JP4110653B2 - 表面検査方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば被検物体の表面に形成された微細な周期的パターンに付着した異物、若しくはその傷、又はそのパターンの線幅異常、膜厚異常等の欠陥を検査するための表面検査方法及び装置に関し、特にASIC等の半導体ウエハや液晶表示パネル等の検査を行う場合に使用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶表示パネル、又は薄膜磁気ヘッド等を製造する際には、例えば所定のレイヤの回路パターンが形成された段階、及び最終的に全てのレイヤの回路パターンが形成された段階等で、半導体ウエハや液晶パネル等の基板の表面に形成された微細なパターンに付着した異物等、及びそのパターンの線幅異常等の欠陥の有無を検査する必要がある。従来、この種の検査は、検査員が被検基板をマクロ照明装置と呼ばれる光源からの照明光にかざして、目視にてその基板の表面からの散乱光や回折光を観察することによって行われていた。
【0003】
ところが、このような目視による検査では、検査員の熟練度や検査環境に大きく影響を受けてしまう。そこで、特開平8−75661号公報において、被検基板からの反射光(散乱光や回折光)を受光光学系を介して光電検出器で受光し、この光電検出器の検出信号を画像処理することによって、異物等を識別するようにした検査装置が提案されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の如く、従来の検査装置では、被検基板から所定方向に反射される光を受光することによって、その基板上のパターンの欠陥等を検出していた。そのため、例えばDRAMのように、検査対象のパターンが、その基板の全面でほぼ所定ピッチの1種類の周期的パターンとみなせる場合には、その全面での欠陥等の分布を迅速に検出することができた。
【0005】
これに対して、最近、いわゆるLogic−ICやASIC(application-specific IC:特定用途向けIC)のように、半導体ウエハ上の各チップ領域(ショット領域)にそれぞれ多種類の回路パターンがそれぞれ異なる配列で形成されるデバイスの検査を行う必要性が生じている。このようなデバイスでは、被検基板上に形成されている互いに異なるピッチの複数種類の周期的パターンが検査対象となるため、被検基板に対する光学系の位置関係が一定である場合には、特定ピッチの周期的パターンから回折光のみしか得られないため、その特定ピッチの周期的パターンの欠陥等を検出できなくなる恐れがあった。
【0006】
更に、例えば半導体ウエハの表面、又はパターンの下層には保護膜等の薄膜が形成されていることがあるため、薄膜干渉の影響等によって特定次数の回折光の強度が小さくなる場合がある。このため、従来の検査装置で、その特定の次数の回折光のみを受光するように設定していると、回折光量が弱くなって、その周期的パターンの欠陥等を見逃す確率が高くなるという不都合がある。
【0007】
本発明は斯かる点に鑑み、被検物体上に形成されている1種類、又は複数種類のパターンの欠陥等を確実に検出できる表面検査方法を提供することを第1の目的とする。
更に本発明は、そのようなパターンの欠陥等を効率的に検出できる表面検査方法を提供することを第2の目的とする。
【0008】
更に本発明は、そのような表面検査方法を容易に実施できる表面検査装置を提供することを第3の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による表面検査方法は、被検物体(5)の表面に形成されたパターン(23A,23B)の検査を行う表面検査方法であって、その被検物体の表面にほぼ平行光束よりなる照明光を照射し、互いに異なる複数の回折条件でそれぞれその被検物体の表面からの回折光によるその表面の像を検出し、該検出された像にその複数の回折条件に応じてそれぞれその被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、該補正後の複数の像情報の論理和に基づいてその被検物体の表面のパターンの検査を行うものである。
【0010】
斯かる本発明によれば、例えばその被検物体の表面に対する照明光の入射角、及びその表面からの光の受光角の少なくとも一方を変化させることによって複数の回折条件を設定し、各回折条件でそれぞれ回折光を検出する。従って、例えばその表面に1種類の周期的パターンが形成されており、薄膜干渉等の影響によってこの周期的パターンからの或る次数の回折光の強度が弱くなっても、別の回折条件の回折光の検出信号によってその周期的パターンの存在を確認することがでる。それぞれの検出信号の強度が他の部分と異なる部分は、異物が付着しているか、又は欠陥が生じているとみなすことができる。そして、これらの複数の次数の回折光の検出信号による個々の欠陥等を示す検出情報(例えば2値データ化されている)の論理和より、その被検物体の全面の欠陥等の分布を求めることができる。
【0011】
一方、その表面に複数種類の周期的パターンが形成されている場合、互いに回折角の異なる複数の回折光が発生するが、例えば或る回折条件では所定の周期的パターンからの回折光の強度が弱いときであっても、別の回折条件をその周期的パターンからの回折光を受光するように設定して、各検出情報の論理和を求めることによって、複数種類の周期的パターンの欠陥等の検出を一度に行うことができる。
【0012】
本発明においては、さらに互いに異なる複数の回折条件のもとで、それぞれその被検物体の表面からの所定の回折光を集光してその表面の像を形成し、この像を画像信号に変換し、この複数の画像信号から得られる検出情報の論理和に基づいてその被検物体の表面のパターンの検査を行っている。その表面の像を形成することによって、その表面の全面での部分的な欠陥等を一度に効率的に検出することができる。また、倍率補正を行うことで、異なる回折光による複数の像の情報の論理和を取ることができる。
【0013】
また、その被検物体の表面に照明光を照射する際に、更にそのパターンから求められる設計上の回折条件から外れた条件でその被検物体の表面からの光を検出し、この検出結果に基づいてその被検物体の表面のパターンの検査を行ってもよい。異物や傷がある場合に、その欠陥等からは散乱光が発生し、この散乱光はその設計上の回折条件から外れた条件でのみ検出できる。
