JP4114409B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置等の表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置には、高開口率化を図ったものがある。図15は従来のこのような液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの一例の一部の透過平面図を示したものである。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板1を備えている。ガラス基板1の上面側には走査ライン2およびデータライン3がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ4および画素電極5が設けられている。図を明確にする目的で、各画素電極5の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
【0003】
この場合、方形状の画素電極5の左右両側のエッジはその左右両側のデータライン3に重ね合わされている。これにより、画素電極5のうち、その左右両側のデータライン3形成領域および薄膜トランジスタ4形成領域を除く領域が実質的な画素領域となり、開口率を大きくすることができる。
【0004】
次に、この薄膜トランジスタパネルの具体的な構造について説明する。図16は図15のC−C線およびD−D線に沿う断面図を示したものである。この場合、図16の左側はデータライン等形成領域の断面図であり、図16の右側は薄膜トランジスタ等形成領域の断面図である。ガラス基板1の上面の所定の箇所にはゲート電極6を含む走査ライン2が設けられている。ゲート電極6および走査ライン2を含むガラス基板1の上面にはゲート絶縁膜7が設けられている。
【0005】
ゲート電極6上におけるゲート絶縁膜7の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜8が設けられている。ゲート電極6上における半導体薄膜8の上面の所定の箇所にはチャネル保護膜9が設けられている。チャネル保護膜9の上面両側およびその両側における半導体薄膜8の上面にはn型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層10、11が設けられている。オーミックコンタクト層10、11の上面にはドレイン電極12およびソース電極13が設けられている。
【0006】
そして、ゲート電極6、ゲート絶縁膜7、半導体薄膜8、チャネル保護膜9、オーミックコンタクト層10、11、ドレイン電極12およびソース電極13により、薄膜トランジスタ4が構成されている。
【0007】
ゲート絶縁膜7の上面の他の所定の箇所にはデータライン3が設けられている。この場合、データライン3は、下から順に、真性アモルファスシリコン層3a、n型アモルファスシリコン層3bおよび金属層3cの3層構造となっている。そして、データライン3は、ドレイン電極12およびその下側のオーミックコンタクト層10、半導体薄膜8に接続されている。
【0008】
薄膜トランジスタ4およびデータライン3を含むゲート絶縁膜7の上面には層間絶縁膜14が設けられている。ソース電極13の所定の箇所に対応する部分における層間絶縁膜14にはコンタクトホール15が設けられている。層間絶縁膜14の上面の所定の箇所には画素電極5がコンタクトホール15を介してソース電極13に接続されて設けられている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成の薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示装置では、画素電極5の左右両側のエッジをその左右両側のデータライン3に重ね合わせているので、この重合部分に結合容量が発生し、この結合容量に起因して垂直クロストークが発生し、表示特性が劣化してしまうという問題があった。すなわち、例えば、図17(A)に示すように、1画素16の背景が灰色でその中に正方形の黒表示17を行うとき、上記結合容量に起因して、画素の電位がドレイン電圧に引きずられるため、図17(B)において符号18で示すように、黒表示17の上下の背景の色がやや濃くなり、黒表示17が上下方向に尾引き、表示特性が劣化してしまう。
