JP4146711B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザダイオードの駆動を行う半導体レーザ駆動装置に関し、特に、レーザプリンタの光書き込み、光データ通信、光ディスク装置等に使用される半導体レーザ駆動装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザであるレーザダイオードは、小型で安価であり、しかも電流を流すだけで容易にレーザ光を得ることができるため、プリンタ・光ディスク・光通信等の分野で広く使用されている。しかし、そのレーザダイオードの電流−光出力特性は温度依存性を有するため、一定の光出力を得るためにはAPC(Automatic Power Control)と呼ばれる特別な発光量制御を行う必要があった。該APCは、レーザダイオードに内蔵されているPinPD(PIN Photo Diode:以下フォトダイオードと呼ぶ)の出力電流を用いて行われる。フォトダイオードはレーザダイオードの発光量に応じた電流を出力し、該出力電流は温度依存性を持たないため、フォトダイオードの出力電流値をモニタすることでレーザダイオードの光出力を一定に制御することができる。
【0003】
図3は、従来の半導体レーザ駆動装置の例を示した図である。図3において、制御回路109から出力されたDATA信号Sdがアサートされると、スイッチ回路105がオンして電圧−電流変換回路104とレーザダイオードLDのカソードとを接続し、レーザダイオードLDが発光する。また、DATA信号Sdは、遅延回路108で遅延されてASW制御信号Saとしてアナログスイッチ102に出力され、DATA信号Sdがアサートされて該遅延回路108からのASW制御信号Saがアサートされると、アナログスイッチ102はオンしてAPC動作が開始される。
【0004】
フォトダイオードPDは、レーザダイオードLDの発光量に比例した電流を可変抵抗107に供給し、可変抵抗107の両端電圧である電圧Vpdが上昇する。該電圧Vpdは、演算増幅器101の反転入力端に入力され、演算増幅器101の非反転入力端には基準電圧発生回路106からの所定の基準電圧Vrが入力されている。このため、電圧Vpdが基準電圧Vrになるように電圧−電流変換回路104からレーザダイオードLDに供給される電流量が制御される。
【0005】
ここで、遅延回路108が必要な理由について説明する。
図3で示すように、フォトダイオードPDには寄生容量CPが存在し、該寄生容量CPは等価的にフォトダイオードPDに並列に接続されている。レーザダイオードLDが発光した当初は、フォトダイオードPDから供給される電流の多くは寄生容量CPを充電するために使用され、可変抵抗107にはわずかしか電流が流れない。時間が経過するにしたがって、寄生容量CPへの充電電流が減少し、可変抵抗107に流れる電流が増加するようになるため、電圧Vpdは図4に示すようにある程度の時間をかけて上昇する。この上昇速度は、寄生容量CPが大きいほど、またレーザダイオードLDの発光量が小さいほど遅くなり、使用するレーザダイオードLDとそれに組み込まれているフォトダイオードPDの特性によって大きく変動するものである。
【0006】
DATA信号Sdがアサートされると同時にアナログスイッチ102をオンさせてAPC動作を行うと、前述したように電圧Vpdの変化が遅延する影響で、レーザダイオードLDの発光量が目標値に達しているにもかかわらず、電圧Vpdが目標電圧に達していないため、演算増幅器101は出力電圧を増加させてレーザダイオードLDに供給される電流が増加し、レーザダイオードLDの発光量が増加してしまう。逆に、電圧Vpdが基準電圧Vrに達した後は、レーザダイオードLDの電流を低下させ過ぎて、図5に示すようにレーザダイオードLDの発光量はハンチングを起こしてしまい、ACP動作が正常に行われるまでに長い時間を要していた。
【0007】
そこで、DATA信号Sdを、レーザダイオードLDが発光してから、電圧Vpdが基準電圧Vrの近傍になるまでの時間、遅延回路108で遅延させてから、アナログスイッチ102に出力してAPC動作を開始させるようにすることで、図5に示したような発光量のハンチングを防止することができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、フォトダイオードPDの寄生容量CPやフォトダイオードPDから流れる電流の各バラツキによって、電圧Vpdの応答時間は、図4に示すように応答の速いフォトダイオードPDの場合と応答の遅いフォトダイオードPDの場合とで大きくばらつく。そこで、遅延回路108の遅延時間は、最も応答の遅いフォトダイオードPDを使用した場合の時間に設定することになるが、このようにすると、応答の速いフォトダイオードPDを使用した場合でも、APC動作を開始するまでの時間を短縮することができないという問題があった。
【0009】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、フォトダイオードの応答速度に合わせてAPC動作を開始することができるようにして、APC動作開始までの時間を短縮させることができる半導体レーザ駆動装置を得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、レーザダイオードの発光量を電圧に変換し、該変換した電圧が所定の電圧になるようにレーザダイオードの発光量を制御するAPC動作を行う半導体レーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードの発光量の検出を行い、該検出した発光量を電圧に変換して出力する発光量検出回路部と、
