JP4075374B2 - 電磁石装置の駆動装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電磁石装置の励磁コイルを付勢する駆動電流を、その電源側を開閉するスイッチング手段の断続により定電流制御して電磁石装置の省電力を計った電磁石装置の駆動装置であって、特にスイッチング手段の断続に基づき電磁石装置から発生するうなり音を低減するようにした電磁石装置の駆動装置に関する。
【0002】
なお、以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部分を示す。
【0003】
【従来の技術】
電磁石装置の励磁コイルへの通電を、スイッチング手段を断続して行うことにより電磁石装置の省電力を計ることができる、本発明に近い従来技術としては本出願人の先願発明としての特許番号第2626147号の技術がある。
この先願発明の技術は、電磁石装置の励磁コイルへの通電を断続したパルス信号によりスイッチング手段を介して駆動するスイッチング制御回路を有し、前記電磁石装置の励磁コイルと交流電源との間に挿入された無接点リレーの主スイッチング素子をオンオフさせることにより電磁石装置を投入・釈放するものにおいて、
前記無接点リレー内の主スイッチング素子が自己保持電流以下となる電源電圧のゼロ付近の領域を、前記スイッチング制御回路から出力される断続したパルス信号の周期よりも長い所定時間だけ無通電状態とすることにより、無接点リレーにオフ指令を与えても無接点リレーの交流路が導通を持続し、電磁石装置が釈放不能になることを防ぐものである。
【0004】
図4は上記先願発明の技術を継承しながら、電磁石装置の励磁電流を定電流制御してさらに電磁石装置の省電力を計るようにした従来の電磁石装置の駆動装置の回路の構成例を示す。また、図5は図4中のカレントモード型PWM制御IC11の内部の原理的な構成を示し、図9は図4の要部の動作波形を、図10は図4中の電圧検出回路14の動作波形をそれぞれ示す。
【0005】
図4において、4はダイオードブリッジ2の直流出力側に接続された電磁接触器等の電磁石装置の励磁コイル(MCとも略記する)、1はダイオードブリッジ2へのAC電源の入力を開閉する無接点リレーで、SSR(Solid State Relayの略)とも呼ばれるものであり、この回路では無接点リレー1をオンオフして電磁石装置を投入・釈放するものである。
【0006】
ここで、T1,T2は交流電源が接続される入力端子であり、この人力端子T1,T2に直列に無接点リレー1の出力端子T3,T4が接続されている。
無接点リレー1は入力端子T5,T6に直流電源EがスイッチSW0を介して接続されると共に、フォトトライアックカプラPCの発光ダイオードPDが接続されている。
【0007】
フォトトライアックカプラPCのフォトトライアックPTrには主トライアックTRが並列に接続され、主トライアックTRのゲートと一方の端子との間には抵抗R11が接続されており、また主トライアックTRに並列にコンデンサC10と抵抗R10からなるスナバ回路が接続されている。
無接点リレー1の出力端子T4と交流電源の入力端子T2との間には前記ダイオードブリッジ2が接続され、このダイオードブリッジ2の直流出力端子には前記した電磁石装置の励磁コイル(MC)4と、励磁コイル4の電流Imcを制御する主スイッチング素子としてのパワーMOSFET17と、励磁コイル4の電流Imcを検出するためにMOSFET17のソース側に挿入された電流検出抵抗18(抵抗値をR18とする)との直列回路が接続されている。そして、この直列回路と並列にコンデンサ3が接続され、励磁コイル4に並列にフライホィールダイオード5が接続されている。
【0008】
また、ダイオードブリッジ2の直流出力端子には、抵抗6とツェナダイオード9の直列回路と、抵抗7、べ−スが抵抗6とツェナダイオード9との接続点に接続されたトランジスタ8、コンデンサ10の直列回路とが接続され、これらの回路はカレントモード型PWM制御IC11の電源端子VINに供給される定電圧の電源回路を構成している。なお、前記PWMは、Pulse Width Modulation(パルス幅変調)の略である。
【0009】
ダイオードブリッジ2の直流出力端子にはまた、分圧抵抗12、13の直列回路が接続され、この抵抗12と13との接続点の電圧14aは、AC電源の電圧がゼロ付近に到達したことを検出するための電圧検出回路14に入力されている。