そこで、この発明は、垂直クロストークが発生しないようにすることができる表示装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、走査ラインの上層側に形成されたデータラインと、前記データラインと対応する部分のエッジを前記データラインと重ね合わされて、前記データラインの上層側に設けられた画素電極と、前記データラインの前記画素電極との重合部と前記画素電極の前記データラインとの重合部との間に設けられた導電層と、を備え、薄膜トランジスタのゲート電極が前記走査ラインと同一層に形成され、前記薄膜トランジスタのドレイン電極が前記データラインと同一層に形成され、前記導電層は、前記画素電極と重ね合わされた部分により補助容量部を形成する補助容量電極となっていることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記導電層の前記データラインに沿った方向の長さは、前記画素電極における前記方向の長さよりも長くなっていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記導電層の前記データラインと重ね合わされた部分の幅は前記データラインの幅よりも広くなっていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1から3の何れかに記載の発明において、前記導電層は透明導電材料によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項1から3の何れかに記載の発明において、前記導電層は非透明導電材料によって形成されていることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、データラインの画素電極との重合部と画素電極のデータラインとの重合部との間に導電層を設けているので、この導電層により、データラインと画素電極との重合部分に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の第1実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図を示したものである。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板21を備えている。ガラス基板21の上面側には走査ライン22およびデータライン23がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ24、画素電極25および補助容量電極(導電層)26が設けられている。図を明確にする目的で、各画素電極25の縁部に斜めの短い実線のハッチングが、また、補助容量電極26の縁部に多数の点からなるハッチングが記入されている。
【0012】
この場合、方形状の画素電極25の左右両側のエッジはその左右両側に配置されたデータライン23に重ね合わされている。これにより、画素電極25のうち、その左右両側のデータライン23形成領域および薄膜トランジスタ24形成領域を除く領域が実質的な画素領域となり、開口率を大きくすることができる。ただし、この場合、補助容量電極26はITO等の透明導電材料によって形成されているが、アルミニウム等の非透明導電材料によって形成してもよい。また、薄膜トランジスタパネル上に対向配置される対向パネル(図示せず)には、薄膜トランジスタ24への外光の入射を防止するために、少なくとも薄膜トランジスタ24に対応する部分にブラックマスクが設けられている。
【0013】
補助容量電極26は、基本的には、図1において、左側のデータライン23と平行に配置された短冊形状の電極部26aと、右側のデータライン23と平行に配置された短冊形状の電極部26bと、左側の電極部26aの中央部と右側の電極部26bの中央部とを接続する短冊形状の電極部26cとを備えている。
【0014】
この場合、電極部26a、26bの幅(走査ライン22と平行な方向の長さ)はデータライン23の幅よりもある程度大きくなっており、これにより、走査ライン22と平行方向の位置ずれがあっても、データライン23が直接画素電極25と対向しないようにデータライン23を確実に覆っている。
【0015】
また、電極部26a、26bの長さ(走査ライン22と直交する方向の長さ)は画素電極25の同方向の長さよりもある程度大きくなっており、これにより、補助容量電極26は、画素電極25に対し、走査ライン22と直交する方向の位置ずれがあっても、全長が画素電極25と確実に重なり、位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止している。
【0016】
次に、この薄膜トランジスタパネルの具体的な構造について説明する。図2は図1のA−A線とB−B線に沿う断面図およびその他の所定の部分の断面図を示したものである。この場合、図2の最も左側はデータライン等形成領域の断面図であり、その右側は薄膜トランジスタ等形成領域の断面図であり、その右側は走査ライン用接続パッド形成領域の断面図であり、その右側はデータライン用接続パッド形成領域の断面図である。
【0017】