入力された電圧を電流に変換して前記レーザダイオードに供給する電圧−電流変換回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第1基準電圧になるように該電圧−電流変換回路部の入力電圧を制御して前記レーザダイオードの発光量を制御する発光量制御回路部と、
入力された第1制御信号に応じて、該発光量制御回路部から出力された電圧の前記電圧−電流変換回路部への出力制御を行う第1スイッチ回路部と、
入力された第2制御信号に応じて、前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力制御を行う第2スイッチ回路部と、
前記第2制御信号を生成し出力して第2スイッチ回路部の動作制御を行う制御回路部と、
制御回路部から出力された第2制御信号、及び前記発光量検出回路部からの出力電圧から前記第1制御信号を生成して第1スイッチ回路部に出力する第1スイッチ制御回路部と、
を備え、
前記第1スイッチ制御回路部は、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第2基準電圧以上になると、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させ、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから前記所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が前記第2基準電圧未満である場合、該所定の時間経過後に、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させるものである。
【0011】
この場合、前記第2基準電圧は、第1基準電圧未満になるようにする。
【0012】
具体的には、前記第1スイッチ制御回路部は、
前記制御回路部から出力された第2制御信号を前記所定の時間遅延させて出力する遅延回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧と前記第2基準電圧とを比較し、該比較結果を示す信号を出力する比較回路部と、
前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号のいずれか1つを選択し第1制御信号として前記第1スイッチ回路部に出力する選択回路部と、
を備え、
前記選択回路部は、前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号の内、所定の信号レベルになった信号を選択するようにした。
【0013】
また、この発明に係る半導体レーザ駆動装置は、レーザダイオードの発光量を電圧に変換し、該変換した電圧が所定の電圧になるようにレーザダイオードの発光量を制御するAPC動作を行う半導体レーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードの発光量の検出を行い、該検出した発光量を電圧に変換して出力する発光量検出回路部と、
入力された電圧を電流に変換して前記レーザダイオードに供給する電圧−電流変換回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第1基準電圧になるように該電圧−電流変換回路部の入力電圧を制御して前記レーザダイオードの発光量を制御する発光量制御回路部と、
入力された第1制御信号に応じて、該発光量制御回路部から出力された電圧の前記電圧−電流変換回路部への出力制御を行う第1スイッチ回路部と、
入力された第2制御信号に応じて、前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力制御を行う第2スイッチ回路部と、
前記第2制御信号を生成し出力して第2スイッチ回路部の動作制御を行う制御回路部と、
制御回路部から出力された第2制御信号、及び前記発光量検出回路部からの出力電圧から前記第1制御信号を生成して第1スイッチ回路部に出力し、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第2基準電圧以上になると、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させる第1スイッチ制御回路部と、
を備え、
前記第1スイッチ制御回路部は、
前記制御回路部から出力された第2制御信号を前記所定の時間遅延させて出力する遅延回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧と前記第2基準電圧とを比較し、該比較結果を示す信号を出力する比較回路部と、
前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号のいずれか1つを選択し第1制御信号として前記第1スイッチ回路部に出力する選択回路部と、
を備え、
前記選択回路部は、前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号の内、所定の信号レベルになった信号を選択するものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に、図面に示す実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の例を示した図である。
