JP2002015405A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極幅を極微小化しつつ、優れたオーバーラ
イト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびの製造方法を提
供する。 【解決手段】 上部ポールチップ１２ａｃは、その上層
部分であるポールチップ部１２ａと下層部分であるポー
ルチップ部１２ｃとにより構成される。ポールチップ部
１２ａおよびポールチップ部１２ｃは、共に１．５テス
ラ以上の高い磁束密度を有する磁性材料よりなるもので
ある。磁極幅を約０．３μｍ以下まで極微小化した場合
においても、上部ポールチップ１２ａｃの内部における
磁束の飽和を抑制し、優れたオーバーライト特性を確保
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
【０００４】ここで、図２９〜図３４を参照して、従来
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【０００５】この製造方法では、まず、図２９に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ 3 ；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶
縁層１０２を、約５．０〜１０．０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部
シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１
０３上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、高精度の
フォトリソグラフィ処理により所望のパターンとなるよ
うに、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５
を数十ｎｍの厚みで形成する。次に、ＭＲ膜１０５の両
側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、こ
のリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１
０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、シール
ドギャップ膜１０４，１０６内にＭＲ膜１０５を埋設す
る。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッド
および記録ヘッドの双方に用いる磁性材料、例えばニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品
名）」という。）よりなる上部シールド兼下部磁極（以
下、単に「下部磁極」という。）１０７を形成する。
【０００６】次に、図３０に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成する。次に、記録ギャップ層１０８
上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により、フォト
レジスト膜１０９を所定のパターンとなるように形成す
る。次に、フォトレジスト膜１０９上に、電解めっき法
により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド
用の薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジス
ト膜１０９および薄膜コイル１１０を覆うように、高精
度のフォトリソグラフィによりフォトレジストを所定の
パターンとなるように形成したのち、このフォトレジス
トに対して例えば２５０°Ｃの温度で加熱処理を施す。
この加熱処理により、薄膜コイル１１０の各巻線間を絶
縁させるためのフォトレジスト膜１１１が形成される。
【０００７】次に、図３１に示したように、磁路形成の
ために、薄膜コイル１１０よりも後方（図３１における
右側）における記録ギャップ層１０８の一部を部分的に
エッチングして開口部１０８ａを形成し、下部磁極１０
７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７の露出
面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ層１０
８を覆うように、電解めっき法により、記録ヘッド用の
磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部ヨーク兼上部
磁極（以下、単に「上部磁極」という。）１１２を形成
する。この上部磁極１１２は、例えば、後述する図３４
に示したような平面形状を有するものであり、ヨーク部
１１２ａおよびポールチップ部１１２ｂを含んでいる。
上部磁極１１２は、開口部１０８ａにおいて下部磁極１
０７と接触し、磁気的に連結されている。次に、上部磁
極１１２のポールチップ部１１２ｂをマスクとして、そ
の周辺領域における記録ギャップ層１０８および下部磁
極１０７のそれぞれの一部をイオンミリングによって選
択的に約０．５μｍ程度エッチングして除去する（図３
３参照）。次に、上部磁極１１２を覆うように、例えば
アルミナよりなるオーバーコート層１１３を形成する。
最後に、機械加工や研磨工程により、記録ヘッドおよび
再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベアリング面１
２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０００８】図３２〜図３４は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３２はエ
アベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘ
ッドの断面を示し、図３３はエアベアリング面１２０に
平行な方向における磁極部分５００の断面を拡大して示
し、図３４は薄膜磁気ヘッドの平面構造を示す。図３１
は、図３４におけるXXXI−XXXI線に沿った矢視断面に相
当する。なお、図３２〜図３４では、オーバーコート層
１１３等の図示を省略している。図３４では、薄膜コイ
ル１１０およびフォトレジスト膜１１１のそれぞれの最
外端のみを図示している。
【０００９】図３２および図３４において、「ＴＨ」は
スロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」
はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト
（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のう
ちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電
気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１
１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記
録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト（Ｔ
Ｈ）の最適化が望まれている。このスロートハイト（Ｔ
Ｈ）は、エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量
によって制御される。一方、「ＭＲハイト（ＭＲＨ）」
とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２０から
遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（Ｍ
ＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの
長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、エアベ
アリング面１２０を形成する際の研磨量によって制御さ
れる。
【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
ては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）
等の他に、図３２に示したエイペックスアングル（Apex
Angle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、
フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近
い側の斜面の平均斜度である。
【００１１】図３３に示したように、記録ギャップ層１
０８および下部磁極１０７のそれぞれの一部が上部磁極
１１２のポールチップ部１１２ｂに対して自己整合的に
エッチングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれ
る。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時
に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を
防止することができる。「Ｐ２Ｗ」は、トリム構造を有
する部分（以下、単に「磁極部分５００」という。）の
幅、すなわち磁極幅（または「トラック幅」）を表して
いる。「Ｐ２Ｌ」は、磁極部分５００の一部を構成する
ポールチップ部１１２ｂの厚み、すなわち磁極長を表し
ている。なお、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１
０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード
層１２１が設けられている。ただし、図２９〜図３２で
は、リード層１２１の図示を省略している。
【００１２】図３４に示したように、上部磁極１１２
は、その大部分を占めるヨーク部１１２ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２
ｂとを有している。ヨーク部１１２ａとポールチップ部
１１２ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２ａの外
縁は、エアベアリング面１２０と平行な面に対して角度
αをなしている。また、上記連結部分において、ポール
チップ部１１２ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と
平行な面に対して角度βをなしている。図３４では、例
えば、αが約４５度であり、βが約９０度である場合を
示している。上記したように、ポールチップ部１１２ｂ
は、トリム構造を有する磁極部分５００を形成する際に
マスクとして機能する部分である。図３２および図３４
から判るように、ポールチップ部１１２ｂは平坦な記録
ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２ａはフ
ォトレジスト膜１１１で覆われて丘陵状に盛り上がった
コイル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上
に延在している。
【００１３】なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関し
ては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載が
ある。この公報では、ＴＨ０位置よりも後側（エアベア
リング面１２０から離れる側）の部分の幅が徐々に大き
くなるような構造を有する上部磁極について記載してい
る。
【００１４】図３１および図３４に示した薄膜磁気ヘッ
ドでは、情報の記録動作時に薄膜コイル１１０に電流が
流れると、これに応じて磁束が発生する。このとき発生
した磁束は、上部磁極１１２内をヨーク部１１２ａから
ポールチップ部１１２ｂへ伝搬し、さらにポールチップ
部１１２ｂのエアベアリング面１２０側の先端部分に到
達する。このとき、ポールチップ部１１２ｂの先端部分
に到達した磁束により、記録ギャップ層１０８近傍の外
部に記録用の信号磁界が発生する。この信号磁界によ
り、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録する
ことができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】磁極部分５００の磁極
幅Ｐ２Ｗは、磁気記録媒体上の記録トラック幅を規定す
るものである。記録密度を高めるためには、磁極部分５
００を高い精度で形成し、磁極幅Ｐ２Ｗを微小化する必
要がある。磁極幅Ｐ２Ｗが大きすぎる場合には、磁気記
録媒体上の所定の記録トラック領域以外の隣接領域にも
書き込みしてしまう現象、すなわちサイドイレーズ現象
が発生してしまい、記録密度を向上させることができな
いからである。特に、近年、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、約０．３μｍ以下に至る磁極幅Ｐ２Ｗの極微
小化が要求されており、磁極幅Ｐ２Ｗの極微小化に係る
製造技術の確立は急務である。
【００１６】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、エイペ
ックス部を含む下地上に、全体に、例えばスパッタリン
グにより、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成
する。次に、電極膜上にフォトレジストを塗布してフォ
トレジスト膜を形成したのち、このフォトレジストも膜
に対してフォトリソグラフィ処理を施してパターニング
することにより、めっき処理を行うためのフレームパタ
ーン（外枠）を形成する。このフレームパターンは、上
部磁極１１２の平面形状に対応する開口パターンを有す
るものである。次に、このフレームパターンをマスクと
して用いると共に先工程において形成した電極膜をシー
ド層として用いて、電解めっき法により、フレームパタ
ーンの開口パターン中に、例えばパーマロイよりなる上
部磁極１１２を形成する。
【００１７】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００１８】極微小な磁極幅Ｐ２Ｗを実現するために
は、この磁極幅Ｐ２Ｗに対応して極微小な幅（例えば
１．０μｍ以下）を有する開口パターンを備えたフレー
ムパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０
μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜により、１．０
μｍ以下の極微小な幅を有する開口パターンを形成しな
ければならない。ところが、このような膜厚の厚いフォ
トレジスト膜を用いて、極微小な幅を有する開口パター
ンを備えたフレームパターンを形成することは、製造工
程上極めて困難であった。
【００１９】しかも、エイペックス部等により構成され
た凹凸構造を有する領域に上部磁極１１２を形成する場
合には、以下のような理由により、上部磁極１１２の形
成精度は大きく低下してしまうという問題があった。す
なわち、上部磁極１１２を形成するためのフレームパタ
ーンの形成工程において、凹凸構造を有する領域に形成
されたフォトレジスト膜に対して露光処理を施した場合
には、下地（電極膜）の斜面部等から斜め方向または横
方向へ反射する反射光が生じる。この反射光は、フォト
レジスト膜中の露光領域を拡大または縮小させることと
なる。これにより、特に、フォトレジスト膜のうち、上
部磁極１１２のポールチップ部１１２ｂに対応して極微
小な幅を有する開口パターンの幅が幅方向に拡大してし
まう。
【００２０】また、上記した上部磁極１１２の形成精度
に関する問題の他、以下のような理由により、薄膜磁気
ヘッドの重ね書き特性、すなわちオーバーライト特性が
低下してしまうという問題もあった。すなわち、一般
に、磁極幅Ｐ２Ｗを極微小化すると、磁極部分５００を
構成するポールチップ部１１２ｂの磁気ボリュームは小
さくなる。ここで、「磁気ボリューム」とは、磁性層部
分の内部に収容できる磁束の許容量である。磁極幅Ｐ２
Ｗが小さくなり、ポールチップ部１１２ｂの「磁気ボリ
ューム」が適正に確保されなくなると、ポールチップ部
１１２ｂの内部において「磁束の飽和」が生じてしま
い、その先端部分まで十分に磁束が到達できなくなる。
特に、上部磁極１１２の形成材料として、１．２テスラ
程度の磁束密度を有するパーマロイなどの磁性材料を用
いた場合には、所望の磁性層パターンの形成に係る加工
特性が容易化する反面、磁極幅Ｐ２Ｗを極微小化（約
０．３μｍ以下）しようとすると、ポールチップ部１１
２の内部において磁束が飽和し、ポールチップ部１１２
ｂの先端部分に供給される磁束が不足してしまう。
【００２１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を極微小化しつつ、優れたオ
ーバーライト特性を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部にギャ
ップ層を介して対向する２つの磁極を含む互いに磁気的
に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、第１
の磁性層と第２の磁性層との間に絶縁層を介して配設さ
れた薄膜コイル部とを有すると共に、第１の磁性層が記
録媒体対向面からこの面より離れる方向に延在すると共
に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅部分を含
む所定の磁性層部分を有する薄膜磁気ヘッドであって、
所定の磁性層部分が、ギャップ層に対して遠い側から順
に配設された第１の磁性膜および第２の磁性膜を含み、
第１の磁性膜および第２の磁性膜が共に１．５テスラ以
