JP4128420B2 - エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エポキシ樹脂用硬化剤組成物、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。更に詳しくは、エポキシ樹脂組成物に有用な硬化剤組成物、かかる硬化剤組成物を含み、硬化性、保存性、流動性が良好で、電気・電子材料分野に好適に使用されるエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性、耐湿信頼性に優れた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
IC、LSI等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コスト、大量生産に適しているという点で広く用いられている。また、エポキシ樹脂や、硬化剤であるフェノール樹脂の改良により、半導体装置の特性、信頼性の向上が図られている。
【0003】
しかしながら、昨今の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も年々進んでおり、また、半導体装置の表面実装化も促進されている。これに伴い、半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物への要求は、益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では、解決できない(対応できない)問題も生じている。
【0004】
近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、物流・保管時の取扱い性の向上を目的とした保存性の向上が求められるようになってきている。
【0005】
電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、第三ホスフィン類、第四ホスホニウム塩類、イミダゾール類、アミン類、ホスホベタイン類などを硬化促進剤として添加するが、これらの硬化促進剤は、加熱時に迅速に硬化反応を開始するよう、比較的低温より硬化反応が進行ものが選ばれるため、エポキシ樹脂組成物を保管する際に、室温において、徐々に反応が進行してしまう。
このように、エポキシ樹脂組成物の保存性を低下させる原因となる硬化促進剤を用いる際には、諸成分混合時の厳密な品質管理、低温での保管や運搬、更に成形条件の厳密な管理が必須であり、取扱いが非常に煩雑であった。
【0006】
この問題を解決する技術として、第三ホスフィンとキノン類との付加反応物であるホスホベタインを、エポキシ樹脂組成物に添加するものがあり、該技術による樹脂組成物は良好な流動性と保存性を発揮するとされている(例えば、特許文献1参照。)。しかし、この硬化促進剤を用いても、近年要求されている常温での保存性は、十分に満足の行く特性が得られておらず、また、付加反応物の高温での分解性に起因する、耐半田性の低下が、新たに問題となっている。
【0007】
一方、トリオルガノホスフィンのホスホベタイン誘導体と、一分子中にフェノール性水酸基を2個以上含有するフェノール樹脂を、フェノール樹脂の軟化点以上の温度で加熱混合することで、良好な保存安定性と流動性、硬化性を両立する方法もある(例えば、特許文献2参照。)。しかし、ホスホベタイン誘導体の中でも融点が高いものや、結晶性が高い化合物は、該技術を用いても改善の度合が少なく、また、ホスホベタイン誘導体のなかには、高温時に分解傾向を有するものもあり、決定的な技術であるとはいえなかった。
【0008】
【特許文献1】
特開平9−157497号公報(第4頁)
【特許文献2】
特許第2765420号公報(第1−2頁)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、エポキシ樹脂組成物に良好な硬化性、流動性、および保存性を与えることができる硬化剤組成物、該特性が良好なエポキシ樹脂組成物、および、耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記(1)〜(5)の本発明により達成される。
【0011】
(1) 1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)と、下記一般式(1)で表される硬化促進剤(B)とからなり、成分(A)100重量部に対し、成分(B)2〜50重量部を、成分(A)の軟化点以上の温度で加熱混合することで製造されるエポキシ樹脂用硬化剤組成物。
【化5】
Figure 0004128420
[式中、Ar1、Ar2、Ar3は、それぞれ、置換もしくは無置換の1価の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ar4は、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の2価の芳香族基を表す。]
【0012】
(2) 前記硬化促進剤(B)が、下記一般式(2)で表されるものである、第(1)項記載の硬化剤組成物。
【化6】
Figure 0004128420
[式中、R1、R2、R3は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。]
【0013】
(3) 前記1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)が、下記一般式(3)で表されるフェノール樹脂および下記一般式(4)で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とする、第(1)項ないし第(2)項のいずれかに記載の硬化剤組成物。
【化7】
Figure 0004128420
[式中、R4〜R7は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基およびハロゲン原子から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、aは、1以上の整数である。]
【化8】
Figure 0004128420
