JP4188860B2 - 光導波路の製造方法 - Google Patents
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クラッド層に導波路コアを形成してなる光導波路の製造方法であって、
前記クラッド層に犠牲層を成膜し、当該犠牲層に導波路パターンを形成し、当該犠牲層に形成した導波路パターンを用いて、前記クラッド層に導波路パターンを形成し、
前記クラッド層に形成した導波路パターンをも埋め込むように、前記犠牲層上にコア層を成膜した後、
前記犠牲層を除去し、
その後に、熱処理により前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の表面を平坦化することを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記犠牲層上にコア層を成膜する工程は、
前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態で、前記コア層を成膜することを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記犠牲層上にコア層を成膜する工程は、
前記犠牲層の露出が完全になくなるように、前記クラッド層に形成した導波路パターン内および前記犠牲層上にコア層を成膜した後、
前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態となるように、当該コア層の一部を除去して、
前記コア層を成膜することを特徴とする光導波路の製造方法である。
基板上に下部クラッド層と、導波路コアと、上部クラッド層とを有する光導波路の製造方法であって、
前記基板上に前記下部クラッド層を成膜する第1工程と、
前記下部クラッド層に犠牲層を成膜する第2工程と、
当該犠牲層に導波路パターンを形成する第3工程と、
当該犠牲層に形成した導波路パターンを用いて、前記下部クラッド層に導波路パターンを形成する第4工程と、
前記犠牲層の露出が完全になくなるように、前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内および前記犠牲層上にコア層を成膜する第5工程と、
前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態となるように、当該コア層の一部を除去する第6工程と、
前記犠牲層を除去すると共に、前記犠牲層上のコア層の部分を除去する第7工程と、
前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の表面を熱処理により平坦化して前記導波路コアとする第8工程と、
当該導波路コアが形成された下部クラッド層上に、前記上部クラッド層を成膜する第9工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記犠牲層の除去は、
前記犠牲層に対しては侵食性である一方、前記クラッド層及び前記コア層に対しては非侵食性の物質により除去することを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記クラッド層および前記導波路コアは、石英系材料により形成されることを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記犠牲層は、アモルファスシリコン、クロムまたは金のいずれかであることを特徴とする光導波路の製造方法である。
前記犠牲層の厚みは、0.5μm〜4μmであることを特徴とする光導波路の製造方法である。
以下、本発明の第1の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1,2は、本発明の第1の実施形態に係る光導波路の製造方法の概略を示す概略工程図である。これらの図において、同一機能を有するものには同一符号を付し、重複する説明は省略する。
次に、本発明の第2の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図3,4は、本発明の第2の実施形態に係る光導波路の製造方法の概略を示す概略工程図である。これらの図において、同一機能を有するものには同一符号を付し、重複する説明は省略する。
2,12,22 下部クラッド層
2a,12a,22a 導波路パターン
3,13 アモルファスシリコンの薄膜
3a,13a,23a 導波路パターン膜
4,14,24 コア層
4a,14a,24a 導波路コア
4b,14b,24b 凹パターン
14c,24c コア層の一部
5,15,25 上部クラッド層
Claims (8)
- クラッド層に導波路コアを形成してなる光導波路の製造方法であって、
前記クラッド層に犠牲層を成膜し、当該犠牲層に導波路パターンを形成し、当該犠牲層に形成した導波路パターンを用いて、前記クラッド層に導波路パターンを形成し、
前記クラッド層に形成した導波路パターンをも埋め込むように、前記犠牲層上にコア層を成膜した後、
前記犠牲層を除去し、
その後に、熱処理により前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の表面を平坦化することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1に記載する光導波路の製造方法において、
前記犠牲層上にコア層を成膜する工程は、
前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態で、前記コア層を成膜することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1に記載する光導波路の製造方法において、
前記犠牲層上にコア層を成膜する工程は、
前記犠牲層の露出が完全になくなるように、前記クラッド層に形成した導波路パターン内および前記犠牲層上にコア層を成膜した後、
前記クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態となるように、当該コア層の一部を除去して、
前記コア層を成膜することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 基板上に下部クラッド層と、導波路コアと、上部クラッド層とを有する光導波路の製造方法であって、
前記基板上に前記下部クラッド層を成膜する第1工程と、
前記下部クラッド層に犠牲層を成膜する第2工程と、
当該犠牲層に導波路パターンを形成する第3工程と、
当該犠牲層に形成した導波路パターンを用いて、前記下部クラッド層に導波路パターンを形成する第4工程と、
前記犠牲層の露出が完全になくなるように、前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内および前記犠牲層上にコア層を成膜する第5工程と、
前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の部分と前記犠牲層上のコア層の部分とが、前記犠牲層の一部の露出により、分離した状態となるように、当該コア層の一部を除去する第6工程と、
前記犠牲層を除去すると共に、前記犠牲層上のコア層の部分を除去する第7工程と、
前記下部クラッド層に形成した導波路パターン内のコア層の表面を熱処理により平坦化して前記導波路コアとする第8工程と、
当該導波路コアが形成された下部クラッド層上に、前記上部クラッド層を成膜する第9工程とを有することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載する光導波路の製造方法において、
前記犠牲層の除去は、
前記犠牲層に対しては侵食性である一方、前記クラッド層及び前記コア層に対しては非侵食性の物質により除去することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載する光導波路の製造方法において、
前記クラッド層および前記導波路コアは、石英系材料により形成されることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載する光導波路の製造方法において、
前記犠牲層は、アモルファスシリコン、クロムまたは金のいずれかであることを特徴とする光導波路の製造方法。 - 請求項1ないし7のいずれかに記載する光導波路の製造方法において、
前記犠牲層の厚みは、0.5μm〜4μmであることを特徴とする光導波路の製造方法。
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