JP4207815B2 - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関し、特に大板組立方式により製造する電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器に関する。

周知のように、電気光学装置、例えば液晶表示装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。

また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば大板のガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって、形成されるのである。

尚、この際、ＴＦＴ基板の表面端部寄りに、組立られた液晶表示装置とプロジェクタ等の電子機器とを接続するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の一端が接続される実装用端子が実装される。

このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされる。このパネル組立工程は、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。

その後、焼成を行い、さらに電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。次いで、液晶滴下方式であれば、大板上に複数構成された、例えばＴＦＴ基板上の周縁に、接着剤となるシール材を枠状に規定の高さ描画または印刷によりそれぞれ形成し、このシール材の内側の基板上の液晶充填領域に、規定量の液晶を滴下する。

その後、大板組立方式の場合は、ＴＦＴ基板が複数構成された大板を、対向基板が複数構成された大板に、ＴＦＴ基板と対向基板が対向配置されるよう、シール材を介して真空下において貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。その後、貼り合わされた一対の大板から、対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板を組毎に分断することにより、液晶表示装置はそれぞれ製造されるのである。

ここで、貼り合わされた一対の大板から、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎に分断する際は、先ず、ＴＦＴ基板が複数構成された大板及び対向基板が複数構成された大板の所望の切断位置に、例えばスクライブにより溝を形成する。

次いで、溝に対向する基板の位置、詳しくは、ＴＦＴ基板が複数構成された大板に溝を形成した際は、該溝に対向する対向基板が複数構成された大板の位置を、または対向基板が複数構成された大板に溝を形成した際は、該溝に対向するＴＦＴ基板が複数構成された大板の位置を印圧することにより、溝に沿って、ＴＦＴ基板及び対向基板の厚さ方向に基板を貫通するクラックを発生させ、該クラックを用いて分断する手法が周知である。

また、分断の際、分断に用いる過大な力により、ＴＦＴ基板に形成されたドライバ回路を損傷させるのを防止するため、ＴＦＴ基板が複数構成された大板に形成する溝を、対向基板が複数構成された大板に形成する溝よりも深く、具体的にはＴＦＴ基板の板厚に略等しい深さに形成し形成し、わずかな力により、ＴＦＴ基板にクラックを発生させる技術も提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００１−８３４９１号公報

ところで、貼り合わされた一対の大板から、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎に分断する際は、組立られた液晶表示装置とプロジェクタ等の電子機器とを接続するＦＰＣの一端が接続される実装用端子が露出されるよう分断される。

この際、貼り合わされたＴＦＴ基板から実装用端子を露出させるため、実装端子を露出させる幅だけ対向基板を分断する必要があるが、実装端子を露出させる幅は狭いため、精度良く分断するのが難しいといった問題があった。

また、貼り合わされた一対の大板から、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎に分断し、その後実装端子を露出させるため、個々に対向基板を実装端子が露出させる幅だけ分断すると、非効率であり、生産性が低い。