[式中、R8〜R15は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基およびハロゲン原子から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、bは、1以上の整数である。]
【0014】
(4) 1分子内にエポキシ基を2個以上有する化合物と、第(1)項ないし第(3)項のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化剤組成物と、必要に応じさらに1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【0015】
(5) 第(4)項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明者は、前述したような問題点を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、特定構造のホスホニウム分子内塩が、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物と、特定の比率で、かつ、該フェノール性水酸基を有する化合物の軟化点以上の温度で溶融混合することで、よりすぐれた保存安定性、流動性、および硬化性を発現することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0017】
以下、本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明する。
【0018】
本実施形態のエポキシ樹脂用硬化剤組成物は、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)と、一般式(1)で表される硬化促進剤(B)とを含むものである。かかる硬化剤組成物は、エポキシ樹脂組成物に用いた場合、硬化促進剤の樹脂中への分散が向上し、局所的な反応の進行が抑制されることにより、樹脂組成物が良好な硬化性、保存性、および流動性を発揮する。
以下、各成分について順次説明する。
【0019】
本発明で用いられる、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)は、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物であれば制限はなく、従来公知の化合物を用いることができる。
この化合物(A)としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、特に、一般式(3)で表されるフェノールアラルキル樹脂および一般式(4)で表されるビフェニルアラルキル樹脂のいずれか一方または双方を主成分とするものを用いるのが好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物に使用した際の、成形時の流動性が向上し、特に、半導体装置の製造に用いた場合、得られた半導体装置の耐半田クラック性や耐湿信頼性が、より向上する。
【0020】
一般式(3)で表されるフェノールアラルキル樹脂および一般式(4)で表されるビフェニルアラルキル樹脂における、置換基R4〜R7およびR8〜R15の具体例としては、それぞれ、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、塩素原子、臭素原子等が挙げられるが、これらの中でも、特に、水素原子またはメチル基であるのが好ましい。かかるフェノール樹脂は、それ自体の溶融粘度が低いため、エポキシ樹脂組成物中に含有しても、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低く保持することができ、その結果、例えば半導体装置の製造時等に、その取り扱いが容易となる。また、エポキシ樹脂組成物の硬化物(得られる半導体装置)の吸水性(吸湿性)が低減して、耐湿信頼性がより向上するとともに、耐半田クラック性もより向上する。
また、前記一般式(3)における繰り返し単位a、および、前記一般式(4)における繰り返し単位bは、それぞれ、1以上の整数であれば、特に限定されず、1〜10程度であるのが好ましく、1〜5程度であるのがより好ましい。aおよびbを、それぞれ、前記範囲とすることにより、エポキシ樹脂組成物に添加した際に、好適な流動性を得ることができる。
【0021】
本発明で用いられる、硬化促進剤(B)は、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進し得る作用(機能)を有し、一般式(1)で表されるものであり、一般式(2)で表されるものであるのがより好ましい。
ここで、前記一般式(1)において、リン原子に結合する置換基Ar1、Ar2、Ar3は、それぞれ、置換もしくは無置換の1価の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ar4は、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の2価の芳香族基を表す。これらの置換基Ar1〜Ar3の具体例としては、例えば、ナフチル基、p−ターシャリーブチルフェニル基、2,6−ジメトキシフェニル基等の置換もしくは無置換の1価の芳香族基が挙げられ、Ar4の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、または、これらにハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜12のアルキル基やアルコキシ基等の水酸基以外の置換基により置換された芳香族基が挙げられる。
また、前記一般式(2)における、芳香環上の置換基R1、R2、R3は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
【0022】
本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物に用いる、硬化促進剤成分は、公知の手法で合成することができる。具体的には、ジアゾ化合物より誘導する手法等が利用できる。具体的には、メトキシ基を芳香環上に置換基として有する芳香族アミン化合物を、亜硝酸ナトリウム等のジアゾ化試薬と接触させてジアゾニウム化合物とし、これを第三ホスフィンと反応させて得た中間体を、ピリジン塩酸塩等の脱エーテル試薬を用いて、メトキシ基をフェノール性水酸基に変換することで得ることができる。