まず、データライン等形成領域について説明する。ガラス基板21の上面の所定の箇所にはデータライン23が設けられている。データライン23を含むガラス基板21の上面には第1層間絶縁膜31が設けられている。データライン23上における第1層間絶縁膜31の上面の所定の箇所には補助容量電極26の電極部26aが設けられている。補助容量電極26の電極部26aを含む第1層間絶縁膜31の上面には第2層間絶縁膜32、ゲート絶縁膜33およびオーバーコート膜34がこの順で設けられている。オーバーコート膜34の上面の所定の箇所には画素電極25が設けられている。
【0018】
次に、薄膜トランジスタ等形成領域について説明する。ガラス基板21の上面の所定の箇所にはデータライン23が設けられている。データライン23を含むガラス基板21の上面には第1層間絶縁膜31が設けられている。第1層間絶縁膜31のデータライン23の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール35が設けられている。第1層間絶縁膜31の上面の所定の箇所には中継接続パッド36がコンタクトホール35を介してデータライン23に接続されて設けられている。中継接続パッド36を含む第1層間絶縁膜31の上面には第2層間絶縁膜32が設けられている。
【0019】
第2層間絶縁膜32の上面の所定の箇所にはゲート電極37が設けられている。ゲート電極37を含む第2層間絶縁膜32の上面にはゲート絶縁膜33が設けられている。ゲート電極37上におけるゲート絶縁膜33の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜38が設けられている。ゲート電極37上における半導体薄膜38の上面の所定の箇所にはチャネル保護膜39が設けられている。
【0020】
チャネル保護膜39の上面両側およびその両側における半導体薄膜38の上面にはn型アモルファスシリコンからなるコンタクト層40、41が設けられている。オーミックコンタクト層40、41の上面にはドレイン電極42およびソース電極43が設けられている。この場合、ドレイン電極42は、オーミックコンタクト層40、半導体薄膜38、ゲート絶縁膜33および第2層間絶縁膜32に形成されたコンタクトホール44を介して中継接続パッド36に接続され、さらに中継接続パッド36を介してデータライン23に接続されている。
【0021】
そして、ゲート電極37、ゲート絶縁膜33、半導体薄膜38、チャネル保護膜39、オーミックコンタクト層40、41、ドレイン電極42およびソース電極43により、薄膜トランジスタ24が構成されている。
【0022】
薄膜トランジスタ24を含むゲート絶縁膜33の上面にはオーバーコート膜34が設けられている。オーバーコート膜34のソース電極43の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール45が設けられている。オーバーコート膜34の上面の所定の箇所には画素電極25がコンタクトホール45を介してソース電極43に接続されて設けられている。
【0023】
次に、走査ライン用接続パッド形成領域について説明する。走査ライン用接続パッド51は、第2層間絶縁膜32の上面に設けられた下部接続パッド52と、ゲート絶縁膜33の上面にゲート絶縁膜33に形成されたコンタクトホール53を介して下部接続パッド52に接続されて設けられた中間接続パッド54と、オーバーコート膜34の上面にオーバーコート膜34に形成されたコンタクトホール55を介して中間接続パッド54に接続されて設けられた上部接続パッド56とからなっている。
【0024】
この場合、コンタクトホール53の周囲におけるゲート絶縁膜33と中間接続パッド54との間には、下から順に、真性アモルファスシリコン層57およびn型アモルファスシリコン層58が設けられている。
【0025】
次に、データライン用接続パッド形成領域について説明する。データライン用接続パッド61は、ガラス基板21の上面に設けられた下部接続パッド62と、第1層間絶縁膜31の上面に第1層間絶縁膜31に形成されたコンタクトホール63を介して下部接続パッド62に接続されて設けられた中継接続パッド64と、ゲート絶縁膜33の上面にゲート絶縁膜33および第2層間絶縁膜32に形成されたコンタクトホール65を介して中継接続パッド64に接続されて設けられた中間接続パッド66と、オーバーコート膜34の上面にオーバーコート膜34に形成されたコンタクトホール67を介して中間接続パッド66に接続されて設けられた上部接続パッド68とからなっている。
【0026】
この場合、コンタクトホール65の周囲におけるゲート絶縁膜33と中間接続パッド66との間には、下から順に、真性アモルファスシリコン膜69およびn型アモルファスシリコン膜70が設けられている。
【0027】
次に、図1および図2に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図3に示すように、ガラス基板21の上面に成膜されたクロム等からなる金属層をパターニングすることにより、ガラス基板21の上面の各所定の箇所にデータライン23および下部接続パッド62を形成する。次に、その上面に窒化シリコンからなる第1層間絶縁膜31を成膜する。