本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、大板貼り合わせ方式、により電気光学装置を複数製造する際、一対の大板から精度良く容易に、一括して実装用端子が露出されるよう電気光学装置が切断でき、歩留まりを向上させることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供するにある。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、実装用端子部を有する素子基板が複数構成された第１の基板と、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板とを、貼り合わせた後、貼り合わされた一対の前記素子基板と前記対向基板とで構成される複数の電気光学装置を複数個分断する多数個取りの電気光学装置の製造方法において、前記第１の基板の一方の面の前記複数の素子基板の境界に、略直線状の第１の溝と、該第１の溝と略直交する略直線状の第２の溝とを複数本形成する工程と、前記第２の基板の一方の面に、前記第１の基板に形成された前記第１の溝と対向する略直線状の第３の溝と、該第３の溝の近傍に位置する略直線状の第４の溝と、前記第３の溝及び前記第４の溝と略直交し、前記第２の溝と対向する第５の溝とを複数本形成する工程と、を有し、前記第４の溝は、前記第３の溝よりも深く形成されることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第４の溝は近傍に位置する第３の溝よりも深く形成されることにより、貼り合わされた一対の基板から分断された、貼り合わされた一対の素子基板と対向基板から、素子基板に形成された実装用端子部を、精度良く容易に、一括して露出させることができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、実装用端子部を有する素子基板が複数構成された第１の基板と、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板とを、貼り合わせた後、貼り合わされた一対の前記素子基板と前記対向基板とで構成される複数の電気光学装置を複数個分断する多数個取りの電気光学装置の製造方法において、前記第１の基板の一方の面の前記複数の素子基板の境界に、略直線状の第１の溝と、該第１の溝と略直交する略直線状の第２の溝とが複数形成される工程と、前記第１の基板に、前記第１の溝及び前記第２の溝に沿って前記第１の基板を貫通するクラックを発生させる工程と、前記第２の基板の一方の面に、前記第１の基板に形成された前記第１の溝と対向する略直線状の第３の溝と、該第３の溝の近傍に位置する略直線状の第４の溝と、前記第３の溝及び前記第４の溝と略直交し、第１の基板に形成された前記第２の溝と対向する第５の溝とが、複数本形成される工程と、前記第２の基板に、前記第３の溝、前記第４の溝及び前記第５の溝に沿って前記第２の基板を貫通するクラックを発生させる工程と、貼り合わされた一対の前記第１の基板及び第２の基板から、貼り合わされた一対の前記素子基板と、前記対向基板とで構成される複数の電気光学装置が、複数個分断される工程と、を有し、前記第４の溝に沿ってクラックを発生させる工程は、前記第３の溝に沿ってクラックを発生させる工程よりも先に行われることを特徴とする。。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第４の溝に沿って発生させるクラックは、近傍に位置する第３の溝に沿って発生させるクラックよりも先に発生させることにより、貼り合わされた一対の基板から分断された、貼り合わされた一対の素子基板と対向基板から、素子基板に形成された実装用端子部を、精度良く容易に、一括して露出させることができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

また、第４の溝は近接する第３の溝よりも深く形成されることにより、第４の溝及び第３の溝に沿ってクラックを発生させる際、クラックを発生させる順番を間違えることがないという効果を有する。

また、前記第１〜第５の溝は、スクライブまたはダイシングにより形成されることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第１〜第５の溝は、スクライブまたはダイシングにより形成されることにより、精度良く溝を形成することができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

さらに、前記第４の溝は、前記第３の溝に対して一定の幅を有して形成されることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第４の溝は、第３の溝に対して一定の幅を有して形成されることにより、素子基板に形成された実装用端子部を、確実に、一括して露出させることができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

また、前記素子基板の実装用端子部は、前記第３の溝、前記第４の溝及び前記第５の溝に沿って第２の基板を貫通するクラックを発生させることにより、貼り合わされた一対の素子基板及び該素子基板に対向する対向基板から露出されることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第３の溝、第４の溝及び第５の溝に沿って対向基板を貫通するクラックを発生させることにより、素子基板に形成された実装用端子部を、精度良く容易に、一括して露出させることができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

さらに、前記第１の基板のクラックは、前記第１の溝及び前記第２の溝に対向する前記第２の基板の位置を印圧することにより発生させることを特徴とする。また、前記第２の基板のクラックは、前記第３の溝、前記第４の溝及び前記第５の溝に対向する前記第１の基板の位置を印圧することにより発生させることを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、貼り合わされた一対の素子基板及び対向基板を貼り合わされた一対の基板から分断する際、基板に形成された溝に対向する位置の基板を印圧することにより、精度良くクラックを発生させることができることから歩留まりを向上させることができるという効果を有する。

本発明に係る電気光学装置は、請求項１〜請求項７の製造方法を用いて製造されたことを特徴とし、また、前記素子基板に対向する対向基板の一方の端部は、他方の端部よりも深く面取りされていることを特徴とし、さらに、前記素子基板に対向する前記対向基板の一方の端部に形成された面取り部は、前記第４の溝の一部から構成され、他方の端部に形成された面取り部は、前記第３の溝の一部から構成されたことを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、一対の基板から精度良く容易に素子基板の実装端子部が露出するよう製造された電気光学装置を提供することができるという効果を有する。

本発明に係る電子機器は、請求項８〜１０の電気光学装置を用いたことを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、一対の基板から精度良く容易に素子基板の実装端子部が露出するよう製造された電気光学装置を用いた電子機器を提供することができるという効果を有する。

