JP4093297B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハテープに貼り付けられた半導体ウェハがダイシングされて個片化されたチップを、例えば、ボンディング工程などに移行するために、当該ウェハテープからチップを分離する半導体製造装置に関する。本発明は、特にチップ間隔が狭い小型のチップをウェハテープから分離する半導体製造装置に好適である。
【0002】
【従来の技術】
電子機器に使用される半導体チップを製造するプロセスは、リソグラフィ技術によって半導体ウェハ上に回路を形成する前工程と、かかる半導体ウェハから半導体チップを製造する後工程とを含む。このうち後工程は、半導体ウェハがダイシングされて個片化されたチップを、例えば、ボンディング工程に移行するために当該チップを分離する(取り上げる)ピックアップを含む。半導体ウェハ又はダイシングされたチップはリング状のウェハフレームに保持されたウェハテープに貼り付けられており、個片化されたチップをピックアップするためにウェハテープを延伸させることが行われている。ウェハテープを延伸させることは、半導体ウェハ又はダイシングされたチップの間隔を十分に広げるとともに、テープを延伸させることで半導体ウェハ又はダイシングされたチップとウェハテープとの接着力を減らすことができるので、ピックアップをスループットよく行うことができる。
【0003】
図10乃至図12を参照するに、半導体製造装置に適用される従来の手法としてのウェハテープ410を延伸するためのウェハテープ延伸機構(エキスパンド装置と称される場合もある)500について説明する。ここで、図10の(a)は従来のウェハテープ延伸機構500を示す概略上面図であり、(b)は(a)に示すウェハテープ延伸機構500を示す概略側面図である。図11は、ウェハテープ410を延伸するための動作を説明する図10に示すウェハテープ延伸機構500の領域Aにおける一の状態を示す拡大断面図である。図12は、ウェハテープ410を延伸するための動作を説明する図10に示すウェハテープ延伸機構500の領域Aにおける別の状態を示す拡大断面図である。
【0004】
ウェハテープ延伸機構500は、図10に示されるように、半導体ウェハ又はダイシングされたチップが貼り付けられたウェハテープ410を保持するウェハフレーム400を着脱可能に保持するフレーム押し下げ板510と、ウェハテープ延伸リング520とを有し、例えば図示しない駆動装置によって駆動されるフレーム押し下げ板510を駆動させ、ウェハフレーム400に保持されるウェハテープ410をウェハテープ延伸リング520に押し当てることで当該ウェハテープ410を延伸させる装置である。
【0005】
かかるウェハテープ延伸機構500において、まず、ウェハフレーム400がフレーム押し下げ板510に取り付けられる。ウェハフレーム400はウェハテープ410を保持し、保持されてウェハテープ410の中心部分には複数個の半導体ウェハ又はダイシングされたチップが貼り付けられている。このとき、図10及び図11に示すように、ウェハフレーム400はフレーム押し下げ板510に取り付けられてウェハテープ延伸リング520の上方に位置している。
【0006】
そして、半導体ウェハ又はダイシングされたチップのピックアップに際しては、例えば図示しない駆動装置を駆動させてフレーム押し下げ板510を図12に示すように下方(即ち、ウェハテープ延伸リング520方向)に押し下げる。これにともない、フレーム押し下げ板510とともにウェハフレーム400が押し下げられ、ウェハテープ410がウェハテープ延伸リング520に当接する。さらに、フレーム押し下げ板510を押し下げると、ウェハテープ延伸リング520を支点としてウェハテープ410がウェハフレーム400によって引っ張られる。これによりウェハテープ410は延伸され、これと同時にウェハテープ410に貼り付けられた半導体ウェハ又はダイシングされたチップが間隔も広げられる。
【0007】
かかる状態において、半導体ウェハ又はダイシングされたチップは、コレットと呼ばれる吸着部材(吸着ヘッド)によりターゲットとする半導体ウェハ又はチップ上に正確に位置決めされて吸着されることで、ピックアップされる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の電子機器の小型化により搭載される半導体ウェハやチップも小型化が進んでおり、それに伴い、ウェハテープに貼り付けられた半導体ウェハ又はダイシングされるチップの間隔も非常に小さなものになってきている。これら小型の半導体ウェハ又はチップに対するピックアップをスループットよく行うためには更にウェハテープを延伸する必要があるが、小型の半導体ウェハにいたっては従来の方法のままではコレットで安定的に吸着するための間隔を十分に確保することが困難であるという問題を有している。
【0009】