この電圧検出回路14は図10に示すように、AC電源の両波整流電圧が現れる、ダイオードブリッジ2の直流出力端子間の電圧を分圧抵抗12、13により分圧した電圧14aが、所定の低電圧検出レベルVL0を下回る期間t1の間はHレベル、期間t1以外ではLレベルの電圧V1を出力してカレントモード型PWM制御IC11のフィードバック入力端子FBに与える。
【0010】
なお、前記低電圧検出レベルVL0は期間t1が後述するPWMパルスVoutの出力周期Tより長くなるように設定されている。また、ダイオードブリッジ2の直流出力端子間に設けられたコンデンサC3は、ダイオードブリッジ2の直流側負荷電流中の高周波成分に対する電源の役割を持つもので、その容量は小さいため、ダイオードブリッジ2の直流出力端子間の電圧波形は、ほぼAC電源の電圧変化に追随した両波整流電圧波形となる。
【0011】
カレントモード型PWM制御IC11のOUT端子から出力されるPWM制御パルス(PWMパルスとも略記する)VoutはパワーMOSFET17のゲートに入力され、電流検出抵抗18の両端に発生する電流検出電圧(=(抵抗18の抵抗値R18)×(励磁コイル4の電流Imc))は抵抗19を介してカレントモード型PWM制御IC11の電流検出端子CSに入力されている。なお、この端子CSへの入力電圧をVcsとする。
【0012】
15と16はそれぞれ、カレントモード型PWM制御IC11のPWMパルスの周期を決定するためのタイミング抵抗とタイミングコンデンサで、タイミング抵抗15はIC11の基準電圧(本例では5V)の出力端子VrefとIC11のタイミング抵抗/容量接続端子RT/CTとの間に接続され、タイミングコンデンサ16はIC11の前記端子RT/CTとダイオードブリッジ2の負側端子との間に接続されている。なお、IC11の図外の接地端子GND(図5参照)はダイオードブリッジ2の負側端子に接続されている。
【0013】
カレントモード型PWM制御IC11としては、この場合、スイッチング電源の電圧をその負荷電流を制御しつつ定電圧制御するスイッチング電源用カレントモード型PWM制御ICを流用しており、本例では特にこのICが、スイッチング電源の重負荷時、具体的には後述するエラーアンプ出力電圧Vcompが所定値以上になった時、定電流制御を行う性質を利用している。
【0014】
次に、図4および図9を参照しつつ、図5によりカレントモード型PWM制御IC11の定電流制御に関わる機能を説明する。
図5において、IC11の電源端子VINへ供給される電圧がIC11の正常動作可能な電圧(本例では16V)に達すると、低電圧ロックアウト回路UVL1のロックが解除され、5Vバンドギャップ基準電圧レギュレータREGがオンして電源端子VINへ供給される電圧から5Vの基準電圧Vrefを生成し、IC11の端子Vrefへ出力するほか、IC11内の必要な各部へ供給する。
【0015】
なお、レギュレータREGが出力する基準電圧Vrefが4.7V以上になると、もう一つの低電圧ロックアウト回路UVL2のロックも解除されてOR回路G2の出力、つまりNOR回路G1の入力の一つが“L”となり、NOR回路G1によって駆動されるトーテムポール出力回路TTPからのPWMパルスVoutの出力を停止する条件の一つが解除される。
【0016】
逆にこの解除が行われるまでは少なくともPWMパルスVoutの出力は停止され、PWMパルスVoutをゲート入力とするパワーMOSFET17はオフ状態に保たれる。
発振器OSCは、PWMパルスVoutの出力周期Tを定める三角波W1を生成する。即ち、発振器OSCを構成するコンパレータCP1の出力が“L”のとき、同じく発振器OSCを構成する半導体スイッチSW1,SW2はオフし、コンパレータCP1の(−)入力端子には三角波W1の上限電圧である2.8Vが入力される。そして、外部のタイミングコンデンサ16はタイミング抵抗15を介し基準電圧Vrefにより充電される。
【0017】
タイミングコンデンサ16の充電電圧はIC11のタイミング抵抗/容量接続端子RT/CTを経てコンパレータCP1の(+)入力端子に入力されて監視される。