さらに、一例としてその被検物体の表面は、該表面に平行で、かつそのパターンの周期方向に直交する回転軸(9)の周りのチルト角が可変であり、その照明光は、その射影が前記パターンの周期方向に平行になるように前記被検物体の表面に入射し、その被検物体の表面からの回折光は、軸外しが行われた受光系(12〜15)を介して受光され、初期状態でのその被検物体の表面の法線に対して回折光がなす角度φ及びその初期状態からのその被検物体の表面のチルト角Tを用いて、その検出された像の倍率補正を行うために、その像はそのパターンの周期方向に対応する方向にsec(φ+T)倍される。
【0014】
次に、本発明による第1の表面検査装置は、被検物体(5)の表面に形成されたパターンの検査を行う表面検査装置であって、その被検物体を保持するステージ(6)と、その被検物体の表面にほぼ平行光束よりなる照明光を照射する照明系(1〜4)と、その被検物体からの回折光によるその表面の像を検出する受光系(12〜15)と、複数の互いに異なる回折条件のもとでその被検物体の表面からの回折光をその受光系に導くために、そのステージの傾斜角、その照明系の位置(傾斜角を含む)、及びその受光系の位置(傾斜角を含む)の少なくとも一つを可変とする駆動系(8)と、その受光系にて検出されたその像に、その複数の回折条件に応じてそれぞれその被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、該補正後の複数の像情報の論理和を求める演算系(10)と、を有するものである。斯かる検査装置によれば、本発明の表面検査方法を実施できる。
【0015】
なお、上記の本発明による第1の表面検査装置における照明系(1〜4)は、被検物体の表面を照射する照明光の波長が選択可能、又は変更可能となるように構成されることが望ましい。これにより、駆動系の負荷を軽減が図れたり、あるいは被検物体の表面にレジスト等の薄膜が形成されている場合には、薄膜干渉の条件が変化するため、薄膜の影響によって検出できなかった被検物体の表面の情報を得ることができる。
【0016】
この場合、その照明系は、一例として複数の波長を含む照明光を供給する光源ユニットと、該光源ユニットからの光を集光してその被検物体の表面を照明する集光光学系と、その被検物体の表面に所定の波長の照明光を照射するためにその複数の波長のうちの1つを選択する選択手段とを有するものである。
また、その照明系は、別の例としてその照明光を供給する光源ユニットと、該光源ユニットからの光を集光してその被検物体の表面を照明する集光光学系と、その被検物体の表面に所定の波長の照明光を照射するためにその光源ユニットからの出力波長を可変とする波長変更手段とを有するものである。
【0017】
次に、本発明による第2の表面検査装置は、被検物体(5)の表面に形成されたパターンの検査を行う表面検査装置であって、その被検物体の表面に可変の第1の入射角でほぼ平行光束よりなる照明光を照射する第1照明系(1〜4)と、その被検物体の表面にその第1の入射角よりも大きい第2の入射角で、スリット状の光源(37a)からのほぼ平行光束よりなる照明光を照射する第2照明系(36,37,39)と、その第1照明系及びその第2照明系からの照明光によるその被検物体の表面からの回折光を受光して、その回折光によるその表面の像を検出する受光系(12〜15)と、この受光系により検出された像に、その被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、この補正後の複数の像情報の論理和を求める演算系(10)と、を有するものである。
斯かる本発明によれば、入射角の大きい第2照明系を有するため、検査対象のパターンが例えば1μm以下程度の小さいピッチを有し大きい回折角の微細なパターンであっても、高い照明効率で本発明の表面検査方法を実施できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1の実施の形態につき図1〜図4等を参照して説明する。本例は、被検物体としてのウエハ(wafer)を複数の回折条件で検査する場合に本発明を適用したものである。
図1は、本例の表面検査装置を示し、この図1において、例えばメタルハライドランプ(水銀ランプ等)、又はハロゲンランプ等よりなる光源1から射出された光より、不図示の干渉フィルタ等の波長選択性のフィルタによって所定の単一波長(例えば546nm、又は436nm等)の光が検査用の照明光L1として選択される。選択された照明光L1は、集光レンズ2によって光ファイバ束3の入射端に集光され、光ファイバ束3の射出端3aから射出された照明光L1は凹面鏡4に入射する。2次光源としての射出端3aと凹面鏡4との間隔は、ほぼ凹面鏡4の焦点距離と等しく設定され(ただし、後述のように軸外しが行われている)、凹面鏡4で反射された照明光L1は、ほぼ平行光束となってウエハ5の表面の全面に入射角ψで入射する。光源1〜凹面鏡4より照明系(1〜4)が構成されている。
【0019】
ウエハ5は例えば半導体(シリコン等)又はSOI(silicon on insulator)等の円板状の基板であり、その外周部に回転角設定用の切り欠き部であるノッチ部が形成されている。更に、本例のウエハ5は、例えば所定のASIC用のウエハであり、その表面には、それまでの工程によって複数層の回路パターンが形成されている。本例の検査装置では、その回路パターンに付着した異物の位置や大きさ、及びその回路パターン自体の線幅異常等の欠陥の位置や大きさの検査を行う。以下、ウエハ5の表面の直交座標系をX軸、Y軸として説明する。
【0020】
ウエハ5は、チルトステージ6上に例えば真空吸着によって保持され、チルトステージ6は、不図示のベース上に設置された1対の支持板7A,7Bの間にX軸に平行な回転軸9の回りに回転自在に支持されている。コンピュータよりなる画像処理系10が、駆動モータ8を介してチルトステージ6のチルト角(傾斜角)T、ひいては照明光L1の入射角ψを制御することができる。図1の状態、即ち初期状態では、チルトステージ6の表面(ウエハ5の表面)は水平面に合致するように設定されており、その初期状態でのチルト角Tを0°とする。
【0021】