図12を参照するに、従来の方法においては、ウェハテープ410はウェハテープ延伸リング520を支点としてウェハフレーム400の押し下げ力により延伸される。しかし、ウェハテープ410とウェハテープ延伸リング520との間には摩擦力が存在する。例えば、ウェハフレーム400に印加される押し下げ力Fによりウェハテープ延伸リング520に押し付けられたウェハテープ410全体に引張力Fが働いたと仮定すると、ウェハテープ延伸リング520の接触位置より外側にあるウェハテープ410には引張力Fが働くが、ウェハテープ延伸リング520より内側にあるウェハテープ410には摩擦力Fと引張力Fの合力(F−F)が働くこととなる。本来ならば、ウェハテープ410は全体として引張力Fに比例して延伸されることが好ましいが、ウェハテープ410の中心部(ウェハテープ延伸リング520より内側)の伸びに起因する引張力Fは摩擦力Fによって減少されてしまう。よって、ウェハテープ410の中心部の延伸量(エキスパンド率)は外側に位置するウェハテープ410の延伸量より減少してしまうことになる。よって、ウェハテープ410の中心部分を更に引き伸ばすためには、ウェハフレーム400を更に大きな力で押し下げる必要がある。
【0010】
しかし、摩擦力Fは押し下げ力Fに比例して大きくなるので、ウェハテープ410の延伸を目的として単にウェハフレーム400に対する押し下げ力Fを大きくしたのではウェハテープ410の中心部分に働く合力(F−F)が弱くなり、結果としてウェハテープ410の外周部分は延びるが中心部分はまったく伸びないことも考えられる(例えば、F−F≒0)。
【0011】
そこで、このような問題を解決する方法として、ウェハテープ410とウェハテープ延伸リング520との摩擦を低減するために、摩擦面となるウェハテープ延伸リング520に小型のローラを設け摩擦抵抗を減らす手法などが提案されている。しかしながら、かかる手法ではウェハテープ延伸リングに微小のローラを取り付ける必要があり製造コストがかかり、また煩雑な製造工程を必要とするなど好ましい方法ではない。
【0012】
【課題を解決するための手段】
そこで、このような従来の課題を解決する新規かつ有用な半導体製造装置を提供することを本発明の概括的目的とする。
【0013】
より特定的には、本発明は、半導体ウェハ又はダイシングされたチップが貼り付けられたウェハテープを容易にかつ簡素な構成で効果的に延伸することを可能にするテープ延伸部材を提供する。
【0014】
発明の一側面としての半導体製造装置は、ウェハテープに貼り付けられた半導体ウェハがダイシングされ個片化されたチップに分離されて前記ウェハテープから前記チップを分離する半導体製造装置であって、前記ウェハテープが押し当てられるウェハテープ延伸リングと、前記ウェハテープを保持するウェハフレームを保持すると共に、前記ウェハテープの延伸に際して前記ウェハフレームに保持される前記ウェハテープが前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられるように移動可能なウェハフレーム保持部と、前記ウェハテープが前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられた際に前記ウェハテープと前記ウェハテープ延伸リングとの間に介在するように前記ウェハフレーム保持部に接続されて前記ウェハテープを延伸させるテープ延伸部材とを有し、前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープ延伸リングに対して低摩擦係数の部材より形成され、前記ウェハテープ延伸リングより小さい内径を有する環状部材であることを特徴とする。
【0015】
かかる半導体製造装置によれば、テープ延伸部材がウェハテープ延伸リングの摩擦面として作用すると共に、当該ウェハテープとテープ延伸部材との摩擦力によりウェハテープの延伸に寄与する。より詳細には、前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープが当該テープ延伸部材を介して前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられた際に前記ウェハテープの動きと同期して移動するように前記ウェハフレーム保持部に対して接続されており、かかるテープ延伸部材の動作によりウェハテープを従来よりも少ない力で延伸することができる(又は、従来と同等な力であってもより大きな延伸を得ることができる)。従って、ウェハテープに貼り付けられるチップ間隔を従来よりも広げることができるので、チップの分離を容易に行うことができ、チップの生産をスループットよく行うことができる。また、ウェハテープのエキスパンダ率を拡張させることはチップとウェハテープとの接着力を弱めることができるので、小型のチップであっても容易にピックアップすることができる。これもまたスループットよくチップの生産を行うことに寄与する。
【0016】
本発明の半導体製造装置において、前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープの前記半導体ウェハが貼られた領域のエキスパンド率を拡張することができ、上述した作用及び効果を奏することができる。また、前記テープ延伸部材は、その内周部をヒダ状に形成ることができる。これにより、テープ延伸部材が作用される際の弛みを防止することができる。また、前記テープ伸部材は、前記ウェハテープ側の表面の摩擦係数が前記ウェハテープ拡張リング側の表面の摩擦係数よりも高いことを特徴としている。かかる構成において、テープ延伸部材は、さらにウェハテープの延伸に寄与することができる
