JP4120887B2 - 日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材 - Google Patents
日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材 Download PDFInfo
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Description
しかし、これらの材料では熱効果に大きく寄与する赤外線以外に、可視光も同時に反射もしくは吸収する性質があるため、可視光透過率が低下する問題があった。そして、建材、乗り物、電話ボックスなどに用いる透明基材では可視光領域の高い透過率が必要とされることから、上記材料を利用する場合は膜厚を非常に薄くしなければならなかった。このため、スプレー焼付けやCVD法、あるいはスパッタリング法や真空蒸着法などの物理成膜法を用いて10nmレベルの薄膜を成膜して用いられることが通常行われてきた。
しかしながら、これらの成膜方法は大がかりな装置や真空設備を必要とし、生産性や大面積化に問題があり、膜の製造コストが高くなるといった欠点がある。また、これ等材料で日射遮蔽特性(波長域300〜2100nmの光を遮蔽する特性)を高くしようとすると、可視光領域の吸収率および反射率も同時に高くなってしまう傾向があり、鏡のようなギラギラした外観を与えて美観を損ねてしまう。さらに、これらの材料では膜の導電性が高いものが多く、膜の導電性が高いと携帯電話やTV、ラジオなどの電波を反射して受信不能になったり、周辺地域に電波障害を引き起こすなどの問題がある。
このような従来の欠点を改善するには、膜の物理特性として、可視光領域の光の反射率が低くて赤外線領域の吸収率または反射率が高く、かつ膜の表面抵抗が概ね106Ω/□以上必要であると考えられる。
ところで、可視光透過率が高くしかも赤外領域の透過率が低い特性(以下、日射遮蔽特性と記載する。)を持つ材料の一つとしてインジウム錫酸化物(以下、ITOと略して記載する。)が知られている。このITOを利用すれば、日射遮蔽機能を有する材料が得られると考えられる。
ここで、このITO粉末を得るには、一般的に、インジウム塩と錫塩の混合水溶液に沈殿剤を添加して共沈させ、この沈殿物を乾燥焼成する方法(共沈法)が知られている。例えば、特許文献1には、1000nm以下の赤外線領域内またはその近傍のある波長から長波長側の赤外線を全面的に90%以上カットオフする機能を持たせるために、ITO粉末の原料、若しくは大気中で焼成したITO粉末を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
また、特許文献2には、ITOの低抵抗化を安定的に行なう処理方法としてアルコール雰囲気下で加熱処理する方法が記載されている。特許文献3には、透明性および赤外線遮蔽性に優れたITO膜を得るためのITO微粉末の製造方法として、錫塩およびインジウム塩の混合溶液を30℃以下に保持しながら、反応系のpHが最終的に5.0〜9.0となるように、アルカリ水溶液を0.5〜12時間の添加時間で添加して得られた水和物を不活性ガス雰囲気下あるいは還元性ガス雰囲気下で加熱処理する方法等が記載されている。
特許文献4には、量産性に優れ、導電特性が均一で、ばらつきの少ない超微粒、低抵抗導電性ITO粉末の製造方法として、2種以上の遷移金属の組み合わせから成る導電性酸化物原料を加圧不活性ガス中で熱処理する方法が記載されている。
しかし、上述のITO粉末は、いずれもインジウム化合物にSn化合物がSn換算で約1〜15重量%添加されたものであり、主金属が高価なインジウムであることから材料コストが高いという問題があった。そこで、本発明者らは、所定の日射遮蔽特性を有しながら、上述したITOを代替できる、安価で製造が容易な日射遮蔽材料を探索した。
ここで、インジウム含有量の少ない物質として、従来、導電材料の開発分野において、少なくとも1種のドーパントを含む酸化インジウム系導電性粉末と、少なくとも1種のドーパントを含む酸化スズ系導電性粉末とを、3:7〜7:3で混合し焼成した複合導電性粉末(特許文献5)、導電膜材料として酸化インジウムと酸化スズを混合し空気中で焼成することで得られたIn4Sn3O12(非特許文献1)、スパッタリング法を用いて成膜されたIn4Sn3O12透明導電膜(非特許文献2)等が知られていた。
特許文献1:特開平7−69632号公報
特許文献2:特開平5−24837号公報
特許文献3:特許第3122375号公報
特許文献4:特開平7−21831号公報
特許文献5:特開平7−335031号公報
非特許文献1:H.Enoki and J.Echigoya:Phys.Status Solidi(a),132,K1(1992)
非特許文献2:透明導電膜の新展開,シーエムシー,p.58(1993)
また、非特許文献2に記載の発明は、生産コストの高い物理的成膜法で形成される透明導電膜に関するものであり、本発明が目的とする生産コストの安い日射遮蔽膜には適用できないものであった。
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、従来のITO等に比べて原料コストが安価で、かつ容易に製造することが可能で生産性も高い、日射遮蔽用複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することを目的とする。