照明光L1の照射によって、ウエハ5の表面のパターンからは正反射光(0次回折光)を含む種々の次数の回折光L2、及び散乱光L3が発生する。ここでは初期状態でウエハ5の表面の法線に対してX軸の回りに角度(以下、「受光角」という)φで発生する回折光L2を検出対象とすると、回折光L2は、凹面鏡12で反射されて、円形開口が形成された開口絞り13に達する。開口絞り13の円形開口の中心は、凹面鏡12のほぼ焦点位置に配置されており、開口絞り13は、初期状態では受光角φ以外の回折光を遮光する役割を果たしている。開口絞り13を通過した回折光L2は、結像レンズ14を介してCCD型等の2次元の撮像素子15の撮像面にウエハ5の表面の全面の像を形成する。その撮像面は、結像レンズ14の後側焦点位置に配置されており、撮像素子15で光電変換された画像信号は、画像処理系10に供給され、画像処理系10では、その画像信号を処理して後述のようにウエハ5の表面に付着した異物、及びそのパターンの欠陥の検出を行う。画像処理系10には、欠陥等の情報を表示するための表示装置11が接続されている。凹面鏡12〜撮像素子15より受光系(12〜15)が構成されている。なお、本例では、後述のように受光角φの散乱光L3を検出する場合もある。
【0022】
本例の照明系(1〜4)、及び受光系(12〜15)では、光学部材がチルトステージ6と機械的に干渉しないように軸外しが行われている。
図2は、初期状態での図1の検査装置の要部を示す平面図であり、この図2において、凹面鏡4としては、例えば回転放物面を反射面とするミラーが使用される。このとき、凹面鏡4の光軸4aは、その水平面に対する射影がY軸に平行で、かつチルトステージ6から外れるように配置され、照明光L1の2次光源としての射出端3aは、光軸4a上の焦点位置に配置されている。また、光ファイバ束3の角度は、凹面鏡4での反射光(この射影はY軸に平行である)がウエハ5の全面を照射するように設定されている。同様に、凹面鏡12としても回転放物面を反射面とするミラーが使用されており、凹面鏡12の光軸の射影はY軸に平行に、かつチルトステージ6から外れるように設定されると共に、開口絞り13の開口の中心は、凹面鏡12の光軸上の焦点位置に配置されている。このように軸外しを行うことによって、チルトステージ6を使用していても、この上のウエハ5の表面を可変の入射角で、かつ均一な高い照度の平行光束で照明できると共に、ウエハ5から可変の受光角で発生する平行光束を高い効率で集光して結像させることができる。
【0023】
なお、凹面鏡4,12としては、近似的に例えば球面鏡を使用してもよく、又は諸収差の補正を行った非球面鏡を使用してもよい。
図1に戻り、本例ではウエハ5のチルト角Tが可変であるため、チルト角Tが例えば0°から変化すると、撮像素子15上に形成される像がY方向に伸縮されるようになる。そこで、画像処理系10では、撮像素子15からの画像信号よりウエハ5の像を画像メモリ上で組み立てた後、その際のチルト角Tよりウエハ5の像のアオリ角を算出し、このアオリ角と予め記憶されている凹面鏡12の軸外し角とを用いてその像のY方向の倍率補正と歪み補正を行い、この補正後の画像データより欠陥等を検出する。
【0024】
また、図2に示すように、ウエハ5の表面はX方向、Y方向に所定ピッチで複数のショット領域22に分割され、各ショット領域22にY方向に互いに異なるピッチの2種類のライン・アンド・スペースパターン(以下、「L/Sパターン」という)23A,23B、及びX方向に所定ピッチのL/Sパターン24が形成されている。これらのL/Sパターン23A,23B,24は、凹凸のレジストパターンであってもよく、又は所定の金属膜をエッチングしたパターンであってもよい。更に、これらのパターン上に透明な保護膜等の薄膜が形成されていてもよい。凹面鏡4で反射された照明光L1は、その射影がY軸に平行にウエハ5の表面に入射するため、Y方向に配列されたL/Sパターン23A,23Bからの回折光L2はこの射影がY軸に平行になるように凹面鏡12に向かう。従って、この配置では、L/Sパターン23A,23Bの検査を行うことができる。X方向に配列されたL/Sパターン24の検査を行う場合には、ウエハ5を90°回転させてチルトステージ6上に載置すればよい。
【0025】
図1に戻り、チルトステージ6の近傍にはスライダ17が設置され、スライダ17に沿って摺動自在に吸着機構を備えたウエハアーム16が配置され、ウエハアーム16とチルトステージ6との間でウエハ5の受け渡しを行うことができるように構成されている。また、スライダ17の近傍に駆動モータ19によって回転駆動、及び上下動駆動される回転テーブル18が配置され、この回転テーブル18の上端に次の検査対象のウエハ21が吸着保持されている。回転テーブル18の+Y方向側に撮像系20が配置され、回転テーブル18、駆動モータ19、撮像系20、及び不図示の制御系よりプリアライメント系が構成されている。回転テーブル18とスライダ17との間でのウエハの受け渡しもウエハアーム16によって行われる。
【0026】
例えばウエハ5の検査が終了して、ウエハ5が搬出された後、撮像系20によってウエハ21の外周のノッチ部21aの位置を検出した角度で回転テーブル18を停止させた後、ウエハアーム16を介してウエハ21をチルトステージ6上に搬送することによって、ウエハ21のノッチ部21aが+Y方向を向いて載置されるように構成されている。また、そのノッチ部21aを例えば+X方向に向けたいときには、回転テーブル18をウエハ21を載置した状態で更に90°回転すればよい。このようにプリアライメント系によってチルトステージ6上でのウエハの回転角の位置決めが行われる。
【0027】
次に、本例の検査装置でウエハ5の表面の周期的パターンの検査を行う際の原理につき説明する。図1において、照明系(1〜4)、及び受光系(12〜15)を固定した状態で、チルトステージ6が水平面に対してチルト角Tだけ傾いたとすると、ウエハ5に入射する照明光L1の入射角は(ψ−T)となり、受光系に入射する回折光L2の受光角は(φ+T)となる。このとき受光系で回折光L2を受光することのできる周期的パターン(本例ではL/Sパターン23A,23B)のピッチpは、以下の式を満たす必要がある。ただし、照明光L1の波長をλ、回折の次数をn(nは整数)としており、正反射の場合は次数nが0である。
【0028】
