JP4193265B2 - マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、液晶パネル用対向基板の製造方法、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置 - Google Patents
マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、液晶パネル用対向基板の製造方法、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、基板上に多数のマイクロレンズ用凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板の製造方法、前記マイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板、かかる液晶パネル用対向基板を備えた液晶パネル、および、かかる液晶パネルを備えた投射型表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
スクリーン上に、画像を投影する投射型表示装置が知られている。
【０００３】
このような投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネル（液晶光シャッター）が用いられている。
【０００４】
この液晶パネルは、例えば、各画素を制御する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と個別電極とを有する液晶駆動基板（ＴＦＴ基板）と、ブラックマトリックスや共通電極等を有する液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。
【０００５】
このような構成の液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）では、液晶パネル用対向基板の画素となる部分以外のところにブラックマトリックスが形成されているため、液晶パネルを透過する光の領域は制限される。このため、光の透過率が下がる。
【０００６】
かかる光の透過率を高めるべく、液晶パネル用対向基板には、各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズが設けられたものが知られている。これにより、液晶パネル用対向基板を透過する光は、ブラックマトリックスに形成された開口に集光され、光の透過率が高まる。
【０００７】
このようなマイクロレンズを形成するために、基板に凹部を形成する方法として、例えば、特開平９−１０１４０１に開示の技術が知られている。
【０００８】
しかし、かかる技術では、マイクロレンズを形成するための凹部が形成された基板から、優れた特性、特に高い光透過性を有する液晶パネル用対向基板、ひいては液晶パネルを適切に製造することは、困難である。
【０００９】
また、かかる技術では、マイクロレンズを形成するための凹部が形成された基板から液晶パネル用対向基板を製造する際に、マイクロレンズの位置に対応するようにブラックマトリックスを形成することは困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、位置決めが容易なマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板の製造方法、前記マイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板、かかる液晶パネル用対向基板を備えた液晶パネル、および、かかる液晶パネルを備えた投射型表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１９）の本発明により達成される。
【００１２】
（１） ガラス基板にエッチングを施し、前記ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用凹部を形成するに際し、
前記マイクロレンズ用凹部の形成領域外に、位置決めを行う際の指標となるアライメントマークを形成することを特徴とするマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１３】
（２） ガラス基板上に所定のパターンのマスクを形成し、
次いで、該マスクを用いてエッチングを施し、前記ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用凹部を形成した後、
前記マスクを除去するマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法であって、
前記マスクを除去する際に、前記マスクの一部を、位置決めを行う際の指標となるアライメントマークとして残存させることを特徴とするマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１４】
（３） 前記マスクの一部の残存は、前記マスク上に保護層を形成することによりなされる上記（２）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１５】
（４） 前記エッチングを施す前に、前記保護層を形成する上記（３）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１６】
（５） 前記保護層は、前記マスクの除去工程に対して耐性を有する薄膜である上記（３）または（４）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１７】
（６） 前記保護層は、金属、ケイ素化合物、レジストまたはテープで構成されている上記（３）ないし（５）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１８】
（７） 前記マスクは、多結晶シリコンで構成されている上記（２）ないし（６）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１９】
（８） 前記エッチングは、ウエットエッチングである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００２０】
（９） 前記ガラス基板は、石英ガラス基板である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００２１】
（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を用いて、多数のマイクロレンズを備えた液晶パネル用対向基板を製造する液晶パネル用対向基板の製造方法であって、
前記アライメントマークを利用して、前記液晶パネル用対向基板を構成する構成要素の、前記マイクロレンズ用凹部に対する位置決めを行うことを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２２】
（１１） 前記構成要素はブラックマトリックスである上記（１０）に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２３】
（１２） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層を介してカバーガラスを積層するとともに該樹脂層にマイクロレンズを形成し、次いで、該カバーガラス上にブラックマトリックスを、前記アライメントマークを指標として前記マイクロレンズの位置に対応するように形成することを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２４】
（１３） さらに、前記カバーガラス上に、前記ブラックマトリックスを覆うように透明導電膜を形成する上記（１２）に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２５】
（１４） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を備えたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
【００２６】
（１５） 上記（１０）ないし（１３）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
【００２７】
（１６） 上記（１４）または（１５）に記載の液晶パネル用対向基板を備えたことを特徴とする液晶パネル。
【００２８】
（１７） 個別電極を備えた液晶駆動基板と、該液晶駆動基板に接合された上記（１４）または（１５）に記載の液晶パネル用対向基板と、前記液晶駆動基板と液晶パネル用対向基板との空隙に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶パネル。
【００２９】
（１８） 前記液晶駆動基板はＴＦＴ基板である上記（１７）に記載の液晶パネル。
【００３０】
（１９） 上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板は、個別基板とウエハーの双方を含むものとする。
【００３３】
図１、２は、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図、図３は、本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を示す模式的な縦断面図、図４は、本発明の液晶パネル用対向基板を示す模式的な縦断面図、図５は、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板を示す模式的な平面図である。
【００３４】
図４に示すように、液晶パネル用対向基板１は、マイクロレンズ用凹部付き基板２と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２に、所定の屈折率を有する透明な樹脂層１４を介して接合されたカバーガラス１３と、かかるカバーガラス１３上に形成され、多数の開口１１１を有するブラックマトリックス１１と、かかるカバーガラス１３上にブラックマトリックス１１を覆うように形成された透明導電膜１２とを有している。また、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、表面に多数の凹部（マイクロレンズ用凹部）３が形成されたガラス基板５からなっている。また、樹脂層１４では、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３に充填された樹脂により、マイクロレンズ８が形成されている。
【００３５】
この液晶パネル用対向基板１では、遮光機能を有するブラックマトリックス１１は、マイクロレンズ８の位置に対応するように設けられている。具体的には、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマトリックス１１に形成された開口１１１を通るように、ブラックマトリックス１１は設けられている。したがって、液晶パネル用対向基板１では、ブラックマトリックス１１と対向する面から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ８で集光され、ブラックマトリックス１１の開口１１１を通過する。また、透明導電膜１２は、透明性を有する電極であり、光を透過する。このため、入射光Ｌは、液晶パネル用対向基板１を通過する際に、光量の大幅な減衰が防止される。すなわち、液晶パネル用対向基板１は、高い光透過率を有している。
【００３６】
なお、この液晶パネル用対向基板１では、１個のマイクロレンズ８と、ブラックマトリックス１１の１個の開口１１１とが、１画素に対応している。
【００３７】
なお、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、例えば反射防止層等の他の構成要素を有していてもよい。
【００３８】
この液晶パネル用対向基板１は、例えば、製造時にマイクロレンズ用凹部付き基板２が有していたアライメントマーク４（図５参照）を、位置決めの指標としつつ製造される。
【００３９】
以下、本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を説明するに先立って、まず、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法について、図１、２に基づいて、説明する。
【００４０】
まず、マイクロレンズ用凹部付き基板を製造するに際し、ガラス基板５を用意する。
【００４１】
このガラス基板５は、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。また、ガラス基板５は、洗浄等により、その表面が清浄化されているものが好ましい。
【００４２】
また、製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板が液晶パネルの製造に用いられ、かかる液晶パネルがガラス基板５以外のガラス基板を有する場合には、ガラス基板５の熱膨張係数は、かかる液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨張係数とほぼ等しいものであることが好ましい。このように、ガラス基板５と液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨張係数をほぼ等しいものとすると、得られる液晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じる反り、たわみ等が防止される。
【００４３】
かかる観点からは、ガラス基板５と液晶パネルが有する他のガラス基板とは、同じ材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違による反り、たわみ等が効果的に防止される。