【0023】
本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物に用いる硬化促進剤は、分子内に分極構造を有するため、堅固な結晶構造と高い融点を有している。このような化合物に対し、フェノール性水酸基を有する化合物を溶融させると、詳細な作用機構は不明であるが、本発明者らの予想するところでは、硬化剤中のフェノール性水酸基が、硬化促進剤の構造中のベタイン構造に、静電気的作用により働きかけることで、加熱混合時に結晶構造の崩壊を促進すると考えられる。その結果、樹脂組成物中に本発明の硬化剤組成物を添加した場合に、硬化促進剤が良好に硬化剤組成物中に分散し、硬化促進剤をエポキシ樹脂組成物に直接投入した場合に比べて分散性に優れる。
【0024】
本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物への、硬化促進剤(B)の含有量(配合量)は、フェノール性水酸基を有する化合物(A)100重量部に対し、2〜50重量部を添加することが好ましい。硬化促進剤(B)の含有量が前記範囲を上回る場合、本発明の硬化剤組成物をエポキシ樹脂組成物に添加する際に、分散性が十分に発揮されなくなり、流動性や保存安定性を損なう場合がある。また、前記範囲を下回る場合、十分な硬化性を得るために必要な添加量が極めて多くなり、エポキシ樹脂組成物にした際の、エポキシ樹脂成分と硬化剤成分のバランスが悪くなり、硬化物の特性を低下させる場合がある。
【0025】
本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物の製法としては、各成分を、フェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)の軟化点以上の温度で、加熱混合することにより、行われる。
【0026】
本発明において、成分(A)の軟化点を測定する方法としては、具体的には、温度傾斜をつけた金属板上に、該化合物の粉末を散布し、1分後に、該化合物粉末を刷毛で払ったときに金属板に溶融付着する点の、表面温度を測定して軟化点とするコフラーベンチ法などにより測定することができる。また、成分(A)として、複数の化合物を混合したものを使用する場合は、予め、これらの化合物を、均一に溶融混合した後に、前記コフラーベンチ法などにより、軟化点を測定することができる。
【0027】
具体的に各成分を溶融混合する条件としては、成分(A)の軟化点より10〜150℃高い温度で、20〜200分間混合するのが良い。このような溶融混合には、従来公知の装置および手法を使用することができる。具体的には、各成分を混合した物を、加熱ニーダーや、加熱ロール等の器具を用い、溶融混合し、硬化剤組成物を得ることができる。
また、前記溶融混合の際に、各成分を添加する順番を、添加する化合物に応じて、適宜調整することは、何ら問題は無い。例えば、フェノール性水酸基を有する化合物(A)を、初めに加熱溶融し、その後に、硬化促進剤(B)を加えることができる。また、複数のフェノール性水酸基を有する化合物を利用する場合に、予めそのうちの一成分を加熱溶融した後、その他の成分を加えることもできる。
【0028】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、1分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物と、前記エポキシ樹脂用硬化剤組成物とを含んでなるものである。また、必要により、さらに、前記エポキシ樹脂用硬化剤組成物に用いた1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物(A)とは別に、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物を用いることができる。
【0029】
本発明に用いる1分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物としては、従来公知の化合物が利用できる。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂など、フェノール類やフェノール樹脂、ナフトール類などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ樹脂、エポキシ化合物、または、その他に、脂環式エポキシ樹脂のように、オレフィンを、過酸を用いて酸化させエポキシ化したエポキシ樹脂や、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
【0030】
また、必要に応じて、さらに添加される、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物としては、本発明のエポキシ樹脂用硬化剤組成物を得るために用いたものと同じ化合物でもよく、また、異なっていてもよい。この追加のフェノール性水酸基を有する化合物は、エポキシ樹脂組成物における、エポキシ基と、フェノール性水酸基の比を調整する目的で使用される。
【0031】
本発明のエポキシ樹脂組成物における、エポキシ基とフェノール性水酸基の比は、エポキシ基1モルに対し、硬化剤組成物、および、追加で用いたフェノール性水酸基を有する化合物のフェノール性水酸基の総量が0.5〜2モル程度となるように用いるのが好ましく、0.7〜1.5モル程度となるように用いるのがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性がより向上する。
【0032】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記の成分の他に、必要に応じて、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合するようにしてもよい。
