JP4056559B2 - マイクロ機械加工構造物の製法およびかかる方法を使用して製造されたマイクロ機械加工構造物 - Google Patents
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Description
本発明は、マイクロ機械加工構造物(マイクロ機械加工物)の製法およびかかる方法を使用して製造されたマイクロ機械加工構造物に関する。本発明は、少なくとも部分的に剥離自在であるマイクロ機械加工構造物の製造に関連して特定的に使用できる。より詳細には、本発明は、(i)部分的に自由にされた曲げ部品乃至部分(parts)を有するマイクロ機械加工構造物、(ii)完全に自由にされた可動部品を有するマイクロ機械加工構造物、および(ii)製造基板を完全に除くことができるマイクロ機械加工構造物(またはそれらの部品)の製造に関する。
背景技術
下記においては、従来技術の文献 文献1〜12のリストが言及されるであろう。これらの文献は、ここに参考文献として編入する。
マイクロ機械加工は、例えば、ナノメートル〜センチメートルの寸法を有するセンサーおよびアクチュエーターの製造を可能にする。マイクロ機械加工物の特定の例としては、モーター、ポンプ、加速度計、圧力センサー、化学センサー、弁、マイクロ運動システムおよびグリッパーが挙げられている。マイクロ機械加工の総合的な概観は、例えば、文献1、2および3で見出される。
マイクロ機械加工構造物は、下記の3つの一般的種類C1〜C3に分けることができる:
C1: 可動部品なしのマイクロ機械加工構造物(全部結合)、例えば、燃料注入ノズル用シリコン基板でエッチングされたホール、または電気泳動、他の種類の化学分析などの応用のためのガラスまたはシリコンでエッチングされたチャネル。
C2: 曲げ部品(部分的に自由)を有するマイクロ機械加工構造物、例えば、原子力顕微鏡検査および関連顕微鏡検査用プローブチップス、圧力センサー、加速度計、片持ビーム、および蠕動性ポンプ。類似として、かかる構造物は、水泳用プールのそばの地面に堅く結合された一方のサイドおよび曲げるために水上に延出する他方のサイドを有する潜水ボードのようであってもよい。
C3: 可動部品(完全に自由)を有するマイクロ機械加工構造物、例えば、マイクロモーターおよびくし形駆動装置。類似として、かかる構造物は、ターンテーブル、紡糸大皿(その上にレコードが完全に自由にされた部品に対応して置かれる一方、大皿をターンテーブルに取り付ける部品は自由にされた部品を基板に取り付ける構造物の別の部品に対応する)のようであってもよい。
下記の3つの一般的な種類のマイクロ機械加工が技術上既知である:(1)表面マイクロ機械加工、(2)バルクマイクロ機械加工、および(3)LIGAおよびその変形。マイクロ機械加工物の製造のための製作順序は、これらの技術の組み合わせを包含してもよい。
マイクロ機械加工の前記技術の第一のもの(表面マイクロ機械加工)によれば、層は、文献4に開示のようにウェーハの1つのサイド上にデポジットし且つエッチングする。文献5は、この技術に従って製造された有機マイクロアクチュエーターの例を開示している。従来技術の表面マイクロ機械加工は、上に横たわる構造層からパターン化されたデバイスまたは構造物を剥離するために一時的な犠牲層(sacrificial layer)の選択エッチングを必要とする。犠牲/構造層の多くの組み合わせは、下に横たわる犠牲層が優先的に除去できる限り、可能である。犠牲層は、各種の材料、典型的にはSiO2またはホスホシリケートガラスから製造できるが、アルミニウム、フォトレジスト、ポリイミド、多孔性シリコンおよび他のものも使用してもよい。
それと対照的に、マイクロ機械加工の前記技術の第二のもの(バルクマイクロ機械加工)によれば、デバイスまたは構造物は、エッチング法によってウェーハの前面および/または裏面から望ましくない部品を選択的に除去することによって、シリコンウェーハまたは別の基板物質、例えば、ヒ化ガリウム(GaAs)から直接製造する(文献6)。バルクマイクロ機械加工は、膜、ポンプ、加速度計などのマイクロ機械加工物の製造に使用されてきた。また、2個以上の基板は、一緒に結合し、エッチングしてもよい。
表面マイクロ機械加工法およびバルクマイクロ機械加工法は、文献1および文献7で比較している。