上の磁束密度を有する磁性材料よりなるようにしたもの
である。
【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層
に対して遠い側から順に第１の磁性膜および第２の磁性
膜が配設され、これらの部位を含んで所定の磁性層部分
が構成される。第１の磁性膜および第２の磁性膜は、共
に１．５テスラ以上の磁束密度を有する磁性材料により
構成されるようにするのが好ましい
【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
膜および第２の磁性膜のうちの少なくとも一方がニッケ
ル鉄合金または窒化鉄のいずれかを含む材料よりなるよ
うにしてもよいし、コバルト鉄合金、ジルコニウムコバ
ルト鉄酸化物合金またはジルコニウム鉄窒化物合金など
のアモルファス合金を含む材料よりなるようにしてもよ
いし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む材料よりなる
ようにしてもよい。特に、第１の磁性膜が鉄、ニッケル
およびコバルトを含む材料よりなり、第２の磁性膜がニ
ッケル鉄合金またはコバルト鉄合金のいずれかを含む材
料よりなるようにするのが好適である。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性膜と第２の磁性膜との界面が平坦であるようにし
てもよい。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層と第２の磁性膜との間に、後方部が絶縁層と連
結し前端が記録媒体対向面の手前の所定の位置で終端す
るように延在する第１の非磁性層パターンが配設される
ようにしてもよい。このような場合には、第１の非磁性
層パターンが非磁性金属よりなるようにするのが好適で
ある。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、さら
に、第１の非磁性層パターンと第２の磁性膜との間に、
後方部が絶縁層と連結し前端が第１の非磁性層パターン
の前端よりも後方の位置で終端するように延在する第２
の非磁性層パターンが配設されるようにしてもよい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層が平坦な表面を有し、第１の非磁性層パターン
の前端近傍および第２の非磁性層パターンの前端近傍が
第２の磁性層の平坦な表面に対して傾斜するようにして
もよい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の非磁性層パターンの前端が所定の磁性層部分における
一定幅部分の延在領域内に位置するようにしてもよい。
【００３０】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有すると共に、第１の
磁性層が記録媒体対向面からこの面より離れる方向に延
在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定
幅部分を含む所定の磁性層部分を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、所定の磁性層部分を形成する工程
が、磁性材層を形成する工程と、この磁性材層上に所定
の磁性層部分の一部をなす第１の磁性膜を選択的に形成
する工程と、この第１の磁性膜をマスクとして用いて磁
性材層を選択的にエッチングすることにより所定の磁性
層部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成す
るエッチング工程とを含むようにしたものである。
【００３１】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、まず、磁性材層が形成されたのち、こ
の磁性材層上に所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁
性膜が選択的に形成される。続いて、この第１の磁性膜
をマスクとして用いて磁性材層が選択的にエッチングさ
れることにより所定の磁性層部分の他の一部をなす第２
の磁性膜が選択的に形成される。
【００３２】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
では、第１の磁性膜および第２の磁性膜のうちの少なく
とも一方の形成材料としてニッケル鉄合金または窒化鉄
のいずれかを含む材料を用いるようにしてもよいし、コ
バルト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金また
はジルコニウム鉄窒化物合金などのアモルファス合金を
含む材料を用いるようにしてもよいし、鉄、ニッケルお
よびコバルトを含む材料を用いるようにしてもよい。特
に、第１の磁性膜の形成材料として鉄、ニッケルおよび
コバルトを含む材料を用い、第２の磁性膜の形成材料と
してニッケル鉄合金またはコバルト鉄合金のいずれかを
含む材料を用いるようにするのが好適である。
【００３３】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、磁性材層をスパッタリングによ
り形成し、第１の磁性膜をめっき膜の成長により形成す
るようにしてもよい。
【００３４】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、エッチング工程を反応性イオン
エッチングにより行うようにしてもよい。このような場
合には、塩素および三塩化ボロンのうちの少なくとも１
を含むガス雰囲気中、かつ５０°Ｃないし３００°Ｃの
範囲内の温度下においてエッチング工程を行うようにす
るのが好適である。
【００３５】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、エッチング工程において、さら
に、ギャップ層および第２の磁性層のうち、所定の磁性
層部分における一定幅部分の形成領域以外の領域を選択
的に除去するようにしてもよい。
【００３６】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有すると共に、第１の
磁性層が記録媒体対向面からこの面より離れる方向に延
在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定
幅部分を含む所定の磁性層部分を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、所定の磁性層部分を形成する工程
が、第２の磁性層を形成する工程と、第２の磁性層上に
第１の非磁性層パターンを選択的に形成する工程と、第
１の非磁性層パターンおよびその周辺の第２の磁性層を
覆うようにギャップ層を形成する工程と、ギャップ層上
に磁性材層を形成する工程と、この磁性材層の表面を研
磨して平坦化する工程と、この平坦化された磁性材層上
に所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁性膜を選択的
に形成する工程と、この第１の磁性膜をマスクとして用
いて磁性材層を選択的にエッチングすることにより所定
の磁性層部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に
形成するエッチング工程とを含むようにしたものであ
る。
【００３７】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、まず、第２の磁性層が形成されたの
ち、この第２の磁性層上に第１の非磁性層パターンが選
択的に形成される。続いて、この第１の非磁性層パター
ンおよびその周辺の第２の磁性層を覆うようにギャップ
層が形成されたのち、このギャップ層上に磁性材層が形
成される。続いて、この磁性材層の表面が研磨されて平
坦化されたのち、この平坦化された磁性材層上に所定の
磁性層部分の一部をなす第１の磁性膜が選択的に形成さ
れる。続いて、この第１の磁性膜をマスクとして用いて
磁性材層が選択的にエッチングされることにより所定の
磁性層部分の他の一部をなす第２の磁性膜が選択的に形
成される。
【００３８】本発明の第３の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有すると共に、第１の
磁性層が記録媒体対向面からこの面より離れる方向に延
在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定
幅部分を含む所定の磁性層部分を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、所定の磁性層部分を形成する工程
が、第２の磁性層を形成する工程と、第２の磁性層上に
ギャップ層を形成する工程と、ギャップ層上に第１の非
磁性層パターンを選択的に形成する工程と、第１の非磁
性層パターンおよびその周辺のギャップ層を覆うように
磁性材層を選択的に形成する工程と、この磁性材層の表
面を研磨して平坦化する工程と、この平坦化された磁性
材層上に所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁性膜を
形成する工程と、この第１の磁性膜をマスクとして用い
て磁性材層を選択的にエッチングすることにより所定の
磁性層部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形
成するエッチング工程とを含むようにしたものである。
【００３９】本発明の第３の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、まず、第２の磁性層が形成されたの
ち、この第２の磁性層上にギャップ層が形成される。続
いて、このギャップ層上に第１の非磁性層パターンが選
択的に形成されたのち、この第１の非磁性層パターンお
よびその周辺のギャップ層を覆うように磁性材層が選択
的に形成される。続いて、この磁性材層の表面が研磨さ
れて平坦化されたのち、この平坦化された磁性材層上に
所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁性膜が選択的に
形成される。続いて、この第１の磁性膜をマスクとして
用いて磁性材層が選択的にエッチングされることにより
所定の磁性層部分の他の一部をなす第２の磁性膜が選択
的に形成される。
【００４０】本発明の第４の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有すると共に、第１の
磁性層が記録媒体対向面からこの面より離れる方向に延
在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定
幅部分を含む所定の磁性層部分を有する薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、所定の磁性層部分を形成する工程
が、第２の磁性層を形成する工程と、第２の磁性層上に
第１の非磁性層パターンを選択的に形成する工程と、第
１の非磁性層パターンおよびその周辺の第２の磁性層を
覆うようにギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の
うち、第１の非磁性層パターンの配設領域に対応する領
域上に第２の非磁性層パターンを選択的に形成する工程
と、第２の非磁性層パターンおよびその周辺のギャップ
層を覆うように磁性材層を形成する工程と、この磁性材
層の表面を研磨して平坦化する工程と、この平坦化され
た磁性材層上に所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁
性膜を選択的に形成する工程と、この第１の磁性膜をマ
スクとして用いて磁性材層を選択的にエッチングするこ
とにより所定の磁性層部分の他の一部をなす第２の磁性
膜を選択的に形成するエッチング工程とを含むようにし
たものである。
【００４１】本発明の第４の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、まず、第２の磁性層が形成されたの
ち、この第２の磁性層上に第１の非磁性層パターンが選
択的に形成される。続いて、この第１の非磁性層パター
ンおよびその周辺の第２の磁性層を覆うようにギャップ
層が形成されたのち、このギャップ層のうち、第１の非
磁性層パターンの配設領域に対応する領域上に第２の非
磁性層パターンが選択的に形成される。続いて、この第
２の非磁性層パターンおよびその周辺のギャップ層を覆
うように磁性材層が形成されたのち、この磁性材層の表
面が研磨されて平坦化される。続いて、この平坦化され
た磁性材層上に所定の磁性層部分の一部をなす第１の磁
性膜が選択的に形成されたのち、この第１の磁性膜をマ
スクとして用いて磁性材層を選択的にエッチングされる
ことにより所定の磁性層部分の他の一部をなす第２の磁
性膜が選択的に形成される。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００４３】〔第１の実施の形態〕まず、図１〜図１２
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例について説明する。
【００４４】図１〜図８において、（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図９〜図１２
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図９は図３に示した状態に対応し、図１０は図４に示し
た状態に対応し、図１１は図５に示した状態に対応し、
図１２は図８に示した状態に対応する。ただし、図１１
では、図５における絶縁膜１３等の図示を省略し、図１
２では、図８における絶縁膜１３，１５，１６、薄膜コ
イル１４およびオーバーコート層１７等の図示を省略し
ている。
【００４５】以下の説明では、図１〜図１２の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み方向または高さ方向」として表
記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面８０
に近い側（または後工程においてエアベアリング面８０
となる側）を「前側（または前方）」、その反対側を
「後側（または後方）」と表記するものとする。
【００４６】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞本実施の形
態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例
えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板
１上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２を、約３．０
〜５．０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、
例えばフレームめっき法を用いて、例えばパーマロイ
（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約２．０〜
３．０μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。フレームめっき法の形成
手順等に関する詳細については、後述する。この下部シ
ールド層３は、例えば、後述する図１３に示したような
平面形状を有するものである。なお、下部シールド層３
を形成するためのパーマロイとしては、上記したＮｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものの
他、例えば、Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組
成を有するものを用いるようにしてもよい。次に、全体
を覆うように、例えばアルミナ層を約４．０〜５．０μ
ｍの厚みで形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研
磨）法により、下部シールド層３が露出するまでアルミ
ナ層の表面を研磨する。このとき、上記の研磨処理によ
り、全体を平坦化する。
【００４７】次に、図１に示したように、下部シールド
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜４を約１００〜２００ｎ
ｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４上
に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、再生ヘ
ッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５
を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜５の
両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極
層としてのリード層（図示せず）を形成する。次に、こ
のリード層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に
シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールド
ギャップ膜４，６内に埋設する。シールドギャップ膜６
の形成材料および形成方法等は、シールドギャップ膜４
の場合とほぼ同様である。
【００４８】次に、図１に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、上部シールド層７を約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで選択的に形成する。この上部シールド層７
は、例えば、後述する図１３に示したような平面形状を
有するものである。上部シールド層７の形成材料および