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、電気光学装置は、液晶表示装置を例に挙げて説明する。よって、液晶表示装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板であるＴＦＴ基板を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）を例に挙げて説明する。また、液晶滴下方式により製造された液晶表示装置を例に挙げて説明する。

先ず、図１、図２を参照して、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の構成について説明する。
図１は、液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した横断面図である。

同図に示すように、液晶表示装置５００は、ＴＦＴ基板１０とそれに対向して設けられる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上に画素を構成する画素電極９ａ等がマトリクス状に配置される。

対向基板２０に表示領域を区画する額縁としての遮光膜（ＢＭ）４２が設けられている。遮光膜４２は、例えば遮光性材料によって形成される。

遮光膜４２の外側の領域に、液晶を封入するシール材４１がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に形成されている。シール材４１は、例えば対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。

ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側の領域に、データ線駆動回路６１、及び組立られた液晶表示装置５００とプロジェクタ等の電子機器とを接続するＦＰＣ（いずれも図示されず）の一端が接続される実装用端子部６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。

ＴＦＴ基板１０のデータ線駆動回路６１及び実装用端子部６２が設けられた一方の端部、及び一方の端部と対向する他方の端部に、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０に形成された、後述する第１の溝１００ｘ（図５参照）の一部から構成された面取り部１０ａが形成されている。

対向基板２０のデータ線駆動回路６１及び実装用端子部６２寄りの一方の端部に、後述する第４の溝２００ｘ１（図６参照）の一部から構成された面取り部２０ｂが形成されている。また、対向基板２０の一方の端部と対向する他方の端部に、後述する第３の溝２００ｘ２（図６参照）の一部から構成された面取り部２０ａが形成されている。

尚、上述した面取り部２０ｂは、面取り部２０ａ及び面取り部１０ａよりも深く面取りされている。

次に、このように構成される液晶表示装置５００の製造方法について、図３〜図６を用いて説明する。尚、本実施の形態における液晶表示装置は、複数個のＴＦＴ基板１０が構成された第１の基板である一方の大板と、ＴＦＴ基板と同数個の対向基板２０が構成された第２の基板である他方の大板とが対向配置するよう貼り合わせた後、対向配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を分断することにより液晶表示装置５００を複数個製造する、所謂大板組立方式により製造される。

図３、図４は、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示す工程図、図５は、複数のＴＦＴ基板が形成された一方の大板に切断用の溝を形成したことを示す平面図、図６は、複数の対向基板が形成された他方の大板に切断用の溝を形成したことを示す平面図である。

図３（ａ）に示すように、先ず、既知の成膜工程により、画素電極９ａ、実装用端子部６２（いずれも図２参照）等の構成要素が表面に形成されたＴＦＴ基板１０が複数形成された一方の大板１００と、既知の成膜工程により図示しない画素電極等の構成要素が表面の全面に形成された他方の大板２００とを、互いの表面が向き合うよう、対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置されたシール材４１を介して貼り合わされる。

尚、大板１００，２００は、図５、図６に示すように、例えば円形状を有しており、透過型または反射型の石英、ガラス、シリコンウエハ等から構成されている。また、大板１００，２００の板厚は、例えば２．５ｍｍ以下となるよう形成されている。

次に、図３（ｂ）及び図５に示すように、貼り合わされた一対の大板１００，２００の内、一方の面である大板１００の表面と反対側の面（以下、裏面と称す）のＴＦＴ基板１０の境界に、図５中ｘ方向に略直線状の第１の溝１００ｘを、例えば超硬合金で構成されたスクライブカッタ７０を用いた既知のスクライブにより複数本形成する。

また、この際、大板１００の裏面のＴＦＴ基板１０のＴＦＴ素子の境界に、図５中ｙ方向に第１の溝１００ｘと略直交する略直線状の第２の溝１００ｙを、既知のスクライブにより複数本形成する。

その後、第１の溝１００ｘ及び第２の溝１００ｙを形成する際に発生し、大板１００の裏面に付着した、塵埃（以下、カレットと称す）を、例えばＣＯ２によりクリーニングする。

