JP4158200B2 - 電源装置 - Google Patents
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Description
ここで、アレスタとは、過電圧が印加された時に通電し、電子回路の耐圧レベル以下に制御して、回路の破壊を防止する素子であり、バリスタ(Variable Resistor)とは、電圧によって抵抗値が急変する非直線性抵抗素子である。
図5は、電源回路に適用された過電圧保護回路について図示したものである。図5において、整流素子(ダイオードブリッジ)4は印加された交流を全波整流し、整流コンデンサ7は整流された電圧を平滑して直流にする。
所定の値を越えた整流後の電圧が印加されたことを検出する過電圧検出手段と、
この過電圧検出手段が過電圧を検出することにより前記スイッチ素子をカットオフさせる制御手段と、
前記過電圧検出手段が検出する電圧値よりも高い電圧であって、内部回路が損傷する電圧よりも低い電圧で通電する通電手段と、
この通電手段により流れる電流で回路を遮断する回路遮断手段と、
を有することを特徴とする電源装置。
図1は前出の図5と同様にMOSFETによる突入電流制限回路を有する電源装置を示している。この電源装置における整流コンデンサやDC/DCコンバータなどの内部回路の保護について説明する。なお、図5と同様の構成要素には同様の符号を付けてその部分の説明は省略する。
なお、通電手段は、アレスタおよびバリスタの少なくともいずれか一方であって良いし、回路遮断手段は、ヒューズおよびサーキットブレーカーの少なくともいずれか一方であって良い。
図2は、本発明の一実施例の詳細を示した構成図である。
図2において、入力電圧が印加されダイオード64,抵抗65を介してトランジスタ63のベース電位が上昇し、トランジスタ63がオンするとMOSFET61のゲート電位がソース電位よりも低くなりMOSFET61がオンする。ここまでが、従来の突入電流制御手段と同様の動作である。また、ダイオード64,抵抗65,トランジスタ63が従来の制御手段に相当する部分である。
なお、破線で囲んだDC/DCコンバータ8は周知技術であるため説明を省略する。
図3では、定格入力電圧、過電圧検出回路の動作電圧、整流コンデンサ7の定格電圧、アレスタ2の放電開始電圧、MOSFET61のVDSS、混触の電圧レベルの関係を例示している。
なお、本実施例ではAC/DC24V入力の電源を例示して説明したが、本発明は入力電圧に依存するものではない。
図4で前出の図と同様の構成要素には同様の符号を付し、その説明は省略する。
図4(a)は、図1のMOSFET61をサイリスタ66に置き換えたものであり、図4(b)は、同MOSFET61をリレー68に置き換えたものであり、上述の実施例と同様の動作になる。
図4に示した実施例のように、前出のMOSFET61の代わりにサイリスタ66,リレー68を使う場合、サイリスタ66,リレー68は、オン/オフの2状態でしか制御できない。したがって、突入電流制限手段6a,6bにおいて、これらがオンしてしまうと導通抵抗が小さくて、突入電流を制限するに十分な大きさの導通抵抗が得られない。このため本実施例では突入電流制限抵抗67を設けている。
2 アレスタ
3 バリスタ
4 整流素子
5 過電圧検出手段
6、6a、6b 突入電流制御手段
7 整流コンデンサ
8 DC/DCコンバータ
51 抵抗
52 ツェナ−ダイオード
53、54 トランジスタ
55 ダイオード
61 MOSFET
62 制御手段
63 トランジスタ
64 ダイオード
65 抵抗
Claims (4)
- 突入電流をスイッチ素子により制限する突入電流制限手段を有する電源装置において、 所定の値を越えた整流後の電圧が印加されたことを検出する過電圧検出手段と、
この過電圧検出手段が過電圧を検出することにより前記スイッチ素子をカットオフさせる制御手段と、
前記過電圧検出手段が検出する電圧値よりも高い電圧であって、内部回路が損傷する電圧よりも低い電圧で通電する通電手段と、
この通電手段により流れる電流で回路を遮断する回路遮断手段と、
を有することを特徴とする電源装置。 - 前記スイッチ素子は、MOSFET、サイリスタまたはリレーであることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
- 前記通電手段は、アレスタおよびバリスタの少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電源装置。
- 前記回路遮断手段は、ヒューズおよびサーキットブレーカーの少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電源装置。
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