やがて、タイミングコンデンサ16の充電電圧が2.8Vを上回ろうとするとコンパレータCP1の出力は“H”に反転する。これにより、半導体スイッチSW1,SW2はオンし、コンパレータCP1の(−)入力端子の電圧は三角波W1の下限電圧である1.2Vに切り換わると共に、IC11の端子RT/CTに定電流源IS1が接続されてタイミングコンデンサ16は放電を開始する。
【0018】
次にタイミングコンデンサ16の電圧が1.2Vを下回ろうとすると、再びコンパレータCP1の出力は“L”に反転し、タイミングコンデンサ16の電圧は上昇に転ずる、こうして連続する三角波W1が生成される。
このときコンパレータCP1から出力される矩形波パルスからなる発振出力W2は、ラッチセットパルス生成回路LSに入力され、パルス生成回路LSは、発振出力W2の立上がりのタイミング毎にヒゲ状のラッチセットパルスP1を生成し、NOR回路G1および、RSフリップフロップからなる電流検出ラッチFFのセット入力端子Sに与える。
【0019】
このラッチセットパルスP1の入力によって、電流検出ラッチFFの反転出力QB(このQBのBは「バー」を意味するものとする)は“L”となり、このときNOR回路G1の全入力が“L”となることから、トーテムポール出力回路TTPの出力、つまりIC11のOUT端子から出力されるPWMパルスVoutはHレベルとなり、外部のパワーMOSFET17をオンする。
【0020】
このPWMパルスVoutのHレベルの状態、つまりパワーMOSFET17のオンの状態は、以後、電流検出ラッチFFがリセットされ、その反転出力QBが“H”となるまで継続する。
電流検出ラッチFFの入力端子Rへのリセット信号は、CSコンパレータCP2の出力として与えられ、このコンパレータCP2の出力は、パワーMOSFET17がオンすることによって、電流検出端子CSの電圧Vcs、つまりCSコンパレータCP2の(+)入力端子の電圧が漸増し、CSコンパレータCP2の(−)入力端子の電圧Vcsnを上回る時点に発生する。
【0021】
ところで、図4においては電圧検出回路14は、前述のようにAC電源電圧のゼロ付近の期間t1のみIC11のフィードバック入力端子FBに与える電圧V1、つまりエラーアンプEAの(−)入力端子の電圧をHレベルとし、期間t1以外ではLレベルとしている。
なお、本例では電圧V1のHレベルはエラーアンプEAの(+)入力端子の電圧(2.5V)より高い電圧であるものとし、電圧V1のLレベルはほぼ0Vであるものとする。
【0022】
従って、期間t1においてはエラーアンプEAの出力電圧(エラー電圧ともいう)Vcompは少なくとも1.4V以下、従ってCSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnはほぼ0Vとなり、期間t1以外ではエラー電圧Vcompは少なくとも4.4V以上、従ってCSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnは上限値であるツエナ電圧の1Vに固定される。
【0023】
従って、期間t1以外では、パワーMOSFET17がオンしたのち、励磁コイル電流Imcが増加して行くことにより、電流検出抵抗18の電圧、従ってIC11の電流検出端子CSの電圧(CS端子電圧とよぶ)Vcsが漸増して、CSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnの1Vに達し、CSコンパレータCP2が電流検出ラッチFFをリセットする動作が行われる。
【0024】
このときの、電流検出ラッチFFがセットされたのちリセットされるまでの時間、つまりPWMパルスVoutのパルス幅(Hレベルの期間)、換言すればパワーMOSFET17のオン期間は、当該オン期間の開始時点の励磁コイル4の電流Imcが小さいときは長くなり、同じく励磁コイル電流Imcが増加して設定値(つまり、CSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnの1Vに対応する値)に近づくほど短くなる。このようにして励磁コイル4の電流ImcのPWM制御による定電流制御が行われる。
【0025】
他方、期間t1においては、CSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnが0Vであることから、PWMパルスVoutのパルス幅、つまりパワーMOSFET17のオン期間は図5の動作からは0ということになるが、実際は不感帯に入ることによってPWMパルスVoutは出力されず、パワーMOSFET17はオフのままとなる。