上述の課題を解決する第1の手段は、微粒子の平均1次粒子径が400nm以下であり、かつ、L*a*b*表色系における粉体色がL*は30〜70、a*は−9.0〜−0.1、b*は−15.0〜4.0であることを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子である。
第2の手段は、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第1項記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子である。
第3の手段は、錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、1200℃以上で焼成してIn4Sn3O12複合酸化物微粒子を得る工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法である。
第4の手段は、錫化合物と、インジウム化合物と、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第1の工程と、前記第1の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とSb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第2の工程と、前記第2の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において、1200℃以上で焼成して、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含むIn4Sn3O12複合酸化物微粒子を得る第3の工程と、を具備することを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法である。
第5の手段は、前記In4Sn3O12複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程、を具備することを特徴とする請求の範囲第3項または第4項記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法である。
第6の手段は、前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のpHが4.0〜9.0であることを特徴とする請求の範囲第3項〜第5項のいずれか1項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法である。
第7の手段は、前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が1mS/cm以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第3項〜第6項のいずれか1項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法である。
第8の手段は、溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第1項または第2項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第9の手段は、ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択される少なくとも1種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第8項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第10の手段は、無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第8項または第9項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液である。
第11の手段は、請求の範囲第8項〜第10項のいずれか1項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜である。
第12の手段は、ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第11項記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第13の手段は、請求の範囲第1項または第2項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子または請求の範囲第8項〜第10項のいずれか1項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
第14の手段は、請求の範囲第12項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第13項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材である。