【0017】
また、本発明においては、後述する明細書で詳述されるテープ延伸部材、当該テープ延伸部材を有するウェハフレーム、及び、テープ延伸部材を有するウェハテープ延伸機構について、それぞれ単体又はこれらの組み合わせであっても、本発明の一部として機能するものである。更に、後述する明細書で詳述されるウェハフレームの再利用方法も本発明に一部として機能する。
【0018】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の例示的一態様である半導体製造装置300に適用可能なウェハテープ延伸機構200を説明する。ここで、図1は、テープ延伸部材10を利用したウェハテープ延伸機構200の一部を示す概略上面図である。図2は、図1に示すウェハテープ延伸機構200に記したA−A断面を示す概略断面図である。図3は、(a)は本発明のテープ延伸部材10を示す概略上面図であり、(b)は(a)に示すテープ延伸部材10の概略断面図である。
【0020】
本発明のウェハテープ延伸機構200は、半導体ウェハ及びダイシングされたチップ(以下、明細書ではこれら半導体ウェハ及びチップを単にチップCPとして統一して表現する)が貼り付けられたウェハテープ110を延伸させることでチップCPのピックアップを容易に可能にするための機構であって、典型的に、テープ延伸部材10と、ウェハフレーム押し下げ板210と、ウェハテープ延伸リング220と、図示しない駆動装置とを有する。かかるウェハテープ延伸機構200において、ウェハフレーム押し下げ板210は図示しない駆動装置に接続され、ウェハテープ延伸リング220の上方に位置し、ウェハフレーム押し下げ板210にウェハテープ110を保持するウェハフレーム100が取り付けられた際にウェハテープ延伸リング220の中心位置とウェハフレーム100の中心位置とが一致するように位置決めされて配置される。また、ウェハフレーム押し下げ板210には、図2に示されるように、その下面にテープ延伸部材10が取り付けられている。但し、テープ延伸部材10の配置場所は例示的であり、本発明をこれに限定するものではない。後述するようにテープ延伸部材10はウェハフレーム100に取り付けられてもよい。
【0021】
テープ延伸部材10は、ウェハテープ110の延伸を補助する。テープ延伸部材10は、より詳細には後述する動作の説明から明らかとなるように、ウェハテープ110が当該ウェハテープ延伸リング220に押し当てられる際にウェハテープ延伸リング220とウェハテープ110の間に位置し、ウェハフレーム押し下げ板210(又はウェハフレーム100)に引っ張られ(即ち、ウェハテープ110の動きに同期して移動し)、ウェハテープ延伸リング220との摩擦面として作用すると共に、当該ウェハテープ110とテープ延伸部材10との摩擦力によりウェハテープ110の延伸に寄与する。かかる作用は、ウェハテープ110の中心領域、即ち、ウェハテープ延伸リング220より内側であって、チップCPの貼り付けられた領域部分の延伸のエキスパンド率を従来よりも拡張することができる。
【0022】
テープ延伸部材10は、図1乃至図3に示すように、環状に形成されたシート状の部材である。かかるテープ延伸部材10は、少なくとも内周半径がウェハテープ延伸リング220の半径より小さくなるようにその大きさが決定されている。本実施形態において、テープ延伸部材10は内周部がヒダ状に加工されている。但し、内周部に施されたヒダ状の領域は、テープ延伸部材10が作用される際の弛みを防止する機能を有するに足りるものであり、単に切り込みなどとして実現されてもよい。
【0023】
また、特に図示しないが、テープ延伸部材10はウェハフレーム押し下げ板210に取り付けられるためのネジ12を貫通するネジ穴が形成されている。かかるネジ穴によりテープ延伸部材10はウェハフレーム押し下げ板210に着脱可能に取り付けられる。また、本実施形態においては、テープ延伸部材10は、延伸動作に伴うネジ穴近傍のテープ延伸部材10に作用する力を均一に分散することを目的としてテープ延伸部材10外周に近似のリング状の座金11を介してウェハフレーム押し下げ板210にネジ止めされている。但し、ウェハフレーム押し下げ板210に対するテープ延伸部材10の固定方法はネジ止めに限定されるものではない。例えば、テープ延伸部材10の外周部にフレームを設けて当該フレームをT字やL字形状に折り曲げ加工を施し、一方、ウェハフレーム押し下げ板210の下面(より詳細には、ウェハフレーム100よりも下方部分)にかかるフレームと嵌合するレールや溝を設けて、テープ延伸部材10をウェハフレーム押し下げ板210にスライドして挿入するなどの手法を用いてもよい。
【0024】
