JP4107932B2 - 電子部品実装装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品実装装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種電子部品、例えば抵抗素子、誘導素子或いは容量素子、整流素子（ダイオード）等の受動素子、或いは増幅素子（トランジスタ等）、半導体集積回路素子（ＩＣ）は、従来、プリント配線基板の一方又は両方の主面の配線膜に電極を半田付け等でボンディングするというような方法により搭載され、そのプリント配線基板が各種電子機器その他の機器類等に取り付けられるのが普通であった。
【０００３】
しかし、各種電子機器その他の機器類は小型化、多機能化の要求が強くなる一方であり、そのような要求に応えるには、電子部品の搭載密度を高める必要があるが、単にプリント配線基板の一方又は両方の主面の配線膜に電子部品の電極を半田付け等でボンディングするというような電子部品の搭載方法では、電子部品の搭載密度を高めることには大きな制約があり、電子部品の搭載密度を高める要求に充分に応えることが難しいのが実情である。
【０００４】
そして、電子部品の搭載密度を高めるという要求に応えることができないことは、単に、それを用いる電子機器等の機器類の小型化、高機能化に寄与できないと言う問題をもたらすのみならず、電子部品及びプリント配線基板の配線からなる電子回路の電気的特性、例えば高周波特性、高速性の向上という要求にも応えることが難しいという問題ももたらす。
【０００５】
即ち、電子部品、特にＩＣは種々の技術開発により極めて高周波数特性、高速性の向上が進んでいるが、それをプリント配線基板に高密度の搭載できないが故に、配線長が長くなり、寄生抵抗、寄生容量、寄生誘導が大きくなり、折角のＩＣの優れた電気的特性がプリント配線基板への搭載によって大きく損なわれてしまうという問題があったのである。
【０００６】
そのため、電子部品の高密度搭載のための各種試みが行われた。図１４はそのような試みの一例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図１４（Ａ）に示すように、ＩＣサポート板ａを用意し、その上に所定の位置関係で複数の電子部品、例えばＩＣｂ、ｂ、・・・を配置する。
【０００７】
（Ｂ）次に、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁性樹脂ｃを、上記ＩＣサポート板ａ上に上記ＩＣｂ、ｂ、・・・を覆うように圧着する。これにより、ＩＣｂ、ｂ、・・・を絶縁性樹脂ｃで封止した状態にする。
（Ｃ）次に、図１４（Ｃ）に示すように、上記ＩＣサポート板ａを取り外す。
【０００８】
（Ｄ）次に、図１４（Ｄ）に示すように、上記絶縁性樹脂ｃ及びＩＣｂ、ｂ、・・・のＩＣサポート板ａを取り外すことにより露出した表面に銅箔ｄをスパッタリング或いはメッキ等により形成する。
（Ｅ）次に、上記銅箔ｄをパターニング（選択的エッチング）することにより、図１４（Ｅ）に示すように、配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成する。
【０００９】
このような技術によれば、プリント配線基板の本体を成す絶縁層に相当する絶縁樹脂層ｃ内にＩＣｂ、ｂ、・・・を埋め込むことができ、その分、小型化、高集積化を図ることができる。また、高密度実装ができるが故に、ＩＣｂ、ｂ、・・・相互間、或いは外部と各ＩＣｂ、ｂ・・・間を結ぶ配線の長さを比較的短くできるので、実装した状態におけるＩＣｂ、ｂ、・・・及び配線からなる回路の各種電気的特性、例えば高周波特性、高速性を改善することができるという利点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１４に示す従来技術には下記の問題があった。
第１の問題は、配線膜ｅ、ｅ、・・・が、ＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの境界の近傍にあたる部分［図１４（Ｅ）のｆ参照］にて断線が生じ易いという問題である。これは、ＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの熱膨張係数が異なることから製造過程における、或いは使用時における温度変化により熱応力が配線膜ｅ、ｅ、・・・の上記ｆの部分に生じることに起因すると考えられる。
【００１１】
第２の問題は、ＩＣサポート板ａ上に置いたＩＣｂ、ｂ、・・・が位置ずれし易く、各ＩＣｂ、ｂ、・・・を、その間の位置関係が精確に設定通りになるように位置決めして樹脂ｃにより封止することが難しく、不良品が生じ易いという問題である。
即ち、ＩＣサポート板ａ上に各ＩＣｂ、ｂ、・・・を所定の位置関係に精確に置くことは現在の技術では可能ではあるが、しかし、その位置決めされたＩＣｂ、ｂ、・・・を絶縁樹脂層ｃで樹脂封止するまで各ＩＣｂ、ｂ、・・・の位置をＩＣサポート板ａ上にて動かないように保つ有効な手段がなく、また、絶縁樹脂層ｃで樹脂封止する過程でもＩＣｂ、ｂ、・・・の位置がずれる可能性がある。従って、各ＩＣｂ、ｂ、・・・を、その間の位置関係が精確に設定通りになるように位置決めして樹脂ｃにより封止することが難しいという問題が生じるのである。
【００１２】
第３の問題は、配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成すべく、銅箔ｄを選択的にエッチングするときに、エッチング液がＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの境界に染み込み易く、染みこんだ場合、封止効果が低下し信頼性が低くなるおそれがあるという問題である。
これは、電子部品実装装置としての信頼性を低くする大きな要因となるので、看過できない問題である。
【００１３】
第４の問題は、より一層の多層配線化が難しいという問題である。電子部品実装装置にはより一層の高集積化、高密度化が要求され、それに応えるには電子部品実装装置の多層配線化が有効と思われるが、上記従来技術によれば、多層配線化が難しく、より一層の高集積化、高密度化の要求に応える可能性が低いのである。
【００１４】
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、電子部品の実装密度を高くし、配線長を短くして高周波特性、高速性等の特性を高くし、且つ信頼度を高くし、更に、ベアのＩＣの損傷を伴うことなくＩＣの実装ができる電子部品実装装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の電子部品実装装置の製造方法は、金属箔の一方の主面に金属からなる略コニーデ状のバンプを選択的に形成した金属部材の該各バンプに電子部品の各電極を接続することにより該電子部品を該金属部材へ取り付け、上記金属部材の上記金属箔を露出させつつ、電子部品を、その配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層を形成し、上記層間絶縁樹脂層の上記金属部材と反対側の主面に金属箔を形成し、その後、上記層間絶縁樹脂層の両主面の金属箔を順次又は同時にパターニングすることにより配線膜を形成する電子部品実装装置の製造方法であって、前記層間絶縁樹脂層を、フィルム状の樹脂により形成することとし、更に、フィルム状の樹脂からなる該層間絶縁樹脂層の前記電子部品と対応する部分を切り欠いておき、これを、前記金属部材のバンプ形成面に、その切り欠いた部分が上記電子部品に整合するように位置合わせして重ねた状態で加熱処理することにより、前記金属部材の上記金属箔を露出させつつ上記電子部品をその配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層の形成を行うことを特徴とする。
【００１６】
請求項２の電子部品実装装置の製造方法は、請求項１の電子部品実装装置の製造方法において、前記金属部材の前記各バンプに電子部品の各電極を接続する前に、該金属部材のバンプ形成面に該各バンプの頂部が露出するような厚さのバンプ保護絶縁樹脂層を形成しておくことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示実施の形態例に従って詳細に説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態例）
図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例の製造方法を工程順に示す断面図である。以下にこの製造方法について説明する。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、配線膜となる銅箔２の一方の主面に略コニーデ状の層間接続用のバンプ４、４、・・・を形成した金属部材５を用意する。
【００１９】
該部材５は例えば配線膜となる薄い銅層と、エッチングバリアとなる更に薄い例えばニッケル層と、バンプとなる比較的厚い銅層を積層した三層構造の金属板を用意し、そのバンプとなる比較的厚い銅層を選択的にエッチングすることによりバンプを形成し、その後、該バンプをマスクとしてニッケル膜をエッチングすることにより形成することができる。尚、このニッケル膜はバンプを形成するエッチングの際にエッチングバリアとして配線膜となる銅膜のエッチングを阻んだものであるが、もうその役割を終え、しかも今はバンプ間を相互にショートする存在なのでここで除去するのである。