形成方法等は、下部シールド層３の場合とほぼ同様であ
る。次に、上部シールド層７上に、例えばスパッタリン
グにより、例えばアルミナよりなる絶縁膜８を約０．１
５〜０．２μｍの厚みで形成する。
【００４９】次に、図１に示したように、絶縁膜８上
に、例えば１．５テスラ以上の高い磁束密度を有する磁
性材料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる下部磁極９を
選択的に形成する。この下部磁極９は、例えば、後述す
る図１３に示したような平面形状を有するものである。
ここで、下部磁極９の形成は、以下のような手順により
行う。すなわち、まず、絶縁膜８上に、例えばスパッタ
リングにより、例えば窒化鉄層を約２．０〜２．５μｍ
の厚みで形成する。続いて、所定の形状および材質を有
するマスクを用いて、例えばリアクティブイオンエッチ
ング（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」と
いう）により窒化鉄層をエッチングしてパターニングす
ることにより、下部磁極９を選択的に形成する。下部磁
極９の表面は、その全域にわたってほぼ平坦となる。一
般に、ＲＩＥを用いた場合のエッチング速度は、イオン
ミリングを用いた場合のエッチング速度よりも速い。こ
のため、エッチング方法としてＲＩＥを用いることによ
り、イオンミリングを用いる場合よりも、下部磁極９を
短時間で形成することができる。ＲＩＥによるエッチン
グ処理を用いて下部磁極９を形成する場合には、特に、
エッチング時に使用するエッチングガスの種類やエッチ
ング時の加工温度などのエッチング条件を適正化するこ
とにより、下部磁極９の形成に要する時間をより短縮さ
せることが可能となる。このようなエッチング条件の適
正化に関する詳細については、後述する。なお、下部磁
極９の形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄
と同様に１．５以上の高い磁束密度を有する磁性材料と
して、コバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコバ
ルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニウ
ム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合金
を用いるようにしてもよい。下部磁極９を形成するため
に用いるマスクの材質としては、例えば、クロムなどの
金属材料やフォトレジスト膜などの非金属材料を用いる
ことができる。ここで、下部磁極９が、本発明における
「第２の磁性層」の一具体例に対応する。
【００５０】次に、下部磁極９上に、例えばスパッタリ
ングにより、非磁性材料、例えばアルミナ層を約０．３
〜０．８μｍの厚みで形成したのち、所定の形状および
材質を有するマスクを用いて、例えばＲＩＥによりアル
ミナ層をエッチングしてパターニングする。このエッチ
ング処理により、図２に示したように、下部磁極９の平
坦面に隣接するように非磁性層パターン１０が選択的に
形成される。なお、非磁性層パターン１０の形成材料と
しては、上記したアルミナの他、非磁性金属材料、例え
ばニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）などを用いるようにして
もよい。非磁性層パターン１０を形成するためのエッチ
ング処理により、アルミナ層のうち、前側の領域の一部
と後工程において磁路接続部１２ｄが形成されることと
なる後側の領域の一部とが選択的に除去される。上記し
た除去部分のうちの「後側の領域」には、下部磁極９と
後工程において形成される上部磁極１２とを接続させる
ための開口部１０ｋが形成される。
【００５１】この非磁性層パターン１０は、スロートハ
イト（ＴＨ）を決定する際に基準の位置となるスロート
ハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を規定するためのもので
ある。非磁性層パターン１０を形成する際には、例え
ば、非磁性層パターン１０の最も前側の端縁（以下、単
に「最前端」という）の位置が、ＭＲ膜５の最も後側の
端縁（以下、単に「最後端」という）の位置とほぼ一致
するようにする。また、例えば、非磁性層パターン１０
の少なくとも前端縁部近傍が、下部磁極９の平坦面に対
して傾斜した斜面をなすようにするのが好適である。こ
れは、後工程において形成される上部ポールチップ部１
２ａｃ（図４参照）のうち、上記の斜面部の上方に配設
されることとなる部分における磁束の流れを円滑化させ
ることができるからである。なお、非磁性層パターン１
０の形成材料としては、上記したアルミナなどの無機絶
縁材料の他、ニッケル銅（ＮｉＣｕ）などの非磁性金属
材料などを用いるようにしてもよい。非磁性層パターン
１０を形成するために用いるマスクの材質は、下部磁極
９を形成するために用いたマスクの場合と同様である。
【００５２】次に、図２に示したように、ほぼ全体を覆
うように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなる記録ギャップ層１１を約０．１〜０．１５μ
ｍの厚みで形成する。記録ギャップ層１１を形成する際
には、先工程において形成された開口部１０ｋがアルミ
ナによって覆われないようにする。図２に示したよう
に、記録ギャップ層１１は、下部磁極９の表面と非磁性
層パターン１０の表面との間に形成された段差部分に対
応した段差領域を含み、下部磁極９の平坦面上から非磁
性層パターン１０上にかけて延在することとなる。以下
では、記録ギャップ層１１のうち、下部磁極９上に形成
された部分を「下段領域」と呼称し、非磁性層パターン
１０上に形成された部分を「上段領域」と呼称するもの
とする。ここで、記録ギャップ層１１が、本発明におけ
る「ギャップ層」の一具体例に対応し、非磁性層パター
ン１０が、本発明における「第１の非磁性層パターン」
の一具体例に対応する。
【００５３】次に、図２に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、１．５テスラ以上
の高い磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄よりな
るポールチップ前駆層１１２（以下、単に「窒化鉄層」
ともいう）を約０．８〜２．０μｍの厚みで形成する。
このポールチップ前駆層１１２は、後工程においてエッ
チング処理によってパターニングされることにより、ポ
ールチップ部１２ｃとなる前準備層である。以下の説明
では、このように後工程で所定の形状となるようにパタ
ーニングされることとなる前準備層を「前駆層」と称呼
し、同様に表記するものとする。図２に示したように、
ポールチップ前駆層１１２の表面部は、非磁性層パター
ン１０等によって構成された下地の凹凸構造に対応した
凹凸をなすこととなる。なお、ポールチップ前駆層１１
２の形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と
同様に１．５テスラ以上の高い磁束密度を有する磁性材
料であるコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコ
バルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニ
ウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合
金を用いるようにしてもよい。ここで、ポールチップ前
駆層１１２が、本発明における「磁性材層」の一具体例
に対応する。
【００５４】次に、図３に示したように、例えばＣＭＰ
法により、ポールチップ前駆層１１２の表面を研磨して
平坦化する。このときの研磨処理は、例えば、非磁性層
パターン１０の配設領域よりも前側の領域におけるポー
ルチップ前駆層１１２の膜厚が約０．５〜１．５μｍ程
度になるまで行う。
【００５５】次に、図３および図９に示したように、ポ
ールチップ前駆層１１２上の所定の位置に、例えばフレ
ームめっき法により、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）お
よびコバルト（Ｃｏ）を含み、１．５テスラ以上の高い
磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト
合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重
量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなるポールチップ部１２
ａを約１．５〜２．５μｍの厚みで選択的に形成する。
ポールチップ部１２ａを形成する際には、同時に、開口
部１０ｋの上方におけるポールチップ前駆層１１２上に
磁路接続部１２ｂを選択的に形成する。ポールチップ部
１２ａおよび磁路接続部１２ｂの双方は、上部磁極１２
の一部を構成するものである。なお、ポールチップ部１
２ａの形成材料としては、上記した３つの金属元素と共
に、クロム（Ｃｒ）、ボロン（Ｂ）、金（Ａｕ）および
銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種を含むものを用いる
ようにしてもよい。
【００５６】ポールチップ部１２ａは、例えば、後述す
る図１３に示したような平面形状を有するものであり、
後工程においてエアベアリング面８０となる側（図３に
おける左側）から順に、先端部１２ａ(1) 、中間部１２
ａ(2) および後端部１２ａ(3) を含んでいる。先端部１
２ａ(1) は、記録媒体上の記録トラック幅を規定する一
定幅を有する部分である。ポールチップ部１２ａの構造
的特徴については後述する。ポールチップ部１２ａを形
成する際の上記の「所定の位置」とは、例えば、ポール
チップ部１２ａが記録ギャップ層１１の下段領域から上
段領域にかけて延在すると共に、特に、非磁性層パター
ン１０の最前端が先端部１２ａ(1) の延在領域内に位置
することとなるような位置である。ここで、ポールチッ
プ部１２ａが、本発明における「第１の磁性膜」の一具
体例に対応する。
【００５７】フレームめっき法によってポールチップ部
１２ａを形成する際には、まず、例えば、スパッタリン
グにより、電解めっき法におけるシード層となる電極膜
（図示せず）を約７０μｍの厚みに形成する。この電極
膜の形成材料としては、例えば、１．５以上の高い磁束
密度を有する鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量
％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）などを用い
るようにする。次に、この電極膜上に、例えばポジティ
ブ型のフォトレジスト（以下、単に「フォトレジスト」
という。）を塗布して、フォトレジスト膜（図示せず）
を形成する。次に、所定の形状パターンを有するマスク
（図示せず）を用いて、フォトレジスト膜の所定の領域
を選択的に露光する。このとき用いるマスクの材質は、
下部磁極９を形成するために用いたマスクの場合と同様
である。次に、フォトレジスト膜の露光領域を現像する
ことにより、フレームめっき法においてめっき処理を行
う際に用いるフレームパターン（外枠）（図示せず）を
形成する。このフレームパターンは、上記の露光領域に
対応した開口部を備えるものである。次に、フレームパ
ターンをマスクとして用いると共に先工程において形成
した電極膜をシード層として用いて、電解めっき法によ
り、鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎ
ｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなるポールチ
ップ部１２ａを形成する。最後に、フレームパターンを
除去する。なお、磁路接続部１２ｂもまた、上記したポ
ールチップ部１２ａの場合と同様の形成材料および形成
方法を用いて形成する。
【００５８】次に、ポールチップ部１２ａおよび磁路接
続部１２ｂの双方をマスクとして、例えばＲＩＥによ
り、ポールチップ前駆層１１２をエッチングしてパター
ニングする。このエッチング処理により、ポールチップ
前駆層１１２のうち、ポールチップ部１２ａおよび磁路
接続部１２ｂのそれぞれの配設領域以外の部分が選択的
に除去され、図４および図１０に示したように、上部磁
極１２の一部を構成するポールチップ部１２ｃおよび磁
路接続部１２ｄが形成される。ポールチップ前駆層１１
２をパターニングするためのエッチング方法としてＲＩ
Ｅを用いることにより、ポールチップ部１２ｃおよび磁
路接続部１２ｄを高精度かつ短時間で形成することがで
きる。なお、ポールチップ部１２ｃ等を形成するための
エッチング処理により、マスク自体、すなわちポールチ
ップ部１２ａおよび磁路接続部１２ｂのそれぞれ自体も
エッチングされ、その膜厚は減少することとなる。
【００５９】ポールチップ部１２ｃ等を形成するための
ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例え
ば、塩素（Ｃｌ2 ）、三塩化ボロン（ＢＣｌ2 ）、塩化
水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ4 ）、六フッ化硫
黄（ＳＦ6 ）および三臭化ボロン（ＢＢｒ3 ）のうちの
少なくとも１種に水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）、窒素
（Ｎ2 ）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを
含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０°
Ｃ〜３００°Ｃの範囲内となるようにするのが好適であ
る。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩ
Ｅによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化
鉄よりなるポールチップ前駆層１１２に対するエッチン
グ処理の化学反応が促進されるため、ポールチップ部１
２ｃおよび磁路接続部１２ｄの形成に要する時間をより
短縮することができる。
【００６０】ポールチップ部１２ｃおよび磁路接続部１
２ｄは、ポールチップ部１２ａおよび磁路接続部１２ｂ
のそれぞれとほぼ同様の構造的特徴を有するものであ
る。ポールチップ部１２ｃは、ポールチップ部１２ａの
先端部１２ａ(1) ，中間部１２ａ(2) ，後端部１２ａ
(3) に対応する先端部１２ｃ(1) ，中間部１２ｃ(2) ，
後端部１２ｃ(3) を有するものである。先端部１２ｃ
(1) は、先端部１２ａ(1) と同様に、記録媒体上の記録
トラック幅を規定する一定幅を有する部分である。ポー
ルチップ部１２ｃおよび磁路接続部１２ｄのそれぞれ
は、ポールチップ部１２ａおよび磁路接続部１２ｂと同
様に、１．５テスラ以上の高い磁束密度を有する磁性材
料（窒化鉄）よりなるものである。以下では、ポールチ
ップ部１２ａおよびポールチップ部１２ｃを総称して、
単に「上部ポールチップ１２ａｃ」ともいう。
【００６１】上記したように、上部ポールチップ１２ａ
ｃは、ポールチップ部１２ａおよびポールチップ部１２
ｃの集合体として形成される。すなわち、上部ポールチ
ップ１２ａｃは、単一の形成工程において一括して構築
されるものではなく、例えば上下に２分割されたポール
チップ部１２ａ（上層部分）およびポールチップ部１２
ｃ（下層部分）のそれぞれの形成工程を経て構築され
る。ここで、ポールチップ部１２ｃが、本発明における
「第２の磁性膜」の一具体例に対応する。また、ポール
チップ部１２ａの先端部１２ａ(1) およびポールチップ
部１２ｃの先端部１２ｃ(1) が、本発明における「一定
幅部分」の一具体例に対応し、上部ポールチップ１２ａ
ｃが、本発明における「所定の磁性層部分」の一具体例
に対応する。
【００６２】次に、上部ポールチップ１２ａｃをマスク
として、例えばＲＩＥにより、全体（磁路接続部１２
ｂ，１２ｄの配設領域を除く）に約０．３〜０．４μｍ
程度エッチングする。このエッチング処理により、記録
ギャップ層１１および下部磁極９のうち、上部ポールチ
ップ１２ａｃの配設領域以外の領域における部分が選択
的に除去され、掘り下げられる。なお、上記のエッチン
グ処理を行う際には、非磁性層パターン１０のうちの上
方側の一部も選択的に除去されるようにする。このよう
な非磁性層パターン１０の選択的除去は、アルミナ（非
磁性層パターン１０）に対するエッチング速度が窒化鉄
（下部磁極９）に対するエッチング速度よりも遅くなる
ようにエッチング条件を調整することにより可能とな
る。このエッチング処理により、図５および図１１に示
したように、トリム構造を有する磁極部分１００が形成
される。この磁極部分１００は、ポールチップ部１２ａ
の先端部１２ａ(1) と、ポールチップ部１２ｃの先端部
１２ｃ(1) と、下部磁極９のうちの先端部１２ａ(1) 等
に対応する部分と、この下部磁極９の一部と先端部１２
ａ(1) 等とによって挟まれた記録ギャップ層１１のうち
の一部とによって構成されている。磁極部分１００を構
成する上記の各部位は、互いにほぼ同様の幅を有してい
る。ＲＩＥを用いることにより、記録ギャップ層１１お
よび下部磁極９に対するエッチング処理を短時間で行う
ことができる。
【００６３】特に、記録ギャップ層１１および下部磁極
９をＲＩＥによりエッチングする際には、例えば、塩素
と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用
いると共に、加工温度を１００°Ｃ〜２００°Ｃの範囲
内となるようにするのが好適である。このようなガス雰
囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処
理を行うことにより、エッチング処理を高精度に制御し
ながら実施することができると共に、エッチング処理に
要する時間をより短縮することができる。このエッチン