このようにテープ延伸部材10をウェハフレーム押し下げ板210に対して着脱可能とすることで、テープ延伸部材10の劣化に伴う交換を容易に行うことができる。また、上述したネジ止めの形態に至っては、既存の装置に対しても本発明のテープ延伸部材10を容易に備え付けることができ、単にテープ延伸部材10を取り付けることで本発明が提供するテープ延伸作用を奏することができる。即ち、かかるテープ延伸部材10は半導体製造装置300に適用可能なウェハテープ延伸機構200の要素の一部であるのと同時に、かかるテープ延伸部材10単体としても流通可能である。
【0025】
テープ延伸部材10は、ウェハテープ110とウェハテープ延伸リング220との間に位置し当該ウェハテープ110の延伸を補助する部材であるが、ウェハテープ延伸リング220に対する追従性やウェハテープ110に対する延伸作用を考慮したうえでも柔軟性を有し引張ひずみが小さい(伸びにくい)ものであることが好ましい。また、テープ延伸部材10はウェハテープ延伸リング220に対して摩擦係数が小さいものであることが好ましい。テープ延伸部材10は、例えば、テフロンやポリミドなどの材料を使用することができる。但し、後述する動作で説明されるように、テープ延伸部材10がウェハテープ110の動きに同期して移動することでウェハテープ110を引っ張る作用を奏するものであるが故に、ウェハテープ110側に相当する面の摩擦係数を高めてもよい。例えば、テープ延伸部材10は、低摩擦係数を有する部材と高摩擦係数を有する部材とを貼り合わせた構造であってもよいし、片側の表面を粗く加工することで部材における表面の摩擦係数に差を持たせた構造であってもよい。
【0026】
なお、本実施形態では、テープ延伸部材10はウェハテープ延伸リング220に取り付けられるものであるが、かかる形態は例示的である。テープ延伸部材10は、ウェハテープ110の延伸動作に際して、ウェハフレーム100又はウェハフレーム押し下げ板210に同期して引っ張られる(即ち、ウェハテープ110の動きに追従するように移動する)ように構成されるに足りるものである。よって、テープ延伸部材10はウェハフレーム100に取り付けられてもよい。例えば、テープ延伸部材10をウェハフレーム100に取り付ける方法としては、図4に示すように、テープ延伸部材10はコの型形状の板材よりなる取り付け部材15を介してウェハフレーム100に取り付けることができる。取り付け部材15はウェハフレーム100及び/又はテープ延伸部材10に対し固定的又は着脱可能に取り付けられてもよい。また、取り付け部材15は延伸動作を行っても変形がないことが好ましく、剛性の強い材料より構成されることが好ましい。かかる形態であっても、上述した形態のような作用及び効果を奏するものである。ここで、図4は、図1に示すウェハフレーム100に取り付けられたテープ延伸部材10を示す概略側面図である。
【0027】
ウェハフレーム100は、ウェハリングとも称され、チップCPが貼り付けられたウェハテープ110を保持する枠のことである。ウェハフレーム100には、ウェハテープ110をエキスパンドした状態でウェハフレーム100に取り付ける場合と、エキスパンドせずにウェハフレーム100に付ける場合があるが、本発明においてはエキスパンドせずにウェハフレーム100に付ける場合に好適である。ウェハフレーム100は、ウェハテープ延伸機構200のウェハフレーム押し下げ板210に対して直接又はカセットなどに格納された状態で着脱可能に構成されている。
【0028】
ウェハテープ110は、半導体ウェハ及びダイシングされたチップを保持するための粘着性樹脂よりなるテープである。ウェハテープ110は、ダイシング工程からダイボンディング工程又は実装工程間で使用される。ここで、ダイシングとはウェハテープ110に貼り付けられた半導体ウェハを切断して単一のチップCPに切り分ける工程であり、ダイボンディングとはチップCPをリードフレーム又はBT基板、テープ基板等に接続する工程である。本実施形態に示すウェハテープ延伸機構200は、ダイシングされたチップCPをピックアップする際に使用されるものである。
【0029】
ウェハテープ110は塩化ビニル、ポリエチレン、酢酸ビニルの表面に接着剤を作用させたUVシート等よりなり、チップCPを貼り付けることで当該チップCPを保持する。ここで、UVシートとは、紫外線を照射することでチップCPの接着力を低下させてピックアップの容易性を確保したテープのことであり、塩化ビニルなどより作成されるテープより高価なシートである。しかしながら、本発明のウェハテープ延伸機構200によれば、ウェハテープ110のエキスパンド率は従来より大きくすることができるので、テープの延伸に伴いウェハテープ110とチップCPの接着力を弱めることができる。
【0030】
ウェハフレーム押し下げ板210は、ウェハフレーム100を保持するとともに、ウェハフレーム100をウェハテープ延伸リング220に押し付けるために図示しない駆動装置に接続されて移動することができる。ウェハフレーム押し下げ板210は、ウェハフレーム100を直接又はカセットなどに格納されたウェハフレーム100を交換(着脱)可能に保持することができる。ウェハフレーム押し下げ板210は図示しない駆動装置に駆動されて、ウェハフレーム100をウェハテープ延伸リング220に対して垂直に移動させることができる。なお、本実施形態においては、ウェハフレーム押し下げ板210を移動させることで、ウェハテープ110の延伸を図るものであるが、ウェハフレーム押し下げ板210を固定の要素としてウェハテープ延伸リング220を上方に移動させる構成であってもよい。