【0026】
次に改めて、主に図9を参照しつつ図4の全体の動作を説明する。
今、交流電源の入力端子T1,T2に交流電源が接続され, 無接点リレー1の入力端子T5,T6間に設けられたスイッチSW0が投入されたとすると、無接点リレー1のフォトトライアックカプラPCがオンするので主トライアックTRのゲートに電流が流れて主トライアックTRがターンオンし、ダイオードブリッジ2に交流入力電圧が印加される。
【0027】
前記ダイオードブリッジ2により全波整流された電圧がツェナダイオード9のツェナ電圧を超えるまではコンデンサ10はトランジスタ8を介して充電され、ダイオードブリッジ2の全波整流電圧がツェナダイオード9のツェナ電圧を超えると、コンデンサ10はほぼツェナダイオード9のツェナ電圧に相当する電荷を蓄えて定電圧化される。
【0028】
このコンデンサ10の電圧はカレントモード型PWM制御IC11の電源端子VINに入力されてIC11の正常動作を開始させ、電圧検出回路14の出力電圧V1、つまりIC11のフィードバック入力端子FBの電圧がLレベルの期間には、上述したIC11の動作によりパワーMOSFET17のPWM制御でのオンオフによる励磁コイル4の電流Imcの定電流制御が行われる。
【0029】
即ち、IC11内のラッチセットパルスP1が出力される周期TごとにHレベルのPWMパルスVoutが出力されてパワーMOSFET17がオンし、励磁コイル4には電流検出抵抗18を介してダイオードブリッジ2の全波整流電圧が印加され、励磁コイル4の電流Imcは増加して行く。このときの励磁コイル電流Imcの増加の勾配は、主としてその時点での全波整流電圧の瞬時値と励磁コイル4のインダクタンスによって定まる。
【0030】
そして、励磁コイル電流Imcの増加により、電流検出抵抗18の電圧(R18×Imc)、従ってIC11のCS端子電圧Vcsが、IC11内のCSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnの1Vに達するとPWMパルスVoutはLレベルとなって、パワーMOSFET17はオフし、励磁コイル4の電流Imcはフライホィールダイオード5に転流して励磁コイル4とダイオード5を環流しつつ減衰して行く。この電流減衰の時定数は、励磁コイル4のインダクタンスと環流路の抵抗分によって定まる。
【0031】
次にパワーMOSFET17がオンすると励磁コイル電流Imcは再び上昇に転ずる。
このような動作の中で無接点リレー1のスイッチSW0の投入の直後は、ラッチセットパルスP1の1回の出力周期Tの期間では励磁コイル電流Imcが確立せず、従って電流検出抵抗18の電圧、従ってIC11のCS端子電圧Vcsが1Vに達しないため図9の時間軸を拡大した部分に示すようにIC11内の電流検出ラッチFFがリセットされず、パワーMOSFET17は実質的にオン状態を続ける。
【0032】
そして、ラッチセットパルスP1の出力周期Tの複数回の経過の後、励磁コイル電流Imcが確立し、CS端子電圧Vcsが1Vに達した時点(図9の例では時点τc)以後に、周期TごとのパワーMOSFET17のオンオフ動作が行われ、励磁コイル電流Imcがほぼ一定値に保たれるようになり、励磁コイル4の省電力化が計られる。この励磁コイル電流Imcの確立によって電磁石装置、本例では電磁開閉器の投入が行われる。
【0033】
AC電源電圧がゼロ付近となる期間t1では前述のようにパワーMOSFET17はオフ状態に保たれる。この期間t1はパワーMOSFET17のオンオフ周期Tより大きく、無接点リレー1の主トライアックTRのターンオフ時間より大きく選ばれている。
ここで無接点リレー1の入力スイッチSW0が投入されたままであれば、図9に示すように、この期間t1において励磁コイル電流Imcは比較的大きく減衰し、期間t1の後は無接点リレー1の主トライアックTRが再び通電することから、周期Tの複数周期分を含むパワーMOSFET17のオン期間trを経て、周期TごとのパワーMOSFET17のオンオフ動作に移る。
【0034】
他方、無接点リレー1の入力スイッチSW0が開放された場合には、この開放後、最初に到来する期間t1で無接点リレー1の主トライアックTRがターンオフし、以後、ダイオードブリッジ2の整流出力電圧は消滅し、励磁コイル4の電流Imcはフライホィールダイオード5に転流した状態のまま減衰しつつ消滅する。そして、この減衰の間に電磁石装置の釈放が行われる。
