製造方法が適用される。

（変形例１）
実施形態１および２では、第１絶縁層３１および第２絶縁層３２は、ポリイミドからなる。ただし、ポリイミドに代えて、他のポリマーからなってもよい。第１絶縁層３１および第２絶縁層３２が他のポリマーからなる場合には、第１絶縁材料３１Ａおよび第２絶縁材料３２Ａは、ポリイミド前駆体に代えて、対応するポリマー前駆体を含んでいればよい。

（変形例２）
実施形態１および２では、第１絶縁材料３１Ａから得られる絶縁層も、第２絶縁材料３２Ａから得られる絶縁層も、互いに同じ構造のポリイミド、すなわち同じ構造のポリマー、からなる。このため、第１絶縁材料３１Ａに含まれるポリマー前駆体の構造は、第２絶縁材料３２Ａに含まれるポリマー前駆体の構造と同じである。しかしながら、結果として生じる絶縁層の線膨張率が近いのであれば、第１絶縁材料３１Ａにおけるポリマー前駆体の構造と、第２絶縁材料３２Ａにおけるポリマー前駆体の構造とが、異なっていてもよい。第１絶縁材料３１Ａと第２絶縁材料３２Ａとが異なる構造のポリマー前駆体を含んでいる場合であっても、第１絶縁材料３１Ａの濃度が第２絶縁材料３２Ａの濃度よりも低ければ、上記効果が得られるからである。

（変形例３）
実施形態１および２では、ポリイミドからなるベース基板１ａ上に金属配線が形成される。しなしながら、このようなベース基板１ａに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、実施形態１および２で説明した効果と同様の効果が得られる。なお、シリコン基板を利用する場合には、導電性材料を吐出する前に、基板表面にパシベーション膜を形成してもよい。なお、どのような基板や膜が用いられても、上述したように、ノズル１１８からの液状の材料１１１が着弾することになる部分は「被吐出部」に対応する。

（変形例４）
実施形態１および２の導電性材料には、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、インクジェット法を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料を利用することは好ましい。

また導電性材料が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱（すなわち活性化）による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。

このように、導電性材料に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。

（変形例５）
実施形態１および２によれば、オーブン１１Ｂ、１２Ｂ、１３Ｂ、１４Ｂ、１５Ｂ、１６Ｂによる加熱によって導電性材料層および絶縁材料層を活性化させる。ただし、加熱することに代えて、紫外域・可視光域の波長の光や、マイクロウェーヴなどの電磁波を照射することで、導電性材料層または絶縁材料層を活性化してもよい。また、このような活性化に代えて、導電性材料層または絶縁材料層を単に乾燥させてもよい。付与された導電性材料層または絶縁材料層を放置するだけでも導電層または絶縁層が生じるからである。ただし、導電性材料層または絶縁材料層を単に乾燥させる場合よりも、何らかの活性化を行う場合の方が、導電層または絶縁層の生成時間が短い。このため、導電性材料層または絶縁材料層を活性化することがより好ましい。

（変形例６）
実施形態１および２によれば、第１導電層はインクジェット法によって形成された銀配線である。ただし、銀配線に代えて、第１導電層がフォトリソグラフィー工程によって形成された銅配線であってもよい。

（変形例７）
実施形態１および２では、第１絶縁材料３１Ａは第２吐出装置１２Ａから吐出され、第２絶縁材料３２Ａは第３吐出装置１３Ａから吐出される。しかしながら、第１絶縁材料３１Ａと第２絶縁材料３２Ａとがそれぞれ別々の吐出装置１２Ａ、１３Ａから吐出される代わりに、第１絶縁材料３１Ａと第２絶縁材料３２Ａとが、１つの同じ吐出装置から吐出されてもよい。実施形態１および２によれば、第１絶縁材料３１Ａに含まれるポリマー前駆体と、第２絶縁材料３２Ａに含まれるポリマー前駆体と、は互いに同じなので、第１絶縁材料３１Ａと第２絶縁材料３２Ａとを切換える際に、タンク１０１やチューブ１１０などの流路を洗浄しなくてもよい。このため、吐出装置における流路を洗浄するための工程を増やすことなく、使用される吐出装置の数を減らすことができる。