【0031】
ウェハテープ延伸リング220は環状に加工された起立したリングであり、かかるリングを支点として作用させることでウェハフレーム押し下げ板210によって押し付けられたウェハテープ110を延伸させることができる。ウェハテープ延伸リング220は、ウェハテープ110との接触面になだらかな曲率が施されており、ウェハテープ110をスムーズに引っ張ることができる。なお、ウェハテープ延伸リング220は、テープ延伸部材10との摩擦抵抗を低減するためにテフロンで形成したり、接触面をすべりやすい部材などで加工したりテープを貼付したりすることもできる。但し、本発明のテープ延伸部材10を使用することで、ウェハテープ110の延伸を十分に確保することができるので、従来のようにローラを取り付けたりする必要がない。これにより、ウェハテープ延伸リング220の製造コストを抑えたり、かかるウェハテープ延伸リング220の製造工程の煩雑さを解消している。
【0032】
駆動装置は、ウェハフレーム押し下げ板210を駆動する装置であり、例えば、エアシリンダなどの装置を使用することができる。図示しない駆動装置は、ウェハフレーム押し下げ板210の位置決めや押し当て力を調節したり決定したりすることができる。なお、本発明のテープ延伸部材10を使用することは、従来と同等の押し当て力であってもウェハテープ110に対して十分なエキスパンダ率を確保することができるため、装置負担を低減することができる。
【0033】
なお、これらウェハフレーム押し下げ板210、ウェハテープ延伸リング220及び図示しない駆動装置はかかる記載にのみ限定されるものではない。よって、当業者にとって想達可能ないかなる構成を適用してもよいし、これらの要素が部分的に又は全部置換されたものであっても本発明としての機能を奏するものである。
【0034】
上述したように、本発明のウェハテープ延伸機構200によれば、テープ延伸部材10を設けることで、従来と同等の押し下げ力を作用させた場合であったとしても従来の延伸機構よりもウェハテープのエキスパンダ率を上げることができる。これにより、ウェハテープ110上に存在するチップCPの間隔を従来よりも広げることが可能となり、また、ウェハテープ110の引き伸ばしによりウェハテープ110とチップCP間の接着力も低減させられるので、チップCPのピックアップを容易に行なうことができる。
【0035】
次に、上述したウェハテープ延伸機構200が適用された半導体製造装置300について説明する。半導体製造装置300は、ダイシングされたチップCPを後段の工程(例えば、ボンディング工程等)に移送するために当該チップCPをウェハテープ110から分離する装置であって、典型的に、ウェハテープ延伸機構200と、コレット310と、図示しない突き上げピンとを有する。
【0036】
ウェハテープ延伸機構200は上述した本発明のウェハテープ延伸機構のことであり、ここでの詳細な説明は省略するものとする。
【0037】
コレット310は、半導体ウェハがチップCPに個々に分離されている状態で、1個ずつチップCPを移送するために使用するチップCPの吸着保持具である。コレット310は当該周知のいかなる技術をも適用可能であり、本明細書での詳細な記載は所略するものとする。例えば、コレット310は、チップCPの吸着面が凹状で内面が矩形の平面コレットや4面にテーパを有する角錐コレットなどがあり、凹状の部分には真空装置に接続する流路が形成されてチップを真空吸着することができる。
【0038】
本発明の半導体製造装置300において、位置ずれ防止を考慮すればコレット310は、図5に示す角錐コレットを使用することが好ましい。しかし、基板のパターンにより角錐コレットが使用できない場合もある。角錐コレットはチップ基板を4面で捉えて真空吸着するため平面コレットよりも吸着力が強いという長所を有する。一方、平面コレットは、チップCP上に形成されたバンプによって吸着能力が左右されるという欠点がある。ここで、図5は、半導体製造装置300におけるコレット310近傍を示す拡大断面図である。
【0039】
図6に示すように、平面コレットを使用する場合には、チップ基板上のバンプはコレットの凹状部分より小さい領域内あることが好ましい。ここで、図6は、平面コレットを示す図5に対応する概略側面図である。例えば、チップ上に形成されるバンプが基板全体に配置されている場合には、平面コレットでチップを捉えに行くと、バンプが平面コレットと基板の間に介在して真空吸着の妨げとなってしまう。上述したように、近年のチップは小型化しており、基板上に存在するバンプも全面にわたって形成されることが多い。したがって、バンプの影響を受けにくい角錐コレットを使用することでチップCPを確実にピックアップする方が好ましい。
【0040】