【0035】
なお、電磁石装置の投入の初期時点と投入後の電磁石装置の保持期間とでは、実際は、図外の手段によって電流検出抵抗18の値が切り換わるように構成されており、電磁石装置の保持期間においては、投入の初期時点よりも励磁コイル電流Imcをより小さくして省電力化を計るようにしている。そして、図9の波形は電磁石装置の保持期間における例を示している。
【0036】
また、厳密には図9のCS端子電圧Vcsの時間軸拡大部(期間tr)における一点鎖線部分に示すようにラッチセットパルスP1の存在する微小期間、IC11内のNOR回路G1の出力が“L”、よってPWMパルスVoutがLレベルとなり、パワーMOSFET17は一瞬、オフ駆動されるがパワーMOSFET17にはターンオフ遅れがあるため、オン状態を継続する。
【0037】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図4の装置には次のような問題があった。即ち、図9で述べたように電磁石装置の保持期間において、AC電源電圧のゼロクロス点を挟む前記の期間t1としての、無接点リレー1の主トライアックTRの無通電期間から通電期間に移行すると、励磁コイル4の電流Imcが無通電期間t1において設定値よりかなり低下しているので、カレントモード型PWM制御IC11は通常のスイッチング周期Tに較べかなり長い期間trの間、実質的にオンのままのPWMパルスVoutを出力し、励磁コイル電流Imcが設定電流(電磁石装置の保持電流)に達すると、つまりCS端子電圧VcsがCSコンパレータ(−)入力端子電圧Vcsnの1Vに達すると、PWMパルスVoutをオフする。
【0038】
この期間tr(以下PWMパルスVoutまたはパワーMOSFET17の連続オン期間ともよぶ)における励磁コイル電流Imcの変化量は、この期間以後の安定した電流脈動部分の電流変化量に比べ一桁くらい大きいので電磁石装置の吸引力の変動が大きく、電磁石装置からうなり音が発生するという問題があった。
【0039】
本発明は、無通電期間t1を持つことで電磁石装置の釈放を確実に可能にすると共に、電磁石装置の励磁コイル電流のPWM制御による定電流制御により省電力を計り、且つ電磁石装置の保持状態におけるうなり音を低減することがてきる電磁石装置の駆動装置を提供することを課題とする。
【0040】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するために請求項1の電磁石装置の駆動装置は、電磁石装置の励磁コイル(4)への通電を断続したパルス信号(PWMパルスVout)によりスイッチング手段(パワーMOSFET17)を介して駆動するスイッチング制御回路(カレントモード型PWM制御IC11)を有し、該スイッチング制御回路が、オフ状態にある前記スイッチング手段を、所定周期(T)で生成されるターンオンのタイミングのうち最初に到来するターンオンのタイミングにおいてオン状態にさせ、オン状態にある前記スイッチング手段を、前記励磁コイルの電流の検出値(CS端子電圧Vcs)が所定の電流設定値(CSコンパレータCP2の(−)入力端子電圧Vcsn、本例では1V)に到達したタイミングにおいてオフ状態にさせるように前記パルス信号を断続するものであり、前記電磁石装置の励磁コイルと交流電源との間に挿入された無接点リレー(1)の主スイッチング素子(主トライアックTR)をオンオフさせることにより電磁石装置を投入・釈放する駆動装置であって、前記無接点リレー内の主スイッチング素子が自己保持電流以下となる電源電圧のゼロ付近の領域(期間t1)を、(電圧検出回路14を介し)前記の所定周期よりも長い所定時間だけ無通電状態とする電磁石装置の駆動装置において、前記無通電状態の時間に続く前記励磁コイルの電流の検出値が所定の電流設定値に到達するまでの期間(t2)、前記電流検出値または電流設定値に所定のバイアス信号を重畳し、前記スイッチング制御回路が、前記スイッチング手段を前記所定周期ごとにオンオフさせるように、前記パルス信号を断続するようにする。
【0041】
また請求項2の電磁石装置の駆動装置は、請求項1に記載の電磁石装置の駆動装置において、
前記バイアス信号を、(単安定回路20などを介し)所定レベルの持続信号(単安定回路出力電圧V2の分圧値(抵抗19電圧)など)とする。