図1において、半導体レーザ駆動装置1は、演算増幅器2、アナログスイッチ3、演算増幅器2の出力電圧を記憶するホールドコンデンサ4、電圧−電流変換回路5、入力された制御信号に応じてスイッチングを行うスイッチ回路6、可変抵抗7及び所定の第1基準電圧Vr1を生成して出力する第1基準電圧発生回路8を備えている。
【0015】
また、半導体レーザ駆動装置1は、アナログスイッチ3とスイッチ回路6の動作制御をそれぞれ行う制御回路9、所定の遅延時間が設定された遅延回路10及びフォトダイオードPDを備えている。更に、半導体レーザ駆動装置1は、所定の第2基準電圧Vr2を生成して出力する第2基準電圧発生回路11、比較器12、並びに遅延回路10からの出力信号若しくは比較器12からの出力信号のいずれか一方の信号を選択してASW制御信号Saとしてアナログスイッチ3に出力する選択回路13を備えている。
【0016】
なお、図1では、演算増幅器2の出力電圧が大きくなるほどレーザダイオードLDに流れる電流が増加する場合を例にして示している。また、演算増幅器2及び第1基準電圧発生回路8は発光量制御回路部をなし、アナログスイッチ3は第1スイッチ回路部を、ホールドコンデンサ4は電圧保持回路部を、電圧−電流変換回路5は電圧−電流変換回路部を、スイッチ回路6は第2スイッチ回路部を、可変抵抗7及びフォトダイオードPDは発光量検出回路部を、制御回路9は制御回路部を、遅延回路10、第2基準電圧発生回路11、比較器12及び選択回路13は第1スイッチ制御回路部をそれぞれなしている。更に、遅延回路10は遅延回路部を、比較器12は比較回路部を、選択回路13は選択回路部をそれぞれなしている。
【0017】
演算増幅器2の非反転入力端と接地電圧との間に第1基準電圧発生回路8が接続され、演算増幅器2の非反転入力端には第1基準電圧発生回路8からの第1基準電圧Vr1が入力されている。演算増幅器2の出力端はアナログスイッチ3の一端に接続され、アナログスイッチ3の他端は電圧−電流変換回路5に接続されており、該接続部と接地電圧との間にはホールドコンデンサ4が接続されている。スイッチ回路6は、制御回路9から制御信号であるDATA信号Sdが入力されており、該DATA信号Sdは、あらかじめ所定の遅延時間が設定された遅延回路10で遅延されて選択回路13に出力される。
【0018】
アナログスイッチ3は、入力されたASW制御信号Saに応じてスイッチングを行い、ホールドコンデンサ4の高圧側電圧(以下、ホールドコンデンサ4の電圧と呼ぶ)をホールドするために、ホールドコンデンサ4と演算増幅器2の出力端との接続の切断を行う。電圧−電流変換回路5は、入力された電圧をレーザダイオードLDの駆動電流に変換するものであり、スイッチ回路6を介してレーザダイオードLDのカソードに接続され、レーザダイオードLDのアノードは電源電圧Vddに接続されている。
【0019】
スイッチ回路6は、制御回路9からDATA信号Sdが入力され、該入力されたDATA信号Sdに応じてスイッチングを行う。このことにより、スイッチ回路6は、レーザダイオードLDに駆動電流を供給するために、電圧−電流変換回路5とレーザダイオードLDとの接続制御を行う。DATA信号SdがアサートされてASW制御信号Saがアサートされると、アナログスイッチ3によって演算増幅器2の出力端にホールドコンデンサ4及び電圧−電流変換回路5がそれぞれ接続され、APC動作が開始される。
【0020】
一方、フォトダイオードPDのカソードは電源電圧に接続され、フォトダイオードPDのアノードと接地電圧との間に可変抵抗7が接続されている。また、フォトダイオードPDのアノードと可変抵抗7との接続部は、演算増幅器2及び比較器12の各反転入力端にそれぞれ接続されている。フォトダイオードPDは、レーザダイオードLDの発光量をモニタしレーザダイオードLDの発光量に比例した電流を可変抵抗7に供給する。可変抵抗7は、フォトダイオードPDから供給された電流を電圧Vpdに変換し、該電圧Vpdは演算増幅器2及び比較器12の各反転入力端にそれぞれ出力される。
【0021】
演算増幅器2は、入力された電圧Vpdが第1基準電圧Vr1に等しくなるように、電圧−電流変換回路5に入力される電圧を制御してレーザダイオードLDに供給する電流を制御する。また、ホールドコンデンサ4の電圧は、演算増幅器2の出力電圧で充電されているため、演算増幅器2の出力電圧と同じである。アナログスイッチ3がオフすると、このときの演算増幅器2の出力電圧が、ホールドコンデンサ4に記憶される。
【0022】
また、比較器12の非反転入力端と接地電圧との間に第2基準電圧発生回路11が接続され、比較器12の非反転入力端には第2基準電圧発生回路11からの第2基準電圧Vr2が入力されている。比較器12の出力端は選択回路13に接続され、比較器12は、入力された電圧Vpdと第2基準電圧Vr2とを比較し、電圧Vpdが第2基準電圧Vr2以上になると選択回路13への出力信号をアサートする。第2基準電圧Vr2は、第1基準電圧Vr1よりもわずかに低い電圧に設定されている。
選択回路13は、比較器12と遅延回路10の各出力信号の内、早く信号レベルが変化した方の出力信号をASW制御信号Saとしてアナログスイッチ3に出力し、アナログスイッチ3のスイッチング制御を行う。なお、ASW制御信号Saは第1制御信号を、DATA信号Sdは第2制御信号をそれぞれなす。