但し、上述したように近年のチップCPの小型化に伴いチップ間隔も狭くなっている。このようなチップCP間隔が狭いものに対しては、角錐コレットであってもテーパ部分がチップ間に入らないことがある。これにより、角錐コレットがチップCPを4面で保持することがでず、吸着能力が弱まってしまうことがある。しかしながら、本実施形態の半導体製造装置300によれば、ウェハテープ延伸機構200によりウェハテープ110のエキスパンダ率を従来よりも拡張することができるので、チップCP間にコレット310を挿入するだけのウェハテープ110の延伸を十分に得ることができる。
【0041】
突き上げピンは、ウェハテープ110に貼付されたチップCPを突き上げ、コレット310に対する取り出しを補助する部材である。突き上げピンは、先端が針状に形成されており、ウェハテープ110を介して又はウェハテープ110を突き破りチップCPを突き上げる。これにより粘着されたチップCPをウェハテープ110から剥すことで、コレット310がチップを吸着することができる。なお、突き上げピンに関しても当業者はその構成を容易に理解し、また実施することができるので、本明細書における詳細な説明は省略する。
【0042】
なお、半導体製造装置300は上述した要素のほかに、コレット310をチップCP上で位置決めするための位置決め機構や、コレット310及び突き上げピンを駆動させる駆動機構を更に有することができる。これらの機構は、当該周知のいかなる技術をも適用することができる。
【0043】
以上説明したように、本発明の半導体製造装置300によれば、ウェハテープ延伸機構200によりチップ間隔が従来よりも広げられるので、チップCPの取り出しをコレット310が容易に行うことができる。これにより、スループットよくチップCPの取り出しを行うことができ、製造工程のロスを軽減することができる。また、ウェハテープ110のエキスパンダ率を拡張させることはチップCPとウェハテープ110との接着力を弱めることができるので、従来の装置に使用されたるような接着力を弱めるためのウェハテープ加熱機構や紫外線発生機構の使用量を減らしたり、又はこれらの付加機構を必要としなかったりすることもできる。これにより、半導体製造装置300を安価に組み立てたり、又はランニングコストの低減を図ったりすることができる。
【0044】
以下、本発明のウェハテープ110の延伸動作をダイシングされたチップCPの取り出し動作と共に説明する。
【0045】
まず、図1乃至図2に示すように、ダイシングされたチップCPが貼付されたウェハテープ110を保持するウェハフレーム100を、ウェハフレーム押し下げ板210に取り付ける。このとき、ウェハフレーム押し下げ板210には、既にテープ延伸部材10がリング11を介してネジ止めされている。なお、ウェハフレーム100にテープ延伸部材10が取り付けられている場合には、ウェハフレーム100の取り付けと同時にテープ延伸部材10もウェハフレーム押し下げ板210に取り付けられる。
【0046】
図2及び図7に示すようにウェハフレーム100が取り付けられると、図示しない駆動装置に駆動されてウェハフレーム押し下げ板210がウェハテープ延伸リング220側に押し下げられる。ここで、図7は、図2に示す領域Bを示す拡大断面図である。ウェハフレーム押し下げ板210が押し下げられることで、それに接続されたテープ延伸部材10及びウェハフレーム100も同様に下方の押し下げられる。
【0047】
この押し下げ動作に伴い、まず、テープ延伸部材10の下面(図2及び図7において、ウェハテープ延伸リング220側の面)がウェハテープ延伸リング220の上部(図2及び図7において、ウェハテープ110側の部分)に当接する。更にウェハフレーム押し下げ板210を押し下げると、テープ延伸部材10がウェハテープ延伸リング220の上部により曲げられて斜めになる。更にウェハフレーム押し下げ板210を押し下げると、テープ延伸部材10の内周側先端部分10aがウェハテープ110に当接する。更にウェハフレーム押し下げ板210を押し下げると、テープ延伸部材10の内周側先端がウェハテープ110の張力によりかかる内周側先端部分10aがウェハテープ110に沿って略水平に曲げられる(図8参照)。更にウェハフレーム押し下げ板210を押し下げると、テープ延伸部材10の内周側先端部分10aのウェハテープ110との接触部分に摩擦力が発生し、かかる接触部分を起点にウェハテープ110を引張り始める。更にウェハフレーム押し下げ板210を押し下げられ、ウェハフレーム押し下げ板210は最下点まで押し下げられる。
【0048】
即ち、ウェハテープ延伸リング220の上部よりも、テープ延伸部材10の内周先端部分10aがウェハテープ110に対して内側に位置するため、ウェハテープ110との摩擦力を利用して当該ウェハテープ110の中心部分を効果的に引張ることができる。ここで、図8を参照するに、上述したウェハテープ110の延伸状態を更に説明する。図8は、ウェハフレーム押し下げ板210を押し下げたときの図7に対応する領域Bの拡大断面図である。まず、ウェハフレーム押し下げ板210に作用する押し下げ力をfと定義する。また、これに伴うウェハテープ110及びテープ延伸部材10の引張力をfとする。
【0049】