また請求項3の電磁石装置の駆動装置は、請求項1に記載の電磁石装置の駆動装置において、
前記バイアス信号を、(単安定回路20、AND回路23などを介し)前記スイッチング手段がオン状態にあるときにのみ存在する所定レベルの信号(AND回路出力電圧V3の分圧値(抵抗19電圧)など)とする。
【0042】
また請求項4の電磁石装置の駆動装置は、請求項3に記載の電磁石装置の駆動
装置において、前記バイアス信号に、(抵抗22などを介し)前記スイッチング手段をオン状態にさせる前記パルス信号を利用する。
【0043】
本発明の作用は次の如くである。
即ち、スイッチング手段(パワーMOSFET17)を、所定周期(T)の同期信号(ラッチセットパルスP1)を用いたPWM制御により断続して定電流制御される電磁石装置の励磁コイルと、AC電源との間に挿入された無接点リレーの主スイッチング素子をオンオフさせることにより、電磁石装置を投入・釈放する駆動装置において、
無接点リレーにオフ指令を与えても無接点リレーの主スイッチング素子が導通を続けて電磁石装置が釈放不能となることを防ぐために、AC電源電圧のゼロ付近の領域に設けた無通電期間(t1)に続く、少なくとも所定期間(t2)、電流検出値または電流設定値に所定のバイアス信号を重畳することによって、
スイッチング手段が、オン状態に入った前記所定周期(T)の当該の周期内で見かけ上、必ず励磁コイルの電流が設定値に達する形になってオフ状態に切り換わるようにし、スイッチング手段が無通電期間の直後から所定周期(T)でオンオフし、励磁コイル電流を緩やかに設定値まで増加させるようにするものである。
【0044】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
図1は本発明の第1の実施例としての電磁石装置の駆動装置の回路構成を示し、図6は電磁石装置が保持状態にあるときの図1の要部の動作波形を示す。ここで図1は図4に対応し、図6は図9に対応している。
【0045】
図1においては図4に対して、電圧検出回路14の出力端に入力端が接続された単安定回路20と、この単安定回路20の出力端とカレントモード型PWM制御IC11の電流検出端子CSとの間に接続された抵抗21が追加されている。
図6に示すように、単安定回路20は、AC電源電圧の0クロス点を挟む無通電期間t1に電圧検出回路14が出力するHレベルの電圧V1の立下がりによってトリガされ、電圧V1の立下がり時点からラッチセットパルスP1の周期Tの複数周期を含む期間t2の間、Hレベルの電圧V2を出力する。
【0046】
無通電期間t1に続くこの期間t2は、図9におけるPWMパルスVoutの実質的なオン期間、つまりパワーMOSFET17の連続オン期間trより大きく選ばれている。
単安定回路20の出力電圧V2は抵抗21,19と電流検出抵抗18によって分圧され、図4の場合と比較すると、カレントモード型PWM制御IC11の電流検出端子CSに加わる電圧(CS端子電圧)Vcsには、期間t2の間、電圧V2による抵抗19と18の分圧成分が付加される。但し、電流検出抵抗18の値R18は、抵抗19の値に比べ充分小さいので、この分圧成分はほぼ抵抗19の電圧となる。
【0047】
従って、期間t2においては、CS端子電圧Vcsは、図6の破線部分に示すように、PWMパルスVoutのHレベルの期間、つまりパワーMOSFET17のオン期間には、ほぼ励磁コイル4の電流Imcによる電流検出抵抗18の電圧分(Imc×R18)と、単安定回路出力電圧V2の分圧成分からなる抵抗19の電圧との重畳電圧となる。
【0048】
本発明では期間t2においても、ラッチパルスP1の出力周期Tごとに、この重畳電圧からなるCS端子電圧Vcsが、IC11内のCSコンパレータCP2の(−)入力端子電圧Vcsn(本例では1V)に達するように構成されている。
従って、無通電期間t1に続くこの期間t2においても、パワーMOSFET17はラッチパルスP1の出力周期Tごとにオンオフを繰り返すこととなり、励磁コイル4の電流Imcは小さい脈動を繰り返しつつ設定値まで増大するので、電磁石装置のうなり音が低減される。
【0049】
(実施例2)
図2は本発明の第2の実施例としての電磁石装置の駆動装置の回路構成を示し、図7は電磁石装置が保持状態にあるときの図2の要部の動作波形を示す。ここでも図2は図4に対応し、図7は図9に対応している。