また、該部材５は、単層構造の銅板を一方の主面側から選択的にハーフエッチング（銅板の板厚より適宜薄い深さのエッチング）をすること等によっても形成することができ、その形成方法には種々のものが考えられ得る。
【００２０】
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、ベアのＩＣ（半導体集積回路素子）６を、その各電極８、８、・・・がそれに対応するバンプ４、４、・・・の頂部上に位置するように位置決めし、その各電極８、８、・・・とバンプ４、４、・・・とを接合する。そのベアのＩＣ６の金属部材５への位置決めは例えばチップマウンタにより極めて精確に行うことができる。
（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、上記金属部材５のバンプ４、４、・・・側の面に層間絶縁樹脂層１０を上記ベアＩＣ６を完全に封止するように圧着形成する。
【００２１】
（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、上記層間絶縁樹脂層１０の主面上に配線膜となる銅箔１２を接着する。
（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記銅箔２、１２を含め上記層間絶縁樹脂層１０を貫通する貫通孔１４を形成する。該貫通孔１４は層間接続用のスルーホールとなるものである。
（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すように、上記貫通孔１４内面に金属からなる層間接続用導電層１６を形成する。この形成は、例えば無電解メッキ処理と電解メッキ処理を施すことにより容易に為すことができる。
【００２２】
（Ｇ）次に、銅箔２、１２に対する選択的エッチング処理を同時又は所定の順序で施すことにより配線膜２ａ、２ａ、・・・、１２ａ、１２ａ、・・・を形成し、その後、配線膜２ａ、２ａ、・・・、１２ａ、１２ａ、・・・に電子部品１８、１８、・・・の電極を接続することにより電子部品１８、１８、・・・を搭載する。図１（Ｇ）は電子部品の搭載後の状態を示す。この図１（Ｇ）における、２０が本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例を示す。尚、本実施の形態例では、両面に電子部品１８が搭載されていたが、片面のみに電子部品１８を搭載するようにしても良い。
【００２３】
このような電子部品実装装置２０は、基板本体を構成する層間絶縁樹脂層１０内にＩＣ６を封止することができるので、回路の集積密度を顕著に高めることができる。従って、従来のプリント配線基板の一方乃至双方の両主面に部材を取り付けるタイプのものに比較して顕著に回路の集積密度を高めることができる。
そして、集積密度を高めることができることから、電子部品間の間隔をより短くすることが可能となり、延いては、電子部品間を互いに接続する配線膜の長さ（配線長）を短くすることが可能となり、延いては、高周波数特性、高速性を高め、性能の向上を図ることができる。
【００２４】
そして、ベアのＩＣ６を例えばベアマウンタ等により精確に位置決めしたら直ぐにその電極８と金属部材５のバンプ４、４、・・・とを接続して位置関係を強固に固定し、その後、その位置関係を強固に固定した状態で層間絶縁樹脂層１０を形成してそのＩＣ６を封止するので、図１４に示す従来例におけるような、ＩＣｂ、ｂ、・・・が、サポート板ａ上に位置決めされた後、樹脂ｃが形成されそれにより封止されるまでの間に位置ずれを生じるというおそれは、ない。
【００２５】
また、図１４に示す従来例によれば、樹脂ｃとＩＣｂとの熱膨張係数の違いにより、配線膜ｅ、ｅ、・・・の樹脂ｃとＩＣｂとの境界部分ｆ、ｆ、・・・に熱応力による断線等が生じ易いという問題があるが、本実施の形態例２０によれば、ＩＣ６が樹脂１０中に深く埋もれており、配線膜１２ａ、１２ａ、・・・に樹脂１０とＩＣ６との熱膨張係数の違いによる熱応力が加わるおそれがなく、そのような問題は生じ得ない。
また、図１４に示す従来例によれば、銅箔ｄを選択的にエッチングすることにより配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成する際に、樹脂ｃとＩＣｂとの境界に沿ってエッチング液が浸透してしまい、封止効果が低減するおそれがあるが、本実施の形態例２０によれば、樹脂１０とＩＣ６との境界が樹脂１０外部に露出していないので、銅箔２、１２を選択的にエッチングするときにエッチング液が樹脂１０とＩＣ６との境界に沿って樹脂１０内に深く浸透するおそれもない。
【００２６】
（第１の変形例）
図２（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した製造方法の第１の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）銅箔２の一方の主面にバンプ４、４、・・・を形成した金属部材５のバンプ形成側の面に、図２（Ａ）に示すように、バンプ４の高さよりも薄いバンプ保護絶縁樹脂層１０ａを形成する。
（Ｂ）その後、図２（Ｂ）に示すように、各バンプ４、４、・・・の露出した頂部にベアのＩＣ６の各電極８、８、・・・を接続する。
【００２７】
その後は、図１に示した製造方法と同じ工程を行う。
この第１の変形例によれば、微細なるが故に折れたり曲がったりし易いバンプ４、４、・・・がＩＣ６搭載前に或いは搭載の際に折れたり、曲がったりすることを層間絶縁樹脂層１０ａにより防止することができ、延いては、不良率の低減、信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
（第２の変形例）
図３（Ａ）〜（Ｃ）は図１に示した製造方法の第２の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）金属部材５にＩＣ６を搭載した後、図３（Ａ）に示すように、層間絶縁樹脂層として、ＩＣ６を逃げる逃げ孔１０ｈを有するフィルム状の樹脂１０を用意し、その逃げ孔１０ｈがＩＣ６と位置整合するようにその樹脂１０を金属部材５上に臨ませる。尚、金属部材５はバンプ４の高さより薄いバンプ保護絶縁樹脂層１０ａが形成されていてもいなくても良い。
【００２９】
（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、層間絶縁樹脂層１０を金属部材５のバンプ形成面上に位置させる。
（Ｃ）その後、圧着処理すると、圧着処理により生じた層間絶縁樹脂層１０の流動性により、図３（Ｃ）に示すように、ＩＣ６を覆った状態になり、硬化すると封止した状態になる。
【００３０】
その後は、図１に示した製造方法と同じ工程を経て電子部品実装装置２０を得る。
このような変形例によれば、層間絶縁樹脂層１０を形成するために、フィルム状の樹脂をあてがうときに、その樹脂によりベアのＩＣ６が損傷を受けるおそれをなくすことができる。
【００３１】
（第２の実施の形態例）
図４は本発明に係る電子部品実装装置の第２の実施の形態例２０ａを示す断面図である。本実施の形態例２０ａは、同じ領域内に２個のベアＩＣ６、６が背中合わせの向きで上下に離間して重なるように層間絶縁樹脂層１０内に封止されるように集積度を高めた点で図１（Ｇ）に示す電子部品実装装置２０と異なっている。これにより電子部品実装装置の単位専有面積当たりの回路の集積度を略倍増することができる。
【００３２】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は図４に示した電子部品実装装置２０ａの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５を一対５ａ、５ｂを用意し、その一方５ａのバンプ形成側の面に層間絶縁樹脂層１０を圧着処理により該ＩＣ６、６、・・・を封止するように形成し、他方の金属部材５ｂをＩＣ６、６、・・・の搭載側を一方の金属部材５ａに向けて、所定の位置関係に位置合わせして臨ませる。図５（Ａ）はその状態を示す。
【００３３】
（Ｂ）次に、層間絶縁樹脂層１０に対して加熱処理を施して軟化させながら上記他方の金属部材５ｂを金属部材５ａに近接させ、その金属部材５ｂのＩＣ６、６、・・・を該層間絶縁樹脂層１０内に埋もれ、該樹脂層１０によって封止された状態にする。図５（Ｂ）はその封止された状態を示す。
【００３４】
（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、樹脂層１０に貫通孔１４を形成し、更に、導電膜１６を形成する。その後は、例えば図１に示す製造方法と同じ工程を行う。すると、図４に示す電子部品実装装置２０ａが出来上がる。
【００３５】
（第１の変形例）
図６は図４に示した電子部品実装装置の第１の変形例２０ｂを示す断面図である。本変形例２０ａは、図４に示した電子部品実装装置２０ｂとは、一つの領域内に存するＩＣ６は一個であり、上面（反電極側の面）が上向きに搭載されたＩＣ６ａと下面（電極側の面）が上向きに搭載されたＩＣ６ｂを有するように層間絶縁樹脂層１０に封止してなる点で異なる。このようにすれば、電子部品実装装置の単位専有面積当たりの回路の集積度を高めることは必ずしもできないが、ＩＣ６ａの電極が下側の配線膜と多く接続され、ＩＣ６ｂの電極が上側の配線膜と多く接続される場合には比較的配線長を短くしつつ多くのＩＣ６を搭載することができ、配線長が全体的に長くならないようにすることが容易に為し得る。