以上詳述したように、本発明によれば、従来のITO等に比べて、安価にかつ簡便に製造することを可能とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子及びその製造方法並びに日射遮蔽膜形成用塗布液及び日射遮蔽膜及び日射遮蔽用基材を提供することができる。
ここで、本発明者は、物質の光透過性の波長依存性が、物質固有のプラズマ周波数に依存することに着目した。すなわち、光と物質内の電子の相互作用の結果として、物質にはそれぞれ固有のプラズマ周波数があるが、この固有プラズマ周波数より長波長の光は反射され、短波長の光は透過されることが知られている。プラズマ周波数ωpは式(1)で表される。
ωp 2=nq2/εm (1)
ここで、nは伝導電子密度、qは電子の電荷、εは誘電率、mは電子の有効質量である。
プラズマ周波数は、一般に、物質の伝導電子密度に依存し、伝導電子密度が増加するとプラズマ周波数も大きくなり、短波長側の光まで反射されることになる。
例えば、金属の伝導電子密度は、1022/cm3台であるのに対して、従来のITOは、1021/cm3台である。このため、金属では可視光領域からすでに反射率が高くなるが、ITOでは、可視光線は透過し近赤外線域から反射率が高くなる。
本願発明者は、従来のITOの伝導電子密度と同程度の伝導電子密度を有する物質を探索した。その結果、In4Sn3O12複合酸化物が見出された。このIn4Sn3O12複合酸化物は、従来のITOと同じ酸化インジウム−酸化スズ系の物質であるが、従来のITOが、Snを有する物質をSn換算で約1〜15重量%含むものであるのに対して、In4Sn3O12複合酸化物は、Snを有する物質をSn換算で約39重量%含むものである点で相違する。つまり、高価なInの含有量が従来のITOに比較して非常に少ないので、安価である。しかし、従来の技術に係るIn4Sn3O12複合酸化物(例えば、非特許文献1に記載されたIn4Sn3O12複合酸化物)は、上述したように所望の可視光透過率を確保しながら日射透過率を低減することができないことに加え、所謂、高ヘイズな膜となってしまい、日射遮蔽用の膜としての特性を有していないものであった。
ここで、本発明者らは試行錯誤を重ね、日射遮蔽材料として所定の特性を有する、平均1次粒子径400nm以下であり、かつ、L*a*b*表色系における粉体色L*が30〜70、a*が−9.0〜−0.1、b*が−15.0〜4.0である日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物に想到した。
当該日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物の平均1次粒子径を400nm以下としたのは、平均1次粒子径を400nm以下とすることで、当該複合酸化物が散乱源となって膜に曇り、つまりヘイズを生じたり、可視光透過率が減少する原因となるのを回避できるからである。なお、本明細書において粒子の大きさは、平均1次粒子径をもって表しているが、前記の理由により、400nmを超えるような粗粉の割合が少ない粒度分布の狭い微粉であることが好ましい。
さらに、In4Sn3O12複合酸化物微粒子は、L*a*b*表色系における粉体色L*が30〜70、a*が−9.0〜−0.1、b*が−15.0〜4.0である理由は、以下のように考えられる。
In4Sn3O12複合酸化物微粒子を、不活性ガス単独、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスやアルコール含有不活性ガス雰囲気下で熱処理すると、その粉体色が黄色→黄緑色→淡青色→暗青色と変化すると同時に、その圧粉抵抗も減少する。これは、In4Sn3O12複合酸化物微粒子を前記のようなガス雰囲気下で熱処理することによって微粒子中に空孔が生じ、この空孔の増加によって、微粒子中の自由電子が増加したと考えられる。即ち、微粒子の粉体色と伝導電子密度、つまりプラズマ周波数とは深い関係があることが予想される。
そこで、In4Sn3O12複合酸化物微粒子と、これらを成膜したときの日射透過率との関係を詳しく調査して、850nmの透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する条件を求めたところ、In4Sn3O1 2複合酸化物微粒子のL*a*b*表色系による粉体色L*が30〜70、a*が−9.0〜−0.1、b*が−15.0〜4.0の範囲にあるとき、上記所望の日射遮蔽機能を発揮することに想到したものである。
また、必要に応じ、所望の機能における特性改善の目的で、In4Sn3O12複合酸化物微粒子へ、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を添加することも好ましい構成である。
次に、上述の手段に係る日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法について説明する。
第1の工程は、錫化合物とインジウム化合物、または、錫化合物とインジウム化合物へ、さらに必要に応じてSb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含む化合物を含有させた原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程である。