【0028】
次に、第1層間絶縁膜31の各所定の箇所にコンタクトホール35、63を形成する。次に、その上面に成膜されたITO等からなる透明導電層をパターニングすることにより、補助容量電極26および中継接続パッド36、64を形成する。なお、中継接続パッド36、64は省略してもよい。次に、その上面に窒化シリコンからなる第2層間絶縁膜32を成膜する。次に、その上面に成膜されたアルミニウム等からなる金属層をパターニングすることにより、ゲート電極37を含む走査ライン22および下部接続パッド52を形成する。
【0029】
次に、ゲート電極37等を含む第2層間絶縁膜32の上面に窒化シリコンからなるゲート絶縁膜33、真性アモルファスシリコン膜71および窒化シリコン膜を連続して成膜し、窒化シリコン膜をパターニングすることにより、チャネル保護膜39を形成する。次に、その上面にn型アモルファスシリコン膜72を成膜する。
【0030】
次に、図4に示すように、薄膜トランジスタ等形成領域におけるn型アモルファスシリコン膜72、真性アモルファスシリコン膜71、ゲート絶縁膜33および第2層間絶縁膜32の所定の箇所にコンタクトホール44を形成する。また、走査ライン用接続パッド形成領域におけるn型アモルファスシリコン膜72、真性アモルファスシリコン膜71およびゲート絶縁膜33の所定の箇所にコンタクトホール53を形成する。さらに、データライン用接続パッド形成領域におけるn型アモルファスシリコン膜72、真性アモルファスシリコン膜71、ゲート絶縁膜33および第2層間絶縁膜32の所定の箇所にコンタクトホール65を形成する。
【0031】
次に、図5に示すように、その上面にクロム等からなる金属層73を成膜する。次に、金属層73、n型アモルファスシリコン膜72および真性アモルファスシリコン膜71を連続してパターニングすることにより、図6に示すように、薄膜トランジスタ等形成領域に、ドレイン電極42、ソース電極43、オーミックコンタクト層40、41および半導体薄膜38を形成する。また、走査ライン用接続パッド形成領域に、中間接続パッド54、n型アモルファスシリコン膜58および真性アモルファスシリコン膜57を形成する。さらに、データライン用接続パッド形成領域に、中間接続パッド66、n型アモルファスシリコン膜70および真性アモルファスシリコン膜69を形成する。
【0032】
次に、図7に示すように、その上面に窒化シリコンからなるオーバーコート膜34を成膜する。次に、オーバーコート膜34の各所定の箇所にコンタクトホール45、55、67を形成する。次に、その上面に成膜されたITO等からなる透明導電層をパターニングすることにより、図2に示すように、画素電極25および上部接続パッド56、68を形成する。かくして、図1および図2に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。
【0033】
このようにして得られた薄膜トランジスタパネルを備えた液晶表示装置では、図2のデータライン等形成領域に示すように、データライン23の画素電極25との重合部と画素電極25のデータライン23との重合部との間に、データライン23の幅よりも広く、画素電極25の走査ライン22と直交する方向の長さよりも長い形状を有する補助容量電極26の電極部26aを設けているので、この電極部26aにより、データライン23と画素電極25との重合部分に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができ、表示特性を向上することができる。
【0034】
なお、上記第1実施形態では、図2に示すように、第2層間絶縁膜32下に補助容量電極26を設け、第2層間絶縁膜32上にゲート電極37を設けた場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図8に示すこの発明の第2実施形態のように、第2層間絶縁膜32を省略し、第1層間絶縁膜31の上面の各所定の箇所に補助容量電極26およびゲート電極37を設けるようにしてもよい。この場合、補助容量電極26は、ゲート電極37を含む走査ライン22の形成と同時にアルミニウム等の非透明導電材料によって形成してもよく、またゲート電極37を含む走査ライン22の形成とは別工程でITO等の透明導電材料によって形成してもよい。
【0035】
また、図9に示すこの発明の第3実施形態のようにしてもよい。すなわち、まず、データライン等形成領域について説明する。ガラス基板21の上面にはゲート絶縁膜33が設けられている。ゲート絶縁膜33の上面の所定の箇所にはデータライン23が設けられている。この場合、データライン23は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜23a、n型アモルファスシリコン膜23bおよび金属層23cの3層構造となっている。