【0023】
アナログスイッチ3とホールドコンデンサ4はサンプルホールド回路を形成しており、アナログスイッチ3がオンすると、演算増幅器2の出力電圧でホールドコンデンサ4を充電し、制御回路9は、APC動作期間中はスイッチ回路6をオンさせて電圧−電流変換回路5とレーザダイオードLDとを接続する。APC動作が終了する場合は、スイッチ回路6をオフさせて電圧−電流変換回路5とレーザダイオードLDとの接続を遮断した後、アナログスイッチ3がオフすると、演算増幅器2の出力電圧がホールドコンデンサ4にホールドされる。
【0024】
このような構成において、応答の速いフォトダイオードPDの場合は、DATA信号SdがアサートされてレーザダイオードLDが発光すると、遅延回路10の遅延時間よりも短時間で電圧Vpdが第2基準電圧Vr2に達し、比較器12の出力信号が反転して、選択回路13からアナログスイッチ3をオンにするASW制御信号Saが出力され、図2のASW制御信号Saを示した波形の破線で示すように、この時点でAPC動作が開始(APC作動)される。
【0025】
応答の遅いフォトダイオードPDの場合は、DATA信号SdがアサートされてレーザダイオードLDが発光しても、遅延回路10の遅延時間よりも短時間で電圧Vpdが第2基準電圧Vr2に達しないため、遅延回路10からの出力信号が比較器12の出力信号よりも先にアサートされ、図2のASW制御信号Saを示した波形の実線で示すように遅延時間経過後にAPC動作を開始する。なお、応答の遅いフォトダイオードPDの場合に、電圧Vpdが第2基準電圧Vr2に達する時間以上に、遅延回路10の遅延時間を設定してもよい。
【0026】
また、ホールドコンデンサ4に充電されていない状態で、DATA信号Sdがアサートされた場合は、APC動作を開始するまで、レーザダイオードLDに電流は供給されず、電圧Vpdは変化しない。このことから、選択回路13は、遅延回路10から入力された信号をASW制御信号Saとしてアナログスイッチ3に出力し、DATA信号Sdがアサートされてから遅延回路10に設定された遅延時間後にASW制御信号Saがアサートされ、APC動作が開始される。
【0027】
このように、本第1の実施の形態における半導体レーザ駆動装置は、応答の速いフォトダイオードPDを使用した場合は、選択回路13によって、遅延回路10の遅延時間を待つことなく、可変抵抗7の電圧Vpdが第1基準電圧Vr1よりも小さい第2基準電圧Vr2に達した時点でAPC動作を開始するようにした。このことから、APC動作の開始時間を短縮させることができ、特に応答速度の速いフォトダイオードを使用した場合に、APC動作の開始時間をより一層短縮させることができる。
【0028】
【発明の効果】
前記の説明から明らかなように、本発明の半導体レーザ駆動装置によれば、APC動作を行う際の基準となる第1基準電圧よりもわずかに小さい第2基準電圧を用いて、半導体レーザの発光量をモニタするためのフォトダイオードから出力された電流を電圧に変換する可変抵抗の電圧が、前記第2基準電圧に達した時点でAPC動作を開始することができ、APC動作の開始時間を短縮させることができ、特に発光量検出回路部に応答速度の速いフォトダイオード等を使用した場合にAPC動作の開始時間をより一層短縮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の例を示した図である。
【図2】 APC動作時における図1の各信号例を示したタイミングチャートである。
【図3】 従来の半導体レーザ駆動装置の例を示した図である。
【図4】 APC動作時における図3の各信号例を示したタイミングチャートである。
【図5】 図3におけるレーザダイオードLDの発光量の特性例を示した図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ駆動装置
2 演算増幅器
3 アナログスイッチ
4 ホールドコンデンサ
5 電圧−電流変換回路
6 スイッチ回路
7 可変抵抗
8 第1基準電圧発生回路
9 制御回路
10 遅延回路
11 第2基準電圧発生回路
12 比較器
13 選択回路
PD フォトダイオード
LD レーザダイオード
Claims (4)
- レーザダイオードの発光量を電圧に変換し、該変換した電圧が所定の電圧になるようにレーザダイオードの発光量を制御するAPC動作を行う半導体レーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードの発光量の検出を行い、該検出した発光量を電圧に変換して出力する発光量検出回路部と、
入力された電圧を電流に変換して前記レーザダイオードに供給する電圧−電流変換回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第1基準電圧になるように該電圧−電流変換回路部の入力電圧を制御して前記レーザダイオードの発光量を制御する発光量制御回路部と、
入力された第1制御信号に応じて、該発光量制御回路部から出力された電圧の前記電圧−電流変換回路部への出力制御を行う第1スイッチ回路部と、
入力された第2制御信号に応じて、前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力制御を行う第2スイッチ回路部と、
前記第2制御信号を生成し出力して第2スイッチ回路部の動作制御を行う制御回路部と、
制御回路部から出力された第2制御信号、及び前記発光量検出回路部からの出力電圧から前記第1制御信号を生成して第1スイッチ回路部に出力する第1スイッチ制御回路部と、