次いで、図３（ｃ）に示すように、貼り合わされた一対の大板１００，２００の内、一方の面である大板２００の表面と反対側の面（以下、裏面と称す）の大板１００に形成された第１の溝１００ｘに対向する略直線状の位置２００ａを、例えばブレード８０により印加する。また、この際、大板２００の大板１００に形成された第２の溝１００ｙに対向する略直線状の位置も、例えばブレード８０により印加する。

このことにより、大板１００の第１の溝１００ｘ及び第２の溝１００ｙに沿って、大板１００の板厚方向に該大板１００を貫通するまで進行する垂直なクラック１００ｋが発生する。

次いで、図３（ｄ）及び図６に示すように、貼り合わされた一対の大板１００，２００の内、大板２００の裏面の第１の溝１００ｘに対向する略直線状の位置２００ａに、図６中ｘ方向に略直線状の第３の溝２００ｘ２を、例えばスクライブカッタ７０を用いた既知のスクライブにより複数本形成する。

また、この際、大板２００の裏面の第３の溝２００ｘ２の近傍位置、例えば第３の溝２００ｘ２から一定の幅（２ｍｍ以下）離れた略直線状の位置２００ｂに、第３の溝２００ｘ２よりも深く、図６中ｘ方向に略直線状の第４の溝２００ｘ１を既知のスクライブにより複数本形成する。その割合は、例えば、第３の溝深さを１とすると第４の溝深さを１．１から１.４の範囲で設ける。尚、第３の溝２００ｘ２，第４の溝２００ｘ１はどちらを先に形成しても良い。

さらに、大板２００の裏面に、第３の溝２００ｘ２及び第４の溝２００ｘ１と略直交し、大板１００に形成された第２の溝１００ｙ（図５参照）と対向する略直線状の第５の溝２００ｙを、図６中ｙ方向に既知のスクライブにより複数本形成する。

その後、第３の溝２００ｘ２、第４の溝２００ｘ１及び第５の溝２００ｙを形成する際に発生し、大板２００の裏面に付着したカレットを、例えばＣＯ２によりクリーニングする。

次いで、図４（ｅ）に示すように、貼り合わされた一対の大板１００，２００の内、大板１００の裏面の大板２００に形成された第４の溝２００ｘ１に対向する略直線状の位置１００ｂを、例えばブレード８０により印加する。このことにより、大板２００の第４の溝２００ｘ１に沿って、大板２００の板厚方向に該大板２００を貫通するまで進行する垂直なクラック２００ｋ１が発生する。

尚、第４の溝２００ｘ１は、第３の溝２００ｘ２よりも深く形成されているため、小さな印圧により精度良く垂直なクラックを発生させることができる。よって、対向基板２０のデータ線駆動回路６１及び実装用端子部６２寄りのクラック２００ｋ１から構成された端部は、精度良く垂直に形成される。

また、第３の溝２００ｘ２は、第４の溝２００ｘ１よりも浅く形成されているため、第４の溝２００ｘ１に沿ってクラック２００ｋ１を形成させた際、不用意に第４の溝２００ｘ１に近接して形成された第３の溝２００ｘ２に沿って、後述する垂直でないクラック２００ｋ２が発生してしまうことがない。

次いで、図４（ｆ）に示すように、貼り合わされた一対の大板１００，２００の内、大板１００の裏面の大板２００に形成された第３の溝２００ｘ２に対向する略直線状の位置１００ａを、例えばブレード８０により印加する。このことにより、大板２００の第３の溝２００ｘ２に沿って、大板２００の板厚方向に該大板２００を貫通するまで進行する垂直なクラック２００ｋ２が発生する。

尚、大板１００の裏面１００ａを裏面１００ｂよりも後に印圧するのは、第４の溝２００ｘ１は、第３の溝２００ｘ２よりも深く形成されているため、第３の溝２００ｘ２に沿って垂直なクラック２００ｋ２を発生させるには、第４の溝２００ｘ１に沿って垂直なクラック２００ｋ１を発生させるよりも大きな力が必要である。

よって、裏面１００ａを先に印圧してしまうと、第４の溝２００ｘ１と、第３の溝２００ｘ２とは、近接して形成されているため、第４の溝２００ｘ１に沿って発生するクラック２００ｋ１が垂直な形状に発生しない事があり、クラックが発生しても、一対の大板１００，２００から一対のＴＦＴ基板１０及び対向基板２０が分離させることができない場合があるからである。