sin(ψ−T)−sin(φ+T)=n・λ/p (1)
回折の次数nは整数値を取るため、受光系で検出できるパターンのピッチpは条件によっては複数存在できる可能性もある。今、波長λが近似的に550nmのとき、照明光L1の水平面に対する入射角ψが40゜で、回折光L2の水平面に対する受光角φが0゜のとき、チルトステージ6のチルト角Tを変化させて検出できる回折光の次数を示したのが図7である。
【0029】
図7において、横軸はチルトステージ6のチルト角T(deg)、縦軸は6次の回折光までの検出できるパターンのピッチp(μm)を示し、この図7において、曲線25A〜25Fはそれぞれ回折の次数nが1〜6の検出できるパターンのピッチpを表している。仮にn=1,p=p3が(1)式を満たしているときには、2以上の整数mを用いて、n=m,p=m・p3も(1)式を満たすため、ピッチが整数倍のパターンからの回折光も検出できることが分かる。図7においても、チルト角Tが例えば10°のときには、検出できるパターンのピッチpは約1.8μm、及びこの整数倍となっている。また、水平面に対する入射角ψが40°であるため、チルト角Tが20°になると、受光系で検出できるのは正反射光(n=0)となるため、チルト角Tが20°に近付くにつれて、曲線25A〜25Fの値は大きくなっている。
【0030】
上記のようにピッチが整数倍の関係にある複数のパターンは同一のチルト角Tで検出することができるが、本例のウエハ5はASIC用のウエハであり(Logic−IC等のウエハでもよい)、図2の2つのL/Sパターン23A,23Bのピッチp1,p2は互いに整数倍の関係にはなっていないものとする。この場合、本例では、1次光(n=1)を検出するものとして、例えば不図示のホストコンピュータが、(1)式において、p=p1、及びp=p2が成立するようなチルト角T1及びT2をそれぞれ求めて、これらのチルト角T1,T2を図1の画像処理系10に供給する。これに応じて、画像処理系10は、チルトステージ6のチルト角Tを順次T1及びT2に設定して、それぞれ撮像素子15からの画像信号を取り込み、画像メモリ上でウエハ5の全面の像を形成する。
【0031】
この際に、チルト角Tが異なるとウエハ面のアオリ角が変わるため、撮像素子15上に形成される像のチルトステージ6の回転軸9に平行な方向(X方向)と垂直な方向(Y方向)との比率が変化してしまう。この変化を補正するため、画像処理系10では、各チルト角T毎にその画像メモリ上の像をY方向に対応する方向にsec(φ+T)倍する。その後、補正後の画像データを用いて異物、及び欠陥の検出を行うために、一例として、予め良品の画像を画像処理系10に記憶させておき、検査対象のウエハの画像との差分をとる。この差分が所定の値を超えている部分が欠陥として認識される。チルトにより欠陥の位置の情報がずれているので、これを補正する必要がある。
【0032】
また、各画像データより例えばパターン・マッチング等によって異物や欠陥の検出を行って、欠陥等の位置や大きさを示す情報(以下、単に「欠陥情報」という)を生成してもよい。この場合の欠陥情報は、例えば正常なパターンを表す部分がローレベル“0”となり、欠陥等を表す部分がハイレベル“1”となった画像データ(一つの検出情報)である。そして、最終的に各チルト角毎の欠陥情報の論理和を求めると、或る一つのチルト角で欠陥等が検出された部分はハイレベル“1”となるため、この論理和よりウエハ5の全面の欠陥等を検出できる。
【0033】
画像処理系10は、検出されたウエハ5の全面の欠陥情報を不図示のホストコンピュータに供給する。これと共に、画像処理系10は、その欠陥情報、及び例えば一つのチルト角で得られるウエハ5の全面の像の画像データを別の画像信号に変換して表示装置11に供給する。これに応じて表示装置11の表示部11aには、図3に示すように、ウエハ5の表面の像5aが表示されると共に、この像5aの内部に図2の検出対象のL/Sパターン23A,23Bの像に対応する部分も表示される。
【0034】
図3において、ピッチp1のL/Sパターン23Aに対応する領域23A1,23A2では、異物、又は欠陥がそれぞれ欠けた部分(暗部)となっており、L/Sパターン23Bに対応する領域23B1,23B2でも、異物、又は欠陥がそれぞれ欠けた部分となっているため、オペレータはその像5aを観察することによって、異物、又は欠陥の位置や大きさを確認することができる。
【0035】
次に、本例の表面検査装置を用いて、実際に図1のウエハ5の検査を行う場合の動作の一例につき図4のフローチャートを参照して説明する。まず、図4のステップ101において、図1のウエハアーム16に不図示のウエハカセットから検査対象のウエハ(ウエハ5とする)を受け渡し、ウエハアーム16からプリアライメント系の回転テーブル18上にウエハ5を載置する。その後、ステップ102において、回転テーブル18、及び撮像系20を用いて、ウエハ5のノッチ部が+Y方向を向くようにプリアライメントを行った後、ステップ103に移行して、ウエハアーム16を介して回転テーブル18からチルトステージ6上にウエハ5を搬送し、チルトステージ6上にウエハ5を吸着保持する。これによって、検査対象のL/Sパターン23A,23Bのピッチ方向(計測方向)は、照明光L1の入射方向の射影、及び受光系の受光方向の射影に平行となる。
【0036】
次に、画像処理系10は、ステップ104において、チルトステージ6のチルト角Tをピッチp1のL/Sパターン23A用の角度T1に設定して、ステップ105で撮像素子15からの画像信号を取り込み、上記のようにその画像信号から1画面分の画像データを構築して、チルト角T1に応じた倍率の補正を行った後、画像処理系10において欠陥検出を行う。その後、予め設定してあったチルト角T1,T2,…について計測を行ったか判断し(ステップ106)、計測が終了していなければ次のチルト角T(n+1)を設定して(ステップ104に戻って)再び画像を取り込む(ステップ105)。本例では、チルト角TはT1,T2に順次設定される。
【0037】