図2においては図4に対して、カレントモード型PWM制御IC11のPWMパルス出力端子OUTと電流検出端子CSとの間に、抵抗22が付加されている。
【0050】
図2の回路ではHレベルのPWMパルスVoutが出力されるたびに、このPWMパルスVoutの電圧が抵抗22,19および電流検出抵抗18によって分圧される。
従ってこの場合もほぼ、PWMパルスVoutの電圧の抵抗19に加わる分圧成分と、励磁コイル4の電流Imcによる電流検出抵抗18の電圧分(Imc×R18)との重畳電圧がIC11の電流検出端子CSに加わるCS端子電圧Vcsとなる。
【0051】
図2の回路でも図7に示すように、無通電期間t1に続く期間において、ラッチパルスP1の出力周期Tごとに、上記重畳電圧からなるCS端子電圧Vcsが、IC11内のCSコンパレータCP2の(−)入力端子電圧Vcsnの1Vに達するように構成され、励磁コイル電流Imcは小さい脈動を繰り返しつつ設定値まで増大する。
【0052】
(実施例3)
図3は本発明の第3の実施例としての電磁石装置の駆動装置の回路構成を示し、図8は電磁石装置が保持状態にあるときの図3の要部の動作波形を示す。ここで図3は図1に対応し、図8は図6に対応している。
図3においては図1に対して、単安定回路20と抵抗21との間に、単安定回路20の出力部が一方の入力端子に接続されたAND回路23が挿入され、AND回路23の他方の入力端子はカレントモード型PWM制御IC11のPWMパルス出力端子OUTに接続されている。
【0053】
図3の回路では図8に示すように、無通電期間t1に続く、単安定回路20の出力V2がHレベルとなる期間t2において、HレベルのPWMパルスVoutが出力されているときのみ、AND回路23の出力電圧V3がHレベルとなり、、この出力電圧V3による抵抗19部分の分圧電圧と、励磁コイル電流Imcによる電流検出抵抗18の電圧分(Imc×R18)との重畳電圧がほぼCS端子電圧Vcsとなる。
【0054】
従って図8では、図6と比較すると、PWMパルスVoutがHレベル、従ってパワーMOSFET17がオンの期間における動作は図6と同様であるが、PWMパルスVoutがLレベル、従ってパワーMOSFET17がオフの期間にはCS端子電圧Vcsが存在しなくなる。
これによりパワーMOSFET17が、オフすべき期間にノイズ等により誤ってオンすることを防止することができる。
【0055】
なお、以上の実施例では、無通電期間t1に続く少なくとも所定期間、電流検出抵抗18の電圧、つまり励磁コイル4の電流の検出電圧に抵抗19の電圧としての正のバイアス電圧を重畳する例を述べたが、これに代わり、IC11内のCSコンパレータCP2の(−)入力端子電圧Vcsn、つまり励磁コイル4の電流の設定値に負のバイアス電圧を重畳するようにしても同様な効果が得られることは明らかである。
【0056】
また、このバイアス電圧を、例えば、負荷された抵抗によって放電して行くコンデンサの電圧のように、その大きさが時間とともに減少する波形の電圧としてもよく、これも本発明に包含される。
【0057】
【発明の効果】
スイッチング手段の断続によって定電流制御される電磁石装置の励磁コイルとAC電源との間に挿入された無接点リレーの主スイッチング素子を、電磁石装置を釈放すべきときに確実にターンオフさせるために、AC電源電圧のゼロ付近の領域に無通電期間を設けた電磁石装置の駆動装置において、
無通電期間の直後の期間では、従来、無通電期間に設定値から大きく減衰した励磁コイルの電流を速やかに設定値に戻すために、スイッチング手段が数スイッチング周期、オン状態を続け、励磁コイル電流が急上昇して設定値に到達したのち、定スイッチング周期の断続に移るため電磁石装置にうなり音が発生した。
【0058】
しかし本発明によれば、少なくとも無通電期間に続く所定期間、電流検出値または電流設定値に所定のバイアス信号を重畳することにより、スイッチング手段が、オン状態に入った当該のスイッチング周期(定周期からなる)内で、見かけ上、必ず励磁コイルの電流が設定値に達する形になってオフ状態に切り換わるようにし、スイッチング手段が無通電期間の直後から所定のスイッチング周期でオンオフするようにしたので、
複雑な制御回路を用いることなく、無通電期間の直後も励磁コイル電流は急激に上昇しなくなり、電磁石装置のうなり音を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例としての構成を示す回路図