グ処理により、ポールチップ部１２ａおよび磁路接続部
１２ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、その膜厚はさ
らに減少することとなる。
【００６４】次に、図５に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなる絶縁膜１３を約０．３〜
０．５μｍの厚みで形成する。
【００６５】次に、図６に示したように、上部ポールチ
ップ１２ａｃの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部
１２ｂ，１２ｄの配設領域を除く）における平坦な絶縁
膜１３上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１４を
約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。この
薄膜コイル１４は、例えば、後述する図１３に示したよ
うな渦巻状の平面構造を有するものである。なお、図６
では、薄膜コイル１４の一部分のみを図示している。薄
膜コイル１４を形成する際には、同時に、例えば、その
内側の終端部における絶縁膜１３上に、コイル接続部１
４ｓを薄膜コイル１４と一体に形成する。このコイル接
続部１４ｓは、薄膜コイル１４と後工程において形成さ
れるコイル接続配線１２ｅｈ（図７参照）とを電気的に
接続させるためのものである。
【００６６】次に、薄膜コイル１４（コイル接続部１４
ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、加熱時に流動
性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材
料を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパタ
ーンとなるように形成する。次に、このフォトレジスト
膜に対して、例えば２００°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内に
おける温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図
６に示したように、フォトレジストが流動して薄膜コイ
ル１４等の各巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル
１４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜１５が形成
される。絶縁膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄
膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓの双方の上面を
覆わないようにしてもよいし（図６参照）、または覆う
ようにしてもよい。
【００６７】次に、図６に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
１６ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、上部
ポールチップ１２ａｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄ、薄
膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓ等によって構成
された凹凸構造領域を埋設する。
【００６８】次に、例えばＣＭＰ法により、アルミナ層
１６ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理
により、図７に示したように、薄膜コイル１４等を埋設
する絶縁膜１６が形成される。このときの研磨処理は、
少なくともポールチップ部１２ａおよび磁路接続部１２
ｂが露出するまで行う。絶縁膜１６の形成材料としてア
ルミナなどの無機絶縁材料を用いることにより、フォト
レジストなどの軟絶縁材料を用いる場合とは異なり、Ｃ
ＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起こすことを防止でき
ると共に、研磨後の表面をより平滑に形成することがで
きる。
【００６９】次に、図７に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングにより、コイル接続部１４ｓの上
方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、
コイル接続部１４ｓと後工程において形成されるコイル
接続配線１２ｅｈとを接続させるための開口部１６ｋを
形成する。
【００７０】次に、図７に示したように、平坦化された
領域のうち、磁路接続部１２ｂの上方からポールチップ
部１２ａの後端部１２ａ(3) の上方にかけての領域に、
上部磁極１２の一部を構成する上部ヨーク１２ｅを約
２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。この上
部ヨーク１２ｅは、例えば、後述する図１３に示したよ
うな平面形状を有するものであり、薄膜コイル１４の上
方領域に延在するヨーク部１２ｅ(1) と、ヨーク部１２
ｅ(1) の前方においてポールチップ部１２ａの後端部１
２ａ(3) の一部と部分的にオーバーラップするように延
在する接続部１２ｅ(2) とを含んでいる。上部ヨーク１
２ｅの構造的特徴については後述する。上部ヨーク１２
ｅは、その後方部分において、開口部１０ｋを通じて磁
路接続部１２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９と磁気的に
連結されると共に、その前方部分において、ポールチッ
プ部１２ａを介してポールチップ部１２ｃとも磁気的に
連結される。
【００７１】上部ヨーク１２ｅを形成する際には、同時
に、コイル接続部１４ｓの上方から図示しない外部回路
にかけての領域にコイル接続配線１２ｅｈを形成する。
このコイル接続配線１２ｅｈは、コイル接続配線１４ｓ
と外部回路（図示せず）とを電気的に接続させるための
ものである。上部ヨーク１２ｅおよびコイル接続配線１
２ｅｈの形成材料および形成方法は、例えば、下部磁極
９等の場合と同様である。すなわち、例えばスパッタリ
ングにより、例えば１．５以上の高い磁束密度を有する
磁性材料である窒化鉄層を形成したのち、この窒化鉄層
をＲＩＥによりエッチングしてパターニングすることに
より上部ヨーク１２ｅ等を形成する。上部ヨーク１２ｅ
を形成する場合においても、下部磁極９等を形成した場
合と同様に、ＲＩＥによるエッチング処理を行う際のエ
ッチング条件（エッチングガスのガス種および加工温度
等）を適正化することにより、上部ヨーク１２ｅを高精
度かつ短時間で形成することができる。
【００７２】上部ヨーク１２ｅを形成する際には、例え
ば、その最前端が、ポールチップ部１２ａにおける中間
部１２ａ(2) と後端部１２ａ(3) との連結位置よりも後
方に位置するようにする。具体的には、上部ヨーク１２
ｅの最前端が、後工程において形成されるエアベアリン
グ面８０（図８参照）の位置から約０．５μｍ以上離れ
て位置するようにするのが好適である。エアベアリング
面８０から十分に離れた位置に上部ヨーク１２ｅを配設
するようにすることにより、上部ヨーク１２ｅからエア
ベアリング面８０への磁束の直接放出に起因するサイド
イレーズ現象の発生を回避することができるからであ
る。また、例えば、上部ヨーク１２ｅの最後端の位置
が、磁路接続部１２ｂ，１２ｄの最後端の位置とほぼ一
致するようにする。ここで、ポールチップ部１２ａ，１
２ｃ（上部ポールチップ１２ａｃ）、磁路接続部１２
ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｅによって構成される
上部磁極１２が、本発明における「第１の磁性層」の一
具体例に対応する。
【００７３】次に、図７に示したように、全体を覆うよ
うに、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よ
りなるオーバーコート層１７を約２０〜４０μｍの厚み
で形成する。
【００７４】最後に、図８に示したように、機械加工や
研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベア
リング面８０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
このときの上部ヨーク１２ｅ周辺における立体的構造
は、図１２に示したようになる。
【００７５】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用
および効果＞次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法における作用および効果について説明する。
【００７６】本実施の形態では、ポールチップ前駆層１
１２を形成したのち、このポールチップ前駆層１１２上
にポールチップ部１２ａを形成し、このポールチップ部
１２ａをマスクとして用いてポールチップ前駆層１１２
をパターニングすることによりポールチップ部１２ｃを
形成するようにしている。このような場合には、以下の
ような理由により、ポールチップ部１２ｃを形成するた
めの製造工程数を削減することができる。すなわち、例
えば、ポールチップ前駆層１１２を形成したのち、ポー
ルチップ部１２ａを形成せずにポールチップ部１２ｃを
形成するためには、新たに、ポールチップ前駆層１１２
をパターニングするためのマスクを形成する工程が必要
となる。これに対して、本実施の形態では、ポールチッ
プ前駆層１１２をパターニングするためのマスクとして
ポールチップ部１２ａを用いているので、新たにパター
ニング用のマスクを形成する工程が不要となる。しか
も、マスクとして使用されるポールチップ部１２ａは、
上部ポールチップ１２ａｃの一部を構成するものである
ため、ポールチップ前駆層１１２をパターニングしたの
ち、マスクを除去する工程も不要となる。
【００７７】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン１０等によって構成された凹凸領域を含む下地上にポ
ールチップ前駆層１１２を形成したのち、このポールチ
ップ前駆層１１２の表面をＣＭＰ法等により研磨して平
坦化するようにしているので、以下のような理由によ
り、ポールチップ部１２ａを高精度に形成することがで
きる。すなわち、ポールチップ前駆層１１２を平坦化し
ないと、このポールチップ前駆層１１２の表面部は、下
地（非磁性層パターン１０等）の凹凸領域に対応した凹
凸構造をなすこととなる。このような場合には、従来問
題とされていたように、フォトレジスト膜に対する露光
工程において、下地の斜面部から反射する反射光の影響
により、フォトレジスト膜中の露光領域（特に極微小幅
部分）が拡大し、フレームパターンの形成精度が大きく
低下してしまう。これに対して、本実施の形態では、研
磨工程によって平坦化された下地（ポールチップ前駆層
１１２）上において露光処理が行われるため、従来の場
合とは異なり、露光工程における反射光の発生が抑制さ
れ、露光領域の拡大が抑制される。これにより、ポール
チップ部１２ａを形成するためのフレームパターンを高
精度に形成することが可能となる。具体的には、フレー
ムパターンの形成の高精度化に基づき、ポールチップ部
１２ａにおける先端部１２ａ(1) の幅を例えば約０．１
〜０．３μｍまで極微小化することが可能となる。
【００７８】また、上部ポールチップ１２ａｃの分割形
成は、以下のような観点においても、上部ポールチップ
１２ａｃの高精度化に寄与することとなる。すなわち、
上部ポールチップ１２ａｃを分割して形成せずに、フレ
ームめっき法によって一括して形成する場合には、従来
問題とされていたように、上部ポールチップ１２ａｃの
形成に必要なフォトレジスト膜の膜厚とフォトレジスト
膜に対する加工幅（特に極微小幅部分）との差異が大き
すぎるために、フレームパターンの形成精度が大きく低
下してしまう。これに対して、本実施の形態では、上部
ポールチップ１２ａｃを分割して形成することにより、
その一部であるポールチップ部１２ａを形成するための
フォトレジスト膜の膜厚は、上部ポールチップ１２ａｃ
を一括して形成する場合に必要なフォトレジスト膜の膜
厚よりも小さくなる。このフォトレジスト膜の膜厚の減
少により、ポールチップ部１２ａの形成精度が向上する
こととなる。
【００７９】また、本実施の形態では、ポールチップ部
１２ａの形成材料として、鉄、ニッケルおよびコバルト
を含む磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ
ＮｉＦｅ）を用いるようにしている。一般に、この鉄ニ
ッケルコバルト合金は、パーマロイやニッケル鉄等の磁
性材料よりも硬い磁性材料であるため、鉄ニッケルコバ
ルト合金に対するエッチング速度は、パーマロイや窒化
鉄等に対するエッチング速度よりも遅くなる。このた
め、ポールチップ前駆層１１２をパターニングするため
のエッチング処理時において、ポールチップ前駆層１１
２に対するエッチング量よりもポールチップ部１２ａに
対するエッチング量を小さくし、ポールチップ部１２ａ
の膜減りを抑制することができる。これにより、ポール
チップ前駆層１１２をパターニングするために鉄ニッケ
ルコバルト合金よりなるポールチップ部１２ａをマスク
として使用することが可能となる。ただし、ポールチッ
プ部１２ａの形成時には、エッチング処理時における
「膜減り」を見こして、ポールチップ部１２ａの厚みを
必要かつ十分に確保しておく必要がある。ポールチップ
部１２ａに対するエッチング量（膜減り量）は、エッチ
ングガスの種類や加工温度などのエッチング条件を変更
することにより調整可能である。
【００８０】ポールチップ部１２ａの形成材料としての
鉄ニッケルコバルト合金は、形成されることとなるポー
ルチップ部１２ａの膜厚が適度に薄い場合にのみ使用す
るのが好ましい。なぜなら、例えば、鉄ニッケルコバル
ト合金を形成材料として用いて、上部ポールチップ１２
ａｃを一括して形成しようとすると、内部応力の蓄積に
起因して鉄ニッケルコバルト合金が部分的に割れたり、
剥がれてしまい、上部ポールチップ１２ａｃを正常に形
成することができないからである。具体的には、約２．
５μｍ以下の膜厚を有する磁性層部分を形成する場合
に、その形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用い
ることが可能となる。上部ポールチップ１２ａｃを分割
形成し、ポールチップ部１２ａの膜厚を適度に薄くする
ことにより、鉄ニッケルコバルト合金などの硬い磁性材
料を用いた場合においても、上記の「割れ」または「剥
がれ」等を回避し、ポールチップ部１２ａを安定的に形
成することができる。
【００８１】また、本実施の形態では、ポールチップ前
駆層１１２をパターニングするためのエッチング方法と
してＲＩＥを用いるようにしたので、イオンミリングを
用いる場合よりも、ポールチップ部１２ｃを高精度かつ
短時間で形成することができる。特に、ＲＩＥによるエ
ッチング処理を適正なエッチング条件下において行うよ
うにしたので、ポールチップ部１２ｃの形成に要する時
間をより短縮することができる。
【００８２】なお、エッチング手法としてＲＩＥを用い
た場合の形成精度の向上および形成時間の短縮に関する
効果は、下部磁極９や上部ヨーク１２ｅを形成する場合
においても同様である。
【００８３】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ１２ａｃをマスクとして記録ギャップ層１１および下
部磁極９を選択的にエッチングするための手法としてＲ
ＩＥを用いるようにしたので、上記したポールチップ部
１２ｃの形成の場合と同様の作用により、記録ギャップ
層１１および下部磁極９に対するエッチング加工を高精
度かつ短時間で形成することができる。この場合におい
ても、エッチング条件を適正化することにより、エッチ
ング加工に要する時間をより短縮することができる。
【００８４】また、本実施の形態では、図５および図１
１に示したように、エッチング処理によって磁極部分１
００を形成する際に、上部ポールチップ１２ａｃの周辺
領域における非磁性層パターン１０の一部もエッチング
して除去するようにしたので、薄膜コイル１４を形成す
ることとなる下地の表面の位置は、非磁性層パターン１
０の一部をエッチングしない場合における下地の表面の
位置よりも低くなる。このため、後工程において、薄膜
コイル１４の上方には十分な厚みを有する絶縁膜１６が
形成されることとなるので、薄膜コイル１４と後工程に
おいて形成される上部ヨーク１２ｅとの間を確実に絶縁
することができる。
【００８５】また、薄膜コイル１４を形成することとな
る下地の表面の位置を低くすることにより、この観点に
おいても、以下のような理由により、ポールチップ部１
２ａの形成の安定化に寄与することができる。すなわ
ち、例えば、下地の表面の位置を固定した場合、薄膜コ
イル１４の上方に配設されることとなる絶縁膜１６の膜
厚は、ポールチップ部１２ａの膜厚に依存することとな
る。このような場合において、薄膜コイル１４の上方に
配設されることとなる絶縁膜１６の膜厚を厚くするため
には、ポールチップ部１２ａの膜厚を厚くしなければな
らない。しかしながら、上記したように、鉄ニッケルコ
バルト合金よりなるポールチップ部１２ａの膜厚を厚く
すると、その形成が不安定化することとなる。これに対
して、本実施の形態では、下地の表面の位置を低くする
ことにより、薄膜コイル１４の上方における絶縁膜１６
の厚みを十分に確保しつつ、ポールチップ部１２ａの膜
厚を小さくすることができる。したがって、上記したポ
ールチップ部１２ａの膜厚が大きい場合の不具合を回避
することができる。
【００８６】また、本実施の形態では、薄膜コイル１４
（コイル接続部１４ｓを含む）の各巻線間を埋め込む絶