【0033】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記成分、および、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて、常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得られる。
【0034】
このようにして得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。
このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性および耐湿信頼性に優れる。その理由は、本発明の硬化促進剤であるホスホニウム分子内塩(C)の半田条件(例えば半田リフロー工程等)における安定性に関係すると考えられる。
以上、本発明の硬化促進剤、硬化促進剤の製造方法、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【0035】
【実施例】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
【0036】
まず、硬化促進剤として使用する化合物C1〜C4を用意した。
[硬化促進剤の合成]
各化合物C1〜C4は、それぞれ、以下のようにして合成した。
【0037】
(化合物C1の合成)
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ(容量:500mL)に、o−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)と、予め濃塩酸(37%)25mLを200mLの純水に溶解した塩酸水溶液とを供給し、攪拌下で溶解した。
その後、セパラブルフラスコを氷冷して、内温を0〜5℃に保ちながら、亜硝酸ナトリウム7.2g(0.104mol)の水溶液20mLを、前記溶液にゆっくりと滴下した。
次に、セパラブルフラスコ内に、トリフェニルホスフィン20.0g(0.076mol)の酢酸エチル溶液150mLを滴下し、20分攪拌した。
その後、セパラブルフラスコ内に、水酸化ナトリウム8.0g(0.200mol)の水溶液20mLをゆっくり滴下し、約1時間激しく攪拌した。
次に、窒素の発泡がおさまった後に、pH3以下になるまで希塩酸を加え、ヨウ化ナトリウム30g(0.200mol)を添加して、生成した沈殿を濾過、乾燥し、2−メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムヨーダイドの赤褐色結晶29.7gを得た。
次に、冷却管および撹拌装置付きの500mLのセパラブルフラスコ(容量:500mL)に、前記2−メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムヨーダイド29.7g(0.060mol)、ピリジン塩酸塩88.7g(0.769mol)、無水酢酸12.0g(0.118mol)とを供給し、還流・攪拌下200℃で5時間加熱した。
反応終了後、反応物を室温まで冷却し、セパラブルフラスコ内へヨウ化ナトリウム3.3g(0.022mol)の水溶液250mLを投入した。析出した固形物を濾過・乾燥し、2−ヒドロキシフェニルトリフェニルホスホニウムヨーダイドの褐色固形物24.1gを得た。
次に、冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ(容量500mL)に、前記2−ヒドロキシフェニルトリフェニルホスホニウムヨーダイド24.1g(0.050mol)と、メタノール100mLとを供給し、攪拌下で溶解し、10%の炭酸水素ナトリウム水溶液125mLを、撹拌下ゆっくり攪拌した。
その後、炭酸ガスの発泡がおさまったところで、約70℃で2分間程度加温し、冷却後、析出した結晶を濾過・乾燥し、黄褐色の結晶15.9gを得た。
この化合物をC1とする。化合物C1を、1H−NMR、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式(5)で表される目的のホスホニウム分子内塩であることが確認された。得られた化合物C1の収率は、59%であった。
【0038】
【化9】
Figure 0004128420
【0039】
(化合物C2の合成)
o−メトキシアニリンに代わり、p−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に褐色の結晶12.0gを得た。
この化合物をC2とした。化合物C2を、1H−NMR、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式(6)で表される目的のホスホニウム分子内塩であることが確認された。得られた化合物C2の収率は、45%であった。
【0040】
【化10】
Figure 0004128420
【0041】
(化合物C3の合成)
o−メトキシアニリンに代わり、2−メトキシ−−メチルアニリン13.7g(0.100mol)を用い、また、トリフェニルホスフィンに代わり、トリ−p−トリルホスフィン23.1g(0.076mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に褐色の結晶17.0gを得た。
この化合物をC3とする。化合物C3を、1H−NMR、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式(7)で表される目的のホスホニウム分子内塩であることが確認された。得られた化合物C3の収率は、55%であった。
【0042】
【化11】
Figure 0004128420
【0043】
(化合物C4の合成)
o−メトキシアニリンに代わり、p−メトキシアニリン12.3g(0.100mol)を用い、また、トリフェニルホスフィンに代わり、トリ−p−トリルホスフィン23.1g(0.076mol)を用いた以外は、前記化合物C1の合成と同じ手順で合成を行い、最終的に褐色の結晶16.3gを得た。
この化合物をC4とした。化合物C4を、1H−NMR、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式(8)で表される目的のホスホニウム分子内塩であることが確認された。得られた化合物C4の収率は54%であった。
【0044】
【化12】