【００３６】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は図６に示した電子部品実装装置２０ｂの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５を一対５ａ、５ｂを用意し、その一方５ａのバンプ形成側の面に層間絶縁樹脂層１０を圧着処理により該ＩＣ６、６、・・・を封止するように形成し、他方の金属部材５ｂをＩＣ６、６、・・・の搭載側を一方の金属部材５ａに向けて、所定の位置関係に位置合わせして臨ませる。図７（Ａ）はその状態を示す。
【００３７】
（Ｂ）次に、層間絶縁樹脂層１０に対して加熱処理を施して軟化させながら上記他方の金属部材５ｂを金属部材５ａに近接させ、その金属部材５ｂのＩＣ６、６、・・・を該層間絶縁樹脂層１０内に埋もれ、該樹脂層１０によって封止された状態にする。図７（Ｂ）はその封止された状態を示す。
【００３８】
（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、樹脂層１０に貫通孔１４を形成し、更に、導電膜１６を形成する。その後は、例えば図１に示す製造方法と同じ工程を行う。すると、図６に示す電子部品実装装置２０ｂが出来上がる。
【００３９】
（第３の実施の形態例）
図８は本発明に係る電子部品実装装置の第３の実施の形態例を示す断面図である。本実施の形態例２０ｃは層間絶縁樹脂層１０の両面の配線膜間をスルーホールによってではなく、バンプ２４、２４・・・によって電気的に接続するようにしたものであり、貫通孔を形成し、無電解メッキ、電解メッキを形成するという面倒な工程を経ることなく層間接続するようにすることができるという利点を有する。１８は一方の主面に搭載された電子部品である。本実施の形態例２０ｃにおいては一方の主面のみに形成されているが、双方の主面に搭載するようにしても良いことは言うまでもない。
【００４０】
図９（Ａ）、（Ｂ）は図８に示す電子部品実装装置２０ｃの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図９（Ａ）に示すように、バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５ａと、層間絶縁樹脂層１０の厚さと同じ高さの層間接続用バンプ２４、２４、・・・を銅箔２の一方の主面に形成し、そのバンプ２４形成面に層間絶縁樹脂層１０を形成した金属部材５ｃを用意し、該金属部材５ｃを、そのバンプ２４形成面が金属部材５ａのバンプ４形成面に所定の位置関係になるように位置決めして臨ませる。図９（Ａ）はその位置決めして臨ませた状態を示す。
【００４１】
（Ｂ）次に、図９（Ｂ）に示すように、層間絶縁樹脂層１０に対する加熱処理を施して軟化させながら金属部材５ａを金属部材５ｃに近接させ、バンプ２４、２４、・・・が金属部材５ａの銅箔２に接続され、その層間絶縁樹脂層１０によってベアのＩＣ６、６、・・が封止され、金属部材５ａ及び５ｃの銅箔２・２間が絶縁された状態にする。
その後は、上下両面の銅箔２、２をパターニングして配線膜を形成し、更に、必要な電子部品１８の搭載を行う。すると、図８に示す電子部品実装装置２０ｃが出来上がる。
【００４２】
（他の各種変形例）
尚、上記本発明に係る電子部品実装装置の第１乃至第３各実施の形態例２０、２０ａ〜２０ｃにおいて、バンプ４、４、・・・とベアのＩＣ６、６、・・・の電極８、８、・・・との接続が不可欠であるが、その接続において、そのバンプ４、４、・・・と電極８、８、・・・との間にＡＣＦ等の異方性導電膜を介在させるようにしても良い。
また、バンプ４、４、・・・と電極８、８、・・・との接続は、ベアのＩＣ６をチップマウンタにより位置決めし、その状態で適宜加圧することにより行うことができるが、その際に、超音波振動を加えるようにすると、接続性をより良好にすることができる。
【００４３】
更に、接続工程の直前に例えばチャンバー内にてバンプ４、４、・・・及び電極８、８、・・・の表面をクリーンにする処理をし、その後、上記接続をするようにすると、低い加圧力で良好な接続ができる。
更にまた、上記各種実施の形態例において、層間絶縁樹脂層１０の一方の主面或いは双方の主面上に、厚膜或いは薄膜による抵抗素子、容量素子或いは誘導素子を形成するようにしても良いことは言うまでもない。抵抗素子は、例えば銅箔として若干比抵抗の大きなものを用い、パターニングにより細くて長い（例えばジグザグ状にパターニングすることにより配線膜を長くする。）配線膜部分を形成することにより得ることができる。
【００４４】
また、容量素子は、薄膜或いは厚膜により例えば銅箔による下側電極を形成し、その下側電極を比較的誘電率の高い絶縁層により覆い、該絶縁層上に該下側電極とと対向する上側電極を形成することにより得ることができる。また、誘導素子は、厚膜又は薄膜により例えば渦巻き状のパターンを形成し、更に、絶縁膜として例えばセラミック粒子を含有した比較的透磁率の高い膜をその渦巻き状の膜間に介在するように形成することによっても得ることができる。
【００４５】
（第４の実施の形態例）
図１０（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第４の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。本実施の形態例は、後述する第５、第６の実施の形態例と同様に、半導体ウェハの状態で配線部分等との組付けを進めるという点で、上述した第１乃至第３の実施の形態例とは異なり、製造効率を高めることができるという利点を有し、また、第１乃至第３の実施の形態例が図１４に示した従来例と比較して優れた各利点も有する。
【００４６】
（Ａ）図１０（Ａ）に示すように、銅箔５２の一方の主表面に銅からなるバンプ５４を形成した配線部分５６の該バンプ５４側の面に層間絶縁樹脂層５８を該バンプ５４、５４、・・・に貫通されるようにして形成したものと、半導体ウェハ６０を用意する。配線部分５６は、複数の電子部品実装装置分の配線部分を一体に形成したものであり、また、半導体ウェハ６０も複数の電子部品実装装置分のＩＣを一体に形成したものである。
【００４７】
（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、上記配線部分５６の各バンプ５４、５４、・・・を、上記半導体ウェハ６０の各電極に接続する。
（Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、上記銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａ、５２、・・・を形成する。
【００４８】
（Ｄ）次に、上記半導体ウェハ６０と、層間絶縁樹脂層５８及び配線部分５６をカットすることにより、個々の電子部品実装装置６２、６２、・・・に分離する。
この電子部品実装装置６２が本発明電子部品実装装置の実施の形態例の一つである。
このような実施の形態例によれば、電子部品であるＩＣ６０の電極と配線を直接接続するのではなく、バンプ５８を介して接続するので、層間絶縁樹脂層５８とＩＣ６０との熱膨張係数に違いがあってもその違いによる熱応力が配線に生じるおそれがなく、延いては配線の断線のおそれをなくすことができる。
【００４９】
更には、ＩＣ６０の電極と配線を直接接続する構造ではなく、バンプ５８を介して接続するので、配線形成の際に、ＩＣ６０と層間絶縁樹脂層５８との境界が外部に露出していない。従って、配線形成の際にＩＣ６０と層間絶縁樹脂層５８との境界を通じてエッチング液が該樹脂層５８内部に侵入して封止効果が低下するおそれがなく、信頼度、耐久性が損なわれるおそれがない。
また、半導体ウェハ６０単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができる。
【００５０】
図１１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第５の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図１０（Ａ）、（Ｂ）に示したと同様の工程で、銅箔５２のバンプ５４、５４、・・・を半導体ウェハ６０の各電極に接続した状態を形成する。図１１（Ａ）はその状態を示す。
【００５１】
（Ｂ）次に、上記銅箔５２を選択的にエッチングすることにより、図１１（Ｂ）に示すように、配線膜５２ａ、５２ａ、・・・を形成し、それに、図１０（Ａ）に示す配線部分と同様の構造の別の部材である配線部分５６を用意し、図１１（Ｂ）に示すように、その各バンプ５４、５４、・・・が対応する上記配線膜５２ａ、５２ａ、・・・と対向するように、半導体ウェハ６０と接続された配線部分５６に、別途用意した上記配線部分５６を、これのバンプ５４、５４、・・・に貫通された状態の層間絶縁樹脂層５８を介して臨ませる。
【００５２】
（Ｃ）次に、図１１（Ｃ）に示すように、半導体ウェハ６０と接続された配線部分５６に、別途用意した上記配線部分５６のバンプ５４、５４、・・・を接続し、その後、その配線部分５６の銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａを形成する。
（Ｄ）次に、上記半導体ウェハ６０と、層間絶縁樹脂層５８、５８及び配線部分５６、５６をカットすることにより、個々の電子部品実装装置６２ａ、６２ａ、・・・に分離する。