本例では、これで設定すべきチルト角Tは無くなったため、動作はステップ106からステップ107に移行して、画像処理系10は、チルト角T1,T2毎の2値化された画像データ(即ち、一つの欠陥情報)の論理和を求める。この画像データの論理和が、本発明の複数の検出情報の論理和に対応している。画像処理系10は、欠陥をそれぞれの条件の画像について抽出し、ウエハ面上の座標に欠陥の検出された位置にハイレベル”1”のフラグを立てる。また、欠陥のない所は、ローレベル”0”のフラグとしておく同じ座標について、前述の欠陥検出フラグの理論和をとる。最終的にハイレベル”1”となっている部分が欠陥である。この座標の情報等をホストコンピュータに送る。
【0038】
次に、ステップ108において、画像処理系10は、チルトステージ6のチルト角Tを上記のL/Sパターン23A,23Bからの回折光を検出するための角度T1,T2から所定の角度以上離れた角度に設定する。ただし、このチルト角Tは、L/Sパターン23A,23Bからの2次以上の回折光をも検出しない角度に設定される。次のステップ109において、画像処理系10は、撮像素子15からの画像信号を取り込み、アオリ角の補正を行った後、得られた画像データを例えば2値化して、ハイレベル“1”となる領域を異物、又は傷が生じている領域として抽出し、この異物、又は傷の位置、及び大きさを示す第2の欠陥情報もホストコンピュータに供給する。異物が付着している部分、及び欠陥が生じている部分では比較的強い散乱光が発生することがあるため、このように回折光を検出しない角度でウエハ5からの光を検出することによって、その異物や欠陥からの散乱光のみを高いSN比で検出できる。従って、ステップ108,109を実行することによって、ステップ104〜107の検査で検出できない異物や欠陥を検出できることがある。
【0039】
次に、ステップ110において、ホストコンピュータは、画像処理系10から供給されたウエハ5の全面の欠陥情報に基づいて、予め定められている判定基準を用いてウエハ5が良品か不良品かを判定する。良品であるときには、ウエハ5は次の工程(ステップ112)に進み、不良品であるときには、ウエハ5は再加工に戻るか(ステップ111)、又は廃棄処分となるように分別される。ウエハ5が例えば露光及び現像工程後で、その表面のL/Sパターン23A,23Bがレジストパターンである場合には、このレジストパターンに欠陥等が存在しても、レジストパターンを剥離して再びフォトレジストの塗布及び露光を行って再加工(ステップ111)を行うことができる。このように再加工を行うことで、ウエハの歩留りを向上させて、半導体デバイス等の製造コストを低減させることができる。
【0040】
また、各検査工程で次の工程へ流されたウエハについて画像データを保存しておくことが望ましい。これによって、不良品の発生原因を追跡調査することもできる。更には、欠陥が製品の性能に与える影響について調査することができる。上記のように本例では、検出すべき複数種類のパターンに応じてチルトステージ6のチルト角Tを複数の角度に設定して画像データ(個々の欠陥情報)を得ると共に、それらの論理和よりウエハの全面での異物、又は欠陥の情報を求めている。従って、その複数種類のパターンの異物や欠陥を極めて迅速に、かつ正確に検出することができる。ただし、本例では、検査できるパターンのピッチ範囲が照明系(1〜4)からの照明光の水平面に対する入射角ψ、及び受光系(12〜15)の水平面に対する受光角φの組み合わせで制限されている。しかしながら、本例の検査装置は、ウエハ5の上方に可動機構が無いために、検査装置内でウエハ5上に塵等の異物が落下してきて付着する可能性が低くなり、微細なパターンを高精度に検査できる利点がある。
【0041】
上記のように、本例はASICのように複数の互いに異なる(整数倍の関係に無い)ピッチの周期的パターンが形成されている場合に有効であるが、本例の検査装置を用いて、DRAM用のウエハのようにほぼ全面が同じピッチのパターンで構成されているような被検物体の検査を行うことも可能である。このように同じピッチ(ピッチp4とする)のパターンの検査を行う場合には、異なる次数の回折光を検出するために、(1)式において、例えばn=1〜6とおいたときのチルト角Tの値T41〜T61を算出し、このチルト角T41〜T61を図1のチルトステージ6のチルト角Tとして順次設定し、各チルト角T41〜T61でそれぞれ撮像素子15からの画像信号を取り込んで、ウエハの全面の検査を行うようにすればよい。更に、画像処理により各チルト角で得られた欠陥情報として、欠陥部がハイレベル“1”となるようにメモリに記憶しておき、変換後の欠陥情報の論理和を求めて、ウエハの欠陥情報としてもよい。例えばピッチp4が4μmである場合には、図7よりチルト角Tを1.7°、6.4°、及び11°に設定することで、それぞれそのパターンからの4次(n=4)、3次(n=3)、及び2次(n=2)の回折光を検出できることが分かる。
【0042】
この際に、ウエハの表面に薄膜が形成されているものとして、その薄膜の厚さや検出対象のパターンの形状等の条件によっては、所定の次数nの回折光の強度が弱くなるか、又はその次数nの回折光が生じない場合も起こり得る。このようなときであっても、本例では複数の次数(例えばn=1〜6)の回折光を順次検出しており、何れかの次数では強い回折光が得られるため、その検出対象のパターンの欠陥を見落とすことなく確実に検出することができる。
【0043】
なお、上記の実施の形態では、被検物体(ウエハ)に照射される照明光は単一波長であったが、複数の波長の照明光、又は所定の帯域幅を有する照明光から選択的に抽出された所定の波長を持つ光を順次用いて、その被検物体の画像を各波長毎に取り込んで検査を行うようにしてもよい。即ち、図1において、複数の波長を含む光源1からの光より、例えば互いに交換可能に照明光路(光源1と凹面鏡4との間の光路)に設けられた2つの波長選択性のフィルタ(干渉フィルタ等)の1つを順次照明光路中に設定して所定の2つの波長λ1 ,λ2 の照明光を順次選択し、この2波長の照明光を順番にウエハ5上のピッチpのパターンにそれぞれ照射して、波長λ1 の照明光をウエハ5のパターンに照射したときには、波長λ1 の照明光のn1 次の回折光の像を、また波長λ2 の照明光をウエハ5のパターンに照射したときには、波長λ2 の照明光のn2 次の回折光の像をそれぞれ順番に撮像素子15にて撮像するものとする。そのパターンからの回折光は、同じ次数であっても波長によって異なる方向に回折されるため、λ1 <λ2 とすると、n次の回折光と(n+1)次の回折光とが重ならないためには、次式を満たす必要がある。