【００４４】
特に、製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板２を高温ポリシリコンのＴＦＴ液晶パネルの製造に用いる場合には、ガラス基板５は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。ＴＦＴ液晶パネルは、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を有している。かかるＴＦＴ基板には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、ガラス基板５を石英ガラスで構成することにより、反り、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたＴＦＴ液晶パネルを得ることができる。
【００４５】
ガラス基板５の厚さは、ガラス基板５を構成する材料、屈折率等の種々の条件により異なるが、通常、０．３〜３mm程度が好ましく、０．５〜２mm程度がより好ましい。厚さをこの範囲内とすると、必要な光学特性を備えたコンパクトなマイクロレンズ用凹部付き基板２を得ることができる。
【００４６】
＜１＞まず、ガラス基板５の表面に、図１（ａ）に示すように、マスク層６を形成する。また、これとともに、ガラス基板５の裏面（マスク層６を形成する面と反対側の面）に裏面保護層６９を形成する。もちろん、これらマスク層６および裏面保護層６９は、例えばＣＶＤ法等を用いて同時に形成することもできる。
【００４７】
このマスク層６は、後述する工程＜４＞におけるエッチングで耐性を有するものが好ましい。
【００４８】
かかる観点からは、このマスク層６を構成する材料としては、例えば、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン、Au／Cr、Au／Ti、Pt／Cr、Pt／Ti、SiC 等の金属、窒化シリコンなどが挙げられる。
【００４９】
その中でも特に、マスク層６を構成する材料としては、多結晶シリコンが好ましい。多結晶シリコンでマスク層６を構成すると、ガラス基板５の表面に緻密な層を形成することができる。このため、マスク層６にピンホール等の欠陥が生じにくい。また、多結晶シリコンは、ガラスに対する密着性が高い。このため、後述する工程＜４＞で、ガラス基板５に対しウエットエッチングを施してマイクロレンズを形成する場合には、不必要な部分にエッチング液が侵入しにくくなり、理想的なレンズ形状を形成することが可能となる。したがって、マスク層６を多結晶シリコンで構成することにより高い歩留まりで、高性能のマイクロレンズ用凹部付き基板を得ることができる。
【００５０】
マスク層６の厚さは、マスク層６を構成する材料によっても異なるが、マスク層６が多結晶シリコンで構成されている場合には、０．０１〜１０μm 程度が好ましく、０．２〜１μm 程度がより好ましい。厚さがこの範囲の下限値未満であると、後述する工程＜４＞でエッチングを施す際に、ガラス基板５のマスクした部分を十分に保護できない場合があり、上限値を超えると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
【００５１】
マスク層６を多結晶シリコンで構成する場合には、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）によると、マスク層６を好適に形成することができる。これは、化学気相成膜法によると、モノシランガス（SiH4）をガラス基板５の表面で反応させて多結晶シリコン膜を成膜することが可能となるため、スパッタリング法等を用いて成膜した場合に発生しやすいピンホール等の欠陥の発生を効果的に抑制することができるうえ、緻密で密着力のある膜を形成できることによる。
【００５２】
多結晶シリコンで構成されたマスク層６をＣＶＤ法で形成する場合、マスク層６形成時の温度は、特に限定されないが、３００〜８００℃程度が好ましく、４００〜７００℃程度がより好ましい。また、マスク層６形成時の圧力は、特に限定されないが、３０〜１６０Pa程度が好ましく、５０〜１００Pa程度がより好ましい。また、SiH4等の多結晶シリコンを形成するための原料となる気体の供給速度は、特に限定されないが、１０〜５００mL／分程度が好ましく、４０〜４００mL／分程度がより好ましい。多結晶シリコンの層の形成条件をこのような範囲内とすると、マスク層６を好適に形成することができる。
【００５３】
なお、裏面保護層６９は、次工程以降でガラス基板５の裏面を保護するためのものである。この裏面保護層６９により、ガラス基板５の裏面の侵食、劣化等が好適に防止される。この裏面保護層６９は、例えば、マスク層６と同様の材料で構成されている。このため、裏面保護層６９は、マスク層６の形成と同時に、マスク層６と同様に設けることができる。
【００５４】
＜２＞次に、図１（ｂ）に示すように、マスク層６に、複数の第１開口６１および第２開口６２を形成する。
【００５５】
第１開口６１は、凹部３すなわちマイクロレンズ８を形成する位置に設け、第２開口６２は、アライメントマーク４を形成する位置に設ける。また、第１開口６１の形状は、凹部３の形状に対応し、第２開口６２の形状は、アライメントマーク４の形状の一部分に対応している。
【００５６】
これら第１開口６１および第２開口６２の形成は、例えば、マスク層６上に、第１開口６１および第２開口６２に対応したレジスト（例えばフォトレジスト等）を塗布してマスク層６上にさらに第２のマスクを施し、次いで、第２のマスクでマスクされていない部分のマスク層６を除去し、次いで、前記第２のマスクを除去することにより行うことができる。
【００５７】
なお、マスク層６の除去は、マスク層６が多結晶シリコンで構成されている場合、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエットエッチング）などにより行うことができる。
【００５８】
＜３＞次に、図１（ｃ）に示すように、アライメントマーク４を形成する部分のマスク層６上に、保護層７を形成する。
【００５９】
この保護層７は、アライメントマーク４の形状に対応している。この保護層７は、マスク層６上だけでなく、ガラス基板５上に直接形成することもできる。例えば、図１（ｃ）に示すように、第２開口６２を保護層７で覆ってもよい。
【００６０】
この保護層７は、後述する工程＜４＞におけるエッチング液、および、後述する工程＜５＞におけるマスク層６の除去に、耐性を有することが好ましい。これにより、保護層７で保護された部分のマスク層６の食刻が防止され、アライメントマーク４の形状を正確に形作ることができる。また、保護層７は、薄膜で構成されていることが好ましい。保護層７が薄膜で構成されていると、後述する工程＜４＞および工程＜５＞で、ガラス基板５の取り扱いが容易となり、また、後述する工程＜６＞で保護層７の除去が容易となる。
【００６１】
かかる観点からは、保護層７は、例えば、Au／Cr、Au／Ti、Pt／Cr、Pt／Ti、SiC等の金属、窒化シリコン等のケイ素化合物、ネガ型レジスト等のレジスト、テープなどで構成されていることが好ましい。
【００６２】
この保護層７は、例えば、蒸着（マスク蒸着）、スパッタリング（マスクスパッタリング）等の気相成膜法により、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応した薄膜を成膜することにより形成することができる。
【００６３】
なお、保護層７は、ガラス基板５全体に、マスク層６を覆うように成膜し、次いで、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応したレジストをパターニングし、次いで、エッチング等を施すことにより、形成してもよい。
【００６４】
また、保護層７は、例えば、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応したテープ等を貼着することにより形成してもよい。
【００６５】
＜４＞次に、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板５にエッチングを施し、ガラス基板５上に多数の凹部３を形成する。
【００６６】
このとき、ガラス基板５は、マスク層６および保護層７が存在しない部分、すなわち第１開口６１より食刻される。このため、各第１開口６１が設けられた部分に各凹部３が形成される。
【００６７】
エッチング法としては、例えば、ウエットエッチング法、ドライエッチング法などが挙げられる。その中でも、ウエットエッチング法を用いると、凹部３を好適に形成できる。ウエットエッチング法によりエッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液（フッ酸系エッチング液）を用いると、ガラス基板５を選択的に食刻することができ、凹部３を好適に形成することができる。
【００６８】
＜５＞次に、図２（ｅ）に示すように、マスク層６を除去する。また、この際、マスク層６の除去とともに裏面保護層６９も除去する。
【００６９】
これは、マスク層６等が多結晶シリコンで構成されている場合、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエットエッチング）などにより行うことができる。
【００７０】
このとき、保護層７が形成された部分は、保護層７により保護されるので、マスク層６は除去されず、ガラス基板５上に残存する。
【００７１】
＜６＞次に、保護層７を除去する。
【００７２】
これは、保護層７の構成材料にもよるが、例えば、保護層７がAu／Cr等で構成されている場合、塩酸と硝酸の混合液等を剥離液としたウエットエッチングなどにより行うことができる。また、保護層７が窒化シリコン等で構成されている場合には、リン酸等を剥離液としたウエットエッチングなどにより保護層７を除去することができる。また、保護層７がテープ等により構成されている場合には、かかるテープを剥離することにより、保護層７を除去することができる。
【００７３】
これにより、図２（ｆ）に示すように、マスク層６のうち保護層７で保護された部分がアライメントマーク４として残存する。
【００７４】
以上により、図２（ｆ）、図５に示すように、ガラス基板５上に多数の凹部３が形成され、また、ガラス基板５上に位置決めを行う際の指標となるアライメントマーク４が所定の位置に形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板２が得られる。
【００７５】
アライメントマーク４の形成位置は特に限定されないが、例えば、図５に示すように、アライメントマーク４を凹部３の形成領域外に形成することができる。
【００７６】
アライメントマーク４は、マイクロレンズ用凹部付き基板２上に複数箇所設けることが好ましい。特に、アライメントマーク４はマイクロレンズ用凹部付き基板２の角部に複数箇所設けることが好ましい。これにより、位置決めをより容易に行うことができるようになる。
【００７７】
図５は、アライメントマーク４を十字型にした例を示している。アライメントマーク４の形状は、特に限定されないが、図５に示すように、角を形成する角部４１を有していることが好ましい。このようにアライメントマーク４が角部４１を有していると、位置決めをより正確に行うことができるようになる。
【００７８】
さらには、図５に示すように、アライメントマーク４は、その中心部位を示すマーク（図５では円形の第２開口６２）を有していることが好ましい。これにより、位置決めの精度をさらに向上させることができる。
【００７９】
なお、上述した方法では、ガラス基板５上に保護層７を形成して（上記工程＜３＞参照）から凹部３を形成した（上記工程＜４＞参照）が、例えば、保護層７を形成する前に凹部３を形成し、次いで、保護層７を形成してもよい。すなわち、凹部３を形成した後、保護層７を形成してもよい。
【００８０】
また、上述した方法では、ガラス基板５上に層を形成することにより、アライメントマークを設けたが、アライメントマークは、ガラス基板５上に層として形成しなくともよい。例えば、ガラス基板５上に、凹部３とは異なる形状を有する窪みを、アライメントマークとして設けてもよい。このような窪みは、例えば、上記工程＜２＞において窪み（アライメントマーク）の形状に対応するように第２開口を形成し、次いで、保護層７を形成せずに（上記工程＜３＞を行わずに）ガラス基板５に対してエッチングを施す（上記工程＜４＞を行う）ことにより、設けることができる。
【００８１】
ただし、前述したようにアライメントマーク４を形成すると、アライメントマーク４を構成するマスク層６、アライメントマーク４近傍のガラス基板５の侵食が防止されるので、アライメントマーク４の輪郭、特に角部４１を正確に形作ることが容易となり、位置決めの際の精度を向上させることができる。
【００８２】
このように、本発明では、エッチングにより凹部３を形成する工程の途中で、アライメントマーク４も形成するので、工程数を大幅に増やさずにアライメントマーク４を形成することができる。
【００８３】
このアライメントマーク４は、マイクロレンズ用凹部付き基板２を用いて種々のものを組み立てるとき、様々な位置決めに用いることができる。例えば、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２を用いてブラックマトリックス１１を有する液晶パネル用対向基板１を製造する場合には、アライメントマーク４を指標として、ブラックマトリックス１１を、凹部３すなわちマイクロレンズ８の対応する位置に位置決めすることができる。
【００８４】
以下、アライメントマーク４を指標としてブラックマトリックス１１の位置決めを行いつつ、上記マイクロレンズ用凹部付き基板２を用いて液晶パネル用対向基板１を製造する方法について、説明する。
【００８５】
＜７＞まず、図３（ｇ）に示すように、カバーガラス１３を、接着剤を介して、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３が形成された面に接合する。