この分離された各電子部品実装装置６２ａも本発明に係る電子部品実装装置の実施の別の形態例である。
【００５３】
このような実施の形態例によれば、半導体ウェハ単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができるのみならず、配線部分５６の銅箔５２から形成された配線膜５２ａを複数層に形成することができ、例えば、第２層目の配線膜５２ａ、５２ａ、・・・によって一つのＩＣ６０ａの電極相互の電気的接続を成すことが可能であり、ＩＣ６０ａ内の一部の配線を配線部分５６の配線膜５２ａに委ねることができ、ＩＣ６０ａの、或いは電子部品実装装置６２ａの設計の自由度を高めることができる。
【００５４】
図１２（Ａ）〜（Ｅ）及び図１３（Ｆ）、（Ｇ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す断面図である。
（Ａ）銅箔５２の一方の主面にバンプ（第１のバンプ）５４、５４、・・・を形成した配線部分（第１の配線部分）５６を用意し、そのバンプ５４形成面に、層間絶縁樹脂層５８を各バンプ５４、５４、・・・に貫通された状態で形成する。図１２（Ａ）はその層間絶縁樹脂層５４形成後の状態を示す
【００５５】
（Ｂ）次に、上記バンプ（第１のバンプ）５４、５４、・・・に電子部品６４、６４、・・・の電極を接続することにより、図１２（Ｂ）に示すように、配線部分（第１の配線部分）５６に電子部品実装装置複数個分の電子部品６４、６４、・・・を搭載する。
（Ｃ）次に、図１２（Ｃ）に示すように、上記電子部品６４、６４、・・・を搭載した配線部分５６の電子部品６４搭載側に、層間絶縁樹脂層７２を介して、別の配線部分（第２の配線部分）６６を臨ませる。
【００５５】
該配線部分６６は銅箔６８の一方の主面にバンプ（第２のバンプ）７０、７０、・・・を形成したもので、該バンプ７０、７０、・・・は上記第１の配線部分５６のバンプ（第１のバンプ）５４よりも長さ（高さ）が電子部品６４の厚さ以上長い（高い）。バンプ７０、７０、・・・は、配線部分５６のバンプ５４、５４、・・・及びそれに電極が接続されて搭載された上記電子部品６４と位置が逸れるように位置設定されている。そして、各バンプ７０、７０、・・・が配線部分５６の電子部品６４搭載側の面を向き、配線部分５６・６６間に層間絶縁樹脂層７２が介在し、該配線部分５６・６６を位置合わせした状態で、配線部分５６に配線部分６６を臨ませるのである。
【００５６】
（Ｄ）次に、図１２（Ｄ）に示すように、層間絶縁樹脂層７２を上記各第２のバンプ７０、７０、・・・で貫通しつつ、該バンプ７０、７０、・・・の先端が配線部分５６の銅箔５２のバンプ（第１のバンプ）形成面に接続させることにより、二つの配線部分５６・６６を一体化する。７２はその二つの配線部分５６・６６の銅箔５２・６８間の層間絶縁樹脂層７２・５８が互いに溶融してできた層間絶縁樹脂層で、銅箔５２・６８間において、バンプ７０・５４及び電子部品６４相互間を絶縁分離し、更には、銅箔５２・６８を層間絶縁する。
【００５７】
（Ｅ）次に、第２の配線部分６６の銅箔６８を選択的にエッチングすることにより配線膜６８ａ、６８ａ、・・・を形成すると共に、該各配線膜６８ａ、６８ａ、・・・形成側の面に、半導体ウェハ６０を、自身の電極と各配線膜６８ａ、６８ａ、・・・が対応するように臨ませる。図１１（Ｅ）はその半導体ウェハ６０を第１、第２の配線部分５６・６６を一体化したものに臨ませた状態を示す。
（Ｆ）次に、銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａ、５２ａ、・・・を形成し、その後、図１３（Ｇ）に示すように、半導体ウェハ６０及び第１、第２の配線部分５６・６６を一体化したものをカッティングすることにより個々の電子部品実装装置６２ｂ、６２ｂ、・・・に分離する。
【００５８】
このような実施の形態例によれば、半導体ウェハ単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができるのみならず、層間絶縁樹脂層７２内に電子部品６４を封止して内蔵することができ、ＩＣ６０ａとは別個に電子部品６４を設けることができる。
このように、本発明は種々の形態で実施することができ、種々の変形例があり得る。
【００５９】
【発明の効果】
請求項１の電子部品実装装置の製造方法によれば、バンプを選択的に形成した金属部材の該各バンプに電子部品の各電極を接続することにより該電子部品を該金属部材への取り付けを行い、該金属部材の上記金属箔を露出させつつ、電子部品を、その配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層を形成し、その上記金属部材と反対側の主面に金属箔を形成し、その後、上記層間絶縁樹脂層の両主面の金属箔を順次又は同時にパターニングすることにより配線膜を形成し、そして、前記層間絶縁樹脂層を、フィルム状の樹脂により形成することとし、その前記電子部品と対応する部分を切り欠いておくので、層間絶縁樹脂層を形成するために、フィルム状の樹脂をあてがうときに、その樹脂によりベアのＩＣが損傷を受けるおそれを伴うことなく、電子部品実装装置を得ることができる。
【００６０】
請求項２の電子部品実装装置の製造方法によれば、請求項１の電子部品実装装置の製造方法において、前記金属部材の前記各バンプに電子部品の各電極を接続する前に、該金属部材のバンプ形成面に該各バンプの頂部が露出するような厚さのバンプ保護絶縁樹脂層を形成しておくので、電子部品の接続前におけるバンプの変形、損傷をそのバンプ保護絶縁樹脂層により防止することができるので、請求項１の電子部品実装装置の製造方法による効果を奏するのみならず、電子部品の接続前におけるバンプの変形、損傷をそのバンプ保護絶縁樹脂層により防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例の製造方法を工程順に示す断面図であり、（Ｇ）がその第１の実施の形態例を示している。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した製造方法の第１の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図１に示した製造方法の第２の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
【図４】 本発明に係る電子部品実装装置の第２の実施の形態例を示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は図４に示した第２の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図６】 本発明に係る電子部品実装装置の第３の実施の形態例を示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は図６に示した第３の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図８】 本発明に係る電子部品実装装置の第４の実施の形態例を示す断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は図８に示した第３の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第４の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第５の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）の内の（Ａ）〜（Ｅ）を順に示す断面図である。
【図１３】（Ｆ）、（Ｇ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）の内の（Ｆ）、（Ｇ）を順に示す断面図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｅ）は電子部品実装装置の従来例の一つの製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
２・・・金属箔（銅箔）、２ａ・・・配線膜、
４・・・バンプ（電子部品の電極と接続されるバンプ）、２ａ・・・配線部分、
５・・・金属部材、６・・・電子部品（層間絶縁樹脂層中に封止される電子部品）、
８・・・電極、１０・・・層間絶縁樹脂層、１０ａ・・・バンプ保護絶縁樹脂層、
１０ｈ・・・逃げ孔、１２・・・金属箔（銅箔）、１２ａ・・・配線膜、
１２ａ・・・配線部分、１４・・・貫通孔、１６・・・導電膜。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品実装装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種電子部品、例えば抵抗素子、誘導素子或いは容量素子、整流素子（ダイオード）等の受動素子、或いは増幅素子（トランジスタ等）、半導体集積回路素子（ＩＣ）は、従来、プリント配線基板の一方又は両方の主面の配線膜に電極を半田付け等でボンディングするというような方法により搭載され、そのプリント配線基板が各種電子機器その他の機器類等に取り付けられるのが普通であった。
【０００３】