を備え、
前記第1スイッチ制御回路部は、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第2基準電圧以上になると、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させ、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから前記所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が前記第2基準電圧未満である場合、該所定の時間経過後に、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 前記第2基準電圧は、第1基準電圧未満であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記第1スイッチ制御回路部は、
前記制御回路部から出力された第2制御信号を前記所定の時間遅延させて出力する遅延回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧と前記第2基準電圧とを比較し、該比較結果を示す信号を出力する比較回路部と、
前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号のいずれか1つを選択し第1制御信号として前記第1スイッチ回路部に出力する選択回路部と、
を備え、
前記選択回路部は、前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号の内、所定の信号レベルになった信号を選択することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ駆動装置。 - レーザダイオードの発光量を電圧に変換し、該変換した電圧が所定の電圧になるようにレーザダイオードの発光量を制御するAPC動作を行う半導体レーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードの発光量の検出を行い、該検出した発光量を電圧に変換して出力する発光量検出回路部と、
入力された電圧を電流に変換して前記レーザダイオードに供給する電圧−電流変換回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第1基準電圧になるように該電圧−電流変換回路部の入力電圧を制御して前記レーザダイオードの発光量を制御する発光量制御回路部と、
入力された第1制御信号に応じて、該発光量制御回路部から出力された電圧の前記電圧−電流変換回路部への出力制御を行う第1スイッチ回路部と、
入力された第2制御信号に応じて、前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力制御を行う第2スイッチ回路部と、
前記第2制御信号を生成し出力して第2スイッチ回路部の動作制御を行う制御回路部と、
制御回路部から出力された第2制御信号、及び前記発光量検出回路部からの出力電圧から前記第1制御信号を生成して第1スイッチ回路部に出力し、第2スイッチ回路部が前記電圧−電流変換回路部から出力された電流の前記レーザダイオードへの出力を開始してから所定の時間以内に前記発光量検出回路部からの出力電圧が所定の第2基準電圧以上になると、前記第1スイッチ回路部に対して、該発光量制御回路部から出力された電圧を前記電圧−電流変換回路部に出力させる第1スイッチ制御回路部と、
を備え、
前記第1スイッチ制御回路部は、
前記制御回路部から出力された第2制御信号を前記所定の時間遅延させて出力する遅延回路部と、
前記発光量検出回路部からの出力電圧と前記第2基準電圧とを比較し、該比較結果を示す信号を出力する比較回路部と、
前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号のいずれか1つを選択し第1制御信号として前記第1スイッチ回路部に出力する選択回路部と、
を備え、
前記選択回路部は、前記遅延回路部及び該比較回路部からの各出力信号の内、所定の信号レベルになった信号を選択することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8379681B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-02-19 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode driving device and image forming apparatus including the same |
US8724082B2 (en) | 2010-03-04 | 2014-05-13 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5789567B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2015-10-07 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 光ビーム制御装置及び画像形成装置 |
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