【００８６】
この接着剤が硬化する（固化する）ことにより、樹脂層（接着剤層）１４が形成される。また、これにより、樹脂層１４に、凹部３に充填された樹脂で構成され、凸レンズとして機能するマイクロレンズ８が形成される。
【００８７】
なお、この接着剤には、ガラス基板５の屈折率よりも高い屈折率（例えばｎ＝１．６０程度）の光学接着剤などが好適に用いられる。
【００８８】
＜８＞次に、図３（ｈ）に示すように、カバーガラス１３の厚さを薄くする。
【００８９】
これは、カバーガラス１３を、例えば、研削、研磨、エッチング等することにより行うことができる。
【００９０】
カバーガラス１３の厚さは、必要な光学特性を備えた液晶パネル用対向基板１を得る観点からは、１０〜１０００μm 程度が好ましく、２０〜１５０μm 程度がより好ましい。
【００９１】
なお、積層したカバーガラス１３が、以降の工程を行うのに最適な厚さの場合には、本工程は行わなくてもよい。
【００９２】
＜９＞次に、図３（ｉ）に示すように、カバーガラス１３上に、開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１を形成する。
【００９３】
このとき、ブラックマトリックス１１は、マイクロレンズ８の位置に対応するように、具体的には、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマトリックス１１の開口１１１を通るように形成する（図４参照）。
【００９４】
このブラックマトリックス１１は、例えば、Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等の金属膜、カーボンやチタン等を分散した樹脂層などで構成されている。その中でも、ブラックマトリックス１１は、Cr膜またはAl合金膜で構成されていることが好ましい。ブラックマトリックス１１がCr膜で構成されていると、遮光性に優れたブラックマトリックス１１を得ることができる。また、ブラックマトリックス１１がAl合金膜で構成されていると、優れた放熱性を有する液晶パネル用対向基板１が得られる。
【００９５】
ブラックマトリックス１１の厚さは、液晶パネル用対向基板１の平坦性に対する影響を抑制する観点等からは、０．０３〜１．０μm 程度が好ましく、０．０５〜０．３μm 程度がより好ましい。
【００９６】
この開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１は、例えば次のように形成することができる。まず、カバーガラス１３上にスパッタリング等の気相成膜法によりブラックマトリックス１１となる薄膜を成膜する。次に、かかるブラックマトリックス１１となる薄膜上にレジスト膜を形成する。次に、アライメントマーク４を指標として、ブラックマトリックス１１の開口１１１がマイクロレンズ８（凹部３）に対応する位置に来るように、前記レジスト膜を露光してかかるレジスト膜に開口１１１のパターンを形成する。次に、ウエットエッチングを行い、前記薄膜のうちの開口１１１となる部分のみを除去する。次に、前記レジスト膜を除去する。なお、ウエットエッチングを行う際の剥離液としては、例えば、ブラックマトリックス１１となる薄膜がAl合金等で構成されているときは、リン酸系エッチング液を用いることができる。
【００９７】
なお、開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１は、塩素系ガス等を用いたドライエッチングによっても好適に形成することができる。
【００９８】
＜１０＞次に、カバーガラス１３上に、ブラックマトリックス１１を覆うように透明導電膜（共通電極）１２を形成する。
【００９９】
これにより、液晶パネル用対向基板１、または、液晶パネル用対向基板１を複数個取りできるウエハーを得ることができる。
【０１００】
この透明導電膜１２は、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（SnO2）などで構成されている。
【０１０１】
透明導電膜１２の厚さは、０．０３〜１μm 程度が好ましく、０．０５〜０．３０μm 程度がより好ましい。
【０１０２】
この透明導電膜１２は、例えば、スパッタリングにより形成することができる。
【０１０３】
＜１１＞最後に、ダイシング装置等を用いて液晶パネル用対向基板１のウエハーを所定の形状、大きさに（例えば、図５中、一点鎖線で示すように）カットする。
【０１０４】
これにより、図４に示すような液晶パネル用対向基板１を得ることができる。
【０１０５】
なお、上記工程＜１０＞で液晶パネル用対向基板１が得られた場合等、カットを行う必要がない場合には、本工程は行わなくてもよい。
【０１０６】
このように、本発明では、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、アライメントマーク４を有しているので、液晶パネル用対向基板１を製造する際に、ブラックマトリックス１１の位置決めを容易に行うことができる。
【０１０７】
なお、上述した実施例では、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３を形成する領域外にアライメントマーク４を形成したが、凹部３を形成する領域内にアライメントマーク４を形成してもよいことは言うまでもない。
【０１０８】
なお、液晶パネル用対向基板を製造する場合には、例えば、ブラックマトリックス１１を形成せずに、カバーガラス１３上に直接透明導電膜１２を形成してもよい。
【０１０９】
なお、上述した実施例では、アライメントマーク４をブラックマトリックス１１の位置決めに用いたが、液晶パネル用対向基板１もしくはそのウエハーが他の構成要素を有する場合には、アライメントマーク４を、これらの位置決めに用いてもよい。
【０１１０】
また、アライメントマーク４を、液晶パネル用対向基板１の構成要素以外のもの、例えば、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）等の他の基板の位置決めに用いてもよい。
【０１１１】
次に、上記液晶パネル用対向基板１を用いた液晶パネル（液晶光シャッター）について、図６に基づいて説明する。
【０１１２】
図６に示すように、本発明の液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１６は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された液晶パネル用対向基板１と、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１との空隙に封入された液晶よりなる液晶層１８とを有している。
【０１１３】
ＴＦＴ基板１７は、液晶層１８の液晶を駆動するための基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられた多数の個別電極１７２と、かかる個別電極１７２の近傍に設けられ、各個別電極１７２に対応する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。
【０１１４】
この液晶パネル１６では、液晶パネル用対向基板１の透明導電膜（共通電極）１２と、ＴＦＴ基板１７の個別電極１７２とが対向するように、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１とが、一定距離離間して接合されている。
【０１１５】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
【０１１６】
個別電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１２との間で充放電を行うことにより、液晶層１８の液晶を駆動する。この個別電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１２と同様の材料で構成されている。
【０１１７】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する個別電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、個別電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、個別電極１７２の充放電が制御される。
【０１１８】
液晶層１８は液晶分子（図示せず）を含有しており、個別電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。
【０１１９】
この液晶パネル１６では、通常、１個のマイクロレンズ８と、かかるマイクロレンズ８の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１１の１個の開口１１１と、１個の個別電極１７２と、かかる個別電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【０１２０】
マイクロレンズ用凹部付き基板２側から入射した入射光Ｌは、ガラス基板５を通り、マイクロレンズ８を通過する際に集光されつつ、樹脂層１４、カバーガラス１３、ブラックマトリックス１１の開口１１１、透明導電膜１２、液晶層１８、個別電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。なお、このとき、マイクロレンズ用凹部付き基板２の入射側には通常偏光板（図示せず）が配置されているので、入射光Ｌが液晶層１８を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層１８の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１６を透過した入射光Ｌを、偏光板（図示せず）に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
【０１２１】
なお、偏光板は、例えば、ベース基板と、かかるベース基板に積層された偏光基材とで構成され、かかる偏光基材は、例えば、偏光素子（ヨウ素錯体、二色性染料等）を添加した樹脂よりなる。
【０１２２】
このように、液晶パネル１６は、マイクロレンズ８を有しており、しかも、マイクロレンズ８を通過した入射光Ｌは、集光されて各ブラックマトリックス１１の開口１１１を通過する。しかも、液晶パネル１６が有する液晶パネル用対向基板１は、前述したようにマイクロレンズ用凹部付き基板２（すなわち、凹部３に形成されたマイクロレンズ８）とブラックマトリックス１１との間で好適に位置合わせがなされている。したがって、液晶パネル１６、特にブラックマトリックス１１を通過する際の入射光Ｌの減衰が抑制される。すなわち、液晶パネル１６は、高い光の透過率を有し、比較的小さい光量で明るい画像を形成することができる。
【０１２３】
この液晶パネル１６は、例えば、公知の方法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１とを配向処理した後、シール材（図示せず）を介して両者を接合し、次いで、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）より液晶を空隙部内に注入し、次いで、かかる封入孔を塞ぐことにより製造することができる。その後、必要に応じて、液晶パネル１６の入射側や出射側に偏光板を貼り付けてもよい。
【０１２４】
なお、上記液晶パネル１６では、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【０１２５】
なお、上述した実施例では、最終的に得れらた液晶パネル用対向基板１にアライメントマーク４を残存させなかったが、液晶パネル用対向基板１にアライメントマーク４を残存させて、これを液晶パネル１６を製造する際の位置決めに用いてもよい。
【０１２６】
以下、上記液晶パネル１６を用いた投射型表示装置について説明する。
【０１２７】
図７は、本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【０１２８】
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【０１２９】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１３０】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１６と、液晶パネル１６の入射面側（マイクロレンズ用凹部付き基板２が位置する面側、すなわちダイクロイックプリズム２１と反対側）に接合された第１の偏光板（図示せず）と、液晶パネル１６の出射面側（マイクロレンズ用凹部付き基板２と対向する面側、すなわちダイクロイックプリズム２１側）に接合された第２の偏光板（図示せず）とを備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１６は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０１３１】
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【０１３２】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
【０１３３】
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。
【０１３４】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図７中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図７中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
【０１３５】