第2の工程は、第1の工程で得た沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄した後、乾燥してインジウムと錫から成る水酸化物粉末を得る工程である。
第3の工程は、第2の工程で得た水酸化物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、1200℃以上で焼成してIn4Sn3O12複合酸化物粒子を得る工程である。
第4の工程は、第3の工程で得たIn4Sn3O12複合酸化物粒子を、メカニカルな方法によって解砕して該In4Sn3O12複合酸化物微粒子から成る日射遮蔽材料を得る工程である。
以下、各工程について、さらに詳細に説明する。
まず、第1の工程において、本発明において適用されるインジウム化合物および錫化合物は特に限定されるものでなく、例えば、硝酸インジウム、塩化インジウム、塩化錫、硝酸錫などが挙げられる。
必要に応じて添加するSb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含む化合物は、特に限定されないが、水溶性もしくは有機溶媒に可溶のものが好ましい。添加量は、添加する化合物の元素をXとした場合、X/(In2O3もしくはSnO2+X)が、0.1〜15重量%であることが好ましい。この範囲内であれば、所望とする日射遮蔽特性を得ることができるためである。
また、本発明で用いるアルカリ溶液も特に限定されず、例えば、炭酸水素アンモニウム、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの各水溶液が挙げられる。アルカリ分の濃度は、各塩が水酸化物あるいは水和物となるに必要な化学当量以上、好ましくはアルカリ残留による洗浄時間の観点から当量〜当量の1.5倍過剰量とすることが良い。このときの溶液温度は特に限定されないが、生産性の観点からは通常100℃以下とすることが好ましい。溶液温度の下限は、得られるIn4Sn3O12複合酸化物微粒子の特性から特に限定されないが、低すぎると新たに冷却装置などが必要になってくることから、生産性の観点より、そのような装置を要しない温度とすることが好ましい。
中和反応の時間は特に限定されないが、生産性の観点から30分未満、好ましくは25分以下とする事が望ましい。中和反応終了後、系内の均一化を図るために継続的に攪拌しながら熟成を行うが、そのときの温度は共沈温度と同温とする。また、時間は特に限定されないが、生産性の観点から30分以下、好ましくは15分以下であると良い。
ここで沈殿物として、水酸化物あるいは水和物が得られるが、In4Sn3O12複合酸化物微粒子の平均1次粒子の大きさは、およそこの段階で定まるため、数nm〜100nmとなるよう条件を制御する必要がある。このためには、溶液中の原料濃度を高くして沈殿成分イオンの濃度(Q)を大きくし、溶液温度を低くして沈殿の溶解度(S)を低下させ、相対過飽和度比(但し、相対過飽和度比=(Q−S)/Sである。)の値を大きくすることが好ましい。当該相対過飽和度比の値が大きい状態から沈殿を生成すると、一度に多数の沈殿成分の核が発生し、均一で微細な沈殿物が得られる。また、原料混合溶液と、アルカリ溶液とを反応させた後の溶液のpHを4.0〜9.0とすることが粒径制御の上で好ましい。pHが低い方が析出する沈殿の粒径が細かくなる傾向にあるが、低すぎると沈殿物の析出が不十分となり、一方、高すぎると、一部の沈殿物の再溶解によって沈殿物の粒径が大きくなり過ぎるからである。
次に、第2の工程において、第1の工程で熟成させて得られた沈殿物を、デカンテーションにより十分洗浄する。このとき、沈殿物中の残留不純物が、In4Sn3O12複合酸化物の光学特性、特に日射遮蔽率が低下する原因となる等の影響から、洗浄上澄み液の電導度が1mS/cm以下(残留する塩素不純物量が0.2重量%以下に相当する。)まで洗浄した後、乾燥する。洗浄処理後の乾燥温度やその時間は特に限定されるものではない。
次に、第3の工程において、第2の工程で乾燥処理された水酸化物あるいは水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行う。当該熱処理を大気中で行ってもIn4Sn3O12複合酸化物が得られるが、当該In4Sn3O12複合酸化物は電子密度が不十分であることから日射遮蔽特性が低い。このときの熱処理温度はIn4Sn3O12複合酸化物粒子生成の観点から1200℃以上、より好ましくは1300℃以上、さらに好ましくは1400℃以上である。1200℃以上であれば、酸化インジウムと酸化スズの二相に分離した混相ではなく複合酸化物を得ることができるからである。上限温度は特に限定されないが、1600℃以下であれば焼結による粒子の過度の成長を回避することができる。粒子が過度に成長すると後工程における粉砕操作、例えば塗布液調製時のビーズミルによる解砕・分散効率が低下し、日射遮蔽膜を形成した段階で高ヘイズの原因となる。従って、熱処理温度としては1400〜1600℃が好ましく、最も好ましいのは1500℃である。