しかし、各種電子機器その他の機器類は小型化、多機能化の要求が強くなる一方であり、そのような要求に応えるには、電子部品の搭載密度を高める必要があるが、単にプリント配線基板の一方又は両方の主面の配線膜に電子部品の電極を半田付け等でボンディングするというような電子部品の搭載方法では、電子部品の搭載密度を高めることには大きな制約があり、電子部品の搭載密度を高める要求に充分に応えることが難しいのが実情である。
【０００４】
そして、電子部品の搭載密度を高めるという要求に応えることができないことは、単に、それを用いる電子機器等の機器類の小型化、高機能化に寄与できないと言う問題をもたらすのみならず、電子部品及びプリント配線基板の配線からなる電子回路の電気的特性、例えば高周波特性、高速性の向上という要求にも応えることが難しいという問題ももたらす。
【０００５】
即ち、電子部品、特にＩＣは種々の技術開発により極めて高周波数特性、高速性の向上が進んでいるが、それをプリント配線基板に高密度の搭載できないが故に、配線長が長くなり、寄生抵抗、寄生容量、寄生誘導が大きくなり、折角のＩＣの優れた電気的特性がプリント配線基板への搭載によって大きく損なわれてしまうという問題があったのである。
【０００６】
そのため、電子部品の高密度搭載のための各種試みが行われた。図１４はそのような試みの一例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図１４（Ａ）に示すように、ＩＣサポート板ａを用意し、その上に所定の位置関係で複数の電子部品、例えばＩＣｂ、ｂ、・・・を配置する。
【０００７】
（Ｂ）次に、図１４（Ｂ）に示すように、絶縁性樹脂ｃを、上記ＩＣサポート板ａ上に上記ＩＣｂ、ｂ、・・・を覆うように圧着する。これにより、ＩＣｂ、ｂ、・・・を絶縁性樹脂ｃで封止した状態にする。
（Ｃ）次に、図１４（Ｃ）に示すように、上記ＩＣサポート板ａを取り外す。
【０００８】
（Ｄ）次に、図１４（Ｄ）に示すように、上記絶縁性樹脂ｃ及びＩＣｂ、ｂ、・・・のＩＣサポート板ａを取り外すことにより露出した表面に銅箔ｄをスパッタリング或いはメッキ等により形成する。
（Ｅ）次に、上記銅箔ｄをパターニング（選択的エッチング）することにより、図１４（Ｅ）に示すように、配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成する。
【０００９】
このような技術によれば、プリント配線基板の本体を成す絶縁層に相当する絶縁樹脂層ｃ内にＩＣｂ、ｂ、・・・を埋め込むことができ、その分、小型化、高集積化を図ることができる。また、高密度実装ができるが故に、ＩＣｂ、ｂ、・・・相互間、或いは外部と各ＩＣｂ、ｂ・・・間を結ぶ配線の長さを比較的短くできるので、実装した状態におけるＩＣｂ、ｂ、・・・及び配線からなる回路の各種電気的特性、例えば高周波特性、高速性を改善することができるという利点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１４に示す従来技術には下記の問題があった。
第１の問題は、配線膜ｅ、ｅ、・・・が、ＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの境界の近傍にあたる部分［図１４（Ｅ）のｆ参照］にて断線が生じ易いという問題である。これは、ＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの熱膨張係数が異なることから製造過程における、或いは使用時における温度変化により熱応力が配線膜ｅ、ｅ、・・・の上記ｆの部分に生じることに起因すると考えられる。
【００１１】
第２の問題は、ＩＣサポート板ａ上に置いたＩＣｂ、ｂ、・・・が位置ずれし易く、各ＩＣｂ、ｂ、・・・を、その間の位置関係が精確に設定通りになるように位置決めして樹脂ｃにより封止することが難しく、不良品が生じ易いという問題である。
即ち、ＩＣサポート板ａ上に各ＩＣｂ、ｂ、・・・を所定の位置関係に精確に置くことは現在の技術では可能ではあるが、しかし、その位置決めされたＩＣｂ、ｂ、・・・を絶縁樹脂層ｃで樹脂封止するまで各ＩＣｂ、ｂ、・・・の位置をＩＣサポート板ａ上にて動かないように保つ有効な手段がなく、また、絶縁樹脂層ｃで樹脂封止する過程でもＩＣｂ、ｂ、・・・の位置がずれる可能性がある。従って、各ＩＣｂ、ｂ、・・・を、その間の位置関係が精確に設定通りになるように位置決めして樹脂ｃにより封止することが難しいという問題が生じるのである。
【００１２】
第３の問題は、配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成すべく、銅箔ｄを選択的にエッチングするときに、エッチング液がＩＣｂと絶縁樹脂層ｃとの境界に染み込み易く、染みこんだ場合、封止効果が低下し信頼性が低くなるおそれがあるという問題である。
これは、電子部品実装装置としての信頼性を低くする大きな要因となるので、看過できない問題である。
【００１３】
第４の問題は、より一層の多層配線化が難しいという問題である。電子部品実装装置にはより一層の高集積化、高密度化が要求され、それに応えるには電子部品実装装置の多層配線化が有効と思われるが、上記従来技術によれば、多層配線化が難しく、より一層の高集積化、高密度化の要求に応える可能性が低いのである。
【００１４】
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、電子部品の実装密度を高くし、配線長を短くして高周波特性、高速性等の特性を高くし、且つ信頼度を高くし、更に、ベアのＩＣの損傷を伴うことなくＩＣの実装ができる電子部品実装装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の電子部品実装装置の製造方法は、金属箔の一方の主面に金属からなる略コニーデ状のバンプを選択的に形成した金属部材の該各バンプに電子部品の各電極を接続することにより該電子部品を該金属部材へ取り付け、上記金属部材の上記金属箔を露出させつつ、電子部品を、その配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層を形成し、上記層間絶縁樹脂層の上記金属部材と反対側の主面に金属箔を形成し、その後、上記層間絶縁樹脂層の両主面の金属箔を順次又は同時にパターニングすることにより配線膜を形成する電子部品実装装置の製造方法であって、前記層間絶縁樹脂層を、フィルム状の樹脂により形成することとし、更に、フィルム状の樹脂からなる該層間絶縁樹脂層の前記電子部品と対応する部分を切り欠いておき、これを、前記金属部材のバンプ形成面に、その切り欠いた部分が上記電子部品に整合するように位置合わせして重ねた状態で加熱処理することにより、前記金属部材の上記金属箔を露出させつつ上記電子部品をその配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層の形成を行うことを特徴とする。
【００１６】
請求項２の電子部品実装装置の製造方法は、請求項１の電子部品実装装置の製造方法において、前記金属部材の前記各バンプに電子部品の各電極を接続する前に、該金属部材のバンプ形成面に該各バンプの頂部が露出するような厚さのバンプ保護絶縁樹脂層を形成しておくことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示実施の形態例に従って詳細に説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態例）
図１（Ａ）〜（Ｇ）は本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例の製造方法を工程順に示す断面図である。以下にこの製造方法について説明する。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、配線膜となる銅箔２の一方の主面に略コニーデ状の層間接続用のバンプ４、４、・・・を形成した金属部材５を用意する。
【００１９】
該部材５は例えば配線膜となる薄い銅層と、エッチングバリアとなる更に薄い例えばニッケル層と、バンプとなる比較的厚い銅層を積層した三層構造の金属板を用意し、そのバンプとなる比較的厚い銅層を選択的にエッチングすることによりバンプを形成し、その後、該バンプをマスクとしてニッケル膜をエッチングすることにより形成することができる。尚、このニッケル膜はバンプを形成するエッチングの際にエッチングバリアとして配線膜となる銅膜のエッチングを阻んだものであるが、もうその役割を終え、しかも今はバンプ間を相互にショートする存在なのでここで除去するのである。
また、該部材５は、単層構造の銅板を一方の主面側から選択的にハーフエッチング（銅板の板厚より適宜薄い深さのエッチング）をすること等によっても形成することができ、その形成方法には種々のものが考えられ得る。
【００２０】
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、ベアのＩＣ（半導体集積回路素子）６を、その各電極８、８、・・・がそれに対応するバンプ４、４、・・・の頂部上に位置するように位置決めし、その各電極８、８、・・・とバンプ４、４、・・・とを接合する。そのベアのＩＣ６の金属部材５への位置決めは例えばチップマウンタにより極めて精確に行うことができる。
（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、上記金属部材５のバンプ４、４、・・・側の面に層間絶縁樹脂層１０を上記ベアＩＣ６を完全に封止するように圧着形成する。