層形成装置の模式図。 層形成装置における吐出装置の模式図。 吐出装置におけるヘッドの模式図。 吐出装置における制御部の機能ブロック図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態１の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｅ）は実施形態１の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｄ）は実施形態１の製造方法を説明する図。 （ａ）から（ｅ）は実施形態２の製造方法を説明する図。 携帯電話機を示す模式図。 パーソナルコンピュータを示す模式図。

符号の説明

１ａ…ベース基板、１０…層形成装置、１０Ａ…吐出装置、１１Ａ…第１吐出装置、１２Ａ…第２吐出装置、１３Ａ…第３吐出装置、１４Ａ…第４吐出装置、１５Ａ…第５吐出装置、１６Ａ…第６吐出装置、２１…第１導電層、２１Ａ…第１導電性材料、２１Ｂ…第１導電性材料層、２２…第２導電層、２２Ａ…第２導電性材料、２２Ｂ…第２導電性材料層、２３…第３導電層、２３Ａ…第３導電性材料、２３Ｂ…第３導電性材料層、２５Ａ…配線、２５Ｂ…配線、２５Ｃ…配線、３１…第１絶縁層、３１Ａ…第１絶縁材料、３１Ｂ…第１絶縁材料層、３２…第２絶縁層、３２Ａ…第２絶縁材料、３２Ｂ…第２絶縁材料層、３３…第３絶縁層、３３Ｂ…第３絶縁材料層、３５…コンタクトホール、５０…携帯電話機、６０…パーソナルコンピュータ。

Claims (10)

1. インクジェット法を用いた層形成方法であって、
   （ａ）第１レベルの表面上に位置する第１導電層の側面が第１絶縁材料で覆われるように、前記表面上に第１の濃度を有する液状の前記第１絶縁材料を吐出するステップと、
   （ｂ）吐出された前記第１絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第１導電層に接する第１絶縁層を形成するステップと、
   （ｃ）前記第１導電層上と前記第１絶縁層上とに、前記第１の濃度よりも高い第２の濃度を有する液状の第２絶縁材料を吐出するステップと、
   （ｄ）吐出された前記第２絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第１導電層と前記第１絶縁層とを覆う第２絶縁層を形成するステップと、
   を含んだ層形成方法。
2. 請求項１記載の層形成方法であって、
   前記第１導電層は銅配線である、
   層形成方法。
3. 請求項１記載の層形成方法であって、
   （ｅ）前記表面上に液状の第１導電性材料を吐出するステップと、
   （ｆ）吐出された前記第１導電性材料層を活性化または乾燥して、前記第１導電層を得るステップと、
   をさらに含んだ層形成方法。
4. 請求項３記載の層形成方法であって、
   前記ステップ（ｅ）は、銀を含んだ前記第１導電性材料を吐出するステップを含む、
   層形成方法。
5. 請求項１から４のいずれか一つ記載の層形成方法であって、
   前記ステップ（ｃ）は、前記吐出された第２絶縁材料によって前記第１導電層の一部を露出するコンタクトホールが形取られるように、前記第２絶縁材料を吐出するステップを含み、
   前記ステップ（ｄ）は、前記吐出された第２絶縁材料を活性化または乾燥して、前記コンタクトホールを有する前記第２絶縁層を得るステップを含む、
   層形成方法。
6. 請求項５記載の層形成方法であって、
   （ｇ）前記コンタクトホール内に前記第１導電層に接する第２導電層を設けるステップ、
   をさらに含んだ層形成方法。
7. 請求項６記載の層形成方法であって、
   前記ステップ（ｇ）は、前記コンタクトホールに液状の第２導電性材料を吐出するステップと、前記吐出された第２導電性材料を活性化または乾燥して前記第２導電層を得るステップと、を含んでいる、
   層形成方法。
8. 請求項１から７のいずれか一つ記載の層形成方法で製造された配線基板。
9. 請求項１から７のいずれか一つ記載の層形成方法で製造された電気光学装置。
10. 請求項１から７のいずれか一つ記載の層形成方法で製造された電子機器。

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