なお、In4Sn3O12複合酸化物粒子前駆体である第2の工程で乾燥処理された水酸化物粉末あるいは水和物を、一旦大気中で焼成して酸化インジウムと酸化スズの混相を生成させた後、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を施した場合も、本発明と同様のIn4Sn3O12複合酸化物微粒子が得られる。しかし、この場合は、焼成工程が2工程となるため、生産性の観点からは、上述したように始めから不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で熱処理を行うことが好ましい。
次に、第4の工程において、In4Sn3O12複合酸化物粒子の解砕処理はメカニカルな方法によって行うことが望ましい。解砕処理方法は、複合酸化物粒子の一次粒子の凝集を壊し、一部粒成長した粒子を粉砕して微粒子化できるものであれば特に限定されないが、解砕効率を考慮するとジェットミルのような自粉衝突型粉砕機やビーズミルのようなメディア媒介型の解砕装置が好ましい。以上説明した、工程により、可視光透過率が高く、かつ高い日射遮蔽性能を発揮する日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子を得ることができる。
次に、当該日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子を用いた、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液、および、その製造方法について詳細に説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液は、上記In4Sn3O12複合酸化物粒子を日射遮蔽材料として溶媒中に分散したものである。分散溶媒は特に限定されるものではなく、塗布条件、塗布環境に合わせて適宜選択できる。さらに、日射遮蔽膜形成用塗布液中へ無機バインダーや樹脂バインダーを含有させた時は当該バインダーに合わせて適宜選択できる。具体例としては、水やエタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ジアセトンアルコールなどのアルコール類、メチルエーテル,エチルエーテル,プロピルエーテルなどのエーテル類、エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、イソブチルケトンなどのケトン類といった各種の有機溶媒が使用可能であり、また必要に応じて酸やアルカリを添加してpH調整してもよい。さらに、塗布液中の微粒子の分散安定性を一層向上させるため各種の界面活性剤、カップリング剤などの添加も勿論可能である。
また、必要に応じて日射遮蔽膜形成用塗布液中へ配合される無機バインダーや樹脂バインダーについても、その種類は特に限定されるものではない。例えば、無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物あるいはオルガノシラザンが利用でき、樹脂バインダーとして、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などが利用できる。
日射遮蔽膜形成用塗布液製造時における、In4Sn3O12複合酸化物粒子の分散方法は、溶媒中に均一に分散される方法であれば特に限定されず、例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、超音波ホモジナイザーなどが挙げられる。
この塗布液を用いて日射遮蔽膜を形成したときの膜の導電性は、In4Sn3O12複合酸化物微粒子の接触箇所を経由した導電パスに沿って電子が移動することで得られる。そこで、日射遮蔽膜形成用塗布液中の、例えば界面活性剤やカップリング剤の量を加減することで、導電パスを部分的に切断することができ、膜の導電性を106Ω/□以上の表面抵抗値へ低下させることは容易である。また、日射遮蔽膜形成用塗布液中への、無機バインダーあるいは樹脂バインダーの含有量の加減によっても日射遮蔽膜の導電性を制御できる。
次に、当該日射遮蔽膜形成用塗布液により形成される日射遮蔽膜について説明する。
上記手段に係る日射遮蔽膜は、上述したIn4Sn3O12複合酸化物微粒子分散塗布液である日射遮蔽膜形成用塗布液を、透明基板上に塗布して形成される。該日射遮蔽膜は、上記In4Sn3O12複合酸化物微粒子が高密度に堆積して膜形成されたものであり、塗布液中に含まれる樹脂バインダーまたは無機バインダーは、塗布硬化後にIn4Sn3O12複合酸化物微粒子の基材への密着性を向上させ、さらに膜の硬度を向上させる効果がある。
このようにして得られた日射遮蔽膜上に、さらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシド、これらの部分加水分解縮重合物からなる被膜を第2層として被着し、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの酸化物膜を形成することで、In4Sn3O12複合酸化物微粒子を主成分とする膜の基材への結着力や膜の硬度、耐候性を一層向上させることができる。