縁膜１５の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォ
トレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたの
で、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁
材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１４等の各巻
線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁する
ことができる。
【００８７】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図８、図
１２および図１３を参照して、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの構造について説明する。
【００８８】図１３は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１３では、絶縁
膜１５，１６およびオーバーコート層１７等の図示を省
略している。また、薄膜コイル１４については、その最
外周部分のみを図示し、非磁性層パターン１０について
は、その最外端のみを図示している。図８（Ａ）は、図
１３におけるVIIIA−VIIIA線に沿った矢視断面に相当す
る。なお、図１３中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞ
れの表記については、図１〜図１２の場合と同様とす
る。
【００８９】図１３に示したように、非磁性層パターン
１０の最前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決定
する際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ
位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（ＴＨ）
は、非磁性層パターン１０の最前端の位置（ＴＨ０位
置）からエアベアリング面８０までの長さとして規定さ
れる。また、図１３における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ
膜５の最後端の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表
している。ＭＲハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位
置からエアベアリング面８０までの長さである。スロー
トハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置
（ＭＲＨ０位置）とは、例えば、ほぼ一致している。
【００９０】上部磁極１２は、例えば、それぞれ別個に
形成された上部ポールチップ１２ａｃ、磁路接続部１２
ｂ，１２ｄおよび上部ヨーク１２ｅによって構成されて
いる。すなわち、上部磁極１２は、これらの各部位の集
合体である。
【００９１】上部ヨーク１２ｅは、薄膜コイル１４によ
り発生した磁束を収容するたの大きな面積を有するヨー
ク部１２ｅ(1) と、ヨーク部１２ｅ(1) よりも小さい一
定幅を有する接続部１２ｅ(2) とを含んでいる。ヨーク
部１２ｅ(1) の幅は、例えば、その後方部においてほぼ
一定であり、その前方部においてエアベアリング面８０
に近づくにつれて徐々に狭まるようになっている。ま
た、接続部１２ｅ(2) の幅は、例えば、ポールチップ部
１２ａの後端部１２ａ(3) の幅よりも大きくなってい
る。ただし、必ずしもこのような場合に限らず、例え
ば、前者の幅が後者の幅よりも小さくなるようにしても
よい。
【００９２】上部ポールチップ１２ａｃは、例えば、２
層構造を有し、上層部分としてのポールチップ部１２ａ
と下層部分としてのポールチップ部１２ｃとによって構
成されている。
【００９３】ポールチップ部１２ａは、エアベアリング
面８０から順に先端部１２ａ(1) 、中間部１２ａ(2) お
よび後端部１２ａ(3) を含んでいる。これらの各部位
は、例えば、矩形状の平面形状を有するものである。先
端部１２ａ(1) は、その全域にわたってほぼ一定な幅を
有し、この幅は記録時の記録トラック幅を画定するもの
である。中間部１２ａ(2) の幅は先端部１２ａ(1) の幅
よりも大きく、後端部１２ａ(3) の幅は中間部１２ａ
(2) の幅よりも大きくなっている。すなわち、先端部１
２ａ(1) と中間部１２ａ(2) との連結部分（以下、単に
「第１の連結部分」ともいう。）および中間部１２ａ
(2) と後端部１２ａ(3) との連結部分（以下、単に「第
２の連結部分」ともいう。）のそれぞれには、幅方向の
段差が形成されている。ポールチップ部１２ａを構成す
る各部位の各幅方向の中心は互いに一致している。
【００９４】ポールチップ部１２ａにおける第１の連結
部分の位置は、例えば、ＴＨ０位置（またはＭＲＨ０位
置）の位置よりも後退している。上部ヨーク１２ｅの前
側の端縁面１２ｅｆの位置は、例えば、ポールチップ部
１２ａにおける第２の連結部分の位置よりも後退してい
る。すなわち、上部ヨーク１２ｅは、エアベアリング面
８０から離れて位置している。なお、上部ヨーク１２ｅ
の配設位置は、必ずしも上記のような場合に限らず、例
えば、端縁面１２ｅｆの位置が第２の連結部分の位置と
ほぼ一致するようにしてもよい。上部ヨーク１２ｅおよ
びポールチップ部１２ａの各幅方向の中心は、互いに一
致している。
【００９５】ポールチップ部１２ａの第１の連結部分に
おいて、先端部１２ａ(1) の側縁面と中間部１２ａ(2)
の前側の端縁面とが交わるコーナー部における角度γ
は、例えば９０度である。なお、このコーナー部の角度
γは必ずしもこれに限られるものではなく、例えば９０
度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好適で
ある。角度γを上記の範囲内とすることにより、後端部
１２ａ(3) および中間部１２ａ(2) から先端部１２ａ
(1) に流入する磁束の流れを円滑化することができるか
らである。
【００９６】ポールチップ部１２ｃは、ポールチップ部
１２ａとほぼ同様の構造を有するものである。ポールチ
ップ部１２ｃは、ポールチップ部１２ａの先端部１２ａ
(1)、中間部１２ａ(2) および後端部１２ａ(3) にそれ
ぞれ対応する先端部１２ｃ(1) 、中間部１２ｃ(2) およ
び後端部１２ｃ(3) を含んでいる。
【００９７】図８（Ａ）、図１２および図１３に示した
ように、上部ポールチップ１２ａｃは、記録ギャップ層
１１の下段領域上から上段領域上にかけて延在してい
る。上部ヨーク１２ｅの前側の一部は、ポールチップ部
１２ａの後端部１２ａ(3) の一部と部分的にオーバーラ
ップして磁気的に連結され、ポールチップ部１２ａを介
してポールチップ部１２ｃとも磁気的に連結されてい
る。一方、図８（Ａ）および図１３に示したように、上
部ヨーク１２ｅの後方の一部は、開口部１０ｋにおい
て、磁路接続部１２ｂ，１２ｄを介して下部磁極９とも
磁気的に連結されている。すなわち、上部磁極１２（上
部ポールチップ１２ａｃ，磁路接続部１２ｂ，１２ｄ，
上部ヨーク１２ｅ）と下部磁極９とが接続されることに
より、磁束の伝搬経路、すなわち磁路が形成されてい
る。
【００９８】図１３に示したように、薄膜コイル１４
は、渦巻状の平面形状を有する巻線体である。薄膜コイ
ル１４のうち、例えばその内側の終端部および外側の終
端部には、コイル接続部１４ｓおよび端子１４ｘがそれ
ぞれ形成されている。双方の部位は、薄膜コイル１４と
一体をなすものである。コイル接続部１４ｓ上にはコイ
ル接続配線１２ｅｈが形成されており、薄膜コイル１４
とコイル接続配線１２ｅｈとは、コイル接続部１４ｓを
介して電気的に接続されている。端子１４ｘおよびコイ
ル接続配線１２ｅｈの後端部分（図示せず）は、共に図
示しない外部回路に接続されており、この外部回路によ
って薄膜コイル１４を通電させることができるようにな
っている。
【００９９】図８（Ａ）、図１２および図１３に示した
ように、非磁性層パターン１０は、例えば、その最前端
が、ポールチップ部１２ｃにおける先端部１２ｃ(1) の
延在領域内に位置するようになっている。図８（Ａ）お
よび図１３に示したように、非磁性層パターン１０は、
例えば、上部磁極１２および薄膜コイル１４の配設領域
をほぼ含むような広範囲な領域に配設されている。
【０１００】〈薄膜磁気ヘッドの構造に関する作用およ
び効果〉次に、図８（Ａ）、図１２および図１３を参照
して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関す
る作用および効果について説明する。
【０１０１】ここでは、まず、薄膜磁気ヘッドの基本的
動作、すなわち、記録媒体に対するデータの記録動作お
よび記録媒体からのデータの再生動作について簡単に説
明する。
【０１０２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１４に電流が流れると、これに応じて磁束が発生す
る。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１２ｅ内をヨ
ーク部１２ｅ(1) から接続部１２ｅ(2) へ伝搬し、上部
ヨーク１２ｅと磁気的に連結されているポールチップ部
１２ａの後端部１２ａ(3) へ流入する。後端部１２ａ
(3) に流入した磁束は、中間部１２ａ(2) を経由して先
端部１２ａ(1) へ伝搬する。先端部１２ａ(1) へ伝搬し
た磁束は、さらにそのエアベアリング面８０側の先端部
分に到達する。このとき、ポールチップ部１２ａの後端
部１２ａ(3) に流入した磁束の一部は、ポールチップ部
１２ａと磁気的に連結されているポールチップ部１２ｃ
の後端部１２ｃ(3) にも伝搬し、同様に中間部１２ｃ
(2) を経由して先端部１２ｃ(1) の先端部分まで到達す
る。先端部１２ａ(1) および先端部１２ｃ(1) の双方の
先端部分に到達した磁束により、記録ギャップ層１１近
傍の外部に記録用の信号磁界が発生する。この信号磁界
により、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録
することができる。
【０１０３】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
【０１０４】本実施の形態では、上部ポールチップ１２
ａｃのうち、磁極部分１００の一部を構成する一定幅部
分が上下に配設された２つの部位（先端部１２ａ(1) ，
１２ｃ(1) ）により構成されるようにすると共に、双方
の部位が１．５テスラ以上の高い磁束密度を有する磁性
材料よりなるようにしたので、記録密度を高めるために
磁極幅を極微小化した場合においても、磁束の飽和現象
が抑制され、磁束の伝搬が円滑化される。これにより、
磁気ボリュームの小さい先端部１２ａ(1) ，１２ｃ(1)
のそれぞれの先端部まで十分な量の磁束が供給されるた
め、優れたオーバーライト特性を確保することができ
る。
【０１０５】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ１２ａｃを２層構造とし、その上層部分であるポール
チップ部１２ａの形成材料として鉄ニッケルコバルト合
金を用い、下層部分であるポールチップ部１２ｃの形成
材料としてニッケル鉄を用いるようにしたので、この観
点においても、優れたオーバーライト特性の確保に寄与
することとなる。その理由は、以下の通りである。すな
わち、一般に、ポールチップ部１２ａの形成材料として
用いられる鉄ニッケルコバルト合金は、上記したよう
に、その高い硬度特性によりエッチングマスクとして利
用することが可能な反面、めっき処理時におけるその組
成制御が困難である。組成制御が十分でないと、鉄ニッ
ケルコバルト合金中において部分的に磁束密度の差異が
生じ、磁束の伝搬特性に偏りが生じてしまう可能性があ
る。一方、ポールチップ部１２ｃの形成材料として用い
られるニッケル鉄は、形成手法としてスパッタリングを
用いることにより、その組成を比較的容易に制御するこ
とができる。これらのことから、鉄ニッケルコバルト合
金の組成が多少乱れ、ポールチップ部１２ａ内における
磁束の伝搬特性にばらつきが生じたとしても、組成が適
正に制御されたニッケル鉄よりなるポールチップ部１２
ｃにおいて、適正な磁束の伝搬が確保されることとな
る。
【０１０６】また、本実施の形態では、平坦な下部磁極
９上に隣接するように、例えばアルミナなどの非磁性材
料よりなる非磁性層パターン１０を配設している。この
非磁性層パターン１０は、磁束の遮蔽材として機能し、
その上方領域から下方領域に向かう磁束の流れ（磁束の
漏れ）を抑制するものである。この非磁性層パターン１
０の存在により、上部ポールチップ１２ａｃと下部磁極
９との間に厚みの薄い記録ギャップ層１１しか配設しな
い場合よりも、非磁性層パターン１０の配設領域に対応
する領域において、上部ポールチップ１２ａｃから記録
ギャップ層１１を通過して下部磁極９へ磁束が伝搬する
ことを抑制することができる。特に、非磁性層パターン
１０の最前端がポールチップ部１２ａの先端部１２ａ
(1) （またはポールチップ部１２ｃの先端部１２ｃ(1)
）の延在領域内に位置するようにすることにより、上
部ポールチップ１２ａｃのほぼ全領域において「磁束の
漏れ」を抑制することができる。したがって、上部ポー
ルチップ１２ａｃ内の磁束の伝搬過程において、「磁束
の漏れ」に起因する磁束の伝搬ロスを回避することがで
きる。この点もまた、優れたオーバーライト特性の確保
に寄与することとなる。なお、非磁性層パターン１０
は、上部ポールチップ１２ａｃから下部磁極９へ磁束が
伝搬することを抑制すると同時に、下部磁極９から上部
ポールチップ１２ａｃへ磁束が伝搬することをも抑制す
ることができる。
【０１０７】また、本実施の形態では、ポールチップ部
１２ａを構成する先端部１２ａ(1)，中間部１２ａ(2)
，後端部１２ａ(3) のそれぞれの幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３
がＷ１＜Ｗ２＜Ｗ３の関係となるようにしたので、上記
の各部位の磁気ボリュームをそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３
とすると、各部位間の磁気ボリュームの関係もまたＶ１
＜Ｖ２＜Ｖ３となる。このため、ポールチップ部１２ａ
に流入した磁束は、後端部１２ａ(3) から中間部１２ａ
(2) を経由して先端部１２ａ(1) まで伝搬する過程にお
いて、磁気ボリュームの段階的な減少に応じて段階的に
集束され、先端部１２ａ(1) には十分な量の磁束が供給
される。このように、ポールチップ部１２ａを構成する
各部位の磁気ボリュームを適正化することにより、磁束
の伝搬過程における磁束の飽和現象が回避される。この
点もまた、優れたオーバーライト特性の確保に寄与す
る。なお、上記した磁気ボリュームの段階的減少に基づ
く効果は、ポールチップ部１２ｃについても同様であ
る。
【０１０８】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン１０の前端縁部近傍が斜面をなすようにしたので、こ
の斜面部の上方領域における上部ポールチップ１２ａｃ
内の磁束の流れを円滑化することができる。
【０１０９】また、本実施の形態では、上部ヨーク１２
ｅの最前端の位置が、エアベアリング面８０の位置より
も後退するようにしたので、上部ヨーク１２ｅからエア
ベアリング面９０側に対して磁束が直接放出されること
を回避することができる。このため、サイドイレーズ現
象の発生を防止することができる。
【０１１０】＜第１の実施の形態に関する変形例＞な
お、本実施の形態では、ポールチップ前駆層１１２（ポ
ールチップ部１２ｃ）およびポールチップ部１２ａの双
方の形成材料として、共に１．５テスラ以上の高い磁束
密度を有する磁性材料（例えば、窒化鉄，鉄ニッケルコ
バルト合金等）を用いるようにしている。ここで、上記
のそれぞれの部位を形成するために用いる磁性材料の磁
束密度は自由に設定することが可能である。具体的に
は、例えば、それぞれの部位の形成材料として、互いに
等しい磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるよう
にしてもよいし、または互いに異なる磁束密度を有する
２種類の磁性材料を用いるようにしてもよい。いずれの
場合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効
果を得ることができる。ただし、互いに異なる磁束密度
を有する磁性材料を用いる場合には、例えば、以下のよ
うな理由により、ポールチップ前駆層１１２を構成する
磁性材料の磁束密度が、ポールチップ部１２ａを構成す
る磁性材料の磁束密度よりも大きくなるようにするのが
好ましい。すなわち、薄膜磁気ヘッドの動作（例えば情
報の記録等）は、主に、上部ポールチップ１２ａｃのう
ち、記録ギャップ層１１に近い側の領域を伝搬する磁束
の作用に依存するところが大きい。このため、互いに異
なる磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いる場合に
は、上部ポールチップ１２ａｃの上層領域（ポールチッ
プ部１２ａ）よりも下層領域（ポールチップ部１２ｃ）
において磁束密度が大きくなるように磁束の分布状態
（以下、「磁束密度プロファイル」ともいう。）を構築
することが好ましいのである。ただし、必要に応じて、
上部ポールチップ１２ａｃの磁束密度プロファイルを自
由に調整することも可能である。
【０１１１】また、本実施の形態では、下部磁極９、ポ
ールチップ部１２ｃおよび上部ヨーク１２ｅ等の形成方
法として、スパッタリングによって所定の磁性材層を形
成したのち、その磁性材層をエッチング処理によってパ
ターニングする手法を用いるようにしたが、必ずしもこ
れに限られるものではなく、上記に各部位をフレームめ
っき法によって形成するようにしてもよい。ただし、ポ