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図７中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【０１３６】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図７中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
【０１３７】
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【０１３８】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図７中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図７中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
【０１３９】
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
【０１４０】
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１６の各画素（薄膜トランジスター１７３とこれに接続された個別電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
【０１４１】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１６で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１６の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１６の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【０１４２】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１４３】
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４４】
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４５】
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４６】
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１４７】
このとき、液晶ライトバルブ２４、２５および２６は、前述したような液晶パネル１６を備えているので、光源３０１からの光が液晶ライトバルブ２４、２５および２６を通過する際の減衰は抑制され、スクリーン３２０上に明るい画像を投影することができる。
【０１４８】
【実施例】
（実施例１）
以下のように、液晶パネル用対向基板を製造した。
【０１４９】
まず、ガラス基板として、厚さ１mmの石英ガラス基板を用意した。
【０１５０】
この石英ガラス基板を、８５℃に加熱した洗浄液（８０％硫酸＋２０％過酸化水素水）に浸漬して洗浄を行い、その表面を清浄化した。
【０１５１】
−１− 次に、この石英ガラス基板を、６００℃、８０Paに設定したＣＶＤ炉内に入れ、SiH4を３００mL／分の速度で供給し、ＣＶＤ法にて、厚さ０．６μm の多結晶シリコン膜（マスク層および裏面保護層）を形成した。
【０１５２】
−２− 次に、形成した多結晶シリコン膜（マスク層）上に、フォトレジストによりマイクロレンズおよびアライメントマークのパターンを有するレジストを形成し、次いで、多結晶シリコン膜（マスク層）に対してＣＦガスによるドライエッチングを行い、次いで、前記レジストを除去して、多結晶シリコン膜（マスク層）に開口（第１開口および第２開口）を形成した。
【０１５３】
−３− 次に、多結晶シリコン膜（マスク層）および石英ガラス基板上の、アライメントマークを形成する部分に、スパッタリングおよびフォトリソグラフィー法により、アライメントマークの形状に対応したAu／Cr薄膜（保護層）を形成した。
【０１５４】
−４− 次に、石英ガラス基板にウエットエッチングを施し、石英ガラス基板上に多数の凹部を形成した。
【０１５５】
なお、エッチング液には、フッ酸系のエッチング液を用いた。
【０１５６】
−５− 次に、ＣＦガスによるドライエッチングを行い、多結晶シリコン膜（マスク層および裏面保護層）を除去した。
【０１５７】
−６− 次に、石英ガラス基板を硝酸と塩酸の混合液（剥離液）に浸漬して、Au／Cr薄膜を除去した。
【０１５８】
これにより、石英ガラス基板上に、中心部に円形の開口を有する十字型のアライメントマークと、多数の凹部とが形成されたウエハー状のマイクロレンズ用凹部付き基板を得た。
【０１５９】
−７− 次に、マイクロレンズ用凹部付き基板の凹部が形成された面に、紫外線（ＵＶ）硬化型エポキシ系の光学接着剤（屈折率１．６０）を用い、カバーガラスを接合した。
【０１６０】
また、これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板の凹部に充填された光学接着剤よりなるマイクロレンズが、硬化した光学接着剤で構成された樹脂層に形成された。
【０１６１】
−８− 次に、この接合したカバーガラスを、研削、研磨して、カバーガラスの厚さを５０μm とした。
【０１６２】
−９− 次に、このカバーガラス上に、開口が形成されたブラックマトリックスを形成した。これは、次のようにして行った。まず、カバーガラス上に、スパッタリングにより厚さ０．１６μm のCr膜を成膜した。次に、かかるCr膜上にレジスト膜を形成した。次に、前記アライメントマークを指標として、露光機を用い、ブラックマトリックスパターンの各開口部が各マイクロレンズの光軸に一致するように露光し、前記レジスト膜にブラックマトリックスパターンを形成した。次に、硝酸セリウムアンモン水溶液を剥離液としてウエットエッチングを行い、Cr膜にブラックマトリックスの開口を形成した。次に、前記レジスト膜を除去した。
【０１６３】
このとき、アライメントマークを位置決めの指標とすることにより、ブラックマトリックスパターンの位置決めを容易かつ正確に行うことができた。
【０１６４】
−１０− 次に、カバーガラス上に、ブラックマトリックスを覆うように、スパッタリングにより、厚さ０．１５μm のＩＴＯ膜（透明導電膜）を形成した。
【０１６５】
これにより、液晶パネル用対向基板を複数個含むウエハーを得た。
【０１６６】
−１１− 最後に、ダイシング装置を用いてこのウエハーをカットし、液晶パネル用対向基板を得た。なお、マイクロレンズ用凹部付き基板が個別基板として得られる場合には、液晶パネル用対向基板も個別基板として得られるので、ウエハーをカットして切り分ける必要はない。
【０１６７】
（実施例２）
上記−３−におけるAu／Cr薄膜を窒化シリコン膜とし、上記−５−におけるＣＦガスによるドライエッチングをフッ酸、硝酸、水の混合液によるウエットエッチングとし、上記−６−における剥離液をリン酸水溶液とした以外は、実施例１と同様にして液晶パネル用対向基板を得た。
【０１６８】
なお、窒化シリコン膜は、低圧ＣＶＤ法により成膜した。
【０１６９】
（評価）
前記実施例１および２で得られた液晶パネル用対向基板に、それぞれ、マイクロレンズ用凹部付き基板側から光を入射させて光を透過させたところ、本来はブラックマトリックスのCr膜でけられていた光が効果的にブラックマトリックスの開口部に導かれ、明るい出射光を得ることができた。この光の透過率は、実施例１の液晶パネル用対向基板は８５％、実施例２の液晶パネル用対向基板は８７％であった。これにより、これらの液晶パネル用対向基板は、ブラックマトリックスの開口部とマイクロレンズとが正確に位置合わせされているため、安定的に光利用効率の向上が図られていることが確認された。
【０１７０】
（実施例３）
さらに、前記実施例１および２で得られた液晶パネル用対向基板を用い、図６に示す構造のＴＦＴ液晶パネルをそれぞれ組み立てた。
【０１７１】
組み立てたＴＦＴ液晶パネルは、両者とも、前記液晶パネル用対向基板と同様に高い光の透過率を有していた。
【０１７２】
したがって、かかる液晶パネルを用いた投射型表示装置は、スクリーン上に明るい画像を投射できることが容易に推察される。
【０１７３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、位置決めを容易に行うことができるマイクロレンズ用凹部付き基板を提供することができる。
【０１７４】
しかも、位置決めを容易に行うべく設けるアライメントマークは、ガラス基板上に凹部を形成しつつ形成するので、アライメントマークを形成するために多数の工程を必要とせず、少ない手間で形成することができる。
【０１７５】
また、このようなマイクロレンズ用凹部付き基板を液晶パネル用対向基板に用いることにより、かかる液晶パネル用対向基板が有する構成要素（例えばブラックマトリックス）をマイクロレンズ用凹部付き基板に対して位置決めを行う場合、その位置決めが正確かつ容易となる。したがって、本発明によれば、高い歩留まりで液晶パネル用対向基板および液晶パネルを製造することができる。
【０１７６】
また、本発明によれば、高い光の透過率を有する液晶パネル用対向基板を提供することができる。
【０１７７】
さらに、本発明によれば、明るい画像を投射可能な投射型表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図２】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の液晶パネル用対向基板を示す模式的な縦断面図である。
【図５】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板を示す模式的な平面図である。
【図６】本発明の液晶パネルを示す模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１ 液晶パネル用対向基板
２ マイクロレンズ用凹部付き基板
３ 凹部
４ アライメントマーク
４１ 角部
５ ガラス基板
６ マスク層
６１ 第１開口
６２ 第２開口
６９ 裏面保護層
７ 保護層
８ マイクロレンズ
１１ ブラックマトリックス
１１１ 開口
１２ 透明導電膜
１３ カバーガラス
１４ 樹脂層
１６ 液晶パネル
１７ ＴＦＴ基板
１７１ ガラス基板
１７２ 個別電極
１７３ 薄膜トランジスタ
１８ 液晶層
２０ 光学ブロック
２１ ダイクロイックプリズム
２１１、２１２ ダイクロイックミラー面
２１３〜２１５ 面
２１６ 出射面
２２ 投射レンズ
２３ 表示ユニット
２４〜２６ 液晶ライトバルブ
３００ 投射型表示装置
３０１ 光源
３０２、３０３ インテグレータレンズ
３０４、３０６、３０９ ミラー
３０５、３０７、３０８ ダイクロイックミラー
３１０〜３１４ 集光レンズ
３２０ スクリーン
【発明が属する技術分野】
本発明は、基板上に多数のマイクロレンズ用凹部が形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板の製造方法、前記マイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板、かかる液晶パネル用対向基板を備えた液晶パネル、および、かかる液晶パネルを備えた投射型表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
スクリーン上に、画像を投影する投射型表示装置が知られている。
【０００３】
このような投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネル（液晶光シャッター）が用いられている。
【０００４】
この液晶パネルは、例えば、各画素を制御する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と個別電極とを有する液晶駆動基板（ＴＦＴ基板）と、ブラックマトリックスや共通電極等を有する液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。
【０００５】
このような構成の液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）では、液晶パネル用対向基板の画素となる部分以外のところにブラックマトリックスが形成されているため、液晶パネルを透過する光の領域は制限される。このため、光の透過率が下がる。
【０００６】
かかる光の透過率を高めるべく、液晶パネル用対向基板には、各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズが設けられたものが知られている。これにより、液晶パネル用対向基板を透過する光は、ブラックマトリックスに形成された開口に集光され、光の透過率が高まる。
【０００７】
このようなマイクロレンズを形成するために、基板に凹部を形成する方法として、例えば、特開平９−１０１４０１に開示の技術が知られている。
【０００８】
しかし、かかる技術では、マイクロレンズを形成するための凹部が形成された基板から、優れた特性、特に高い光透過性を有する液晶パネル用対向基板、ひいては液晶パネルを適切に製造することは、困難である。
【０００９】
また、かかる技術では、マイクロレンズを形成するための凹部が形成された基板から液晶パネル用対向基板を製造する際に、マイクロレンズの位置に対応するようにブラックマトリックスを形成することは困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、位置決めが容易なマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板の製造方法、前記マイクロレンズ用凹部付き基板を備えた液晶パネル用対向基板、かかる液晶パネル用対向基板を備えた液晶パネル、および、かかる液晶パネルを備えた投射型表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（１９）の本発明により達成される。