マイクロ機械加工の前記技術の第三のもの(LIGAおよびその変形)は、X線または紫外線を使用してフォトレジストまたは若干の他の好適な重合体をパターン化し、材料を電気メッキによってレジスト内の得られるホールにデポジットする工程を含む。この方法は、そのままで、ゆるい部品を生じ、且つかかるゆるい部品から作られた可動機械は、それゆえ、手で組み立てなければならない。LIGAも、犠牲層法と組み合わせることができる(文献8)。
マイクロ機械加工構造物の可動部品を剥離するのに使用する唯一の従来技術の技術は、前記犠牲層技術である。この従来技術の方法は、伝統的には、コンポーネントの自由回転、平行移動、または曲げを可能にするために、下に横たわる別の薄い犠牲層をアンダーエッチングすることによって機械構造物を解放する工程を含む。この方法の欠点は、文献9および10に述べられており且つ以下に詳細に論ずるであろう。添付第1図〜第5図(それらの各々は断面図(a)および対応平面図(b)からなる)は、従来技術の犠牲層技術の典型例に係るプロセス工程を図示する。第1図〜第5図は、概略であり且つ一定の比例には応じておらず、垂直方向の寸法は非常に誇張されている。
第一工程(第1図)において、シリコンウェーハなどの基板10(場合によって予備デポジット化層および/またはデバイスを提示)は、犠牲層12で覆う。第二工程において(第2図)、犠牲層12は、その残りの部分が基板10の表面を部分的にだけ覆って、基板10の露出表面部分11を残すようにパターン化する。第三工程において(第3図)、構造層14は、基板10の露出表面部分11上およびパターン化犠牲層12上にデポジットする。第四工程において(第4図)、構造層14は、その残りの部分が基板10の露出表面部分11を部分的に覆い且つパターン化犠牲層12を部分的に覆うようにパターン化する。第五工程において(第5図)、パターン化犠牲層12は、アンダーエッチング法によって除去し、それによって構造層14の残りの部分は1つの結合または固定部品14aおよび1つの自立部品14bを提示する。自立部品14bは、マイクロ機械加工構造物の可動部品を構成してもよい。
場合によって、多重レベルのパターン化犠牲層および構造層は、設けてもよい。かかる多重構造層の適用後に、犠牲層は、アンダーエッチングによって除去し、それによってマイクロ機械加工構造物の上設部品を自由にする。
第1図〜第5図に図示の犠牲層法は、マイクロ機械加工構造物の自立部品または可動部品を製造するために多くの応用に満足に作動するが、少なくとも下記の4つの主要な欠点を有する。
犠牲層法の第一の欠点は、1個以上の犠牲層を除去するために使用するエッチング剤が上に横たわる構造物も損傷することがあることである。この損傷は、エッチング剤が上に置かれる構造層と化学的に反応することがあり、例えば、それらを溶解するか酸化することがあるので、生ずることがある。エッチング法は、熱およびバブルを発生することによって構造物も損傷することがある。熱は、材料を損傷することがあり、または構造物をひずませることがあり且つ気泡は、過度の機械応力を構造物に付与することがある。
犠牲層法の第二の欠点は、大きい構造物をアンダーエッチングすることが時間がかかり且つ完成することが困難であることがあることである。例としてエッチング速度0.1μm/分で除去すべき1μm厚の犠牲層上に横たわる1000×1000μm2のプレートを考える。エッチング剤は、プレートのエッジから出発して材料を除去し且つプレートエッジから500μmの距離その中心まで進む。かくして、エッチングは、一定のエッチング速度を仮定して完了するために少なくとも5000分、即ち、3日より長い日数かかるであろう。しかしながら、新鮮なエッチング剤(液体またはガス)が閉込幾何学的形状に自由に循環しないので、かかる比較的大きいプレートの下の深いところからの材料の除去は、困難である。それゆえ、エッチング速度は、実際には、経時的に減速する。前記のことの結果、大きい固体プレートは、この従来技術の方法を使用することによって剥離することが困難であるか不可能であり且つアンダーエッチングが実用的であるように通し孔が今日設けられる。
犠牲層法の第三の欠点は、犠牲層の使用が構造層用の幾何学的工程を生ずる。犠牲層は、余りに薄いことはできず、またはアンダーエッチングは一層困難になる。構造層の前記工程で生ずる機械応力は、問題であることがある。加えて、マイクロ機械加工を使用して「垂直」壁を被覆することが困難である。それゆえ、構造層が余りに薄いならば、前記工程上で連結しないことがあり、製造を不可能にさせる。