【００２１】
（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、上記層間絶縁樹脂層１０の主面上に配線膜となる銅箔１２を接着する。
（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記銅箔２、１２を含め上記層間絶縁樹脂層１０を貫通する貫通孔１４を形成する。該貫通孔１４は層間接続用のスルーホールとなるものである。
（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すように、上記貫通孔１４内面に金属からなる層間接続用導電層１６を形成する。この形成は、例えば無電解メッキ処理と電解メッキ処理を施すことにより容易に為すことができる。
【００２２】
（Ｇ）次に、銅箔２、１２に対する選択的エッチング処理を同時又は所定の順序で施すことにより配線膜２ａ、２ａ、・・・、１２ａ、１２ａ、・・・を形成し、その後、配線膜２ａ、２ａ、・・・、１２ａ、１２ａ、・・・に電子部品１８、１８、・・・の電極を接続することにより電子部品１８、１８、・・・を搭載する。図１（Ｇ）は電子部品の搭載後の状態を示す。この図１（Ｇ）における、２０が本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例を示す。尚、本実施の形態例では、両面に電子部品１８が搭載されていたが、片面のみに電子部品１８を搭載するようにしても良い。
【００２３】
このような電子部品実装装置２０は、基板本体を構成する層間絶縁樹脂層１０内にＩＣ６を封止することができるので、回路の集積密度を顕著に高めることができる。従って、従来のプリント配線基板の一方乃至双方の両主面に部材を取り付けるタイプのものに比較して顕著に回路の集積密度を高めることができる。
そして、集積密度を高めることができることから、電子部品間の間隔をより短くすることが可能となり、延いては、電子部品間を互いに接続する配線膜の長さ（配線長）を短くすることが可能となり、延いては、高周波数特性、高速性を高め、性能の向上を図ることができる。
【００２４】
そして、ベアのＩＣ６を例えばベアマウンタ等により精確に位置決めしたら直ぐにその電極８と金属部材５のバンプ４、４、・・・とを接続して位置関係を強固に固定し、その後、その位置関係を強固に固定した状態で層間絶縁樹脂層１０を形成してそのＩＣ６を封止するので、図１４に示す従来例におけるような、ＩＣｂ、ｂ、・・・が、サポート板ａ上に位置決めされた後、樹脂ｃが形成されそれにより封止されるまでの間に位置ずれを生じるというおそれは、ない。
【００２５】
また、図１４に示す従来例によれば、樹脂ｃとＩＣｂとの熱膨張係数の違いにより、配線膜ｅ、ｅ、・・・の樹脂ｃとＩＣｂとの境界部分ｆ、ｆ、・・・に熱応力による断線等が生じ易いという問題があるが、本実施の形態例２０によれば、ＩＣ６が樹脂１０中に深く埋もれており、配線膜１２ａ、１２ａ、・・・に樹脂１０とＩＣ６との熱膨張係数の違いによる熱応力が加わるおそれがなく、そのような問題は生じ得ない。
また、図１４に示す従来例によれば、銅箔ｄを選択的にエッチングすることにより配線膜ｅ、ｅ、・・・を形成する際に、樹脂ｃとＩＣｂとの境界に沿ってエッチング液が浸透してしまい、封止効果が低減するおそれがあるが、本実施の形態例２０によれば、樹脂１０とＩＣ６との境界が樹脂１０外部に露出していないので、銅箔２、１２を選択的にエッチングするときにエッチング液が樹脂１０とＩＣ６との境界に沿って樹脂１０内に深く浸透するおそれもない。
【００２６】
（第１の変形例）
図２（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した製造方法の第１の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）銅箔２の一方の主面にバンプ４、４、・・・を形成した金属部材５のバンプ形成側の面に、図２（Ａ）に示すように、バンプ４の高さよりも薄いバンプ保護絶縁樹脂層１０ａを形成する。
（Ｂ）その後、図２（Ｂ）に示すように、各バンプ４、４、・・・の露出した頂部にベアのＩＣ６の各電極８、８、・・・を接続する。
【００２７】
その後は、図１に示した製造方法と同じ工程を行う。
この第１の変形例によれば、微細なるが故に折れたり曲がったりし易いバンプ４、４、・・・がＩＣ６搭載前に或いは搭載の際に折れたり、曲がったりすることを層間絶縁樹脂層１０ａにより防止することができ、延いては、不良率の低減、信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
（第２の変形例）
図３（Ａ）〜（Ｃ）は図１に示した製造方法の第２の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）金属部材５にＩＣ６を搭載した後、図３（Ａ）に示すように、層間絶縁樹脂層として、ＩＣ６を逃げる逃げ孔１０ｈを有するフィルム状の樹脂１０を用意し、その逃げ孔１０ｈがＩＣ６と位置整合するようにその樹脂１０を金属部材５上に臨ませる。尚、金属部材５はバンプ４の高さより薄いバンプ保護絶縁樹脂層１０ａが形成されていてもいなくても良い。
【００２９】
（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、層間絶縁樹脂層１０を金属部材５のバンプ形成面上に位置させる。
（Ｃ）その後、圧着処理すると、圧着処理により生じた層間絶縁樹脂層１０の流動性により、図３（Ｃ）に示すように、ＩＣ６を覆った状態になり、硬化すると封止した状態になる。
【００３０】
その後は、図１に示した製造方法と同じ工程を経て電子部品実装装置２０を得る。
このような変形例によれば、層間絶縁樹脂層１０を形成するために、フィルム状の樹脂をあてがうときに、その樹脂によりベアのＩＣ６が損傷を受けるおそれをなくすことができる。
【００３１】
（第２の実施の形態例）
図４は本発明に係る電子部品実装装置の第２の実施の形態例２０ａを示す断面図である。本実施の形態例２０ａは、同じ領域内に２個のベアＩＣ６、６が背中合わせの向きで上下に離間して重なるように層間絶縁樹脂層１０内に封止されるように集積度を高めた点で図１（Ｇ）に示す電子部品実装装置２０と異なっている。これにより電子部品実装装置の単位専有面積当たりの回路の集積度を略倍増することができる。
【００３２】
図５（Ａ）〜（Ｃ）は図４に示した電子部品実装装置２０ａの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５を一対５ａ、５ｂを用意し、その一方５ａのバンプ形成側の面に層間絶縁樹脂層１０を圧着処理により該ＩＣ６、６、・・・を封止するように形成し、他方の金属部材５ｂをＩＣ６、６、・・・の搭載側を一方の金属部材５ａに向けて、所定の位置関係に位置合わせして臨ませる。図５（Ａ）はその状態を示す。
【００３３】
（Ｂ）次に、層間絶縁樹脂層１０に対して加熱処理を施して軟化させながら上記他方の金属部材５ｂを金属部材５ａに近接させ、その金属部材５ｂのＩＣ６、６、・・・を該層間絶縁樹脂層１０内に埋もれ、該樹脂層１０によって封止された状態にする。図５（Ｂ）はその封止された状態を示す。
【００３４】
（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、樹脂層１０に貫通孔１４を形成し、更に、導電膜１６を形成する。その後は、例えば図１に示す製造方法と同じ工程を行う。すると、図４に示す電子部品実装装置２０ａが出来上がる。
【００３５】
（第１の変形例）
図６は図４に示した電子部品実装装置の第１の変形例２０ｂを示す断面図である。本変形例２０ａは、図４に示した電子部品実装装置２０ｂとは、一つの領域内に存するＩＣ６は一個であり、上面（反電極側の面）が上向きに搭載されたＩＣ６ａと下面（電極側の面）が上向きに搭載されたＩＣ６ｂを有するように層間絶縁樹脂層１０に封止してなる点で異なる。このようにすれば、電子部品実装装置の単位専有面積当たりの回路の集積度を高めることは必ずしもできないが、ＩＣ６ａの電極が下側の配線膜と多く接続され、ＩＣ６ｂの電極が上側の配線膜と多く接続される場合には比較的配線長を短くしつつ多くのＩＣ６を搭載することができ、配線長が全体的に長くならないようにすることが容易に為し得る。
【００３６】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は図６に示した電子部品実装装置２０ｂの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５を一対５ａ、５ｂを用意し、その一方５ａのバンプ形成側の面に層間絶縁樹脂層１０を圧着処理により該ＩＣ６、６、・・・を封止するように形成し、他方の金属部材５ｂをＩＣ６、６、・・・の搭載側を一方の金属部材５ａに向けて、所定の位置関係に位置合わせして臨ませる。図７（Ａ）はその状態を示す。
【００３７】
（Ｂ）次に、層間絶縁樹脂層１０に対して加熱処理を施して軟化させながら上記他方の金属部材５ｂを金属部材５ａに近接させ、その金属部材５ｂのＩＣ６、６、・・・を該層間絶縁樹脂層１０内に埋もれ、該樹脂層１０によって封止された状態にする。図７（Ｂ）はその封止された状態を示す。
【００３８】