ールチップ前駆層１１２の組成を適正に制御し、最終的
に形成されるポールチップ部１２ｃの内部における磁束
の伝搬性を良好に確保しようとするならば、ポールチッ
プ部１２ｃの形成材料として、上記実施の形態において
説明したような手法を用いるようにするのが好適であ
る。
【０１１２】また、本実施の形態では、ポールチップ部
１２ａの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用い
るようにしたが、必ずしもこれに限られるものではな
く、例えば、コバルト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄
酸化物合金またはジルコニウム鉄窒化物合金などの他の
アモルファス合金を用いるようにしてもよい。なお、ポ
ールチップ部１２ａの形成方法としては、上記したフレ
ームめっき法に限らず、下部磁極９等を形成した場合と
同様にスパッタリングおよびエッチング処理を用いるよ
うにしてもよい。ただし、ポールチップ前駆層１１２の
パターニング時においてマスクとして機能するポールチ
ップ部１２ａの膜減り量を抑制するならば、上記実施の
形態において説明したように、ポールチップ部１２ａの
形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるように
するのが好適である。
【０１１３】また、本実施の形態では、下部シールド層
３および上部シールド層７の形成方法として電解めっき
法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、双方またはいずれか一方の部位の形
成方法として、ポールチップ部１２ｃ等を形成する場合
と同様の手法、すなわちスパッタリングおよびエッチン
グ処理を用いるようにしてもよい。このような場合にお
ける上記の各部位の形成材料としては、上記したパーマ
ロイの他、窒化鉄やアモルファス合金（コバルト鉄合
金，ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金，ジルコニウム
鉄窒化物）等を用いるようにしてもよい。ポールチップ
部１２ｃ等の場合と同様の手法を用いることにより、上
記の各部位を高精度かつ短時間で形成することができ、
この点でも薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与
することとなる。
【０１１４】また、本実施の形態では、図１１に示した
ように、磁極部分１００を形成する際のＲＩＥによるエ
ッチング処理により、上部ポールチップ１２ａｃの周辺
領域における非磁性層パターン１０の一部のみを除去す
るようにしたが、必ずしもこれに限られるものではな
い。例えば、図１４に示したように、エッチング条件を
調整することにより、上部ポールチップ１２ａｃの周辺
領域における非磁性層パターン１０を除去し、下部磁極
９が露出するようにしてもよい。このような場合におい
て、最終的に形成される薄膜磁気ヘッドの構造は、図１
５に示した通りである。図１５は、図８に対応するもの
である。図１５に示したように、下部磁極９が露出する
までエッチング処理を行った場合において、薄膜コイル
１４の配設領域における下地の表面の位置は、図８に示
した場合における下地の表面の位置よりもより低くな
る。このため、上記したように、薄膜コイル１４の配設
領域における下地の表面の位置の低下にともない、ポー
ルチップ部１２ａの膜厚をより薄くすることが可能とな
る。したがって、ポールチップ部１２ａの形成をより安
定化することができる。
【０１１５】また、本実施の形態では、絶縁膜１５の形
成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必
ずしもこれに限られるものではなく、上記したフォトレ
ジストの他、例えば、フォトレジストと同様に加熱時に
流動性を示すポリイミド樹脂やＳＯＧ（Spin on glass
）などを用いるようにしてもよい。
【０１１６】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（Ｔａ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化
チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにして
もよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法として
は、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法を用いるようにしてもよい。このような方
法を用いて記録ギャップ層１１を形成することにより、
ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制
できるので、記録ギャップ層１１を介する磁束の漏れを
回避することができる。このような効果は、特に、記録
ギャップ層１１の厚みを薄くした場合に有益である。
【０１１７】また、本実施の形態では、図１２に示した
ように、非磁性層パターン１０の最前端が、ポールチッ
プ部１２ｃにおける先端部１２ｃ(1) の延在領域内に位
置するようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、その最前端の位置は自由に変更可能である。例え
ば、図１６に示したように、非磁性層パターン１０の最
前端が、ポールチップ部１２ｃにおける後端部１２ｃ
(3) の延在領域内に位置するようにしてもよい。このよ
うな場合には、特に、非磁性層パターン１０の最前端の
位置が、上部ヨーク１２ｅの最前端の位置とほぼ一致す
るか、あるいはその位置よりも前方に位置するようにす
るのが好適である。なぜなら、ポールチップ部１２ａと
上部ヨーク１２ｅとが接触する接触面１２ｍに対応する
領域では、上部ヨーク１２ｅから上部ポールチップ１２
ａｃに向かって下向きに磁束が流れ、特に「磁束の漏
れ」が生じやすいからである。接触面１２ｍに対応する
領域を含むように非磁性層パターン１０を延在させるこ
とにより、接触面１２ｍに対応する領域における「磁束
の漏れ」を抑制することができる。なお、図１６におい
て、上記の点以外の構造は、図１２に示した場合とほぼ
同様である。
【０１１８】また、本実施の形態では、図８に示したよ
うに、下部磁極９に非磁性層パターン１０を形成したの
ち、下部磁極９および非磁性層パターン１０の双方を覆
うように記録ギャップ層１１を形成するようにしたが、
必ずしもこれに限られるものではない。例えば、図１７
に示したように、下部磁極９上に記録ギャップ層１１を
形成したのち、この記録ギャップ層１１に非磁性層パタ
ーン１０を形成するようにしてもよい。このような場合
においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効果を
得ることができる。なお、図１７では、磁極部分１００
を形成する際のＲＩＥによるエッチング処理により、上
部ポールチップ１２ａｃの周辺領域における非磁性層パ
ターン１０を除去し、記録ギャップ層１１を露出させた
場合を表している。図１７において、上記の点以外の構
造は、図８に示した場合とほぼ同様である。
【０１１９】また、本実施の形態では、上部ヨーク（１
２ｅ）が窒化鉄の単層構造からなる場合（図８参照）に
ついて説明したが、必ずしもこれに限られるものではな
く、例えば図１８に示したように、上部ヨークが、例え
ば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９１と、例えばアル
ミナなどの無機絶縁材層９２とが交互に積層された構造
よりなる（２１２ｅ）ようにしてもよい。上部ヨークを
このような構造とすることにより、磁路における渦電流
の発生を防止し、高周波特性を向上させることができ
る。なお、上記の高飽和磁束密度材層９１および無機絶
縁材層９２の双方の形成もＲＩＥによって行うことによ
り、形成時間を短縮することができる。なお、図１８に
おいて、上部ヨーク２１２ｅ以外の部分は、上記の図８
の場合と同様である。
【０１２０】また、本実施の形態では、薄膜コイル１４
の内側の終端部にコイル接続部１４ｓを配設するように
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例え
ば、薄膜コイル１４の外側の終端部にコイル接続部１４
ｓを配設するようにしてもよい。このような場合におい
ても、コイル接続部１４ｓと接続されるようにコイル接
続配線１４ｅｈを配設することにより、上記実施の形態
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１２１】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
【０１２２】まず、図１９〜図２７を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
１９〜図２４において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２５〜図２７は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２５は図
２０に示した状態に対応し、図２６は図２１に示した状
態に対応し、図２７は図２４に示した状態に対応する。
ただし、図２６では、図２１における絶縁膜２４等の図
示を省略し、図２７では、図２４における薄膜コイル２
５，絶縁膜２６，２７およびオーバーコート層２８等の
図示を省略している。なお、図１９〜図２７において、
各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の
実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の
実施の形態における構成要素と同一部分には同一の符号
を付すものとする。
【０１２３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図１９における記録ギャップ層１１を形
成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態にお
ける図２に示した同工程までと同様であるので、その説
明を省略する。
【０１２４】本実施の形態では、記録ギャップ層１１を
形成したのち、非磁性層パターン１０の上方における平
坦な記録ギャップ層１１上に、高精度のフォトリソグラ
フィ処理を用いて、加熱時に流動性を示す材料、例えば
フォトレジストなどの有機絶縁材料を約０．５〜１．０
μｍの厚みで形成する。次に、このフォトレジスト膜に
対して、例えば２００°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内におけ
る温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図１９
に示したように、非磁性層パターン２１が形成される。
非磁性層パターン２１の端縁部近傍は、その端縁部に近
づくにつれて落ち込むような丸みを帯びた斜面をなすよ
うになる。非磁性層パターン２１を形成する際には、例
えば、その最前端の位置が非磁性層パターン１０の最前
端の位置よりも後退するようにし、非磁性層パターン１
０と非磁性層パターン２１とにより段差が形成されるよ
うにする。ここで、非磁性層パターン２１が、本発明に
おける「第２の非磁性層パターン」の一具体例に対応す
る。
【０１２５】次に、図１９に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、１．５テスラ以
上の高い磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄より
なるポールチップ前駆層１２２を約０．８〜２．０μｍ
の厚みで形成する。なお、ポールチップ前駆層１２２の
形成材料としては、上記第１の実施の形態におけるポー
ルチップ前駆層１１２の場合と同様に、窒化鉄の他、例
えば、窒化鉄と同様に１．５テスラ以上の高い磁束密度
を有する磁性材料であるコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、
ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）
またはジルコニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などの
アモルファス合金を用いるようにしてもよい。ここで、
ポールチップ前駆層１２２が、本発明における「磁性材
層」の一具体例に対応する。
【０１２６】次に、図２０に示したように、例えばＣＭ
Ｐ法により、ポールチップ前駆層１２２の表面を研磨し
て平坦化する。このときの研磨処理は、例えば、非磁性
層パターン１０の配設領域よりも前側の領域におけるポ
ールチップ前駆層１２２の膜厚が約０．５〜１．５μｍ
程度になるまで行う。
【０１２７】次に、図２０および図２５に示したよう
に、ポールチップ前駆層１２２上に、例えばフレームめ
っき法により、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）およびニ
ッケル（Ｎｉ）を含み、１．５以上の高い飽和磁束密度
を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（Ｃ
ｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆ
ｅ：２５重量％）よりなるポールチップ部２２ａを約
１．５〜２．５μｍの厚みで選択的に形成する。ポール
チップ部１２ａを形成する際には、同時に、ポールチッ
プ前駆層１２２上に磁路接続部２２ｂ（図２５では図示
せず）を選択的に形成する。ポールチップ部２２ａおよ
び磁路接続部２２ｂのそれぞれは、上部磁極２２の一部
を構成するものである。ポールチップ部２２ａおよび磁
路接続部２２ｂのポールチップ前駆層１２２上における
配設位置、形成方法および構造的特徴等は、上記第１の
実施の形態におけるポールチップ部１２ａおよび磁路接
続部１２ｂの場合とほぼ同様である。ポールチップ部２
２ａは、例えば、後述する図２８に示したように、先端
部２２ａ(1) 、中間部２２ａ(2) および後端部２２ａ
(3) を含むものである。ここで、ポールチップ部２２ａ
が、本発明における「第１の磁性膜」の一具体例に対応
する。
【０１２８】次に、ポールチップ部２２ａおよび磁路接
続部２２ｂの双方をマスクとして、例えばＲＩＥによ
り、全体にエッチング処理を施す。ＲＩＥによるエッチ
ング処理を施す際には、上記第１の実施の形態において
ポールチップ部１２ｃ等および磁極部分１００を形成し
た場合と同様に、エッチング条件（エッチングガスのガ
ス種および加工温度等）を調整するようにする。特に、
本実施の形態では、例えば、磁極部分１００を形成する
ためのエッチング処理により、ポールチップ部２２ａお
よび磁路接続部２２ｂのそれぞれの配設領域以外の部分
が一様に掘り下げられるようにエッチング条件を調整す
る。このエッチング処理により、図２１および図２６に
示したように、ポールチップ前駆層１２２のうち、ポー
ルチップ部２２ａおよび磁路接続部２２ｂのそれぞれの
配設領域以外の領域における非磁性層パターン２１、記
録ギャップ層１１、非磁性層パターン１０および下部磁
極９のそれぞれの一部が除去され、上部磁極２２の一部
を構成するポールチップ部２２ｃおよび磁路接続部２２
ｄが形成される。また、上記のエッチング処理により、
トリム構造を有する磁極部分２００が形成される。ポー
ルチップ部２２ｃ等を形成するためのエッチング処理に
より、マスク自体、すなわちポールチップ部２２ａおよ
び磁路接続部２２ｂのそれぞれ自体もエッチングされ、
その膜厚は減少することとなる。
【０１２９】ポールチップ部２２ｃおよび磁路接続部２
２ｄは、ポールチップ部２２ａおよび磁路接続部２２ｂ
のそれぞれとほぼ同様の構造的特徴を有するものである
（図２８参照）。ポールチップ部２２ｃは、先端部２２
ｃ(1) 、中間部２２ｃ(2) および後端部２２ｃ(3) を含
んでいる。ポールチップ部２２ｃおよび磁路接続部２２
ｄの双方は１．５テスラ以上の高い飽和磁束密度を有す
る磁性材料（窒化鉄）よりなるものである。以下では，
ポールチップ部２２ａおよびポールチップ部２２ｃを総
称して、単に「上部ポールチップ２２ａｃ」ともいう。
【０１３０】上部ポールチップ２２ａｃは、上記第１の
実施の形態における上部ポールチップ１２ａｃの場合と
同様に、ポールチップ部２２ａおよびポールチップ部２
２ｃのそれぞれの形成工程を経て、双方の部位の集合体
として形成される。ここで、ポールチップ部２２ｃが、
本発明における「第２の磁性膜」の一具体例に対応す
る。また、ポールチップ２２ａ部の先端部２２ａ(1) お
よびポールチップ部２２ｃの先端部２２ｃ(1) が、本発
明における「一定幅部分」の一具体例に対応し、ポール
チップ部２２ａおよびポールチップ部２２ｃが、本発明
における「所定の磁性層部分」の一具体例に対応する。
【０１３１】次に、図２１に示したように、全体を覆う
ように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２３を約０．３
〜０．５μｍの厚みで形成する。
【０１３２】次に、図２２に示したように、上部ポール
チップ２２ａｃの配設領域よりも後方の領域（磁路接続
部２２ｂ，２２ｄの配設領域を除く）における平坦な絶
縁膜２３上に、例えば電解めっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル２
４を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。
この薄膜コイル２４は、例えば、上記第１の実施の形態
における薄膜コイル１４とほぼ同様の構造的特徴と有す
るものである。薄膜コイル２４を形成する際には、同時
に、例えば、その内側の終端部における絶縁膜２３上
に、コイル接続部２４ｓを薄膜コイル２４と一体に形成
する。このコイル接続部２４ｓは、薄膜コイル２４と後