第四の欠点は、ギャップが犠牲層の除去後に自由にされた構造部品と基板との間に存在するので、構造層が自己支持でなければならないことである。また、この理由で、構造層は、余りに薄いことができず、且つこのことは製造できるものを限定する。
米国特許第5 447 600号明細書(1994年3月21日出願、1995年9月5日発行)は、マイクロ機械加工デバイス中の接触エレメント間の粘着の減少法を開示している。保護層は、別の接触エレメントに粘着する第一接触エレメントの可能性を減少するために第一接触エレメント上に形成する。しかしながら、保護層は、構造物の可動部品の実際の製造または製造後の基板からの剥離には使用されない。
発明の開示
従って、本発明の第一の目的は、従来技術の方法の前記欠点を提示しないマイクロ機械加工構造物の新規の製法を提供することにある。
本発明の特定の目的は、犠牲層をアンダーエッチングする前記欠点を提示せず且つ任意の大きさの固体プレートなどを基板表面から剥離するか自由にすることを可能にし且つデリケートな材料が製造プロセス時に損傷のリスクなしに最終構造物で使用できるように有害な化学薬品、熱およびバブルの使用を回避する製法を提供することにある。
本発明の別の目的は、構造物中の応力および構造物の異なるレベル間の悪い連結のリスクを減少するために構造物中で有意の幾何学的工程を必要としない製法を提供することにある。
本発明のなお別の目的は、非常に薄い構造層が使用できるように機械的に自己支持であるべき自由にされた構造物を必要としない製法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記目的を満たす製法を使用して製造されたマイクロ機械加工構造物を提供することにある。
本発明の前記目的および更に他の目的は、以下で明らかになるであろう。
本発明によれば、基板表面から少なくとも部分的に剥離すべきマイクロ機械加工構造物の製法が提供される。方法は、基板表面を有する基板を用意する工程、および前記構造物を前記基板表面上に製造する工程を含む。方法は、表面接触エリア(その上で構造物の構造物表面および前記基板表面が製造工程時に互いに表面接触している)を少なくとも第一接触帯および第二接触帯に分割する工程を具備し、構造物と基板との間の接着力は第二接触帯におけるより第一接触帯において大きく、それによって構造物は、製造工程として、または製造後の工程として、完成され、少なくとも前記第二接触帯上で基板表面から剥離できる。
本発明の第一アスペクトによれば、マイクロ機械加工物の部品乃至部分の剥離のための本法は、基板表面の異なる部品の接着力の差に頼る。
本発明の第二のアスペクトによれば、マイクロ機械加工物の部品の剥離のための本法は、マイクロ機械加工物の異なる部品の基板表面への接着力の差に頼る。
これらの2つのアスペクトは、組み合わせることができる。
接着力の差は、化学的または機械的に達成できるが、接着力の差を達成するための他の方法も、もくろまれる。
「マイクロ機械加工構造物(micromachined structure)」なる用語は、少なくとも部分的にデポジションおよび基板上にデポジットされた材料のパターン化によって作られた1種以上のエレメントからなる物理的構造物と定義される。
「基板」なる用語は、デポジットされた材料の下に通常に配置される支持材料として役立つ物理的構造物と定義される。詳細には、基板そのままも、マイクロ機械加工構造物を包含してもよい。
本発明に関連して使用してもよいデポジション法としては、非限定例のみとして、蒸発、スパッタリング、化学蒸着、レーザーアブレーション、スピンコーティング、スピンキャスティング、ローラーでの被覆、浸漬、分子線エピタキシー、電気メッキ、および印刷が挙げられる。
本発明に関連して使用してもよいパターン転写法としては、非限定例のみとして、X線リソグラフィー、印刷、シャドーマスキング、および単層を使用する接触印刷が挙げられる。使用してもよいパターン形成法としては、非限定例のみとして、湿式化学エッチング、反応性イオンエッチングおよび他の乾式化学エッチング法、レーザーアブレーション、原子力および走査トンネルデポジションまたはエッチング法およびリフトオフが挙げられる。
本発明の前記特徴および他の特徴、および好ましい実施法は、添付請求の範囲に規定する。
【図面の簡単な説明】