【0036】
データライン23を含むゲート絶縁膜33の上面には層間絶縁膜81が設けられている。データライン23上における層間絶縁膜81の上面の所定の箇所には補助容量電極26の電極部26aが設けられている。補助容量電極26の電極部26aを含む層間絶縁膜81の上面にはオーバーコート膜34が設けられている。オーバーコート膜34の上面の所定の箇所には画素電極25が設けられている。
【0037】
次に、薄膜トランジスタ等形成領域について説明する。ガラス基板21の上面の所定の箇所にはゲート電極37が設けられている。ゲート電極37を含むガラス基板21の上面にはゲート絶縁膜33が設けられている。ゲート電極37上におけるゲート絶縁膜33の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜38が設けられている。ゲート電極37上における半導体薄膜38の上面の所定の箇所にはチャネル保護膜39が設けられている。
【0038】
チャネル保護膜39の上面両側およびその両側における半導体薄膜38の上面にはn型アモルファスシリコンからなるコンタクト層40、41が設けられている。オーミックコンタクト層40、41の上面にはドレイン電極42およびソース電極43が設けられている。この場合、ドレイン電極42、オーミックコンタクト層40および半導体薄膜38は、ゲート絶縁膜33上においてそのままデータライン23に接続されている。
【0039】
薄膜トランジスタ24等を含むゲート絶縁膜33の上面には層間絶縁膜81およびオーバーコート膜34がこの順で設けられている。オーバーコート膜34および層間絶縁膜81のソース電極43の所定の箇所に対応する部分にはコンタクトホール45が設けられている。オーバーコート膜34の上面の所定の箇所には画素電極25がコンタクトホール45を介してソース電極43に接続されて設けられている。
【0040】
次に、走査ライン用接続パッド形成領域について説明する。走査ライン用接続パッド51は、ガラス基板21の上面に設けられた下部接続パッド52と、オーバーコート膜34の上面にオーバーコート膜34、層間絶縁膜81およびゲート絶縁膜33に形成されたコンタクトホール55を介して下部接続パッド52に接続されて設けられた上部接続パッド56とからなっている。
【0041】
次に、データライン用接続パッド形成領域について説明する。データライン用接続パッド61は、ゲート絶縁膜33の上面に設けられた下部接続パッド62と、オーバーコート膜34の上面にオーバーコート膜34および層間絶縁膜81に形成されたコンタクトホール67を介して下部接続パッド62に接続されて設けられた上部接続パッド68とからなっている。こば、下部接続パッド62は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜62a、n型アモルファスシリコン膜62bおよび金属層62cの3層構造となっている。
【0042】
次に、図9に示す薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図10に示すように、ガラス基板21の上面に成膜されたアルミニウム等からなる金属層をパターニングすることにより、ガラス基板21の上面の各所定の箇所にゲート電極37および下部接続パッド52を形成する。
【0043】
次に、ゲート電極37等を含むガラス基板21の上面に窒化シリコンからなるゲート絶縁膜33、真性アモルファスシリコン膜82および窒化シリコン膜を連続して成膜し、窒化シリコン膜をパターニングすることにより、チャネル保護膜39を形成する。次に、その上面にn型アモルファスシリコン膜83および金属層84を連続して成膜する。この場合、金属層84はITO等の透明導電材料によって形成してもよく、またクロム等の非透明導電材料によって形成してもよい。
【0044】
次に、金属層84、n型アモルファスシリコン膜83および真性アモルファスシリコン膜82を連続してパターニングすることにより、図11に示すように、データライン等形成領域に、真性アモルファスシリコン膜23a、n型アモルファスシリコン膜23bおよび金属層23cからなる3層構造のデータライン23を形成する。また、薄膜トランジスタ等形成領域に、ドレイン電極42、ソース電極43、オーミックコンタクト層40、41および半導体薄膜38を形成する。さらに、データライン用接続パッド形成領域に、真性アモルファスシリコン膜62a、n型アモルファスシリコン膜62bおよび金属層62cからなる3層構造の下部接続パッド62を形成する。
【0045】
次に、図12に示すように、その上面に窒化シリコンからなる層間絶縁膜81を成膜する。次に、その上面に成膜された金属層をパターニングすることにより、補助容量電極26を形成する。次に、図13に示すように、その上面に窒化シリコンからなるオーバーコート膜34を成膜する。次に、オーバーコート膜34の所定の箇所にコンタクトホール45、55、67を形成する。次に、その上面に成膜されたITO等からなる透明導電層をパターニングすることにより、図9に示すように、画素電極25および上部接続パッド56、68を形成する。かくして、図9に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。