【００１２】
（１） ガラス基板にエッチングを施し、前記ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用凹部を形成するに際し、
前記マイクロレンズ用凹部の形成領域外に、位置決めを行う際の指標となるアライメントマークを形成することを特徴とするマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１３】
（２） ガラス基板上に所定のパターンのマスクを形成し、
次いで、該マスクを用いてエッチングを施し、前記ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用凹部を形成した後、
前記マスクを除去するマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法であって、
前記マスクを除去する際に、前記マスクの一部を、位置決めを行う際の指標となるアライメントマークとして残存させることを特徴とするマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１４】
（３） 前記マスクの一部の残存は、前記マスク上に保護層を形成することによりなされる上記（２）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１５】
（４） 前記エッチングを施す前に、前記保護層を形成する上記（３）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１６】
（５） 前記保護層は、前記マスクの除去工程に対して耐性を有する薄膜である上記（３）または（４）に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１７】
（６） 前記保護層は、金属、ケイ素化合物、レジストまたはテープで構成されている上記（３）ないし（５）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１８】
（７） 前記マスクは、多結晶シリコンで構成されている上記（２）ないし（６）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００１９】
（８） 前記エッチングは、ウエットエッチングである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００２０】
（９） 前記ガラス基板は、石英ガラス基板である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
【００２１】
（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を用いて、多数のマイクロレンズを備えた液晶パネル用対向基板を製造する液晶パネル用対向基板の製造方法であって、
前記アライメントマークを利用して、前記液晶パネル用対向基板を構成する構成要素の、前記マイクロレンズ用凹部に対する位置決めを行うことを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２２】
（１１） 前記構成要素はブラックマトリックスである上記（１０）に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２３】
（１２） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層を介してカバーガラスを積層するとともに該樹脂層にマイクロレンズを形成し、次いで、該カバーガラス上にブラックマトリックスを、前記アライメントマークを指標として前記マイクロレンズの位置に対応するように形成することを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２４】
（１３） さらに、前記カバーガラス上に、前記ブラックマトリックスを覆うように透明導電膜を形成する上記（１２）に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
【００２５】
（１４） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を備えたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
【００２６】
（１５） 上記（１０）ないし（１３）のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
【００２７】
（１６） 上記（１４）または（１５）に記載の液晶パネル用対向基板を備えたことを特徴とする液晶パネル。
【００２８】
（１７） 個別電極を備えた液晶駆動基板と、該液晶駆動基板に接合された上記（１４）または（１５）に記載の液晶パネル用対向基板と、前記液晶駆動基板と液晶パネル用対向基板との空隙に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶パネル。
【００２９】
（１８） 前記液晶駆動基板はＴＦＴ基板である上記（１７）に記載の液晶パネル。
【００３０】
（１９） 上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板は、個別基板とウエハーの双方を含むものとする。
【００３３】
図１、２は、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図、図３は、本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を示す模式的な縦断面図、図４は、本発明の液晶パネル用対向基板を示す模式的な縦断面図、図５は、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板を示す模式的な平面図である。
【００３４】
図４に示すように、液晶パネル用対向基板１は、マイクロレンズ用凹部付き基板２と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２に、所定の屈折率を有する透明な樹脂層１４を介して接合されたカバーガラス１３と、かかるカバーガラス１３上に形成され、多数の開口１１１を有するブラックマトリックス１１と、かかるカバーガラス１３上にブラックマトリックス１１を覆うように形成された透明導電膜１２とを有している。また、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、表面に多数の凹部（マイクロレンズ用凹部）３が形成されたガラス基板５からなっている。また、樹脂層１４では、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３に充填された樹脂により、マイクロレンズ８が形成されている。
【００３５】
この液晶パネル用対向基板１では、遮光機能を有するブラックマトリックス１１は、マイクロレンズ８の位置に対応するように設けられている。具体的には、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマトリックス１１に形成された開口１１１を通るように、ブラックマトリックス１１は設けられている。したがって、液晶パネル用対向基板１では、ブラックマトリックス１１と対向する面から入射した入射光Ｌは、マイクロレンズ８で集光され、ブラックマトリックス１１の開口１１１を通過する。また、透明導電膜１２は、透明性を有する電極であり、光を透過する。このため、入射光Ｌは、液晶パネル用対向基板１を通過する際に、光量の大幅な減衰が防止される。すなわち、液晶パネル用対向基板１は、高い光透過率を有している。
【００３６】
なお、この液晶パネル用対向基板１では、１個のマイクロレンズ８と、ブラックマトリックス１１の１個の開口１１１とが、１画素に対応している。
【００３７】
なお、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、例えば反射防止層等の他の構成要素を有していてもよい。
【００３８】
この液晶パネル用対向基板１は、例えば、製造時にマイクロレンズ用凹部付き基板２が有していたアライメントマーク４（図５参照）を、位置決めの指標としつつ製造される。
【００３９】
以下、本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を説明するに先立って、まず、本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法について、図１、２に基づいて、説明する。
【００４０】
まず、マイクロレンズ用凹部付き基板を製造するに際し、ガラス基板５を用意する。
【００４１】
このガラス基板５は、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。また、ガラス基板５は、洗浄等により、その表面が清浄化されているものが好ましい。
【００４２】
また、製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板が液晶パネルの製造に用いられ、かかる液晶パネルがガラス基板５以外のガラス基板を有する場合には、ガラス基板５の熱膨張係数は、かかる液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨張係数とほぼ等しいものであることが好ましい。このように、ガラス基板５と液晶パネルが有する他のガラス基板の熱膨張係数をほぼ等しいものとすると、得られる液晶パネルでは、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じる反り、たわみ等が防止される。
【００４３】
かかる観点からは、ガラス基板５と液晶パネルが有する他のガラス基板とは、同じ材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違による反り、たわみ等が効果的に防止される。
【００４４】
特に、製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板２を高温ポリシリコンのＴＦＴ液晶パネルの製造に用いる場合には、ガラス基板５は、石英ガラスで構成されていることが好ましい。ＴＦＴ液晶パネルは、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を有している。かかるＴＦＴ基板には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、ガラス基板５を石英ガラスで構成することにより、反り、たわみ等の生じにくい、安定性に優れたＴＦＴ液晶パネルを得ることができる。
【００４５】
ガラス基板５の厚さは、ガラス基板５を構成する材料、屈折率等の種々の条件により異なるが、通常、０．３〜３mm程度が好ましく、０．５〜２mm程度がより好ましい。厚さをこの範囲内とすると、必要な光学特性を備えたコンパクトなマイクロレンズ用凹部付き基板２を得ることができる。
【００４６】
＜１＞まず、ガラス基板５の表面に、図１（ａ）に示すように、マスク層６を形成する。また、これとともに、ガラス基板５の裏面（マスク層６を形成する面と反対側の面）に裏面保護層６９を形成する。もちろん、これらマスク層６および裏面保護層６９は、例えばＣＶＤ法等を用いて同時に形成することもできる。
【００４７】
このマスク層６は、後述する工程＜４＞におけるエッチングで耐性を有するものが好ましい。
【００４８】
かかる観点からは、このマスク層６を構成する材料としては、例えば、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン、Au／Cr、Au／Ti、Pt／Cr、Pt／Ti、SiC 等の金属、窒化シリコンなどが挙げられる。
【００４９】
その中でも特に、マスク層６を構成する材料としては、多結晶シリコンが好ましい。多結晶シリコンでマスク層６を構成すると、ガラス基板５の表面に緻密な層を形成することができる。このため、マスク層６にピンホール等の欠陥が生じにくい。また、多結晶シリコンは、ガラスに対する密着性が高い。このため、後述する工程＜４＞で、ガラス基板５に対しウエットエッチングを施してマイクロレンズを形成する場合には、不必要な部分にエッチング液が侵入しにくくなり、理想的なレンズ形状を形成することが可能となる。したがって、マスク層６を多結晶シリコンで構成することにより高い歩留まりで、高性能のマイクロレンズ用凹部付き基板を得ることができる。
【００５０】
マスク層６の厚さは、マスク層６を構成する材料によっても異なるが、マスク層６が多結晶シリコンで構成されている場合には、０．０１〜１０μm 程度が好ましく、０．２〜１μm 程度がより好ましい。厚さがこの範囲の下限値未満であると、後述する工程＜４＞でエッチングを施す際に、ガラス基板５のマスクした部分を十分に保護できない場合があり、上限値を超えると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
【００５１】
マスク層６を多結晶シリコンで構成する場合には、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）によると、マスク層６を好適に形成することができる。これは、化学気相成膜法によると、モノシランガス（SiH4）をガラス基板５の表面で反応させて多結晶シリコン膜を成膜することが可能となるため、スパッタリング法等を用いて成膜した場合に発生しやすいピンホール等の欠陥の発生を効果的に抑制することができるうえ、緻密で密着力のある膜を形成できることによる。
【００５２】