(n+1)λ1 >nλ2 (2)
【0044】
更にこの場合は、波長によって異なる方向に回折される光を受光するため、各波長毎に(照明光の波長を変更する毎に)チルトステージ6のチルト角Tを変える必要があり、このチルト角に応じて画像のY方向の倍率の補正を行う必要もある。また、波長1 の照明光のn1 次の回折光、及び波長λ2 の照明光のn2 次の回折光を順次受光する場合のチルト角TをそれぞれT1 及びT2 とすると、照明系からの入射角ψ及び受光系に向かう受光角φに対するチルト角の条件は次のようになる。
sin(ψ−T1)−sin(φ+T1)=n1・λ1 /p (3)
sin(ψ−T2)−sin(φ+T2)=n2・λ2 /p (4)
【0045】
図1の検査装置において、光源1からは、550nmの光(波長λ1 の光)と630nmの光(波長λ2 の光)との2波長の光を供給するものとし、図1において不図示ではあるが、光源1から凹面鏡4との間の照明光路中には、550nmの光(波長λ1 の光)を選択する第1の波長選択性フィルタと630nmの光(波長λ2 の光)を選択する第2の波長選択性フィルタとの一方が不図示の駆動系によって照明光路内に選択的に設定可能に設けられているものとする。ここで、2つの波長選択性フィルタの一方を照明光路内に設定する駆動系は、画像処理系10によって制御されている。この場合、照明光を供給すると共に前記照明光の波長を変更する光源系は、複数の波長の照明光を供給する光源ユニット(光源1)、互いに交換可能に設けられた2つの波長選択性フィルタ(波長選択手段)、集光レンズ2、ファイバ束3とから構成され、また、その光源系からの光を集光して被検物体の表面を照明するための集光光学系は凹面鏡4を有する。そして、ウエハ5が水平面に平行である場合の、ウエハ5に対する照明光の入射角ψを40°、受光系で受光される回折光の受光角φを0°として、ピッチpが0.7μmのパターンの検査を行うものとすると、波長550nmの光の1次回折光を受光するときにはチルト角Tを約−4.713°にして、波長630nmの1次回折光を受光するときにはチルト角Tを約−8.612°にする。このようにすると、波長550nmの2次回折光を受光するためにチルト角Tを約−36.735°にするのに比べて、チルトステージ6を動かす範囲を少なくすることができる。また、検査用の照明光の波長が変わることにより、ウエハ5の表面の薄膜等による干渉条件も変わるため、或る波長で検出できない欠陥等も、別の波長で検出できるようになる利点がある。
【0046】
なお、以上の述べた例では、波長選択フィルタ等の波長抽出手段を用いて所定の波長の照明光を被検物体に対して選択的に照射した例を述べたが、図1に示す光源1における入力電圧や入力電流等を変化させ、その光源1からの出力波長を可変とする不図示の波長可変装置(波長変更手段)を設け、光源1から出力される光の波長そのものを変化させて、この変化した波長を持つ光を照明光として被検物体へ照射してもよい。この場合、照明光を供給すると共に照明光の波長を変更する光源系は、照明光を供給する光源ユニット(光源1)、その光源ユニット(光源1)からの出力波長を可変とする波長可変装置(波長変更手段)、集光レンズ2、ファイバ束3とから構成され、また、その光源系からの光を集光して被検物体の表面を照明するための集光光学系は凹面鏡4を有する。
【0047】
また、照明光の波長を変えるために、複数種類の光源(He−Neレーザ光源、半導体レーザ素子、ランプ等)を使用して、これらの複数種類の光源からの波長の異なる照明光を少なくとも1枚のダイクロイックミラー等を用いて合成し、更に各光源とダイクロイックミラーとの間の光路中にシャッタ等の波長選択手段をそれぞれ配置した構成としてもよい。この場合、複数のシャッタの内の1つのみを開放することにより、所定の波長を持つ照明光を選択的に被検物体へ導くことができる。なお、この場合、照明光を供給すると共に照明光の波長を変更する光源系は、複数光源、及び少なくとも1つのダイクロイックミラーで構成されて複数の波長の照明光を供給する光源ユニットと、複数のシャッタ(波長選択手段)と、集光レンズ2と、ファイバ束3とから構成され、また、その光源系からの光を集光して被検物体の表面を照明するための集光光学系は凹面鏡4を有する。
【0048】
以上においては、被検物体を照明する照明系からの照明光の波長を変化(変更)させることによって、各波長毎での被検物体の回折像を検出系にてそれぞれ順番に検出することについて述べたが、検出すべき複数の波長を含む照明光あるいは所定の波長幅を有する照明光を供給する光源1を用いて、複数の波長を含む照明光あるいは所定の波長幅を有する照明光を被検物体へ照射して、検出系にて各波長毎に検出する構成としてもよい。この場合、照明系側では、波長選択フィルタやシャッタ等を設ける必要がないものの、検出系の検出光路中には、複数の波長選択フィルタの1つが検出波長毎に、選択的に設定可能に設けられる構成とすることがよい。
【0049】
次に、本発明の第2の実施の形態につき図5を参照して説明する。本例は、照明系、及び受光系の角度をそれぞれ可変としたものであり、図5において図1に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図5は、本例の表面検査装置の要部を示し、この図5において、被検物体としてのウエハ5はステージ6A上に吸着保持されており、ステージ6Aは不図示のベース上に固定されている。また、光ファイバ束3の射出端3aと凹面鏡4とは支持部材31に固定され、支持部材31は、回転駆動機構32によって所定の回転軸を中心として回転自在に支持されている。図1の光源1、集光レンズ2より図5の光ファイバ束3に照明光L1が供給されており、実質的に照明系(1〜4)が回転自在に支持されていることになる。
【0050】
同様に、凹面鏡12〜撮像素子15までの受光系(12〜15)は支持部材33に固定され、支持部材33は、回転駆動機構34によって所定の回転軸を中心として回転自在に支持されている。実際には、回転駆動機構32及び34の回転軸は、それぞれウエハ5のほぼ中心を通るように設定されている。即ち、本例では照明系、及び受光系が実質的に互いに独立に回転自在に配置されている。これ以外の構成は第1の実施の形態と同様である。
【0051】