【図2】本発明の第2の実施例としての構成を示す回路図
【図3】本発明の第3の実施例としての構成を示す回路図
【図4】図1〜図3に対応する従来の回路図
【図5】図1〜図4内のカレントモード型PWM制御IC11の内部の原理的な構成を示す回路図
【図6】図1の要部の動作を示す波形図
【図7】図2の要部の動作を示す波形図
【図8】図3の要部の動作を示す波形図
【図9】図4の要部の動作を示す波形図
【図10】図1〜図4内の電圧検出回路14の動作説明用の波形図
【符号の説明】
1 無接点リレー(SSR)
SW0 無接点リレーの入力側スイッチ
PC 無接点リレーのフォトトライアックカプラ
TR 無接点リレーの主トライアック
2 ダイオードブリッジ
3 コンデンサ
4 電磁石装置の励磁コイル(MC)
Imc 励磁コイル4の電流
5 フライホィールダイオード
6,7 抵抗
8 トランジスタ
9 ツエナダイオード
10 コンデンサ
11 カレントモード型PWM制御IC
12,13 分圧抵抗
14 電圧検出回路
14a 電圧検出回路14の入力電圧
V1 電圧検出回路14の出力電圧
15 タイミング抵抗
16 タイミングコンデンサ
17 パワーMOSFET
18 電流検出抵抗
R18 電流検出抵抗18の抵抗値
19 分圧抵抗
20 単安定回路
V2 単安定回路20の出力電圧
21,22 分圧抵抗
23 AND回路
V3 AND回路23の出力電圧
CS IC11の電流検出端子CS
Vcs IC11の電流検出端子CSの入力電圧=(IC11内のCSコンパレータの(+)入力端子電圧)
FB IC11のフィードバック入力端子
RT/CT IC11のタイミング抵抗/容量接続端子
Vref IC11の基準電圧出力端子
VIN IC11の電源端子
OUT IC11のPWMパルス出力端子
Vout PWMパルス
EA IC11内のエラーアンプ
Vcomp エラーアンプEAの出力(エラー電圧)
OSC IC11内の発振器
LS IC11内のラッチセットパルス生成回路
P1 ラッチセットパルス
CP2 IC11内のCSコンパレータ
Vcsn CSコンパレータの(−)入力端子電圧
FF IC11内の電流検出ラッチ
G1 IC11内のNOR回路
TTP IC11内のトーテムポール出力回路

Claims (4)

  1. 電磁石装置の励磁コイルへの通電を断続したパルス信号により
    スイッチング手段を介して駆動するスイッチング制御回路を有し、
    該スイッチング制御回路が、オフ状態にある前記スイッチング手段を、所定周期で生成されるターンオンのタイミングのうち最初に到来するターンオンのタイミングにおいてオン状態にさせ、オン状態にある前記スイッチング手段を、前記励磁コイルの電流の検出値が所定の電流設定値に到達したタイミングにおいてオフ状態にさせるように前記パルス信号を断続するものであり、
    前記電磁石装置の励磁コイルと交流電源との間に挿入された無接点リレーの主スイッチング素子をオンオフさせることにより電磁石装置を投入・釈放する駆動装置であって、 前記無接点リレー内の主スイッチング素子が自己保持電流以下となる電源電圧のゼロ付近の領域を、前記の所定周期よりも長い所定時間だけ無通電状態とする
    電磁石装置の駆動装置において、
    前記無通電状態の時間に続く前記励磁コイルの電流の検出値が所定の電流設定値に到達するまでの期間、前記電流検出値または電流設定値に所定のバイアス信号を重畳し、前記スイッチング制御回路が、前記スイッチング手段を前記所定周期ごとにオンオフさせるように、前記パルス信号を断続することを特徴とする電磁石装置の駆動装置。
  2. 請求項1に記載の電磁石装置の駆動装置において、
    前記バイアス信号を、所定レベルの持続信号とすることを特徴とする電磁石装置の駆動装置。
  3. 請求項1に記載の電磁石装置の駆動装置において、
    前記バイアス信号を、前記スイッチング手段がオン状態にあるときにのみ存在する所定レベルの信号とすることを特徴とする電磁石装置の駆動装置。
  4. 請求項3に記載の電磁石装置の駆動装置において、前記バイアス信号に、前記スイッチング手段をオン状態にさせる前記パルス信号を利用することを特徴とする電磁石装置の駆動装置。
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