Figure 0004128420
【0045】
硬化剤の合成]
本発明の硬化剤1〜7、および比較用の硬化剤8、9は、以下のようにして合成した。
【0046】
(硬化剤1の合成)
1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃、水酸基当量104)を100重量部、硬化促進剤成分として、上記で得た化合物C1の5.3重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、120℃のオイルバス中30分間加熱溶融混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、本発明の硬化剤組成物である硬化剤1を得た。
【0047】
(硬化剤2の合成)
硬化剤1の合成において、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、下記式9の化合物(明和化成製、MEH−7851SS。軟化点68℃、水酸基当量199)を100重量部使用し、加熱条件を100℃のオイルバス中45分間に換えた他は、硬化剤1と同様に行い、本発明の硬化剤組成物である硬化剤2を得た。
【0048】
【化13】
Figure 0004128420
【0049】
(硬化剤3の合成)
1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、下記式10の化合物(三井化学製、XLC−LL。軟化点77℃、水酸基当量172)を100重量部、硬化促進剤成分として、上記で得た化合物C2の11.1重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、110℃のオイルバス中60分間加熱溶融混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、本発明の硬化剤組成物である硬化剤3を得た。
【0050】
【化14】
Figure 0004128420
【0051】
(硬化剤4の合成)
硬化剤3の合成において、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、一般式9の化合物(明和化成製、MEH−7851SS。軟化点68℃、水酸基当量199)を100重量部使用し、加熱条件を100℃のオイルバス中45分間に換えた他は、硬化剤3と同様に行い、本発明の硬化剤組成物である硬化剤4を得た。
【0052】
(硬化剤5の合成)
1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃、水酸基当量104)を100重量部、硬化促進剤成分として、上記で得た化合物C3の11.1重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、120℃のオイルバス中30分間加熱溶融混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、本発明の硬化剤組成物である硬化剤5を得た。
【0053】
(硬化剤6の合成)
硬化剤5の合成において、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、一般式9の化合物(明和化成製、MEH−7851SS。軟化点68℃、水酸基当量199)を100重量部使用し、加熱条件を100℃のオイルバス中45分間に変えたほかは、硬化剤5と同様に行い、本発明の硬化剤組成物である硬化剤6を得た。
【0054】
(硬化剤7の合成)
1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、一般式10の化合物(三井化学製、XLC−LL。軟化点77℃、水酸基当量172)を100重量部、硬化促進剤成分として、上記で得た化合物C4の11.1重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、110℃のオイルバス中60分間加熱溶融混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、本発明の硬化剤組成物である硬化剤7を得た。
【0055】
(硬化剤8の合成)
特許2765420号公報記載の手法により、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、一般式10の化合物(三井化学製、XLC−LL。軟化点77℃、水酸基当量172)を100重量部、硬化促進剤成分として、トリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンの付加物を5.3重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、140℃のオイルバス中30分間加熱した後、60分間混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、比較用の硬化剤である硬化剤8を得た。
【0056】
(硬化剤9の合成)
特許2765420号公報記載の手法により、1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、フェノールノボラック樹脂(軟化点92℃、水酸基当量104)を100重量部、硬化促進剤成分として、トリフェニルホスフィンと無水マレイン酸の付加物5.3重量部を、温度計および冷却管付きの5Lセパラブルフラスコに入れ、160℃のオイルバス中30分間加熱した後、60分間混合し、得られた溶融混合物を冷却後粉砕して、比較用の硬化剤である硬化剤9を得た。
【0057】
[エポキシ樹脂組成物の調製および半導体装置の製造]
(実施例1〜7、比較例1〜4)
前記硬化剤1〜9、エポキシ樹脂、および必要に応じその他の硬化剤、その他の成分を、表1に記載の比率で、室温で混合し、さらに熱ロールを用いて95℃で8分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、100ピンTQFP(Thin Quad Flat Package)のパッケージ(半導体装置)を8個、および、16ピンDIP(Dual Inline Package)のパッケージ(半導体装置)を15個、それぞれ製造した。