（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、樹脂層１０に貫通孔１４を形成し、更に、導電膜１６を形成する。その後は、例えば図１に示す製造方法と同じ工程を行う。すると、図６に示す電子部品実装装置２０ｂが出来上がる。
【００３９】
（第３の実施の形態例）
図８は本発明に係る電子部品実装装置の第３の実施の形態例を示す断面図である。本実施の形態例２０ｃは層間絶縁樹脂層１０の両面の配線膜間をスルーホールによってではなく、バンプ２４、２４・・・によって電気的に接続するようにしたものであり、貫通孔を形成し、無電解メッキ、電解メッキを形成するという面倒な工程を経ることなく層間接続するようにすることができるという利点を有する。１８は一方の主面に搭載された電子部品である。本実施の形態例２０ｃにおいては一方の主面のみに形成されているが、双方の主面に搭載するようにしても良いことは言うまでもない。
【００４０】
図９（Ａ）、（Ｂ）は図８に示す電子部品実装装置２０ｃの製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図９（Ａ）に示すように、バンプ４、４、・・・にて電極８、８、・・・を介してベアのＩＣ６、６、・・・が搭載された金属部材５ａと、層間絶縁樹脂層１０の厚さと同じ高さの層間接続用バンプ２４、２４、・・・を銅箔２の一方の主面に形成し、そのバンプ２４形成面に層間絶縁樹脂層１０を形成した金属部材５ｃを用意し、該金属部材５ｃを、そのバンプ２４形成面が金属部材５ａのバンプ４形成面に所定の位置関係になるように位置決めして臨ませる。図９（Ａ）はその位置決めして臨ませた状態を示す。
【００４１】
（Ｂ）次に、図９（Ｂ）に示すように、層間絶縁樹脂層１０に対する加熱処理を施して軟化させながら金属部材５ａを金属部材５ｃに近接させ、バンプ２４、２４、・・・が金属部材５ａの銅箔２に接続され、その層間絶縁樹脂層１０によってベアのＩＣ６、６、・・が封止され、金属部材５ａ及び５ｃの銅箔２・２間が絶縁された状態にする。
その後は、上下両面の銅箔２、２をパターニングして配線膜を形成し、更に、必要な電子部品１８の搭載を行う。すると、図８に示す電子部品実装装置２０ｃが出来上がる。
【００４２】
（他の各種変形例）
尚、上記本発明に係る電子部品実装装置の第１乃至第３各実施の形態例２０、２０ａ〜２０ｃにおいて、バンプ４、４、・・・とベアのＩＣ６、６、・・・の電極８、８、・・・との接続が不可欠であるが、その接続において、そのバンプ４、４、・・・と電極８、８、・・・との間にＡＣＦ等の異方性導電膜を介在させるようにしても良い。
また、バンプ４、４、・・・と電極８、８、・・・との接続は、ベアのＩＣ６をチップマウンタにより位置決めし、その状態で適宜加圧することにより行うことができるが、その際に、超音波振動を加えるようにすると、接続性をより良好にすることができる。
【００４３】
更に、接続工程の直前に例えばチャンバー内にてバンプ４、４、・・・及び電極８、８、・・・の表面をクリーンにする処理をし、その後、上記接続をするようにすると、低い加圧力で良好な接続ができる。
更にまた、上記各種実施の形態例において、層間絶縁樹脂層１０の一方の主面或いは双方の主面上に、厚膜或いは薄膜による抵抗素子、容量素子或いは誘導素子を形成するようにしても良いことは言うまでもない。抵抗素子は、例えば銅箔として若干比抵抗の大きなものを用い、パターニングにより細くて長い（例えばジグザグ状にパターニングすることにより配線膜を長くする。）配線膜部分を形成することにより得ることができる。
【００４４】
また、容量素子は、薄膜或いは厚膜により例えば銅箔による下側電極を形成し、その下側電極を比較的誘電率の高い絶縁層により覆い、該絶縁層上に該下側電極とと対向する上側電極を形成することにより得ることができる。また、誘導素子は、厚膜又は薄膜により例えば渦巻き状のパターンを形成し、更に、絶縁膜として例えばセラミック粒子を含有した比較的透磁率の高い膜をその渦巻き状の膜間に介在するように形成することによっても得ることができる。
【００４５】
（第４の実施の形態例）
図１０（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第４の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。本実施の形態例は、後述する第５、第６の実施の形態例と同様に、半導体ウェハの状態で配線部分等との組付けを進めるという点で、上述した第１乃至第３の実施の形態例とは異なり、製造効率を高めることができるという利点を有し、また、第１乃至第３の実施の形態例が図１４に示した従来例と比較して優れた各利点も有する。
【００４６】
（Ａ）図１０（Ａ）に示すように、銅箔５２の一方の主表面に銅からなるバンプ５４を形成した配線部分５６の該バンプ５４側の面に層間絶縁樹脂層５８を該バンプ５４、５４、・・・に貫通されるようにして形成したものと、半導体ウェハ６０を用意する。配線部分５６は、複数の電子部品実装装置分の配線部分を一体に形成したものであり、また、半導体ウェハ６０も複数の電子部品実装装置分のＩＣを一体に形成したものである。
【００４７】
（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、上記配線部分５６の各バンプ５４、５４、・・・を、上記半導体ウェハ６０の各電極に接続する。
（Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、上記銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａ、５２、・・・を形成する。
【００４８】
（Ｄ）次に、上記半導体ウェハ６０と、層間絶縁樹脂層５８及び配線部分５６をカットすることにより、個々の電子部品実装装置６２、６２、・・・に分離する。
この電子部品実装装置６２が本発明電子部品実装装置の実施の形態例の一つである。
このような実施の形態例によれば、電子部品であるＩＣ６０の電極と配線を直接接続するのではなく、バンプ５８を介して接続するので、層間絶縁樹脂層５８とＩＣ６０との熱膨張係数に違いがあってもその違いによる熱応力が配線に生じるおそれがなく、延いては配線の断線のおそれをなくすことができる。
【００４９】
更には、ＩＣ６０の電極と配線を直接接続する構造ではなく、バンプ５８を介して接続するので、配線形成の際に、ＩＣ６０と層間絶縁樹脂層５８との境界が外部に露出していない。従って、配線形成の際にＩＣ６０と層間絶縁樹脂層５８との境界を通じてエッチング液が該樹脂層５８内部に侵入して封止効果が低下するおそれがなく、信頼度、耐久性が損なわれるおそれがない。
また、半導体ウェハ６０単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができる。
【００５０】
図１１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第５の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図１０（Ａ）、（Ｂ）に示したと同様の工程で、銅箔５２のバンプ５４、５４、・・・を半導体ウェハ６０の各電極に接続した状態を形成する。図１１（Ａ）はその状態を示す。
【００５１】
（Ｂ）次に、上記銅箔５２を選択的にエッチングすることにより、図１１（Ｂ）に示すように、配線膜５２ａ、５２ａ、・・・を形成し、それに、図１０（Ａ）に示す配線部分と同様の構造の別の部材である配線部分５６を用意し、図１１（Ｂ）に示すように、その各バンプ５４、５４、・・・が対応する上記配線膜５２ａ、５２ａ、・・・と対向するように、半導体ウェハ６０と接続された配線部分５６に、別途用意した上記配線部分５６を、これのバンプ５４、５４、・・・に貫通された状態の層間絶縁樹脂層５８を介して臨ませる。
【００５２】
（Ｃ）次に、図１１（Ｃ）に示すように、半導体ウェハ６０と接続された配線部分５６に、別途用意した上記配線部分５６のバンプ５４、５４、・・・を接続し、その後、その配線部分５６の銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａを形成する。
（Ｄ）次に、上記半導体ウェハ６０と、層間絶縁樹脂層５８、５８及び配線部分５６、５６をカットすることにより、個々の電子部品実装装置６２ａ、６２ａ、・・・に分離する。
この分離された各電子部品実装装置６２ａも本発明に係る電子部品実装装置の実施の別の形態例である。
【００５３】
このような実施の形態例によれば、半導体ウェハ単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができるのみならず、配線部分５６の銅箔５２から形成された配線膜５２ａを複数層に形成することができ、例えば、第２層目の配線膜５２ａ、５２ａ、・・・によって一つのＩＣ６０ａの電極相互の電気的接続を成すことが可能であり、ＩＣ６０ａ内の一部の配線を配線部分５６の配線膜５２ａに委ねることができ、ＩＣ６０ａの、或いは電子部品実装装置６２ａの設計の自由度を高めることができる。
【００５４】
図１２（Ａ）〜（Ｅ）及び図１３（Ｆ）、（Ｇ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す断面図である。
（Ａ）銅箔５２の一方の主面にバンプ（第１のバンプ）５４、５４、・・・を形成した配線部分（第１の配線部分）５６を用意し、そのバンプ５４形成面に、層間絶縁樹脂層５８を各バンプ５４、５４、・・・に貫通された状態で形成する。図１２（Ａ）はその層間絶縁樹脂層５４形成後の状態を示す