また、塗布液中に樹脂バインダーまたは無機バインダーを含まない塗布液を用い得られる膜は、基材上に上記In4Sn3O12複合酸化物微粒子のみが堆積した膜構造になる。このままでも日射遮蔽効果を示すが、この膜上にさらに珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドやこれらの部分加水分解縮重合物などの無機バインダーまたは樹脂バインダーを含む塗布液を塗布して被膜を形成して多層膜とすると良い。このようにすることにより、塗布液成分が第1層のIn4Sn3O12複合酸化物微粒子の堆積した間隙を埋めて成膜されるため、膜のヘイズがさらに低減して可視光透過率が向上し、また粒子の基材への結着性が向上する。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液の、塗布方法および本発明で用いる被膜形成用の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、バーコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法、流し塗りなど、処理液を平坦かつ薄く均一に塗布できる方法であればいずれの方法でもよい。
また、上記手段に係る日射遮蔽膜形成用塗布液が無機バインダーとして、珪素、ジルコニウム、チタン、もしくはアルミニウムの金属アルコキシドおよびその加水分解重合物を含む場合、塗布液の塗布後の基材加熱温度が100℃未満では、塗膜中に含まれるアルコキシドまたはその加水分解重合物の重合反応が未完結で残ることが多く、また水や有機溶媒が膜中に残留して加熱後の日射遮蔽膜において可視光透過率の低下の原因となることがある。そこで、塗布後の基材加熱温度は100℃以上が好ましく、さらに好ましくは塗布液中の溶媒の沸点以上で加熱を行うことがよい。他方、日射遮蔽膜形成用塗布液中に樹脂バインダーを含有する場合は、それぞれの硬化方法に従って硬化させればよい。例えば、紫外線硬化樹脂であれば紫外線を適宜照射すればよく、また常温硬化樹脂であれば塗布後そのまま放置しておけばよい。当該構成を用いることで、既存の窓ガラスなどへの現場での塗布が可能となる。
そして、本発明に係る日射遮蔽膜では、In4Sn3O12複合酸化物微粒子が分散しているため、物理成膜法により製造された酸化物薄膜のように結晶が緻密に膜内を埋めた鏡面状表面をもつ膜に比べると可視光領域での反射が少なく、ギラギラした外観を呈することを回避できる。その一方で、近赤外域にプラズマ周波数をもつため、これに伴うプラズマ反射が近赤外域で大きくなる。さらに可視光領域の反射を抑制したい場合には、In4Sn3O12微粒子分散膜の上に、SiO2やMgF2のような低屈折率の膜を成膜することにより、容易に視感反射率1%以下の多層膜を得ることができる。
また、上記手段に係る日射遮蔽材料、塗布液並びに日射遮蔽膜のさらなる紫外線遮蔽機能を付与させるため、無機系の酸化チタンや酸化亜鉛、酸化セリウムなどの微粒子や、有機系のベンゾフェノンやベンゾトリアゾールなどの1種もしくは2種以上を添加してもよい。
このように、上記手段によれば、日射遮蔽用としての機能を発揮する粉体特性と製造方法を確立し、インジウム含量を低減させた安価な材料として安定なIn4Sn3O12複合酸化物を用いた日射遮蔽膜形成用塗布液を製造でき、該塗布液を使用し、日射遮蔽効果を発揮する塗布膜製造が可能である。In4Sn3O12複合酸化物微粒子は無機材料であるので、有機材料と比べて耐候性が非常に高く、例えば太陽光線(紫外線)の当たる部位に使用しても色や諸機能の劣化はほとんど生じない。
また、上記手段に係る塗布液は、焼成時の熱によって塗布成分の分解あるいは化学反応を利用して目的の日射遮蔽膜を形成するものではないため、特性の安定した均一な膜厚の透過膜を形成することができる。
得られた沈殿物に対し、デカンテーションにて1回につき2000mlのイオン交換水での洗浄を繰り返し行い、上澄み液の電導度が1mS/cm以下の時点で洗浄を終了した。その後105℃で沈殿物を乾燥した。なお、乾燥物中の残留Cl量は0.07%であった。次に、粉砕処理を施した該乾燥物を炉内に設置し、雰囲気を0.02Paまで真空引きしたあと窒素ガスで1気圧まで置換し、窒素を供給しながら1500℃で3時間焼成して酸化物微粒子Aを得た。
この複合酸化物微粒子A粉末は、X線回折によりIn4Sn3O12と同定された。
また、この微粒子Aの粉体色はL*が45.0075、a*が−1.9325、b*が−5.6953であった。
次に、該複合酸化物微粒子A30重量%、イソブチルアルコール56重量%、分散剤14重量%を混合し、0.15mmΦのガラスビーズと共に容器に充填した後、1時間のビーズミル分散処理を施してIn4Sn3O12複合酸化物微粒子分散液を調製した。該分散液67.5重量%、バインダーとしてメチルイソブチルケトンに溶解したアクリル樹脂溶液27.5重量%および硬化剤5重量%を含む塗布液を、バーコーターで100mm×100mm×3mmのソーダライムガラス基板に塗布した後、180℃で1時間焼成して日射遮蔽膜aを得た。日射遮蔽膜aの可視光透過率70%のときの日射透過率は、58.0%であった。
[実施例2〜実施例4および比較例1〜比較例4]
(実施例2)焼成条件を、1450℃で3時間とした以外は実施例1と同様にして、複合酸化物微粒子Bを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜bを形成した。
(実施例3)焼成条件の雰囲気をN2、0.12MPaの加圧下とした以外は実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Cを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜cを形成した。
(実施例4)実施例1の乾燥物を炉内に設置し、大気中1200℃で1時間焼成した後、炉内雰囲気を0.02Paまで真空引きし、さらに窒素ガスで1気圧まで置換してから1500℃で3時間焼成した以外は実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Dを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜dを形成した。
(比較例1)焼成条件を、1100℃で1時間とした以外は実施例1と同様にして、複合酸化物微粒子Eを製造した。ところが、微粒子EのX線回折パターンを解析するとIn2O3相およびSnO2相のみであったため、日射遮蔽膜eは形成しなかった。
(比較例2)焼成条件を、大気中1400℃で1時間焼成した後、9%H2/N2雰囲気下380℃で30分とした以外は実施例1と同様にして、複合酸化物微粒子Fを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜fを形成した。
(比較例3)焼成条件を、大気中1400℃で1時間焼成した後、9%H2/N2雰囲気下430℃で30分とした以外は実施例1と同様にして、複合酸化物微粒子Gを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜gを形成した。
(比較例4)In2O3粉体とSnO2粉体とを2:3のモル比で物理混合した混合粉体を製造し、当該混合粉体を炉内に設置した。そして、炉内の雰囲気を0.02Paまで真空引きしたあと窒素ガスで1気圧まで置換し、窒素を供給しながら1500℃で3時間焼成して、複合酸化物微粒子Hを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜hを形成した。
第1図は、上述した実施例および比較例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性を表にして示したものである。第1図に示す実施例の複合酸化物微粒子B(実施例2)〜D(実施例4)はX線回折によりIn4Sn3O12と同定され、その粉体色はL*が30〜70、a*が−9.0〜−0.1、b*が−15.0〜4.0の範囲内で、平均粒径は400nm以下であった。また、可視光透過率70%のときの日射透過率はいずれも59%以下であった。
一方、微粒子E(比較例1)〜H(比較例4)の平均粒径は、いずれも400nm以下であったが、比較例1に係る微粒子E、および比較例4に係る微粒子HのX線回折パターンを解析すると、比較例1はIn2O3相およびSnO2相のみであり、比較例4はIn2O3相、SnO2相およびIn4Sn3O12相の混合相であった。また、比較例2の微粒子Fの粉体色はL*とb*が本発明の範囲外であり、比較例3の微粒子Gの粉体色はb*が本発明の範囲外であり、可視光透過率70%のときの日射透過率はいずれも60%以上であった。
(実施例6)実施例1における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに1.02gのSnF4を混合した以外は、実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Jを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜jを形成した。
(実施例7)実施例1における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに25%[(CH3)2CHO]4Geのエタノール溶液6.8gを混合した以外は、実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Kを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜kを形成した。
(実施例8)実施例1における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに60%HReO4溶液2.6gを混合した以外は、実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Lを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜lを形成した。
(実施例9)実施例1における沈殿物生成のための混合溶液調製において、さらに10%TaCl5のエタノール溶液7.9gを混合した以外は、実施例1と同様にして複合酸化物微粒子Mを製造し、さらに実施例1と同様にして日射遮蔽膜mを形成した。
第1図には、上述した実施例における、複合酸化物微粒子の性状および日射遮蔽膜の膜特性等を表にして示した。第1図に示す実施例の複合酸化物微粒子I(実施例5)〜M(実施例9)はX線回折によりIn4Sn3O12と同定され、その粉体色はL*が30〜70、a*が−9.0〜−0.1、b*が−15.0〜4.0の範囲内で、平均粒径は400nm以下であった。また、可視光透過率70%のときの日射透過率はいずれも59%以下であった。
Claims (14)