多結晶シリコンで構成されたマスク層６をＣＶＤ法で形成する場合、マスク層６形成時の温度は、特に限定されないが、３００〜８００℃程度が好ましく、４００〜７００℃程度がより好ましい。また、マスク層６形成時の圧力は、特に限定されないが、３０〜１６０Pa程度が好ましく、５０〜１００Pa程度がより好ましい。また、SiH4等の多結晶シリコンを形成するための原料となる気体の供給速度は、特に限定されないが、１０〜５００mL／分程度が好ましく、４０〜４００mL／分程度がより好ましい。多結晶シリコンの層の形成条件をこのような範囲内とすると、マスク層６を好適に形成することができる。
【００５３】
なお、裏面保護層６９は、次工程以降でガラス基板５の裏面を保護するためのものである。この裏面保護層６９により、ガラス基板５の裏面の侵食、劣化等が好適に防止される。この裏面保護層６９は、例えば、マスク層６と同様の材料で構成されている。このため、裏面保護層６９は、マスク層６の形成と同時に、マスク層６と同様に設けることができる。
【００５４】
＜２＞次に、図１（ｂ）に示すように、マスク層６に、複数の第１開口６１および第２開口６２を形成する。
【００５５】
第１開口６１は、凹部３すなわちマイクロレンズ８を形成する位置に設け、第２開口６２は、アライメントマーク４を形成する位置に設ける。また、第１開口６１の形状は、凹部３の形状に対応し、第２開口６２の形状は、アライメントマーク４の形状の一部分に対応している。
【００５６】
これら第１開口６１および第２開口６２の形成は、例えば、マスク層６上に、第１開口６１および第２開口６２に対応したレジスト（例えばフォトレジスト等）を塗布してマスク層６上にさらに第２のマスクを施し、次いで、第２のマスクでマスクされていない部分のマスク層６を除去し、次いで、前記第２のマスクを除去することにより行うことができる。
【００５７】
なお、マスク層６の除去は、マスク層６が多結晶シリコンで構成されている場合、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエットエッチング）などにより行うことができる。
【００５８】
＜３＞次に、図１（ｃ）に示すように、アライメントマーク４を形成する部分のマスク層６上に、保護層７を形成する。
【００５９】
この保護層７は、アライメントマーク４の形状に対応している。この保護層７は、マスク層６上だけでなく、ガラス基板５上に直接形成することもできる。例えば、図１（ｃ）に示すように、第２開口６２を保護層７で覆ってもよい。
【００６０】
この保護層７は、後述する工程＜４＞におけるエッチング液、および、後述する工程＜５＞におけるマスク層６の除去に、耐性を有することが好ましい。これにより、保護層７で保護された部分のマスク層６の食刻が防止され、アライメントマーク４の形状を正確に形作ることができる。また、保護層７は、薄膜で構成されていることが好ましい。保護層７が薄膜で構成されていると、後述する工程＜４＞および工程＜５＞で、ガラス基板５の取り扱いが容易となり、また、後述する工程＜６＞で保護層７の除去が容易となる。
【００６１】
かかる観点からは、保護層７は、例えば、Au／Cr、Au／Ti、Pt／Cr、Pt／Ti、SiC等の金属、窒化シリコン等のケイ素化合物、ネガ型レジスト等のレジスト、テープなどで構成されていることが好ましい。
【００６２】
この保護層７は、例えば、蒸着（マスク蒸着）、スパッタリング（マスクスパッタリング）等の気相成膜法により、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応した薄膜を成膜することにより形成することができる。
【００６３】
なお、保護層７は、ガラス基板５全体に、マスク層６を覆うように成膜し、次いで、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応したレジストをパターニングし、次いで、エッチング等を施すことにより、形成してもよい。
【００６４】
また、保護層７は、例えば、アライメントマーク４を形成する部分に、アライメントマーク４の形状に対応したテープ等を貼着することにより形成してもよい。
【００６５】
＜４＞次に、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板５にエッチングを施し、ガラス基板５上に多数の凹部３を形成する。
【００６６】
このとき、ガラス基板５は、マスク層６および保護層７が存在しない部分、すなわち第１開口６１より食刻される。このため、各第１開口６１が設けられた部分に各凹部３が形成される。
【００６７】
エッチング法としては、例えば、ウエットエッチング法、ドライエッチング法などが挙げられる。その中でも、ウエットエッチング法を用いると、凹部３を好適に形成できる。ウエットエッチング法によりエッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液（フッ酸系エッチング液）を用いると、ガラス基板５を選択的に食刻することができ、凹部３を好適に形成することができる。
【００６８】
＜５＞次に、図２（ｅ）に示すように、マスク層６を除去する。また、この際、マスク層６の除去とともに裏面保護層６９も除去する。
【００６９】
これは、マスク層６等が多結晶シリコンで構成されている場合、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウエットエッチング）などにより行うことができる。
【００７０】
このとき、保護層７が形成された部分は、保護層７により保護されるので、マスク層６は除去されず、ガラス基板５上に残存する。
【００７１】
＜６＞次に、保護層７を除去する。
【００７２】
これは、保護層７の構成材料にもよるが、例えば、保護層７がAu／Cr等で構成されている場合、塩酸と硝酸の混合液等を剥離液としたウエットエッチングなどにより行うことができる。また、保護層７が窒化シリコン等で構成されている場合には、リン酸等を剥離液としたウエットエッチングなどにより保護層７を除去することができる。また、保護層７がテープ等により構成されている場合には、かかるテープを剥離することにより、保護層７を除去することができる。
【００７３】
これにより、図２（ｆ）に示すように、マスク層６のうち保護層７で保護された部分がアライメントマーク４として残存する。
【００７４】
以上により、図２（ｆ）、図５に示すように、ガラス基板５上に多数の凹部３が形成され、また、ガラス基板５上に位置決めを行う際の指標となるアライメントマーク４が所定の位置に形成されたマイクロレンズ用凹部付き基板２が得られる。
【００７５】
アライメントマーク４の形成位置は特に限定されないが、例えば、図５に示すように、アライメントマーク４を凹部３の形成領域外に形成することができる。
【００７６】
アライメントマーク４は、マイクロレンズ用凹部付き基板２上に複数箇所設けることが好ましい。特に、アライメントマーク４はマイクロレンズ用凹部付き基板２の角部に複数箇所設けることが好ましい。これにより、位置決めをより容易に行うことができるようになる。
【００７７】
図５は、アライメントマーク４を十字型にした例を示している。アライメントマーク４の形状は、特に限定されないが、図５に示すように、角を形成する角部４１を有していることが好ましい。このようにアライメントマーク４が角部４１を有していると、位置決めをより正確に行うことができるようになる。
【００７８】
さらには、図５に示すように、アライメントマーク４は、その中心部位を示すマーク（図５では円形の第２開口６２）を有していることが好ましい。これにより、位置決めの精度をさらに向上させることができる。
【００７９】
なお、上述した方法では、ガラス基板５上に保護層７を形成して（上記工程＜３＞参照）から凹部３を形成した（上記工程＜４＞参照）が、例えば、保護層７を形成する前に凹部３を形成し、次いで、保護層７を形成してもよい。すなわち、凹部３を形成した後、保護層７を形成してもよい。
【００８０】
また、上述した方法では、ガラス基板５上に層を形成することにより、アライメントマークを設けたが、アライメントマークは、ガラス基板５上に層として形成しなくともよい。例えば、ガラス基板５上に、凹部３とは異なる形状を有する窪みを、アライメントマークとして設けてもよい。このような窪みは、例えば、上記工程＜２＞において窪み（アライメントマーク）の形状に対応するように第２開口を形成し、次いで、保護層７を形成せずに（上記工程＜３＞を行わずに）ガラス基板５に対してエッチングを施す（上記工程＜４＞を行う）ことにより、設けることができる。
【００８１】
ただし、前述したようにアライメントマーク４を形成すると、アライメントマーク４を構成するマスク層６、アライメントマーク４近傍のガラス基板５の侵食が防止されるので、アライメントマーク４の輪郭、特に角部４１を正確に形作ることが容易となり、位置決めの際の精度を向上させることができる。
【００８２】
このように、本発明では、エッチングにより凹部３を形成する工程の途中で、アライメントマーク４も形成するので、工程数を大幅に増やさずにアライメントマーク４を形成することができる。
【００８３】
このアライメントマーク４は、マイクロレンズ用凹部付き基板２を用いて種々のものを組み立てるとき、様々な位置決めに用いることができる。例えば、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板２を用いてブラックマトリックス１１を有する液晶パネル用対向基板１を製造する場合には、アライメントマーク４を指標として、ブラックマトリックス１１を、凹部３すなわちマイクロレンズ８の対応する位置に位置決めすることができる。
【００８４】
以下、アライメントマーク４を指標としてブラックマトリックス１１の位置決めを行いつつ、上記マイクロレンズ用凹部付き基板２を用いて液晶パネル用対向基板１を製造する方法について、説明する。
【００８５】
＜７＞まず、図３（ｇ）に示すように、カバーガラス１３を、接着剤を介して、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３が形成された面に接合する。
【００８６】
この接着剤が硬化する（固化する）ことにより、樹脂層（接着剤層）１４が形成される。また、これにより、樹脂層１４に、凹部３に充填された樹脂で構成され、凸レンズとして機能するマイクロレンズ８が形成される。
【００８７】
なお、この接着剤には、ガラス基板５の屈折率よりも高い屈折率（例えばｎ＝１．６０程度）の光学接着剤などが好適に用いられる。
【００８８】
＜８＞次に、図３（ｈ）に示すように、カバーガラス１３の厚さを薄くする。
【００８９】
これは、カバーガラス１３を、例えば、研削、研磨、エッチング等することにより行うことができる。
【００９０】
カバーガラス１３の厚さは、必要な光学特性を備えた液晶パネル用対向基板１を得る観点からは、１０〜１０００μm 程度が好ましく、２０〜１５０μm 程度がより好ましい。
【００９１】
なお、積層したカバーガラス１３が、以降の工程を行うのに最適な厚さの場合には、本工程は行わなくてもよい。
【００９２】
＜９＞次に、図３（ｉ）に示すように、カバーガラス１３上に、開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１を形成する。
【００９３】
このとき、ブラックマトリックス１１は、マイクロレンズ８の位置に対応するように、具体的には、マイクロレンズ８の光軸Ｑがブラックマトリックス１１の開口１１１を通るように形成する（図４参照）。
【００９４】
このブラックマトリックス１１は、例えば、Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等の金属膜、カーボンやチタン等を分散した樹脂層などで構成されている。その中でも、ブラックマトリックス１１は、Cr膜またはAl合金膜で構成されていることが好ましい。ブラックマトリックス１１がCr膜で構成されていると、遮光性に優れたブラックマトリックス１１を得ることができる。また、ブラックマトリックス１１がAl合金膜で構成されていると、優れた放熱性を有する液晶パネル用対向基板１が得られる。
【００９５】
ブラックマトリックス１１の厚さは、液晶パネル用対向基板１の平坦性に対する影響を抑制する観点等からは、０．０３〜１．０μm 程度が好ましく、０．０５〜０．３μm 程度がより好ましい。
【００９６】
この開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１は、例えば次のように形成することができる。まず、カバーガラス１３上にスパッタリング等の気相成膜法によりブラックマトリックス１１となる薄膜を成膜する。次に、かかるブラックマトリックス１１となる薄膜上にレジスト膜を形成する。次に、アライメントマーク４を指標として、ブラックマトリックス１１の開口１１１がマイクロレンズ８（凹部３）に対応する位置に来るように、前記レジスト膜を露光してかかるレジスト膜に開口１１１のパターンを形成する。次に、ウエットエッチングを行い、前記薄膜のうちの開口１１１となる部分のみを除去する。次に、前記レジスト膜を除去する。なお、ウエットエッチングを行う際の剥離液としては、例えば、ブラックマトリックス１１となる薄膜がAl合金等で構成されているときは、リン酸系エッチング液を用いることができる。
【００９７】
なお、開口１１１が形成されたブラックマトリックス１１は、塩素系ガス等を用いたドライエッチングによっても好適に形成することができる。
【００９８】
＜１０＞次に、カバーガラス１３上に、ブラックマトリックス１１を覆うように透明導電膜（共通電極）１２を形成する。
【００９９】
これにより、液晶パネル用対向基板１、または、液晶パネル用対向基板１を複数個取りできるウエハーを得ることができる。
【０１００】
この透明導電膜１２は、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（SnO2）などで構成されている。
【０１０１】
透明導電膜１２の厚さは、０．０３〜１μm 程度が好ましく、０．０５〜０．３０μm 程度がより好ましい。
【０１０２】