本発明およびその利点のより完全な理解のために、添付図面と共に好ましい態様の下記の説明に今や言及する。すべての図は、概略であり且つ一定の比例には応じておらず且つ垂直寸法は非常に誇張されている。断面図(a)および平面図(b)からなる図は、時々それらの図の番号のみによって言及する。このことは、第1図〜第5図、第6図〜第13図、および第18図〜第23図にあてはまる。
第1図〜第5図は、マイクロ機械加工構造物の製造のための従来技術の犠牲層技術に係るプロセス工程を図示する。
第6図〜第12図は、マイクロ機械加工構造物の製造のために接着層としてCr層を使用した本発明の第一態様(例1)に係るプロセス工程を図示する。
第13図は、二層アクチュエーターを曲げ且つ基板表面から剥離させるために第12図に係るマイクロ機械加工構造物のPPy層の電気化学酸化/還元を図示する。
第14a図は、少なくとも部分的に剥離自在であるマイクロ機械加工物の製造のための本発明の第二態様(例2)を図示する断面図である。
第14b図および第14c図は、基板表面上で単層を使用した第14a図の修正である。
第15図は、少なくとも部分的に剥離自在であるマイクロ機械加工物の製造のための本発明の第三態様(例3)を図示する断面図である。
第16図は、少なくとも部分的に剥離自在であるマイクロ機械加工物の製造のための本発明の第四態様(例4)を図示する断面図である。
第17図は、少なくとも部分的に剥離自在であるマイクロ機械加工物の製造のための本発明の第五態様(例5)を図示する断面図である。
第18図〜第23図は、完全にゆるいマイクロ機械加工物の製造のための本発明の第六態様(例6)に係るプロセス工程を図示する。
発明を実施するための最良の形態
マイクロ機械加工構造物の製造のための本法は、第6図〜第23図を参照して例1〜6で以下に簡単に記載する。例は、説明しようとするが、本発明の範囲を限定しようとはしない。下記において、「マイクロ機械加工物(micromachine)」は、マイクロ機械加工構造物を意味する。
前記のように、基板からマイクロ機械加工物の部品の剥離のための本法は、マイクロ機械加工物の下の表面の異なる部品のマイクロ機械加工物への接着力の差、またはマイクロ機械加工物の異なる部品の基板表面への接着力の差に頼る。接着力のこの差は、化学的に(例2、3および6)または機械的に(例4および5)達成できるが、接着力の差を達成するための他の方法も、もくろまれる。
例1
第6図〜第12図は、二層アクチュエーターの形のマイクロ機械加工構造物の製造のための本法の第一態様のプロセス工程を図示する。
標準の直径3インチのシリコン(Si)CZウェーハ〔フィンランドのエスポのオクメティックから購入、厚さ380μm、配向(100)、p型、ホウ素ドープ、伝導率1〜10オーム−cm)を基板20として使用した。基板20の研磨サイド21上には、クロム(Cr)の30Å厚の接着層の形の第一層22を第6図に図示のように真空蒸発によってデポジットした。
次いで、第7図に示すように、Cr層22をパターン化した。パターン化は、Cr層22をテキサス州ガーランドのヘッドウェイ・リサーチ・インコーポレーテッド製のスピナー上で8000rpmでフォトレジスト〔英国のコベントリーのシップリー・ヨーローッパ・リミテッドのマイクロポジット(Microposit)1818Sフォトレジスト〕で30秒間スピン被覆した後、ホットプレート上で100℃において90秒間軟焼付けすることによって行った。その後、マスク整列装置(独国ミュンヘンのカール・ジュスKG、タイプ401000)を使用してレジストをCr/ガラスマスク(日本の東京のウルコートからのマスクブランク)を通してUV線に強度約5mW/cm2および波長365nmで6秒間露光した。レジストを、水に5:1で希釈されたマイクロポジット351現像液中で60秒間現像した。次いで、Cr層22をCe(SO4)2・4H2O 3.5g、HNO3(65%)17.5ml、およびH2O 32.5mlの標準Crエッチング液中でエッチングした。すべての化学薬品を独国ダームスタットのE.メルクから購入した。Cr層22のエッチング後、レジストを等量の水で希釈されたリムーバー(マイクロポジット・リムーバー1112A)で取り除いた。現像、エッチングおよびストリッピングを室温で行った。