さらに、大板１００の大板２００の裏面に形成された第５の溝２００ｙに対向する略直線状の位置も、例えばブレード８０により印加する。このことにより、大板２００の第５の溝２００ｙに沿って、大板２００の板厚方向に該大板２００を貫通するまで進行するクラックが発生する。

尚、大板１００の第５の溝２００ｙに対向する略直線状の位置を、大板１００の裏面１００ａを裏面１００ｂよりも後に印圧するのは、大板２００のｙ方向に該大板２００を貫通するクラックを先に発生させてしまうと、第４の溝２００ｘ１に沿って発生するクラック２００ｋ１及び第３の溝２００ｘ２に沿って発生するクラック２００ｋ２のクラックの進行が途中で止まってしまうためである。

その後、第３の溝２００ｘ２、第４の溝２００ｘ１及び第５の溝２００ｙに沿ってクラックを形成する際に発生し、大板１００の裏面に付着したカレットを、例えばＣＯ２によりクリーニングする。

最後に、一対の大板１００，２００から貼り合わされた一対のＴＦＴ基板１０及び対向基板２０からなる液晶表示装置５００を、図４（ｇ）に示すように分割する。その結果、大板２００から高さ２．５ｍｍ以下、幅２mm以下の余剰物２０ｓが発生する。このようにして液晶表示装置５００は製造される。

このようにして製造された液晶表示装置５００から、ＴＦＴ基板１０に形成された実装用端子部６２が露出される。また、液晶表示装置５００のＴＦＴ基板１０のデータ線駆動回路６１及び実装用端子部６２が設けられた一方の端部、及び一方の端部と対向する他方の端部の裏面側に、ＴＦＴ基板１０に形成された、第１の溝１００ｘの一部から構成された面取り部１０ａが形成される。

また、対向基板２０のデータ線駆動回路６１及び実装用端子部６２寄りの一方の端部の裏面側に、第３の溝２００ｘ１の一部から構成された面取り部２０ａよりも深く面取りされた面取り部２０ｂが形成される。さらに、対向基板２０の一方の端部と対向する他方の端部の裏面側に、第４の溝２００ｘ２の一部から構成された面取り部２０ｂよりも浅く面取りされた面取り部２０ａが形成される。

このように、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法においては、大板１００に複数構成されたＴＦＴ基板１０に形成された実装用端子部６２を露出させるために、大板２００に形成される、該大板２００を貫通するクラック２００ｋ１を発生させるための第４の溝２００ｘ１を、同じく実装用端子部６２を露出させるために、大板２００を貫通するクラック２００ｋ２を発生させるための第３の溝２００ｘ２よりも深く形成した。

また、大板２００に第４の溝２００ｘ１に沿って及び第３の溝２００ｘ２に沿ってクラックを発生させる際、第４の溝２００ｘ１に沿うクラック２００ｋ１を第３の溝２００ｘ２に沿うクラック２００ｋ２よりも先に発生させた。

このことにより、第４の溝２００ｘ１に沿って、小さな印圧により精度良く垂直なクラック２００ｋ１を発生させることができる。また、第３の溝２００ｘ２は、第４の溝２００ｘ１よりも浅く形成されているため、第４の溝２００ｘ１に沿ってクラック２００ｋ１をクラック２００ｋ２よりも先に発生させた際、不用意に第４の溝２００ｘ１に近接する第３の溝２００ｘ２に沿って、クラック２００ｋ２が発生してしまうことがない。

また、クラック２００ｋ２は、第４の溝２００ｘ１に沿って、クラック２００ｋ１を発生させた後、第３の溝２００ｘ２に沿って発生させるため、精度良く垂直なクラック２００ｋ２を発生させることができる。尚この際、第４の溝２００ｘ１に沿うクラック２００ｋ１は先に発生しているため、第３の溝２００ｘ２に沿ってクラック２００ｋ２を発生させた際、第４の溝２００ｘ１に沿うクラック２００ｋ１に影響及ぼすことはないことは云うまでもない。

よって、一対の大板１００，２００から分断された、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板１０と対向基板２０から、ＴＦＴ基板１０に形成された実装用端子部６２を、精度良く容易に、また一括して露出させることができることため、歩留まりを向上させることができる。