この透明導電膜１２は、例えば、スパッタリングにより形成することができる。
【０１０３】
＜１１＞最後に、ダイシング装置等を用いて液晶パネル用対向基板１のウエハーを所定の形状、大きさに（例えば、図５中、一点鎖線で示すように）カットする。
【０１０４】
これにより、図４に示すような液晶パネル用対向基板１を得ることができる。
【０１０５】
なお、上記工程＜１０＞で液晶パネル用対向基板１が得られた場合等、カットを行う必要がない場合には、本工程は行わなくてもよい。
【０１０６】
このように、本発明では、マイクロレンズ用凹部付き基板２は、アライメントマーク４を有しているので、液晶パネル用対向基板１を製造する際に、ブラックマトリックス１１の位置決めを容易に行うことができる。
【０１０７】
なお、上述した実施例では、マイクロレンズ用凹部付き基板２の凹部３を形成する領域外にアライメントマーク４を形成したが、凹部３を形成する領域内にアライメントマーク４を形成してもよいことは言うまでもない。
【０１０８】
なお、液晶パネル用対向基板を製造する場合には、例えば、ブラックマトリックス１１を形成せずに、カバーガラス１３上に直接透明導電膜１２を形成してもよい。
【０１０９】
なお、上述した実施例では、アライメントマーク４をブラックマトリックス１１の位置決めに用いたが、液晶パネル用対向基板１もしくはそのウエハーが他の構成要素を有する場合には、アライメントマーク４を、これらの位置決めに用いてもよい。
【０１１０】
また、アライメントマーク４を、液晶パネル用対向基板１の構成要素以外のもの、例えば、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）等の他の基板の位置決めに用いてもよい。
【０１１１】
次に、上記液晶パネル用対向基板１を用いた液晶パネル（液晶光シャッター）について、図６に基づいて説明する。
【０１１２】
図６に示すように、本発明の液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）１６は、ＴＦＴ基板（液晶駆動基板）１７と、ＴＦＴ基板１７に接合された液晶パネル用対向基板１と、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１との空隙に封入された液晶よりなる液晶層１８とを有している。
【０１１３】
ＴＦＴ基板１７は、液晶層１８の液晶を駆動するための基板であり、ガラス基板１７１と、かかるガラス基板１７１上に設けられた多数の個別電極１７２と、かかる個別電極１７２の近傍に設けられ、各個別電極１７２に対応する多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７３とを有している。
【０１１４】
この液晶パネル１６では、液晶パネル用対向基板１の透明導電膜（共通電極）１２と、ＴＦＴ基板１７の個別電極１７２とが対向するように、ＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１とが、一定距離離間して接合されている。
【０１１５】
ガラス基板１７１は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
【０１１６】
個別電極１７２は、透明導電膜（共通電極）１２との間で充放電を行うことにより、液晶層１８の液晶を駆動する。この個別電極１７２は、例えば、前述した透明導電膜１２と同様の材料で構成されている。
【０１１７】
薄膜トランジスタ１７３は、近傍の対応する個別電極１７２に接続されている。また、薄膜トランジスタ１７３は、図示しない制御回路に接続され、個別電極１７２へ供給する電流を制御する。これにより、個別電極１７２の充放電が制御される。
【０１１８】
液晶層１８は液晶分子（図示せず）を含有しており、個別電極１７２の充放電に対応して、かかる液晶分子、すなわち液晶の配向が変化する。
【０１１９】
この液晶パネル１６では、通常、１個のマイクロレンズ８と、かかるマイクロレンズ８の光軸Ｑに対応したブラックマトリックス１１の１個の開口１１１と、１個の個別電極１７２と、かかる個別電極１７２に接続された１個の薄膜トランジスタ１７３とが、１画素に対応している。
【０１２０】
マイクロレンズ用凹部付き基板２側から入射した入射光Ｌは、ガラス基板５を通り、マイクロレンズ８を通過する際に集光されつつ、樹脂層１４、カバーガラス１３、ブラックマトリックス１１の開口１１１、透明導電膜１２、液晶層１８、個別電極１７２、ガラス基板１７１を透過する。なお、このとき、マイクロレンズ用凹部付き基板２の入射側には通常偏光板（図示せず）が配置されているので、入射光Ｌが液晶層１８を透過する際に、入射光Ｌは直線偏光となっている。その際、この入射光Ｌの偏光方向は、液晶層１８の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル１６を透過した入射光Ｌを、偏光板（図示せず）に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
【０１２１】
なお、偏光板は、例えば、ベース基板と、かかるベース基板に積層された偏光基材とで構成され、かかる偏光基材は、例えば、偏光素子（ヨウ素錯体、二色性染料等）を添加した樹脂よりなる。
【０１２２】
このように、液晶パネル１６は、マイクロレンズ８を有しており、しかも、マイクロレンズ８を通過した入射光Ｌは、集光されて各ブラックマトリックス１１の開口１１１を通過する。しかも、液晶パネル１６が有する液晶パネル用対向基板１は、前述したようにマイクロレンズ用凹部付き基板２（すなわち、凹部３に形成されたマイクロレンズ８）とブラックマトリックス１１との間で好適に位置合わせがなされている。したがって、液晶パネル１６、特にブラックマトリックス１１を通過する際の入射光Ｌの減衰が抑制される。すなわち、液晶パネル１６は、高い光の透過率を有し、比較的小さい光量で明るい画像を形成することができる。
【０１２３】
この液晶パネル１６は、例えば、公知の方法により製造されたＴＦＴ基板１７と液晶パネル用対向基板１とを配向処理した後、シール材（図示せず）を介して両者を接合し、次いで、これにより形成された空隙部の封入孔（図示せず）より液晶を空隙部内に注入し、次いで、かかる封入孔を塞ぐことにより製造することができる。その後、必要に応じて、液晶パネル１６の入射側や出射側に偏光板を貼り付けてもよい。
【０１２４】
なお、上記液晶パネル１６では、液晶駆動基板としてＴＦＴ基板を用いたが、液晶駆動基板にＴＦＴ基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、ＴＦＤ基板、ＳＴＮ基板などを用いてもよい。
【０１２５】
なお、上述した実施例では、最終的に得れらた液晶パネル用対向基板１にアライメントマーク４を残存させなかったが、液晶パネル用対向基板１にアライメントマーク４を残存させて、これを液晶パネル１６を製造する際の位置決めに用いてもよい。
【０１２６】
以下、上記液晶パネル１６を用いた投射型表示装置について説明する。
【０１２７】
図７は、本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【０１２８】
同図に示すように、投射型表示装置３００は、光源３０１と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した（赤色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２４と、緑色に対応した（緑色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２５と、青色に対応した（青色用の）液晶ライトバルブ（液晶光シャッターアレイ）２６と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１１および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面２１２が形成されたダイクロイックプリズム（色合成光学系）２１と、投射レンズ（投射光学系）２２とを有している。
【０１２９】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２および３０３を有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０９、青色光および緑色光を反射する（赤色光のみを透過する）ダイクロイックミラー３０５、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー３０７、青色光のみを反射するダイクロイックミラー（または青色光を反射するミラー）３０８、集光レンズ３１０、３１１、３１２、３１３および３１４とを有している。
【０１３０】
液晶ライトバルブ２５は、前述した液晶パネル１６と、液晶パネル１６の入射面側（マイクロレンズ用凹部付き基板２が位置する面側、すなわちダイクロイックプリズム２１と反対側）に接合された第１の偏光板（図示せず）と、液晶パネル１６の出射面側（マイクロレンズ用凹部付き基板２と対向する面側、すなわちダイクロイックプリズム２１側）に接合された第２の偏光板（図示せず）とを備えている。液晶ライトバルブ２４および２６も、液晶ライトバルブ２５と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４、２５および２６が備えている液晶パネル１６は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０１３１】
なお、投射型表示装置３００では、ダイクロイックプリズム２１と投射レンズ２２とで、光学ブロック２０が構成されている。また、この光学ブロック２０と、ダイクロイックプリズム２１に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４、２５および２６とで、表示ユニット２３が構成されている。
【０１３２】
以下、投射型表示装置３００の作用を説明する。
【０１３３】
光源３０１から出射された白色光（白色光束）は、インテグレータレンズ３０２および３０３を透過する。この白色光の光強度（輝度分布）は、インテグレータレンズ３０２および３０３により均一にされる。
【０１３４】
インテグレータレンズ３０２および３０３を透過した白色光は、ミラー３０４で図７中左側に反射し、その反射光のうちの青色光（Ｂ）および緑色光（Ｇ）は、それぞれダイクロイックミラー３０５で図７中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイックミラー３０５を透過する。
【０１３５】
ダイクロイックミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図７中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４に入射する。
【０１３６】
ダイクロイックミラー３０５で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー３０７で図７中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー３０７を透過する。
【０１３７】
ダイクロイックミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５に入射する。
【０１３８】
また、ダイクロイックミラー３０７を透過した青色光は、ダイクロイックミラー（またはミラー）３０８で図７中左側に反射し、その反射光は、ミラー３０９で図７中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１２、３１３および３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６に入射する。
【０１３９】
このように、光源３０１から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
【０１４０】
この際、液晶ライトバルブ２４が有する液晶パネル１６の各画素（薄膜トランジスター１７３とこれに接続された個別電極１７２）は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路（駆動手段）により、スイッチング制御（オン／オフ）、すなわち変調される。
【０１４１】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５および２６に入射し、それぞれの液晶パネル１６で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５が有する液晶パネル１６の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６が有する液晶パネル１６の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【０１４２】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４、２５および２６で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１４３】
前記液晶ライトバルブ２４により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４からの赤色光は、面２１３からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４４】
また、前記液晶ライトバルブ２５により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５からの緑色光は、面２１４からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１１および２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４５】