第7b図に最善に示すように、かくしてパターン化されたCr層22は、裸または自由Si表面エリア24を露出する長方形の開口部23を規定する枠の形であった。以下に記載すべき二層アクチュエーターのベースは、その後にCr枠22のエッジに固定するであろう一方、アクチュエータの残りは動作時に露出Si表面エリア24をリフトオフするであろう。
第8図に示すように、200Å厚の金(Au)層の形の第二層25を真空蒸発によってパターン化Cr層22上および露出Si表面エリア24上にデポジットした。前記蒸発直前に、パターン化Cr層22をCrエッチング剤(前記)中で短時間エッチングし、希硝酸溶液中ですすぎ、水中ですすぎ、窒素流で吹込乾燥して天然酸化物を除去した。爾後の工程において導電性重合体膜を使用したので、この第二層25用の金属の選択は、制限された。この特定の構造物の場合には、Auまたは別の貴金属膜を使用することが必須であった。さもなければ、金属は、反応して導電性重合体の成長および/または接着を防止するであろう表面種を生成するであろう。
第9図に示すように、ポリピロール(PPy)層26の形の第三層(導電性重合体)を一定の0.6Vで脱イオン水中の0.1Mピロール単量体(E.メルクから購入され且つ使用前に蒸留)および独国スタインハイムのアルドリッチからのドデシルベンゼンスルホン酸のナトリウム塩(Na×DBS)0.1Mの溶液中で金層25の表面上に厚さ3000〜5000Åに電気化学的に重合した。PPy層26は、極限二層アクチュエーターの第二層を形成した。重合体層26は、電気化学的に合成でき、または化学的に重合し、スピンコーティングによってデポジットできる。
フォトレジスト27を前記のようにPPy層26上にスピン被覆し、軟焼付けし、露光し、現像した。次いで、PPy層26を酸素プラズマ中で反応性イオンエッチング(RIE)を使用する乾式化学エッチングによってエッチングして、第10図に示すような各種の大きさのストリップ、例えば、30mm×1000mmのエリアを有するストリップを残した。
第11図に示すように、I21g、KI 2gおよびH2O 50mlの標準の金エッチング液(E.メルクから購入の化学薬品)を使用してAu層25の露出部分をエッチングし去る。この工程時に、上に横たわるレジスト層27および上に置かれるPPy層26は、Au層25を化学薬品攻撃から保護した。このAuエッチング後に、金をPPy26の下のみ残して、Si基板20の露出表面エリア29を残した。
次いで、第12図に図示のように、PPy26上に残るフォトレジスト27を酸素プラズマ中でRIEによって除去した。PPyが露出された時に、プラズマを止めた。第12b図は、2つの完成PPy/Au二層アクチュエーター28を示す。
完成二層アクチュエーター28の各々は、Au層25およびPPy層26からなっていた。各アクチュエーター28のベース部分(例えば、第12図でその左の末端)をCr枠22に結合した一方、アクチュエーターの残りはSi基板20の表面と直接接触していた。基板20そのままがアクチュエーターの一体部品とみなすべきであるか否かの問題は、本コンセプトに主要な重要性を有しておらず且つ例えばアクチュエーターの所期の用途および採用すべき任意の更に他のプロセス工程に依存する。
第13図に示すように、二層アクチュエーター28の非結合部品(第13図で右)を曲げさせて基板20から離す。このことは、脱イオン水中の0.1M Na×DBS(E.メルクから購入)などの電解質中でのPPy層26の電気化学酸化/還元を使用することによって行い、このことはPPy層26の容積変化を生じた。それによって、各二層アクチュエーター28は、それ自体Si基板から剥離して、螺旋にカールした。
使用できる他の基板20としては、ガラススライドおよびSiO2被覆ウェーハが挙げられる。爾後の層25も接着する他の材料、例えば、チタン(Ti)は、Crの代わりに使用できる。更に、PPyを本例で使用したが、他の導電性重合体または容積変化重合体、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、これらの重合体の誘導体、およびこれらのもののいずれかの共重合体は、使用できる。導電性重合体の容積の電気化学駆動変化は、本例でデバイスを駆動するために使用したが、他の可能性は、動作のために存在し且つ代わりに使用でき、例えば、圧電性、溶媒膨潤、熱膨張、化学相互作用、放射線露光に対する反応、相変化、または他の刺激のために使用できる。
例2
マイクロ機械加工物は、第一層として薄膜を単純な平らな基板上で使用して第14a図を参照して下記の工程に従って製造してもよい:
a)外面31を有する基板30を、外面31に強く接着性であり且つ少なくともその外面33(基板30から離れて面する第一層32の表面である)が基板外面31とは別の接着力を有する第一層32で少なくとも部分的に覆い;
b)第一層32を少なくとも部分的にパターン化し;
c)マイクロ機械加工物を構成する被デポジション層の最底層である第二層34を基板30およびパターン化第一層32上にデポジットし(第二層34は少なくとも内面35がパターン化第一層32によって覆われていない基板表面31のエリアとは異なるようにパターン化第一層32の外面33に接着するような接着性を有する);
d)場合によって、第二層34をパターン化し;
e)場合によってマイクロ機械加工物を構成する層36などの残りの更に他の層を第二層34上に、場合によってパターン化第一層32および/または基板30上にもデポジットし、マイクロ機械加工物のデザインに従ってパターン化し;
f)第二層34がパターン化第一層32に接着するが、基板30には接着せず、または基板30に弱くだけ接着するならば、完成マイクロ機械加工物は、第一層32の外面33と接触する点で基板30に貼着するであろうが、外面31と接触する点では基板30を自由に離れるであろうし、または
g)一方、第二層34が基板30に接着するが、第一層32には接着せず、または第一層32に弱くだけ接着するならば、完成マイクロ機械加工物は、外面31と接触する点で基板30に貼着するであろうが、第一層32の外面33と接触する点では基板30を自由に離れるであろう。
第一層32、第二層34および更に他の1以上の層36の各々の1つは、金属膜、成長またはデポジット化酸化物、重合体、または化学薬品単層であってもよい。他の材料は、排除されない。
第14b図および第14b図に概略的に図示のように、例2における基板32の表面31は、単層で部分的または全部覆ってもよい。第14b図中、第一層は、結合化学薬品単層37である。第14c図に示す修正においては、第一層も結合化学薬品単層37であるが、第二の予め結合されパターン化された単層38も、基板表面31に適用する。第14a図〜第14c図に示すすべての態様においては、基板30は、異なる接着力を有する異なる表面エリアを提示する。
例3
マイクロ機械加工物は、異なる粗さを有する表面エリアSおよびRを有する基板40を使用して、第15図を参照して下記の工程に従って製造してもよい:
a)基板40を用意し(その外面41は少なくとも1個の比較的平滑なエリアSおよび増大された粗さを有する少なくとも1個のエリアRを有する);
b)マイクロ機械加工物を構成する被デポジション層の最底層である底構造層42を基板40上にデポジットし(底層42は少なくとも内面43が増大された粗さを有する1個以上のエリアRとは異なるように比較的平滑な1個以上のエリアSに接着するような接着性を有する);
c)場合によって、底層42をパターン化し;
d)場合によってマイクロ機械加工物を構成する第17図の層44などの残りの更に他の層を底層42上に、場合によって比較的平滑な1個以上のエリアSおよび/または増大された粗さを有する1個以上のエリアR上にもデポジットし、マイクロ機械加工物のデザインに従ってパターン化し;
e)底層42が増大された粗さを有する1個以上のエリアRに接着するが、比較的平滑な1個以上のエリアSには接着せず、または比較的平滑な1個以上のエリアSに弱くだけ接着するならば、完成マイクロ機械加工物は、増大された粗さを有する1個以上のエリアRと接触する点で基板40に貼着するであろうが比較的平滑な1個以上のエリアSと接触する点では基板40を自由に離れるであろうし、または
f)一方、底層42が比較的平滑な1個以上のエリアSに接着するが、増大された粗さを有する1個以上のエリアRに接着せず、または増大された粗さを有する1個以上のエリアRに弱くだけ接着するならば、完成マイクロ機械加工物は、比較的平滑な1個以上のエリアSと接触する点で基板40に貼着するであろうが、増大された粗さを有する1個以上のエリアRと接触する点では基板40を自由に離れるであろう。
2つの構造層42および44の各々の1つは、金属膜、成長またはデポジット化酸化物、または重合体であってもよい。他の材料は、排除されない。
例4