- 微粒子の平均1次粒子径が400nm以下であり、かつ、L*a*b*表色系における粉体色がL*は30〜70、a*は−9.0〜−0.1、bは−15.0〜4.0であることを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子。
- Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含むことを特徴とする請求の範囲第1項記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子。
- 錫化合物及びインジウム化合物を含有した原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る工程と、
前記沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥してインジウムと錫とから成る水酸化物又は水和物粉末を得る工程と、
前記水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下で、1200℃以上で焼成してIn4Sn3O12複合酸化物微粒子を得る工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。 - 錫化合物と、インジウム化合物と、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含む化合物とを含有した原料混合溶液と、アルカリ溶液と、を反応させると共に継続的に攪拌しながら熟成させて沈殿物を得る第1の工程と、
前記第1の工程で得られた沈殿物をデカンテーションにより洗浄した後、乾燥して、インジウムと、錫と、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素と、を含む水酸化物又は水和物粉末を得る第2の工程と、
前記第2の工程で得られた水酸化物又は水和物粉末を、不活性ガス若しくは不活性ガスと還元性ガスとの混合ガス雰囲気下において1200℃以上で焼成して、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr、F、Zn、Al、Ti、Pb、Ga、Re、Ru、PおよびGeから選択された少なくとも1種の元素を含むIn4Sn3O12複合酸化物微粒子を得る第3の工程と、
を具備することを特徴とする日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。 - 前記In4Sn3O12複合酸化物微粒子をメカニカル法によって解砕する工程を具備することを特徴とする請求の範囲第3項または第4項記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。
- 前記原料混合溶液とアルカリ溶液とを反応させた後の溶液のpHが4.0〜9.0であることを特徴とする請求の範囲第3項〜第5項のいずれか1項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。
- 前記沈殿物をデカンテーションする時に、洗浄液の電導度が1mS/cm以下になるまで行うことを特徴とする請求の範囲第3項〜第6項のいずれか1項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子の製造方法。
- 溶媒中に日射遮蔽材料が分散している日射遮蔽膜形成用塗布液において、前記日射遮蔽材料が請求の範囲第1項または第2項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子を含有しているものであることを特徴とする日射遮蔽膜形成用塗布液。
- ホウ化物微粒子、アンチモン錫酸化物微粒子、タングステン酸化物微粒子から選択された少なくとも1種の微粒子が添加されていることを特徴とする請求の範囲第8項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
- 無機バインダー若しくは樹脂バインダーが含まれていることを特徴とする請求の範囲第8項または第9項記載の日射遮蔽膜形成用塗布液。
- 請求の範囲第8項〜第10項のいずれか1項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を用いて形成されたことを特徴とする日射遮蔽膜。
- ガラスまたはプラスチック上に、請求の範囲第11記載の日射遮蔽膜が形成されたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
- 請求の範囲第1項または第2項に記載の日射遮蔽用In4Sn3O12複合酸化物微粒子または請求の範囲第8項〜第10項のいずれか1項に記載の日射遮蔽膜形成用塗布液を、基材形成用母材に練り込み、板状、シート状、またはフィルム状に形成したことを特徴とする日射遮蔽用基材。
- 請求の範囲第12項記載の日射遮蔽用基材の日射遮蔽膜を挟み込むように他の基材を前記日射遮蔽用基材に積層させるか、または、請求の範囲第13項記載の日射遮蔽用基材を他の基材によって挟み込んで積層させたことを特徴とする日射遮蔽用基材。
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