また、前記液晶ライトバルブ２６により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６からの青色光は、面２１５からダイクロイックプリズム２１に入射し、ダイクロイックミラー面２１２で図７中左側に反射し、ダイクロイックミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１４６】
このように、前記液晶ライトバルブ２４、２５および２６からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４、２５および２６により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム２１により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１４７】
このとき、液晶ライトバルブ２４、２５および２６は、前述したような液晶パネル１６を備えているので、光源３０１からの光が液晶ライトバルブ２４、２５および２６を通過する際の減衰は抑制され、スクリーン３２０上に明るい画像を投影することができる。
【０１４８】
【実施例】
（実施例１）
以下のように、液晶パネル用対向基板を製造した。
【０１４９】
まず、ガラス基板として、厚さ１mmの石英ガラス基板を用意した。
【０１５０】
この石英ガラス基板を、８５℃に加熱した洗浄液（８０％硫酸＋２０％過酸化水素水）に浸漬して洗浄を行い、その表面を清浄化した。
【０１５１】
−１− 次に、この石英ガラス基板を、６００℃、８０Paに設定したＣＶＤ炉内に入れ、SiH4を３００mL／分の速度で供給し、ＣＶＤ法にて、厚さ０．６μm の多結晶シリコン膜（マスク層および裏面保護層）を形成した。
【０１５２】
−２− 次に、形成した多結晶シリコン膜（マスク層）上に、フォトレジストによりマイクロレンズおよびアライメントマークのパターンを有するレジストを形成し、次いで、多結晶シリコン膜（マスク層）に対してＣＦガスによるドライエッチングを行い、次いで、前記レジストを除去して、多結晶シリコン膜（マスク層）に開口（第１開口および第２開口）を形成した。
【０１５３】
−３− 次に、多結晶シリコン膜（マスク層）および石英ガラス基板上の、アライメントマークを形成する部分に、スパッタリングおよびフォトリソグラフィー法により、アライメントマークの形状に対応したAu／Cr薄膜（保護層）を形成した。
【０１５４】
−４− 次に、石英ガラス基板にウエットエッチングを施し、石英ガラス基板上に多数の凹部を形成した。
【０１５５】
なお、エッチング液には、フッ酸系のエッチング液を用いた。
【０１５６】
−５− 次に、ＣＦガスによるドライエッチングを行い、多結晶シリコン膜（マスク層および裏面保護層）を除去した。
【０１５７】
−６− 次に、石英ガラス基板を硝酸と塩酸の混合液（剥離液）に浸漬して、Au／Cr薄膜を除去した。
【０１５８】
これにより、石英ガラス基板上に、中心部に円形の開口を有する十字型のアライメントマークと、多数の凹部とが形成されたウエハー状のマイクロレンズ用凹部付き基板を得た。
【０１５９】
−７− 次に、マイクロレンズ用凹部付き基板の凹部が形成された面に、紫外線（ＵＶ）硬化型エポキシ系の光学接着剤（屈折率１．６０）を用い、カバーガラスを接合した。
【０１６０】
また、これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板の凹部に充填された光学接着剤よりなるマイクロレンズが、硬化した光学接着剤で構成された樹脂層に形成された。
【０１６１】
−８− 次に、この接合したカバーガラスを、研削、研磨して、カバーガラスの厚さを５０μm とした。
【０１６２】
−９− 次に、このカバーガラス上に、開口が形成されたブラックマトリックスを形成した。これは、次のようにして行った。まず、カバーガラス上に、スパッタリングにより厚さ０．１６μm のCr膜を成膜した。次に、かかるCr膜上にレジスト膜を形成した。次に、前記アライメントマークを指標として、露光機を用い、ブラックマトリックスパターンの各開口部が各マイクロレンズの光軸に一致するように露光し、前記レジスト膜にブラックマトリックスパターンを形成した。次に、硝酸セリウムアンモン水溶液を剥離液としてウエットエッチングを行い、Cr膜にブラックマトリックスの開口を形成した。次に、前記レジスト膜を除去した。
【０１６３】
このとき、アライメントマークを位置決めの指標とすることにより、ブラックマトリックスパターンの位置決めを容易かつ正確に行うことができた。
【０１６４】
−１０− 次に、カバーガラス上に、ブラックマトリックスを覆うように、スパッタリングにより、厚さ０．１５μm のＩＴＯ膜（透明導電膜）を形成した。
【０１６５】
これにより、液晶パネル用対向基板を複数個含むウエハーを得た。
【０１６６】
−１１− 最後に、ダイシング装置を用いてこのウエハーをカットし、液晶パネル用対向基板を得た。なお、マイクロレンズ用凹部付き基板が個別基板として得られる場合には、液晶パネル用対向基板も個別基板として得られるので、ウエハーをカットして切り分ける必要はない。
【０１６７】
（実施例２）
上記−３−におけるAu／Cr薄膜を窒化シリコン膜とし、上記−５−におけるＣＦガスによるドライエッチングをフッ酸、硝酸、水の混合液によるウエットエッチングとし、上記−６−における剥離液をリン酸水溶液とした以外は、実施例１と同様にして液晶パネル用対向基板を得た。
【０１６８】
なお、窒化シリコン膜は、低圧ＣＶＤ法により成膜した。
【０１６９】
（評価）
前記実施例１および２で得られた液晶パネル用対向基板に、それぞれ、マイクロレンズ用凹部付き基板側から光を入射させて光を透過させたところ、本来はブラックマトリックスのCr膜でけられていた光が効果的にブラックマトリックスの開口部に導かれ、明るい出射光を得ることができた。この光の透過率は、実施例１の液晶パネル用対向基板は８５％、実施例２の液晶パネル用対向基板は８７％であった。これにより、これらの液晶パネル用対向基板は、ブラックマトリックスの開口部とマイクロレンズとが正確に位置合わせされているため、安定的に光利用効率の向上が図られていることが確認された。
【０１７０】
（実施例３）
さらに、前記実施例１および２で得られた液晶パネル用対向基板を用い、図６に示す構造のＴＦＴ液晶パネルをそれぞれ組み立てた。
【０１７１】
組み立てたＴＦＴ液晶パネルは、両者とも、前記液晶パネル用対向基板と同様に高い光の透過率を有していた。
【０１７２】
したがって、かかる液晶パネルを用いた投射型表示装置は、スクリーン上に明るい画像を投射できることが容易に推察される。
【０１７３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、位置決めを容易に行うことができるマイクロレンズ用凹部付き基板を提供することができる。
【０１７４】
しかも、位置決めを容易に行うべく設けるアライメントマークは、ガラス基板上に凹部を形成しつつ形成するので、アライメントマークを形成するために多数の工程を必要とせず、少ない手間で形成することができる。
【０１７５】
また、このようなマイクロレンズ用凹部付き基板を液晶パネル用対向基板に用いることにより、かかる液晶パネル用対向基板が有する構成要素（例えばブラックマトリックス）をマイクロレンズ用凹部付き基板に対して位置決めを行う場合、その位置決めが正確かつ容易となる。したがって、本発明によれば、高い歩留まりで液晶パネル用対向基板および液晶パネルを製造することができる。
【０１７６】
また、本発明によれば、高い光の透過率を有する液晶パネル用対向基板を提供することができる。
【０１７７】
さらに、本発明によれば、明るい画像を投射可能な投射型表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図２】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の液晶パネル用対向基板の製造方法を示す模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の液晶パネル用対向基板を示す模式的な縦断面図である。
【図５】本発明のマイクロレンズ用凹部付き基板を示す模式的な平面図である。
【図６】本発明の液晶パネルを示す模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の投射型表示装置の光学系を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１ 液晶パネル用対向基板
２ マイクロレンズ用凹部付き基板
３ 凹部
４ アライメントマーク
４１ 角部
５ ガラス基板
６ マスク層
６１ 第１開口
６２ 第２開口
６９ 裏面保護層
７ 保護層
８ マイクロレンズ
１１ ブラックマトリックス
１１１ 開口
１２ 透明導電膜
１３ カバーガラス
１４ 樹脂層
１６ 液晶パネル
１７ ＴＦＴ基板
１７１ ガラス基板
１７２ 個別電極
１７３ 薄膜トランジスタ
１８ 液晶層
２０ 光学ブロック
２１ ダイクロイックプリズム
２１１、２１２ ダイクロイックミラー面
２１３〜２１５ 面
２１６ 出射面
２２ 投射レンズ
２３ 表示ユニット
２４〜２６ 液晶ライトバルブ
３００ 投射型表示装置
３０１ 光源
３０２、３０３ インテグレータレンズ
３０４、３０６、３０９ ミラー
３０５、３０７、３０８ ダイクロイックミラー
３１０〜３１４ 集光レンズ
３２０ スクリーン
Claims (16)
- ガラス基板上に所定のパターンのマスクを形成し、
次いで、該マスクを用いてエッチングを施し、前記ガラス基板上に多数のマイクロレンズ用凹部を形成した後、
前記マスクを除去するマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法であって、
前記マスクのパターンにより、前記マイクロレンズ用凹部の形成領域外にアライメントマークを形成し、
前記エッチングを施す前に、前記アライメントマーク上にのみ保護層を形成することにより、前記エッチングを施した後に保護層を除去して前記アライメントマークを残存させる、
ことを特徴とするマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。 - 前記保護層は、前記マスクの除去工程に対して耐性を有する薄膜である請求項１に記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
- 前記保護層は、金属、ケイ素化合物、レジストまたはテープで構成されている請求項１または２のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
- 前記マスクは、多結晶シリコンで構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
- 前記エッチングは、ウエットエッチングである請求項１ないし４のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
- 前記ガラス基板は、石英ガラス基板である請求項１ないし５のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法。
- 請求項１ないし６のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を用いて、多数のマイクロレンズを備えた液晶パネル用対向基板を製造する液晶パネル用対向基板の製造方法であって、
前記アライメントマークを利用して、前記液晶パネル用対向基板を構成する構成要素の、前記マイクロレンズ用凹部に対する位置決めを行うことを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。 - 前記構成要素はブラックマトリックスである請求項７に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
- 請求項１ないし８のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板に、樹脂層を介してカバーガラスを積層するとともに該樹脂層にマイクロレンズを形成し、
次いで、該カバーガラス上にブラックマトリックスを、前記アライメントマークを指標として前記マイクロレンズの位置に対応するように形成することを特徴とする液晶パネル用対向基板の製造方法。 - さらに、前記カバーガラス上に、前記ブラックマトリックスを覆うように透明導電膜を形成する請求項９に記載の液晶パネル用対向基板の製造方法。
- 請求項１ないし６のいずれかに記載のマイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法により製造されたマイクロレンズ用凹部付き基板を備えたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
- 請求項７ないし１０のいずれかに記載の液晶パネル用対向基板の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶パネル用対向基板。
- 請求項１１または１２に記載の液晶パネル用対向基板を備えたことを特徴とする液晶パネル。
- 個別電極を備えた液晶駆動基板と、該液晶駆動基板に接合された請求項１１または１２に記載の液晶パネル用対向基板と、前記液晶駆動基板と液晶パネル用対向基板との空隙に封入された液晶とを有することを特徴とする液晶パネル。
- 前記液晶駆動基板はＴＦＴ基板である請求項１４に記載の液晶パネル。
- 請求項１３ないし１５のいずれかに記載の液晶パネルを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
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