工程において形成されるコイル接続配線２２ｅｈ（図２
３参照）とを電気的に接続させるためのものである。
【０１３３】次に、図２２に示したように、薄膜コイル
２４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜２５を形成
する。絶縁膜２５の形成材料、形成方法および構造的特
徴等は、上記第１の実施の形態において絶縁膜１５を形
成した場合とほぼ同様である。
【０１３４】次に、図２２に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、絶縁材料、例え
ばアルミナ層２６ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形
成して、上部ポールチップ２２ａｃ、磁路接続部２２
ｂ，２２ｄ、薄膜コイル２４およびコイル接続部２４ｓ
等によって構成された凹凸構造領域を埋設する。
【０１３５】次に、図２３に示したように、例えばＣＭ
Ｐ法により、アルミナ層２６ｐの表面全体を研磨して平
坦化する。この研磨処理により、薄膜コイル２４等を埋
設する絶縁膜２６が形成される。このときの研磨処理
は、少なくとも上部ポールチップ２２ａｃおよび磁路接
続部２２ｂが露出するまで行う。
【０１３６】次に、図２３に示したように、例えばＲＩ
Ｅまたはイオンミリングにより、コイル接続部２４ｓの
上方を覆っている絶縁膜２６を部分的にエッチングし
て、コイル接続部２４ｓと後工程において形成されるコ
イル接続配線２２ｅｈとを接続させるための開口部２６
ｋを形成する。
【０１３７】次に、図２３に示したように、平坦化され
た領域のうち、磁路接続部２２ｂの上方からポールチッ
プ部２２ａの後端部２２ａ(3) の上方にかけての領域
に、上部磁極２２の一部を構成する上部ヨーク２２ｅを
約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。上部
ヨーク２２ｅを形成する際には、同時に、コイル接続部
２４ｓの上方から図示しない外部回路にかけての領域に
コイル接続配線２２ｅｈを形成する。上部ヨーク２２ｅ
およびコイル接続配線２２ｅｈの形成材料、形成方法お
よび構造的特徴等は、例えば、上記第１の実施の形態に
おける上部ヨーク１２ｅおよびコイル接続配線１２ｅｈ
の場合とほぼ同様である。この上部ヨーク２２ｅは、例
えば、後述する図２８に示したような平面形状を有する
ものである。ここで、上部ポールチップ２２ａｃ、磁路
接続部２２ｂ，２２ｄおよび上部ヨーク２２ｅによって
構成される上部磁極２２が、本発明における「第１の磁
性層」の一具体例に対応する。
【０１３８】次に、図２３に示したように、全体を覆う
ように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料
よりなるオーバーコート層２７を約２０〜４０μｍの厚
みで形成する。
【０１３９】最後に、図２４に示したように、機械加工
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面８０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。このときの接続部２２ｅ(2) 周辺における立体構造
は、図２７に示したようになる。
【０１４０】図２８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図２８において、上記第
１の実施の形態における図１３に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図２８で
は、絶縁膜２３，２５，２６およびオーバーコート層２
７等の図示を省略している。また、薄膜コイル２４につ
いては、その最外周部分のみを図示している。図２４
（Ａ）は、図２８におけるXXIVA−XXIVA線に沿った矢視
断面に相当する。
【０１４１】図２８に示したように、上部磁極２２は、
例えば、それぞれ別個に形成された上部ポールチップ２
２ａｃ、磁路接続部２２ｂ，２２ｄおよびおよび上部ヨ
ーク２２ｅによって構成されている。上部磁極２２を構
成する上記の各部位は、上記第１の実施の形態における
上部磁極１２を構成する各部位（上部ポールチップ１２
ａｃ、磁路接続部１２ｂ，１２ｄおよびおよび上部ヨー
ク１２ｅ）とほぼ同様の構造的特徴を有するものであ
る。上部ヨーク２２ｅは、ヨーク部２２ｅ(1) および接
続部２２ｅ(2) を含んでいる。ポールチップ部２２ａ
は、先端部２２ａ(1) 、中間部２２ａ(2) および後端部
２２ａ(3) を含み、ポールチップ２２ｃは、先端部２２
ｃ(1) 、中間部２２ａ(2) および後端部２２ａ(3) を含
んでいる。
【０１４２】図２４（Ａ）、図２７および図２８に示し
たように、上部ポールチップ２２ａｃは、記録ギャップ
層１１の下段領域上から、非磁性層パターン１０の上方
における上段領域上を経由して、非磁性層パターン２１
の斜面部上にかけて延在している。上部ヨーク２２ｅ
は、開口部１０ｋにおいて磁路接続部２２ｂ，２２ｄを
介して下部磁極９と磁気的に連結されると共に、ポール
チップ部２２ａを介してポールチップ部２２ｃとも磁気
的に連結されている。すなわち、上部磁極２２（ポール
チップ部２２ａ，２２ｃ，磁路接続部２２ｂ，２２ｄ，
上部ヨーク２２ｅ）と下部磁極９とが接続されることに
より磁路が形成されている。
【０１４３】図２８に示したように、薄膜コイル２４お
よびコイル接続部２４ｓは、上記第１の実施の形態にお
ける薄膜コイル１４およびコイル接続部１４ｓと同様の
構造的特徴を有するものである。薄膜コイル２４は、開
口部２６ｋにおいてコイル接続部２４ｓを介してコイル
接続配線２２ｅｈと電気的に接続されている。薄膜コイ
ル２４の外側の終端部２４ｘとコイル接続配線２２ｅｈ
の後方の一部（図示せず）とは図示しない外部回路に接
続されており、この外部回路を通じて薄膜コイル２４を
通電させることができるようになっている。
【０１４４】図２４（Ａ）、図２７および図２８に示し
たように、非磁性層パターン２１は、その最前端が、例
えばポールチップ部２２ａの先端部２２ａ(1) （または
ポールチップ部２２ｃの先端部２２ｃ(1) ）の延在領域
内に位置するようになっている。非磁性層パターン２１
の最前端の位置は、例えば、非磁性層パターン１０の最
前端の位置よりも後退している。
【０１４５】なお、図２８に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１３参照）と同様である。
【０１４６】本実施の形態では、図２４に示したよう
に、非磁性層パターン１０の上方における記録ギャップ
層１１上に隣接するように、例えばフォトレジストなど
の非磁性材料よりなる非磁性層パターン２１を配設して
いる。この非磁性層パターン２１は、非磁性層パターン
１０と同様に、磁束の遮蔽材として機能するものであ
る。非磁性層パターン１０と共に非磁性層パターン２１
を配設することにより、非磁性層パターン１０のみを配
設した場合よりも、「磁束の漏れ」をより抑制すること
ができる。しかも、本実施の形態では、非磁性層パター
ン２１の最前端が、ポールチップ部２２ｃにおける先端
部２２ｃ(1) の延在領域内に位置するようにしたので、
非磁性層パターン１０の場合と同様の作用により、上部
ポールチップ２２ａｃのほぼ全領域における「磁束の漏
れ」に起因する磁束の伝搬ロスをより低減させることが
できる。したがって、より優れたオーバーライト特性を
確保することが可能となる。
【０１４７】また、本実施の形態では、磁極部分２００
を形成するためのエッチング処理を行う際に、上部ポー
ルチップ２２ａｃの配設領域以外の領域（磁路接続部２
２ｂの配設領域を除く）を一様にエッチングして下部磁
極９の途中まで掘り下げるようにしたので、上記第１の
実施の形態の場合（図８，図１５参照）よりも、薄膜コ
イル２４の配設領域における下地（絶縁膜２３）の表面
の位置をより低くすることができる。このため、上記第
１の実施の形態において説明した場合と同様の作用によ
り、ポールチップ部２２ａの膜厚をさらに薄くすること
（約１．０〜２．０μｍ）ができるので、上部ポールチ
ップ２２ａｃの形成をより安定化することができる。
【０１４８】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン２１の最前端の位置が非磁性層パターン１０の最前端
の位置（すなわちＴＨ０位置）よりも後退するように
し、両者により段差部分が形成されるようにしたので、
上部ポールチップ２２ａｃに流入した磁束は、上記の段
差部分に沿って伝搬しながら段階的に集束される。この
ため、上部ポールチップ２２ａｃ内の磁束の流れを円滑
化することができる。
【０１４９】また、本実施の形態では、非磁性層パター
ン２１の前端縁部近傍が斜面をなすようにしたので、非
磁性層パターン１０の場合と同様の作用により、非磁性
層パターン２１の斜面部の上方領域における上部ポール
チップ２２ａｃ内の磁束の流れを円滑化することができ
る。
【０１５０】なお、本実施の形態では、図２７に示した
ように、非磁性層パターン２１の最前端が、ポールチッ
プ部２２ｃにおける先端部２２ｃ(1) の延在領域内に位
置するようにしたが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば、上記第１の実施の形態において説明した
非磁性層パターン１０の配設位置を変更する場合（図１
６参照）と同様に、非磁性層パターン２１の配設位置を
変更するようにしてもよい。
【０１５１】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例
等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、
その説明を省略する。
【０１５２】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態では、２層構造よりなる上部ポールチップを形成
する場合について説明したが、必ずしもこれに限られる
ものではなく、３層以上の多層構造よりなる上部ポール
チップを形成するようにしてもよい。このような場合に
おいても、上記各実施の形態の場合と同様の効果を得る
ことができる。なお、上部ポールチップを構成する各部
位の形成材料として、互いに異なる磁束密度を有する複
数の磁性材料を用いる場合には、上記したように、上部
ポールチップの上層部から下層部に向かって磁束密度が
大きくなるように磁束密度プロファイルを調整するよう
にするのが好ましい。もちろん、上部ポールチップの磁
束密度プロファイルを自由に調整することも可能であ
る。
【０１５３】また、上記の各実施の形態では、上部ポー
ルチップの下層部分を構成するポールチップ部を形成す
るためのポールチップ前駆層を形成したのち、このポー
ルチップ前駆層の表面を研磨して平坦化するようにした
が、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、ポ
ールチップ前駆層の形成領域における下地があらかじめ
平坦である場合には、上記の研磨処理を省略するように
してもよい。
【０１５４】また、上記の各実施の形態で示した上部磁
極を構成する各磁性層部分（上部ポールチップ，上部ヨ
ーク等）の平面形状は、必ずしも図１３および図２８に
示したものに限られるものではなく、各磁性層部分の磁
気ボリュームを適正化し、薄膜コイルで発生した磁束を
先端部の先端部分まで十分に供給し得る限り、自由に変
更することが可能である。
【０１５５】また、例えば、上記各実施の形態およびそ
の変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換
素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼
用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適
用することができる。また、本発明は、書き込み用の素
子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄
膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１５６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドによれ
ば、所定の磁性層部分がギャップ層に対して遠い側から
順に配設された第１の磁性膜および第２の磁性膜を含
み、第１の磁性膜および第２の磁性膜が共に１．５テス
ラ以上の磁束密度を有する磁性材料よりなるようにした
ので、記録トラック幅を規定する一定幅部分が極微小化
されたとしても、記録媒体対向面側まで十分な磁束を導
くことができる。したがって、優れたオーバーライト特
性を確保することができるという効果を奏する。
【０１５７】特に、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第２の磁性層と第２の磁性膜との間に、後方部が
絶縁層と連結し前端が記録媒体対向面の手前の所定の位
置で終端するように延在する第１の非磁性層パターンが
配設されるようにしたので、この第１の非磁性層パター
ンの存在により、第１の磁性層と第２の磁性層との間の
磁束の漏れを抑制し、磁束の伝搬ロスを低減することが
できるという効果を奏する。
【０１５８】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、さらに、第１の非磁性層パターンと第２の磁性膜
との間に、後方部が絶縁層と連結し前端が第１の非磁性
層パターンの前端よりも後方の位置で終端するように延
在する第２の非磁性層パターンが配設されるようにした
ので、この第２の非磁性層パターンの存在により、第１
の磁性層と第２の磁性層との間の磁束の漏れをさらに抑
制できると共に、磁束の流れをより円滑にすることがで
きるという効果を奏する。
【０１５９】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の非磁性層パターンの前端近傍および第２
の非磁性層パターンの前端近傍が第２の磁性層の平坦な
表面に対して傾斜するようにしたので、第１の非磁性層
パターンおよび第２の非磁性層パターンのそれぞれの上
方における所定の磁性層部分内の磁束の流れをより円滑
にすることができるという効果を奏する。
【０１６０】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の非磁性層パターンの前端が所定の磁性層
部分における一定幅部分の延在領域内に位置するように
したので、所定の磁性層部分のほぼ全領域において磁束
の漏れを抑制することができるという効果を奏する。
【０１６１】請求項１３ないし請求項２３のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁性材
層を形成する工程と、この磁性材層上に所定の磁性層部
分の一部をなす第１の磁性膜を選択的に形成する工程
と、この第１の磁性膜をマスクとして用いて磁性材層を
選択的にエッチングすることにより所定の磁性層部分の
一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成するエッチング
工程とを含むようにしたので、磁性材層をパターニング
するためのマスクを新たに形成する工程が不要となる。
したがって、薄膜磁気ヘッドの製造に要する製造工程数
を削減し、製造時間を短縮することができる。
【０１６２】特に、請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、磁性材層をスパッタリングにより形
成し、第１の磁性膜をめっき膜の成長により形成するよ
うにしたので、磁性材層の形成材料の組成を適正に制御
することができるという効果を奏する。
【０１６３】また、請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、エッチング工程を反応性イオンエッ
チングにより行うようにしたので、第２の磁性膜を高精
度かつ短時間で形成することができるという効果を奏す
る。
【０１６４】また、請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内
の温度下においてエッチング工程を行うようにしたの
で、エッチング処理に要する時間を短縮することができ
るという効果を奏する。
【０１６５】また、請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、エッチング工程において、さらに、
ギャップ層および第２の磁性層のうち、所定の磁性層部
分における一定幅部分の形成領域以外の領域を選択的に
除去するようにしたので、ギャップ層および第２の磁性
層を高精度かつ短時間で加工することができるという効
果を奏する。
【０１６６】請求項２４、請求項２５または請求項２６
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁性材層
を形成する工程と、この磁性材層の表面を研磨して平坦
化する工程と、この平坦化された磁性材層上に第１の磁
性膜を形成する工程とを含むようにしたので、第１の磁
性膜の形成が平坦な下地上で行われる。このため、露光
処理時における不具合等を抑制し、第１の磁性膜を高精
度に形成することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図３に続く工程を説明するための斜視図であ
る。
【図１０】図４に続く工程を説明するための斜視図であ
る。
【図１１】図５に続く工程を説明するための斜視図であ
る。
【図１２】図８に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する変形例を表す斜視図である。
【図１５】図１４に示した斜視図に対応する断面図であ