上述したようにテープ延伸部材10は少なくともウェハテープ延伸リング220側は低摩擦係数かつ引張ひずみの小さい部材よりなるため、たとえウェハテープ延伸リング220との間に摩擦力fが存在したとしても、テープ延伸部材10は引張力fに対する変化量分だけは引っ張られることになる。一方、ウェハテープ110に関しては、ウェハテープ延伸リング220より外側に位置するウェハテープ110にはfの力が作用される。また、ウェハテープ延伸リング220より内側に位置するウェハテープ110に関しては、かかる引張力fが働くと共に、テープ延伸部材10がfで引っ張られることでウェハテープ110とテープ延伸部材10との摩擦力によってfという力がfと同一方向に働き、総じてf+fの合力が働くこととなる。
【0050】
即ち、テープ延伸部材10を介すことで、ウェハテープ延伸リング220を介してウェハテープ110の引張力は外周側と内周側でf1:f1+f3とすることができる。これによれば、ウェハテープ延伸リング220とウェハテープ110との間に摩擦力がない場合よりも、テープ延伸部材10を介すことで内周部分のエキスパンド率を拡張させていることが理解できる。従って、従来よりも小さな力であってもチップCP間隔を有効に引き伸ばすことが可能であるとともに、引き伸ばされたウェハテープ110によってチップCPとの接着力を弱めること可能となる。よって、後述する動作から説明されるように、ウェハテープ110に貼り付けられたチップCPをコレット310で容易にピックアップすることができる。
【0051】
そして、かかる状態で引き伸ばされたチップCPに対して、コレット310を駆動させてターゲットとするチップ上に位置させる。そしてコレット310のテーパをチップCPの4辺に当接させる。また、これと同時に、突き上げピンを下方から動作させて、ウェハテープ110を介し又はウェハテープ110を突き破ってターゲットとするチップCPを突き上げる。これによりウェハテープ110に貼付されたチップCPの接着力が更に低減されて、コレット310により吸着保持される。そして、ピックアップされたチップCPはコレット310により移送されて、後段に位置する装置又は所定の場所に移動される。
【0052】
かかるピックアップ作業は、ウェハテープ110に搭載されたチップCPに対応して行われる。そして、ウェハテープ110上の全てのチップCPがピックアップされると、ウェハフレーム押し下げ板210は図7に示す位置に押し上げられる。チップCPが取り出されたウェハフレーム100をウェハフレーム押し下げ板210より取り外す。そして、動作を終了させたり、また新たなウェハフレーム100をウェハフレーム押し下げ板210に取り付けて上述の動作を繰り返したりすることができる。
【0053】
このように上述した動作の説明から理解されるように、本発明のテープ延伸部材10がウェハテープ110の延伸に作用することで、チップCPが貼付されるウェハテープ110の中心領域のエキスパンダ率を従来よりも少ない力で拡張することができる。よって、ウェハテープ110上に貼り付けられたチップCP間隔を広げることができるので、小型のチップであっても簡単にピックアップすることができる。従って、製造工程における取り出しミスやそれに伴う作業時間などのロスをなくすことができので、チップCPの生産をスループットよく行うことができる。また、ウェハテープ110のエキスパンダ率を拡張させることはチップCPとウェハテープ110とを接着している接着剤などの接着力を弱めることができるので、同様にチップを容易にピックアップすることができる。これもまたスループットよくチップCPの生産を行うことに寄与する。
【0054】
なお、上述したウェハテープ110は、チップCPがピックアップされた時点で廃棄されてしまう。しかしながら、本発明らが鋭意検討した結果、かかるウェハテープ110を再利用することで上述したテープ延伸部材10として機能させることもできることを考え出した。以下、ウェハテープの再利用方法について説明する。
【0055】
まず、チップCPが全てピックアップされたウェハテープ110aを保持するウェハフレーム100aを用意する。そして、テープ延伸部材10と同等の内周半径となるようにウェハテープ110aを切断する。このとき、ウェハテープ110aの内周部分は、ヒダ状となるように更に切断してもよいし、半径方向に切り込みを入れるだけであってもよい。切断方法は、抜打ち加工などを使用してもよいし、特に精密な精度を必要とされないので手作業で切り抜いてもよい。
【0056】
次に、このようにして形成されたウェハフレーム100aを、チップCPが貼付されたウェハテープ110を保持するウェハフレーム100の下面に配置し、ウェハフレーム押し下げ板210に取り付ける。ここで、図9は、ウェハフレーム100の再利用方法であって、加工されたウェハフレーム100aをテープ延伸部材10として機能させる場合の図2に示す領域Bの拡大断面図である。通常、ウェハテープ110にはチップCP貼付面にのりなどが塗布されているため、かかる面がウェハテープ110との摩擦力を発生させ、上述したf3の力の要因となる。したがって、かかる構成であっても上述した形態のテープ延伸部材として機能することが理解される。
【0057】
かかる再利用方法によれば、通常廃棄されるウェハテープ110を利用しテープ延伸部材10として機能させることで、ウェハテープ110を有効活用することができる。