【0046】
なお、上記各実施形態では、図1に示すように、補助容量電極26をほぼH字形状とした場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図14に示すこの発明の第4実施形態のように、補助容量電極26をほぼコ字形状とし、その中間の電極部26cを画素電極25の上辺部に重ね合わせるようにしてもよい。ただし、図14に示す薄膜トランジスタパネルの断面形状は、例えば図9に示す場合とほぼ同じである。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、データラインの画素電極との重合部と画素電極のデータラインとの重合部との間に導電層を設けているので、この導電層により、データラインと画素電極との重合部分に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができ、表示特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態としての液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの要部の透過平面図。
【図2】図1のA−A線とB−B線に沿う断面図およびその他の所定の部分の断面図。
【図3】図2に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。
【図4】図3に続く工程を示す断面図。
【図5】図4に続く工程を示す断面図。
【図6】図5に続く工程を示す断面図。
【図7】図6に続く工程を示す断面図。
【図8】この発明の第2実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図2同様の断面図。
【図9】この発明の第3実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図2同様の断面図。
【図10】図9に示す液晶表示装置の製造に際し、当初の工程の断面図。
【図11】図10に続く工程を示す断面図。
【図12】図11に続く工程を示す断面図。
【図13】図12に続く工程を示す断面図。
【図14】この発明の第4実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図1同様の透過平面図。
【図15】従来の液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。
【図16】図15のC−C線およびD−Dに沿う断面図。
【図17】(A)および(B)は従来の液晶表示装置の問題点を説明するために示す図。
【符号の説明】
21 ガラス基板
22 走査ライン
23 データライン
24 薄膜トランジスタ
25 画素電極
26 補助容量電極
37 ゲート電極
42 ドレイン電極
43 ソース電極
44、45 コンタクトホール
Claims (5)
- 走査ラインの上層側に形成されたデータラインと、
前記データラインと対応する部分のエッジを前記データラインと重ね合わされて、前記データラインの上層側に設けられた画素電極と、
前記データラインの前記画素電極との重合部と前記画素電極の前記データラインとの重合部との間に設けられた導電層と、を備え、
薄膜トランジスタのゲート電極が前記走査ラインと同一層に形成され、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極が前記データラインと同一層に形成され、
前記導電層は、前記画素電極と重ね合わされた部分により補助容量部を形成する補助容量電極となっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の発明において、前記導電層の前記データラインに沿った方向の長さは、前記画素電極における前記方向の長さよりも長くなっていることを特徴とする表示装置。
- 請求項1または2に記載の発明において、前記導電層の前記データラインと重ね合わされた部分の幅は前記データラインの幅よりも広くなっていることを特徴とする表示装置。
- 請求項1から3の何れかに記載の発明において、前記導電層は透明導電材料によって形成されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項1から3の何れかに記載の発明において、前記導電層は非透明導電材料によって形成されていることを特徴とする表示装置。
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