【００５５】
（Ｂ）次に、上記バンプ（第１のバンプ）５４、５４、・・・に電子部品６４、６４、・・・の電極を接続することにより、図１２（Ｂ）に示すように、配線部分（第１の配線部分）５６に電子部品実装装置複数個分の電子部品６４、６４、・・・を搭載する。
（Ｃ）次に、図１２（Ｃ）に示すように、上記電子部品６４、６４、・・・を搭載した配線部分５６の電子部品６４搭載側に、層間絶縁樹脂層７２を介して、別の配線部分（第２の配線部分）６６を臨ませる。
【００５５】
該配線部分６６は銅箔６８の一方の主面にバンプ（第２のバンプ）７０、７０、・・・を形成したもので、該バンプ７０、７０、・・・は上記第１の配線部分５６のバンプ（第１のバンプ）５４よりも長さ（高さ）が電子部品６４の厚さ以上長い（高い）。バンプ７０、７０、・・・は、配線部分５６のバンプ５４、５４、・・・及びそれに電極が接続されて搭載された上記電子部品６４と位置が逸れるように位置設定されている。そして、各バンプ７０、７０、・・・が配線部分５６の電子部品６４搭載側の面を向き、配線部分５６・６６間に層間絶縁樹脂層７２が介在し、該配線部分５６・６６を位置合わせした状態で、配線部分５６に配線部分６６を臨ませるのである。
【００５６】
（Ｄ）次に、図１２（Ｄ）に示すように、層間絶縁樹脂層７２を上記各第２のバンプ７０、７０、・・・で貫通しつつ、該バンプ７０、７０、・・・の先端が配線部分５６の銅箔５２のバンプ（第１のバンプ）形成面に接続させることにより、二つの配線部分５６・６６を一体化する。７２はその二つの配線部分５６・６６の銅箔５２・６８間の層間絶縁樹脂層７２・５８が互いに溶融してできた層間絶縁樹脂層で、銅箔５２・６８間において、バンプ７０・５４及び電子部品６４相互間を絶縁分離し、更には、銅箔５２・６８を層間絶縁する。
【００５７】
（Ｅ）次に、第２の配線部分６６の銅箔６８を選択的にエッチングすることにより配線膜６８ａ、６８ａ、・・・を形成すると共に、該各配線膜６８ａ、６８ａ、・・・形成側の面に、半導体ウェハ６０を、自身の電極と各配線膜６８ａ、６８ａ、・・・が対応するように臨ませる。図１１（Ｅ）はその半導体ウェハ６０を第１、第２の配線部分５６・６６を一体化したものに臨ませた状態を示す。
（Ｆ）次に、銅箔５２を選択的にエッチングすることにより配線膜５２ａ、５２ａ、・・・を形成し、その後、図１３（Ｇ）に示すように、半導体ウェハ６０及び第１、第２の配線部分５６・６６を一体化したものをカッティングすることにより個々の電子部品実装装置６２ｂ、６２ｂ、・・・に分離する。
【００５８】
このような実施の形態例によれば、半導体ウェハ単位で電子部品実装装置の製造を進め、最終的段階でカッティングにより個々の電子部品実装装置に分離することにより電子部品実装装置を得ることができ、半導体ウェハをカッティングしてチップに分離したものに配線部分を組み付ける場合に比較して、高い効率で電子部品実装装置の製造ができ、電子部品実装装置の低価格化を図ることができるのみならず、層間絶縁樹脂層７２内に電子部品６４を封止して内蔵することができ、ＩＣ６０ａとは別個に電子部品６４を設けることができる。
このように、本発明は種々の形態で実施することができ、種々の変形例があり得る。
【００５９】
【発明の効果】
請求項１の電子部品実装装置の製造方法によれば、バンプを選択的に形成した金属部材の該各バンプに電子部品の各電極を接続することにより該電子部品を該金属部材への取り付けを行い、該金属部材の上記金属箔を露出させつつ、電子部品を、その配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層を形成し、その上記金属部材と反対側の主面に金属箔を形成し、その後、上記層間絶縁樹脂層の両主面の金属箔を順次又は同時にパターニングすることにより配線膜を形成し、そして、前記層間絶縁樹脂層を、フィルム状の樹脂により形成することとし、その前記電子部品と対応する部分を切り欠いておくので、層間絶縁樹脂層を形成するために、フィルム状の樹脂をあてがうときに、その樹脂によりベアのＩＣが損傷を受けるおそれを伴うことなく、電子部品実装装置を得ることができる。
【００６０】
請求項２の電子部品実装装置の製造方法によれば、請求項１の電子部品実装装置の製造方法において、前記金属部材の前記各バンプに電子部品の各電極を接続する前に、該金属部材のバンプ形成面に該各バンプの頂部が露出するような厚さのバンプ保護絶縁樹脂層を形成しておくので、電子部品の接続前におけるバンプの変形、損傷をそのバンプ保護絶縁樹脂層により防止することができるので、請求項１の電子部品実装装置の製造方法による効果を奏するのみならず、電子部品の接続前におけるバンプの変形、損傷をそのバンプ保護絶縁樹脂層により防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明に係る電子部品実装装置の第１の実施の形態例の製造方法を工程順に示す断面図であり、（Ｇ）がその第１の実施の形態例を示している。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示した製造方法の第１の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図１に示した製造方法の第２の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
【図４】 本発明に係る電子部品実装装置の第２の実施の形態例を示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は図４に示した第２の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図６】 本発明に係る電子部品実装装置の第３の実施の形態例を示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は図６に示した第３の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図８】 本発明に係る電子部品実装装置の第４の実施の形態例を示す断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）は図８に示した第３の実施の形態例の製造方法の要部を工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第４の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明に係る第５の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）の内の（Ａ）〜（Ｅ）を順に示す断面図である。
【図１３】（Ｆ）、（Ｇ）は本発明に係る第６の実施の形態例である、電子部品実装装置の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｇ）の内の（Ｆ）、（Ｇ）を順に示す断面図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｅ）は電子部品実装装置の従来例の一つの製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
２・・・金属箔（銅箔）、２ａ・・・配線膜、
４・・・バンプ（電子部品の電極と接続されるバンプ）、２ａ・・・配線部分、
５・・・金属部材、６・・・電子部品（層間絶縁樹脂層中に封止される電子部品）、
８・・・電極、１０・・・層間絶縁樹脂層、１０ａ・・・バンプ保護絶縁樹脂層、
１０ｈ・・・逃げ孔、１２・・・金属箔（銅箔）、１２ａ・・・配線膜、
１２ａ・・・配線部分、１４・・・貫通孔、１６・・・導電膜。
Claims (2)
- 金属箔の一方の主面に金属からなる略コニーデ状のバンプを選択的に形成した金属部材の該各バンプに電子部品の各電極を接続することにより該電子部品を該金属部材へ取り付け、
上記金属部材の上記金属箔を露出させつつ、電子部品を、その配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層を形成し、
上記層間絶縁樹脂層の上記金属部材と反対側の主面に金属箔を形成し、
その後、上記層間絶縁樹脂層の両主面の金属箔を順次又は同時にパターニングすることにより配線膜を形成する
電子部品実装装置の製造方法であって、
前記層間絶縁樹脂層を、フィルム状の樹脂により形成することとし、
更に、フィルム状の樹脂からなる該層間絶縁樹脂層の前記電子部品と対応する部分を切り欠いておき、これを、前記金属部材のバンプ形成面に、その切り欠いた部分が上記電子部品に整合するように位置合わせして重ねた状態で加熱処理することにより、前記金属部材の上記金属箔を露出させつつ上記電子部品をその配線膜との間の部分及び反電極側の部分を含め囲繞するように層間絶縁樹脂層の形成を行う
ことを特徴とする電子部品実装装置の製造方法。 - 前記金属部材の前記各バンプに電子部品の各電極を接続する前に、該金属部材のバンプ形成面に該各バンプの頂部が露出するような厚さのバンプ保護絶縁樹脂層を形成しておく
ことを特徴とする請求項１記載の電子部品実装装置の製造方法。
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