例3の修正として、マイクロ機械加工物は、異なる粗さを有する表面エリアを有するベース層上にデポジットされた基板を使用して、第16図に図示のように製造してもよい。かくして、本例4は、ベース層45を基板40上にデポジットする以外は前記例3と本質上同一であり、ベース層45の外面が例3と同様に少なくとも1個の比較的平滑なエリアSおよび増大された粗さを有する1個のエリアRを有する。
例5
マイクロ機械加工物は、マイクロ機械加工物の第一層として接着薄膜を単純な平らな基板上で使用して第17図を参照して下記の工程に従って製造してもよい:
a)外面51を有する基板50を、基板50の外面51に強く接着性である内面53を有し且つマイクロ機械加工物を構成する被デポジション層の最底層である第一層52で少なくとも部分的に覆い;
b)第一層52を少なくとも部分的にパターン化し;
c)内面55を有する第二層54を基板50および場合によって第一層52上にもデポジットし(第二層54は内面55が内面53より強くはなく外面51に接着するが内面55が第一層54に強く接着するような接着性を有する);
d)場合によって、第二層54をパターン化し;
e)場合によってマイクロ機械加工物を構成する層56などの残りの更に他の層を第二層54上に、場合によって第一層52および/または外面51上にもデポジットし、マイクロ機械加工物のデザインに従ってパターン化し;
f)第一層52が基板外面51に接着するが、第二層54が基板表面51には接着せず、または弱くだけ接着するので、完成マイクロ機械加工物は、層52が基板外面51と接触する点で基板50に貼着するであろうが、第二層54が基板外面51と接触する点では基板50を自由に離れるであろう。
層52、54および56は、金属膜、成長またはデポジット化酸化物、または重合体であってもよい。
例5と例2との間の差は、例2においては、基板表面を修正してマイクロ機械加工物またはマイクロ機械加工物の部品への異なる接着性を有するエリアを製造する一方、例5においては、マイクロ機械加工物が基板表面51への異なる接着力を有する部品(52および54)からなることである。例えば、マイクロ機械加工物をクロムおよび金部品から作り且つ基板がシリコンであるならば、クロム製のマイクロ機械加工物の部品は、表面に粘着するであろうが、金部品は粘着しないであろう。
例6
マイクロ機械加工物は、第18図〜第23図を参照して下記の工程に従って製造して、完全にゆるいマイクロ機械加工物を生じてもよい。
第一工程においては(第18図)、例えば、クロムの第一層62を基板60の表面にデポジットする。本例においては、第一層62は基板60に比較的強く接着することが必須である。第二工程においては(第19図)、第一層62をパターン化する。第19b図に最善に示すように、かくしてパターン化された第一層62は、裸または自由Si表面エリア64を露出する長方形の開口部63を規定する枠の形であってもよい。第三工程においては(第20図)、例えば、Au層の形の第二層65は、パターン化第一層62上および露出基板表面エリア64上にデポジットする。本例においては、第二層65と第一層62との間の接着力は、第二層65と基板表面64との間の接着力より大きいことが必須である。特に、第二層65と基板表面64との間の接着力は、好ましくは、顕著であるべきではない。完成マイクロ機械加工構造物68(第23図参照)は、底層として、第二層65の一部分を包含するであろう。前記の3工程は、例1に従って遂行してもよい。
第四工程として(第21図)、ポリイミド層などの第三層66aを、第二層65上にデポジットする。本例においては、第三層66aは、開口部63内に配置され、即ち、パターン化第一層62上ではないことが必須である。本例においては、別のポリイミド層などの第四層66bは、第三層66a上にデポジットする。完成マイクロ機械加工多層構造物68(第23図参照)は、第三層66aおよび第四層66bの部分も包含するであろう。図示のT形状は、前記犠牲層技術を使用することによって製造してもよい。他の形状も、勿論、可能である。
第五工程においては(第22図)、基板表面64と第三層66aとの間に配置された部分以外は、第二層65を、例えば、エッチング法によって除去して、基板60の露出エリア69を残す。それによって、完成多層構造物68(65、66aおよび66b)は、第23図に図示のように基板60を自由に離れる。
更に他の特性および修正
下記の修正および変更は、前記例1〜6のすべて並びに本発明で包含される他の態様にあてはまる。