100ピンTQFPは、金型温度175℃、注入圧力7.4MPa、硬化時間2分でトランスファーモールド成形し、175℃、8時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この100ピンTQFPのパッケージサイズは、14×14mm、厚み1.4mm、シリコンチップ(半導体素子)サイズは、8.0×8.0mm、リードフレームは、42アロイ製とした。
また、16ピンDIPは、金型温度175℃、注入圧力6.8MPa、硬化時間2分でトランスファーモールド成形し、175℃、8時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この16ピンDIPのパッケージサイズは、6.4×19.8mm、厚み3.5mm、シリコンチップ(半導体素子)サイズは、3.5×3.5mm、リードフレームは、42アロイ製とした。
【0058】
[特性評価]
各実施例および各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価▲1▼〜▲3▼、および、各実施例および各比較例で得られた半導体装置の特性評価▲4▼および▲5▼を、それぞれ、以下のようにして行った。
▲1▼:スパイラルフロー
EMMI−I−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度175℃、注入圧力6.8MPa、硬化時間2分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
▲2▼:硬化トルク
キュラストメーター(オリエンテック(株)製、JSRキュラストメーターIV PS型)を用い、175℃、45秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
▲3▼:フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中40℃で1週間保存した後、前記▲1▼と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率(%)を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
▲4▼:耐半田クラック性
100ピンTQFPを85℃、相対湿度85%の環境下で168時間放置し、その後、260℃の半田槽に10秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率=(クラックが発生したパッケージ数)/(全パッケージ数)×100として、百分率(%)で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率=(剥離面積)/(シリコンチップの面積)×100として、8個のパッケージの平均値を求め、百分率(%)で表示した。
これらのクラック発生率および剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
▲5▼:耐湿信頼性
16ピンDIPに、125℃、相対湿度100%の水蒸気中で、20Vの電圧を印加し、断線不良を調べた。15個のパッケージのうち8個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で500時間とし、その時点で不良パッケージ数が8個未満であったものは、不良時間を500時間超(>500)と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。
各特性評価▲1▼〜▲5▼の結果を、表1に示す。
【0059】
【表1】
Figure 0004128420
【0060】
表1に示すように、各実施例で得られたエポキシ樹脂組成物(本発明のエポキシ樹脂組成物)は、いずれも、硬化性、保存性、流動性が極めて良好であり、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ(本発明の半導体装置)は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例1および比較例2で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、保存性に劣り、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性に劣るとともに、耐湿信頼性が極めて低いものであった。また、比較例3で得られたエポキシ樹脂組成物は、硬化剤と硬化促進剤の溶融混合を行っていないため、実施例に比べ流動性と保存性に劣る。比較例4で得られたエポキシ樹脂組成物は、硬化性、保存性、流動性が極めて悪く、得られたパッケージは耐半田クラック性に劣るものであった。
【0061】
【発明の効果】
本発明によれば、硬化促進剤を従来通りに添加した場合に比べ、硬化促進剤の分散性に優れるエポキシ樹脂用硬化剤組成物が得られ、これをエポキシ樹脂組成物に添加した際に、常温での保存性に優れ、成形時に高い流動性を得ることができる。また、該エポキシ樹脂組成物を用いて作成されたパッケージは、高温に曝された場合であっても、この硬化物に欠陥が生じるのを好適に防止することができ、良好な信頼性を発揮することができる。

Claims (5)

  1. 1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)と、一般式(1)で表される硬化促進剤(B)とからなり、成分(A)100重量部に対し、成分(B)2〜50重量部を、成分(A)の軟化点以上の温度で加熱混合することで製造されるエポキシ樹脂用硬化剤組成物。
    Figure 0004128420
    [式中、Ar1、Ar2、Ar3は、それぞれ、置換もしくは無置換の1価の芳香族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ar4は、水酸基以外の置換基により置換もしくは無置換の2価の芳香族基を表す。]
  2. 硬化促進剤(B)が、一般式(2)で表されるものである、請求項1記載のエポキシ樹脂用硬化剤組成物。
    Figure 0004128420