【0058】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はその要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【0059】
【発明の効果】
本発明によれば、本発明のテープ延伸部材によれば、チップが貼付されるウェハテープの中心領域のエキスパンダ率を従来よりも少ない力で拡張することができる。従って、ウェハテープ上に貼り付けられたチップ間隔を従来よりも広げることができるので、小型のチップであっても製造工程における取り出しミスやそれに伴う作業時間なのロスをなくすことができる。よって、チップの生産をスループットよく行うことができる。また、ウェハテープのエキスパンダ率を拡張させることはチップをウェハテープの接着力を弱めることができるので、小型のチップを容易にピックアップすることができる。これもまたスループットよくチップの生産を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 テープ延伸部材を利用したウェハテープ延伸機構の一部を示す概略上面図である。
【図2】 図1に示すウェハテープ延伸機構に記したA−A断面を示す概略断面図である。
【図3】 (a)は本発明のテープ延伸部材を示す概略上面図であり、(b)は(a)に示すテープ延伸部材の概略断面図である。
【図4】 図1に示すウェハフレームに取り付けられたテープ延伸部材を示す概略側面図である。
【図5】 チップ取り出し装置におけるコレット近傍を示す拡大断面図である。
【図6】 平面コレットを示す図5に対応する概略側面図である。
【図7】 図2に示す領域Bを示す拡大断面図である。
【図8】 ウェハフレーム押し下げ板を押し下げたときの図7に対応する領域Bの拡大断面図である。
【図9】 ウェハフレームの再利用方法であって、加工されたウェハフレームをテープ延伸部材として機能させる場合の図2に示す領域Bの拡大断面図である。
【図10】 (a)は従来のウェハテープ延伸機構を示す概略上面図であり、(b)は(a)に示すウェハテープ延伸機構を示す概略側面図である。
【図11】 ウェハテープを延伸するための動作を説明する図10に示すウェハテープ延伸機構の領域Aにおける一の状態を示す拡大断面図である。
【図12】 ウェハテープを延伸延伸するための動作を説明する図10に示すウェハテープ延伸機構の領域Aにおける別の状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
10 テープ延伸部材
11 座金
12 ネジ
100 ウェハフレーム
110 ウェハテープ
200 ウェハテープ延伸機構
210 ウェハフレーム押し下げ板
220 ウェハテープ延伸リング
300 半導体製造装置
310 コレット

Claims (5)

  1. ウェハテープに貼り付けられた半導体ウェハがダイシングされ個片化されたチップに分離されて前記ウェハテープから前記チップを分離する半導体製造装置であって、
    前記ウェハテープが押し当てられるウェハテープ延伸リングと、
    前記ウェハテープを保持するウェハフレームを保持すると共に、前記ウェハテープの延伸に際して前記ウェハフレームに保持される前記ウェハテープが前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられるように移動可能なウェハフレーム保持部と、
    前記ウェハテープが前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられた際に前記ウェハテープと前記ウェハテープ延伸リングとの間に介在するように前記ウェハフレーム保持部に接続されて前記ウェハテープを延伸させるテープ延伸部材とを有し、
    前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープ延伸リングに対して低摩擦係数の部材より形成され、前記ウェハテープ延伸リングより小さい内径を有する環状部材であることを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープが当該テープ延伸部材を介して前記ウェハテープ延伸リングに対して押し当てられた際に前記ウェハテープの動きと同期して移動するように前記ウェハフレーム保持部に対して接続される請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 前記テープ延伸部材は、前記ウェハテープの前記半導体ウェハが貼られた領域のエキスパンド率を拡張する請求項1記載の半導体製造装置。
  4. 前記テープ延伸部材は、その内周部がヒダ状に形成される請求項1記載の半導体製造装置。
  5. 前記テープ伸部材は、前記ウェハテープ側の表面の摩擦係数が前記ウェハテープ拡張リング側の表面の摩擦係数よりも高いことを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
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