る。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する変形例を表す斜視図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部ヨークの変形例を表す断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２２】図２１に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２３】図２２に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２４】図２３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２５】図２０に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２６】図２１に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２７】図２４に示した断面図に対応する斜視図であ
る。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【図２９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３２】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面
図である。
【図３３】図３２に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極
部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図であ
る。
【図３４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…上部シールド
層、８，１３，１５，１６，２３，２５，２６…絶縁
膜、９…下部磁極、１０，２１…非磁性層パターン、１
１…記録ギャップ層、１２，２２…上部磁極、１２ａ，
１２ｃ，２２ａ，２２ｃ…ポールチップ部、１２ａ(1)
，１２ｃ(1) ，２２ａ(1) ，２２ｃ(1) …先端部、１
２ａ(2) ，１２ｃ(2) ，２２ａ(2) ，２２ｃ(2) …中間
部、１２ａ(3) ，１２ｃ(3) ，２２ａ(3) ，２２ｃ(3)
…後端部、１２ａｃ，２２ａｃ…上部ポールチップ、１
２ｂ，１２ｄ，２２ｂ，２２ｄ…磁路接続部、１４，２
４…薄膜コイル、１６ｐ，２６ｐ…アルミナ層、１２
ｅ，２２ｅ，２１２ｅ…上部ヨーク、１２ｅ(1) ，２２
ｅ(1) …ヨーク部、１２ｅ(2) ，２２ｅ(2) …接続部、
１２ｅｈ，２２ｅｈ…コイル接続配線、１７，２７…オ
ーバーコート層、８０…エアベアリング面、９１…高飽
和磁束密度材層、９２…無機絶縁材層９２、１００，２
００…磁極部分、１１２，１２２…ポールチップ前駆
層、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
    一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に
    絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
    に、前記第１の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの
    面より離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
    ック幅を規定する一定幅部分を含む所定の磁性層部分を
    有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記所定の磁性層部分は、前記ギャップ層に対して遠い
    側から順に配設された第１の磁性膜および第２の磁性膜
    を含み、 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜は、共に１．５テ
    スラ以上の磁束密度を有する磁性材料よりなることを特
    徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜の
    うちの少なくとも一方は、ニッケル鉄合金または窒化鉄
    のいずれかを含む材料よりなることを特徴とする請求項
    １記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜の
    うちの少なくとも一方は、アモルファス合金を含む材料
    よりなることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】 前記アモルファス合金は、コバルト鉄合
    金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジルコニ
    ウム鉄窒化物合金のいずれかであることを特徴とする請
    求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁性膜および第２の磁性膜の
    うちの少なくとも一方は、鉄、ニッケルおよびコバルト
    を含む材料よりなることを特徴とする請求項１記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第１の磁性膜は、鉄、ニッケルおよ
    びコバルトを含む材料よりなり、 前記第２の磁性膜は、ニッケル鉄合金またはコバルト鉄
    合金のいずれかを含む材料よりなることを特徴とする請
    求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜と
    の界面は平坦であることを特徴とする請求項１ないし請
    求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第２の磁性層と前記第２の磁性膜と
    の間に、後方部が前記絶縁層と連結し前端が前記記録媒
    体対向面の手前の所定の位置で終端するように延在する
    第１の非磁性層パターンが配設されている。ことを特徴
    とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記第１の非磁性層パターンは、非磁性
    金属よりなることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  10. 【請求項１０】 さらに、 前記第１の非磁性層パターンと前記第２の磁性膜との間
    に、後方部が前記絶縁層と連結し前端が前記第１の非磁
    性層パターンの前端よりも後方の位置で終端するように
    延在する第２の非磁性層パターンが配設されていること
    を特徴とする請求項８または請求項９に記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記第２の磁性層は、平坦な表面を有
    し、 前記第１の非磁性層パターンの前端近傍および前記第２
    の非磁性層パターンの前端近傍は、前記第２の磁性層の
    平坦な表面に対して傾斜していることを特徴とする請求
    項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記第１の非磁性層パターンの前端
    は、前記所定の磁性層部分における一定幅部分の延在領
    域内に位置することを特徴とする請求項８ないし請求項
    １１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
    の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に
    絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
    に、前記第１の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの
    面より離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
    ック幅を規定する一定幅部分を含む所定の磁性層部分を
    有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記所定の磁性層部分を形成する工程は、 磁性材層を形成する工程と、 この磁性材層上に前記所定の磁性層部分の一部をなす第
    １の磁性膜を選択的に形成する工程と、 この第１の磁性膜をマスクとして用いて前記磁性材層を
    選択的にエッチングすることにより、前記所定の磁性層
    部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成する
    エッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１の磁性膜および前記第２の磁
    性膜のうちの少なくとも一方の形成材料として、ニッケ
    ル鉄合金または窒化鉄のいずれかを含む材料を用いるこ
    とを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  15. 【請求項１５】 前記第１の磁性膜および前記第２の磁
    性膜のうちの少なくとも一方の形成材料として、アモル
    ファス合金を含む材料を用いることを特徴とする請求項
    １３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記アモルファス合金として、コバル
    ト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジ
    ルコニウム鉄窒化物合金のいずれかを用いることを特徴
    とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の磁性膜および前記第２の磁
    性膜のうちの少なくとも一方の形成材料として、鉄、ニ
    ッケルおよびコバルトを含む材料を用いることを特徴と
    する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記磁性材層の形成材料としてニッケ
    ル鉄合金またはコバルト鉄合金のいずれかを含む材料を
    用い、 前記第１の磁性膜の形成材料として鉄、ニッケルおよび
    コバルトを含む材料を用いることを特徴とする請求項１
    ３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記磁性材層をスパッタリングにより
    形成し、 前記第１の磁性膜をめっき膜の成長により形成すること
    を特徴とする請求項１３ないし請求項１８のいずれか１
    項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記エッチング工程を反応性イオンエ
    ッチングにより行うことを特徴とする請求項１３ないし
    請求項１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  21. 【請求項２１】 塩素および三塩化ボロンのうちの少な
    くとも１を含むガス雰囲気中において前記エッチング工
    程を行うことを特徴とする請求項１３ないし請求項２０
    のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 ５０°Ｃないし３００°Ｃの範囲内の
    温度下において前記エッチング工程を行うことを特徴と
    する請求項１３ないし請求項２１のいずれか１項に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記エッチング工程において、さら
    に、 前記ギャップ層および前記第２の磁性層のうち、前記所
    定の磁性層部分における一定幅部分の形成領域以外の領
    域を選択的に除去することを特徴とする請求項１３ない
    し請求項２２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  24. 【請求項２４】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
    の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に
    絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
    に、前記第１の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの
    面より離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
    ック幅を規定する一定幅部分を含む所定の磁性層部分を
    有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記所定の磁性層部分を形成する工程は、 前記第２の磁性層上に第１の非磁性層パターンを選択的
    に形成する工程と、 前記第１の非磁性層パターンおよびその周辺の前記第２
    の磁性層を覆うように前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層上に磁性材層を形成する工程と、 この磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程と、 この平坦化された磁性材層上に前記所定の磁性層部分の
    一部をなす第１の磁性膜を選択的に形成する工程と、 この第１の磁性膜をマスクとして用いて前記磁性材層を
    選択的にエッチングすることにより、前記所定の磁性層
    部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成する
    エッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
    の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に
    絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
    に、前記第１の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの
    面より離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
    ック幅を規定する一定幅部分を含む所定の磁性層部分を
    有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記所定の磁性層部分を形成する工程は、 前記第２の磁性層上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層上に第１の非磁性層パターンを選択的に
    形成する工程と、 前記第１の非磁性層パターンおよびその周辺の前記ギャ
    ップ層を覆うように磁性材層を選択的に形成する工程
    と、 この磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程と、 この平坦化された磁性材層上に前記所定の磁性層部分の
    一部をなす第１の磁性膜を形成する工程と、 この第１の磁性膜をマスクとして用いて前記磁性材層を
    選択的にエッチングすることにより、前記所定の磁性層
    部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成する
    エッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  26. 【請求項２６】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
    の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
    の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に
    絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有すると共
    に、前記第１の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの
    面より離れる方向に延在すると共に記録媒体の記録トラ
    ック幅を規定する一定幅部分を含む所定の磁性層部分を
    有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記所定の磁性層部分を形成する工程は、 前記第２の磁性層上に第１の非磁性層パターンを選択的
    に形成する工程と、 前記第１の非磁性層パターンおよびその周辺の前記第２
    の磁性層を覆うように前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層のうち、前記第１の非磁性層パターンの
    配設領域に対応する領域上に第２の非磁性層パターンを
    選択的に形成する工程と、 前記第２の非磁性層パターンおよびその周辺の前記ギャ
    ップ層を覆うように磁性材層を形成する工程と、 この磁性材層の表面を研磨して平坦化する工程と、 この平坦化された磁性材層上に前記所定の磁性層部分の
    一部をなす第１の磁性膜を選択的に形成する工程と、 この第１の磁性膜をマスクとして用いて前記磁性材層を
    選択的にエッチングすることにより、前記所定の磁性層
    部分の他の一部をなす第２の磁性膜を選択的に形成する
    エッチング工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
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