    [式中、R1、R2、R3は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基および水酸基から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。]
  3. 1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(A)が、一般式(3)で表されるフェノール樹脂および一般式(4)で表されるフェノール樹脂の少なくとも一方を主成分とする、請求項1または2に記載のエポキシ樹脂用硬化剤組成物。
    Figure 0004128420
    [式中、R4〜R7は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基およびハロゲン原子から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、aは、1以上の整数である。]
    Figure 0004128420
    [式中、R8〜R15は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基およびハロゲン原子から選択される1種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、bは、1以上の整数である。]
  4. 1分子内にエポキシ基を2個以上有する化合物と、請求項1ないし3のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化剤組成物とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
  5. 請求項4に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4152161B2 (ja) * 2002-10-07 2008-09-17 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂用硬化剤組成物、該硬化剤組成物を用いたエポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4752332B2 (ja) * 2002-10-18 2011-08-17 日立化成工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP4752333B2 (ja) * 2002-10-18 2011-08-17 日立化成工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP2005256009A (ja) * 2002-10-18 2005-09-22 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP2004156035A (ja) * 2002-10-18 2004-06-03 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性樹脂の硬化促進剤、硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP2005240046A (ja) * 2002-10-18 2005-09-08 Hitachi Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP4341247B2 (ja) * 2003-01-07 2009-10-07 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2004231800A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd アニオン触媒、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4496778B2 (ja) * 2004-01-08 2010-07-07 住友ベークライト株式会社 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
US7431990B2 (en) * 2004-05-27 2008-10-07 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
JP4747584B2 (ja) * 2005-01-18 2011-08-17 住友ベークライト株式会社 半導体用液状封止樹脂組成物及びそれを用いて封止される半導体装置
JP5899498B2 (ja) * 2011-10-13 2016-04-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置
JP6889031B2 (ja) * 2017-05-30 2021-06-18 株式会社Adeka 重合開始剤及び該重合開始剤を含有する硬化性組成物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1059692A (en) * 1974-06-21 1979-07-31 George A. Doorakian Latent catalysts for promoting reaction of epoxides with phenols and/or carboxylic acids
JPH0340459A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2765420B2 (ja) * 1992-12-10 1998-06-18 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂用硬化剤の製造方法
JP2000273155A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いた半導体装置
JP4569076B2 (ja) * 2002-06-05 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置

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