また、第４の溝２００ｘ１は近接する第３の溝２００ｘ２よりも深く形成されることにより、第４の溝２００ｘ１及び第３の溝２００ｘ２に沿ってクラックを発生させる際、クラックを発生させる順番を間違えることがない。

尚、本実施の形態においては、大板１００に第１の溝１００ｘ及び第２の溝１００ｙをスクライブにより形成し、大板２００に第３の溝２００ｘ２、第４の溝２００ｘ１及び第５の溝２００ｙをスクライブにより形成する両面スクライブ方式を用いてそれぞれ溝を形成する例を示したが、これに限らず、大板１００に形成する第１の溝１００ｘ及び第２の溝１００ｙのみをダイシングにより形成する、または大板２００に形成する第３の溝２００ｘ２、第４の溝２００ｘ１及び第５の溝２００ｙのみをダイシングにより形成する、片面ダイシング方式によりそれぞれ溝を形成しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、大板１００に第１の溝１００ｘ及び第２の溝１００ｙをダイシングにより形成し、大板２００に第３の溝２００ｘ２、第４の溝２００ｘ１及び第５の溝２００ｙをダイシングにより形成する両面ダイシング方式を用いてそれぞれ溝を形成しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。

さらに、液晶滴下方式により製造される液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、シール材４１に切り欠きを設け、該切り欠きから液晶を注入し、注入後、前記切り欠きを塞ぐ液晶注入方式により製造される液晶表示装置に適用してもよい。

また、電気光学装置は、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。

また、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶表示装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。

さらに、本発明に係る液晶表示装置が用いられる電子機器としては、例えば、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。

本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。 本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示す工程図。 本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示す工程図（続き）。 図３（ｂ）工程を示す一対の大板を複数のＴＦＴ基板が構成された大板からみた平面図。 図３（ｄ）工程を示す一対の大板を複数の対向基板が構成された大板からみた平面図。

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、２０ａ…他方の面取り部、２０ｂ…一方の面取り部、６２…実装用端子部、１００…一方の大板、１００ｘ…第１の溝、１００ｙ…第２の溝、１００ｋ…クラック、２００…他方の大板、２００ｘ１…第４の溝、２００ｘ２…第３の溝、２００ｙ…第５の溝、２００ｋ１，２００ｋ２，２００ｋ３…クラック、５００…電気光学装置。

Claims (10)

1. 実装用端子部を有する素子基板が複数構成された第１の基板と、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板とを、貼り合わせた後、貼り合わされた一対の前記素子基板と前記対向基板とで構成される複数の電気光学装置を複数個分断する多数個取りの電気光学装置の製造方法において、
   前記第１の基板の一方の面の前記複数の素子基板の境界に、略直線状の第１の溝と、該第１の溝と略直交する略直線状の第２の溝とを複数本形成する工程と、
   前記第２の基板の一方の面に、前記第１の基板に形成された前記第１の溝と対向する略直線状の第３の溝と、該第３の溝の近傍に位置する略直線状の第４の溝と、前記第３の溝及び前記第４の溝と略直交し、前記第２の溝と対向する第５の溝とを複数本形成する工程と、
   を有し、
   前記第４の溝は、前記第３の溝よりも深く形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記第１〜第５の溝は、スクライブまたはダイシングにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記第４の溝は、前記第３の溝に対して一定の幅を有して形成されることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記素子基板の実装用端子部は、前記第３の溝、前記第４の溝及び前記第５の溝に沿って第２の基板を貫通するクラックを発生させることにより、貼り合わされた一対の素子基板及び該素子基板に対向する対向基板から露出されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記第１の基板のクラックは、前記第１の溝及び前記第２の溝に対向する前記第２の基板の位置を印圧することにより発生させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記第２の基板のクラックは、前記第３の溝、前記第４の溝及び前記第５の溝に対向する前記第１の基板の位置を印圧することにより発生させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１〜６の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
8. 前記素子基板に対向する対向基板の一方の端部は、他方の端部よりも深く面取りされていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記素子基板に対向する前記対向基板の一方の端部に形成された面取り部は、前記第４の溝の一部から構成され、他方の端部に形成された面取り部は、前記第３の溝の一部から構成されたことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 請求項７〜９の電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。

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