本例では、照明系を回転させることで、凹面鏡4からウエハ5に照射される波長λの照明光L1の入射角ψを変化させることができると共に、受光系を回転させることで、ウエハ5から凹面鏡12に向かう回折光L2(又は散乱光L3)の受光角φを入射角ψとは独立に設定できることになる。従って、ウエハ5上のピッチpの周期的パターンのn次(nは0を含む整数)の回折光を受光する条件は次式で表される。
sin ψ−sin φ=n・λ/p (5)
【0052】
本例でも例えばウエハ5上の複数種類のパターンの検査を行う場合には、それらの複数種類のパターンの回折条件を順次設定し、それぞれ撮像素子15からの画像信号を取り込むことになる。ただし、第1の実施の形態はチルトステージ6を回転させて所望の回折条件を設定したのに対して、本例では照明系、及び受光系を回転させて所望の回折条件を設定する。本例によれば、第1の実施の形態に比べて、回折条件を選択する自由度が高いという利点がある。更に、受光系を固定して使うことも可能となり、この場合には、撮像素子15上に形成されるウエハの像のアオリ角は一定であるため、画像処理系10においてそのウエハの像の倍率補正を行う必要がなくなるという利点がある。ただし、ウエハ5の上方で照明系、及び受光系を構成する光学部材(可動部)が動くことになり、異物が発生し易くなるため、その可動部をできるだけウエハ5から離しておくことが望ましい。
【0053】
次に、図6を参照して本発明の第3の実施の形態につき説明する。本例は、第1の実施の形態の照明系(第1の照明系)の外に、大きい入射角でウエハを照明するための第2の照明系を設けたものであり、図6において図1に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図6は、本例の表面検査装置を示し、この図6において、ウエハ5はチルトステージ35上に吸着保持され、チルトステージ35は回転軸9を中心として駆動モータ8によって回転自在に支持されている。そして、第1の実施の形態と同様に、ウエハ5が水平面上にある状態で、ウエハ5は光ファイバ束3及び凹面鏡4を含む第1の照明系(1〜4)からの照明光L1によって入射角ψで照明され、ウエハ5からの受光角φの回折光L2(又は散乱光L3)が、受光系(12〜15)で受光されている。また、チルトステージ35の外部の光源36内で発生した照明光が、扇型に広がる光ファイバ束37の入射端に集光されている。光ファイバ束37の射出端37aは、断面形状がX方向に細長い直線状に形成されており、この射出端37aがチルトステージ35の上端にスペーサ38を介して固定されている。
【0054】
また、射出端37aの発光面に近接して、X方向(長手方向)に細長く、この長手方向に直交する方向に広がる光を集光するためのシリンドリカルレンズ(円筒型レンズ)39が不図示の支持部材を介してチルトステージ35に固定されている。そして、射出端37aの直線状の発光面から射出された照明光L4は、シリンドリカルレンズ39によってほぼ平行光束に変換されて70°〜90°程度の大きい入射角でウエハ5の全面を照明する。照明光L4の波長は照明光L1と同一であり、光源36、光ファイバ束37、及びシリンドリカルレンズ39より第2の照明系(36,37,39)が構成されている。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
【0055】
本例において、チルトステージ35のチルト角Tが変化すると、照明光L1の入射角は(ψ−T)となり、回折光L2の受光角は(φ+T)となる。そして、第1の照明系(1〜4)は、入射角(ψ−T)が0°、即ち垂直の落射照明でもウエハ5の全面を照明できるように、凹面鏡4からの照明光L1の光束の断面積が広く設定されている。そのため、入射角(ψ−T)が大きくなると、ウエハ5に照射される光束の幅が実質的に狭くなってしまい、照明光L1の利用効率が悪くなってしまう。また、ウエハ5上での照明光L1の照度が低下するため、撮像素子15上に形成される像の強度が低下して異物や欠陥等の検出精度も低下する恐れがある。そこで、本例ではウエハ5への照明光L1の入射角(ψ−T)が70゜を超えるような場合には、第2の照明系(36,37,39)からの照明光L4でウエハ5を照明するものとする。これによって、大きい入射角であっても高い照明効率で、即ちウエハ5の全面を高い照度で照明できるため、ウエハ5の像強度が大きくなり、高いSN比で欠陥等を検出することができる。
【0056】
ただし、その第2の照明系は、チルトステージ35上に固定されているため、照明光L4の入射角ψ’は一定の値となる。ウエハ5の表面が水平面であるときのウエハ5からの回折光L2の受光角をφ’としたとき、チルトステージ35のチルト角Tと、受光系で受光される回折光を生じるパターンのピッチpとの間には次式のような関係がある。
sin ψ’−sin(φ’+T)=n・λ/p (6)
【0057】
図8の曲線27は、第2の照明系を用いた場合のチルト角T(deg)と、(6)式に基づいて1次回折光(n=1)が検出されるパターンのピッチp(μm)との関係を示している。この場合、第2の照明系による照明光L4の入射角ψ’は88°、照明光の波長λは550nmとした。また、第1の照明系の位置関係は図1の実施の形態と同じであり、図8の曲線26は、図7の曲線25Aと同じく、第1の照明系を用いた場合のチルト角Tと1次回折光が検出されるパターンのピッチpとの関係を表している。曲線27より分かるように、第2の照明系を用いる場合には、チルト角Tを±15°程度変化させることによって、0.4〜0.8μmのピッチのパターンの1次回折光を高いSN比で検出することができる。従って、1μm程度以上のピッチのパターンを検出する場合には、第1の照明系を使用することが望ましい。
【0058】
実際に図6においてウエハ5の検査を行う場合には、検査対象のパターンのピッチpを(1)式、及び(6)式に代入することによってそれぞれ第1の照明系を用いる場合のチルト角Ta1,Ta2,…、及び第2の照明系を用いる場合のチルト角Tb1,Tb2,…を算出する。その後、まず第1の照明系を発光させてチルトステージ35のチルト角TをTa1,Ta2,…に設定して撮像素子15の画像信号を取り込んで検査を行う。続いて、第2の照明系を発光させてチルトステージ35のチルト角TをTb1,Tb2,…に設定して撮像素子15の画像信号を取り込んで検査を行い、最終的に得られた欠陥情報の論理和を求めればよい。
【0059】
なお、例えばウエハ5上に、ピッチが0.8μm程度以下のパターンとピッチが1μm程度以上のパターンとの2種類が形成されているような場合には、チルトステージ35のチルト角Tを(1)式、及び(6)式の両方をほぼ満たす所定角度に固定することによって、後は第1の照明系と第2の照明系との発光を切り換えるのみでその2種類のパターンの検査を極めて短時間に行うことができる。
【0060】
なお、上記の実施の形態では、被検物体はウエハであったが、被検物体として液晶パネル用の基板であるガラスプレート、更にはフォトマスク(レチクル)等の検査を行う場合にも本発明を適用することができる。このように本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0061】
【発明の効果】
本発明の表面検査方法によれば、互いに異なる複数の回折条件でそれぞれ被検物体の表面からの回折光を検出して異物や欠陥の検出を行うようにしているため、被検物体上に形成されている1種類、又は複数種類のパターンの欠陥等を確実に検出できる利点がある。従って、被検物体の表面の全面がほぼ一定のパターンだけでは構成されていないLogic−ICやASIC等の欠陥検査も殆ど取りこぼしなく行うことができるようになる。更に、DRAM等のように全面にほぼ一定ピッチの周期的パターンが形成されている被検物体の検査においても、薄膜干渉等の影響による欠陥等の見落としの確率を小さくすることができる。
【0062】
また、被検物体の表面からの回折光を集光してその表面の像を形成し、この像の画像信号から欠陥等を検出する場合には、その表面の全面の欠陥等を一度に効率的に検出できる利点がある。
更に本発明の表面検査装置によれば、そのような表面検査方法を容易に実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態の表面検査装置の概略構成を示す斜視図である。
【図2】 図1の照明系、チルトステージ6、及び受光系の関係を示す平面図である。
【図3】 第1の実施の形態による検査結果の一例を示す図である。
【図4】 第1の実施の形態でウエハの検査を行う場合の動作の一例を示すフローチャートである。
【図5】 本発明の第2の実施の形態の表面検査装置の要部を示す斜視図である。
【図6】 本発明の第3の実施の形態の表面検査装置の要部を示す斜視図である。
【図7】 第1の実施の形態におけるチルト角Tと1次から6次までの回折光を受光できるパターンのピッチpとの関係を示す図である。
【図8】 第3の実施の形態におけるチルト角Tと1次回折光を受光できるパターンのピッチpとの関係を示す図である。
【符号の説明】
1…光源、3…光ファイバ束、4…凹面鏡、5…ウエハ、6…チルトステージ、9…回転軸、10…画像処理系、12…凹面鏡、13…開口絞り、14…結像レンズ、15…撮像素子、16…ウエハアーム、18…回転テーブル、20…撮像系、35…チルトステージ、36…光源、37…光ファイバ束、39…シリンドリカルレンズ
Claims (5)
- 被検物体の表面に形成されたパターンの検査を行う表面検査方法であって、
前記被検物体の表面にほぼ平行光束よりなる照明光を照射し、互いに異なる複数の回折条件でそれぞれ前記被検物体の表面からの回折光による前記表面の像を検出し、該検出された像に前記複数の回折条件に応じてそれぞれ前記被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、
該補正後の複数の像情報の論理和に基づいて前記被検物体の表面のパターンの検査を行うことを特徴とする表面検査方法。 - 前記被検物体の表面は、該表面に平行で、かつ前記パターンの周期方向に直交する回転軸の周りのチルト角が可変であり、
前記照明光は、その射影が前記パターンの周期方向に平行になるように前記被検物体の表面に入射し、
前記被検物体の表面からの回折光は、軸外しが行われた受光系を介して受光され、
初期状態での前記被検物体の表面の法線に対して回折光がなす角度φ及び前記初期状態からの前記被検物体の表面のチルト角Tを用いて、前記検出された像の倍率補正を行うために、前記像を前記パターンの周期方向に対応する方向にsec(φ+T)倍することを特徴とする請求項1記載の表面検査方法。 - 前記被検物体の表面に照明光を照射する際に、更に前記パターンから求められる設計上の回折条件から外れた条件で前記被検物体の表面からの光を検出し、
該検出結果に基づいて前記被検物体の表面のパターンの検査を行うことを特徴とする請求項1又は2記載の表面検査方法。 - 被検物体の表面に形成されたパターンの検査を行う表面検査装置であって、
前記被検物体を保持するステージと、
前記被検物体の表面にほぼ平行光束よりなる照明光を照射する照明系と、
前記被検物体からの回近光による前記表面の像を検出する受光系と、
複数の互いに異なる回折条件のもとで前記被検物体の表面からの回折光を前記受光系に導くために、前記ステージの傾斜角、前記照明系の位置、及び前記受光系の位置の少なくとも一つを可変とする駆動系と、
前記受光系にて検出された前記像に、前記複数の回折条件に応じてそれぞれ前記被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、該補正後の複数の像情報の論理和を求める演算系と、
を有することを特徴とする表面検査装置。 - 被検物体の表面に形成されたパターンの検査を行う表面検査装置であって、
前記被検物体の表面に可変の第1の入射角でほぼ平行光束よりなる照明光を照射する第1照明系と、
前記被検物体の表面に前記第1の入射角よりも大きい第2の入射角で、スリット状の光源からのほぼ平行光束よりなる照明光を照射する第2照明系と、
前記第1照明系及び前記第2照明系からの照明光による前記被検物体の表面からの回折光を受光して、前記回折光による前記表面の像を検出する受光系と、
該受光系により検出された像に、前記被検物体の表面から発生する回折光の方向に対応する方向の倍率補正を行い、該補正後の複数の像情報の論理和を求める演算系と、
を有することを特徴とする表面検査装置。
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