(1)層のデポジションは、スピンコーティング、真空蒸着、スパッタリング、電気化学的方法などの異なる方法で達成してもよい。層は、爾後の層のデポジション前に、望ましくない汚染物、酸化物または他の望ましくないデポジットからクリーニングすることが好ましい。
(2)層のパターン化は、それぞれの層の材料および実現すべき寸法に応じて異なる方法で達成してもよい。フォトリソグラフィーおよびエッチングは、好ましい方法であるが、スクリーン印刷、リフトオフ、シャドーマスクを通してのデポジションなどの方法の使用も、可能である。
(3)基板は、単純であり、単一物質からなっていてもよく、または複合体、予め作られた物品または調製物品であってもよい。前者の例としては、シリコン、二酸化ケイ素または炭化ケイ素を含むウェーハ、ヒ化ガリウムウェーハ、ガラススライド、金属シートおよびプラスチックシートが挙げられる。後者の例としては、酸化シリコンウェーハ、炭化ケイ素のデポジット化層を有するシリコンウェーハ、多分パターン化された化学薬品単層を含有するシリコンウェーハ、および回路、センサーまたは他のマイクロ機械加工構造物を含有するシリコンウェーハが挙げられる。他の表示していない材料および材料組み合わせは、排除されない。
(4)基板20のS、Rなどの1個以上の表面エリアは、平らであってもよく、曲線であってもよく、階段状であってもよく、不連続であってもよく、チャネル、ウェル、ピット、またはホールを含有してもよい。他のトポグラフィーは、排除されない。平らなエリアの例としては、新しいシリコンウェーハおよびガラススライドが挙げられる。チャネルまたはホールを含有するエリアの例としては、エッチングされたシリコンウェーハが挙げられる。増大された粗さを有する1個以上のエリア(R)は、湿式または乾式化学エッチングにより、または機械的研磨により製造してもよいが、他の方法は、排除されない。
(5)金属膜の例としては、金、アルミニウム、および白金が挙げられる。酸化物の例としては、SiO2およびホスホシリケートガラスが挙げられる。重合体の例としては、ポリイミドおよびベンゾシクロブテンが挙げられる。単層の例としては、SiまたはSiO2上のヘキサメチルジシラザン、および金上のアルカンチオールが挙げられる。
(6)層は、前記のもの以外の加工順序の時点でパターン化してもよい。例えば、前記例で記載の層の若干に隣接して横たわるので、他の層は、製法の必須の点を変更しない工程の前記順序でいかなる時点でもデポジットし且つパターン化してもよい。また、層は、パターン化に加えて、更に他の加工に付してもよい。パターン化に異なる順序の一例は、マイクロ機械加工物の第二層または底層が前よりもむしろ追加の層のデポジション後にパターン化することである。
(7)デポジットしてもよい他の層の例としては、前記マイクロ機械加工構造物、整列マーク、回路、センサーおよび他のマイクロ機械加工構造物への電気的接続用金属が挙げられる。
(8)追加の加工の例としては、デポジット化ポリシリコン層のドーピング、デポジット化層上の酸化物の成長、アニーリングが挙げられる。記載していない追加の層および述べていない更に他の工程は、排除されない。
(9)示し且つ例1〜6に記載のプロセス工程および構造物は、組み合わせることができる。
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Claims (23)
- 基板表面を有する基板を用意する工程、および構造物を前記基板表面上に製造する工程を含む基板表面から少なくとも部分的に剥離すべきマイクロ機械加工構造物の製法であって、その上で前記構造物の構造物表面および前記基板表面が製造工程時に互いに表面接触しているエリアである表面接触エリアを少なくとも第一接触帯および第二接触帯に分割する工程を具備し、構造物と基板との間の接着力は第二接触帯におけるより第一接触帯において大きく、それによって第二接触帯に一致する構造物の部分は、製造工程として、または製造後の工程として、少なくとも前記第二接触帯上で基板表面から剥離できることを特徴とするマイクロ機械加工構造物の製法。
- 分割工程が、基板表面を少なくとも、前記第一接触帯を規定する第一基板表面部分と、前記第二接触帯を規定する第二基板表面部分とに分割するサブ工程を含んでなり、前記第一基板表面部分が構造物に前記第二基板表面部分より大きい接着力を提示する、請求項1に記載の方法。
- 基板表面を分割するサブ工程が前記第一基板表面部分を規定するパターン化接着促進層を用意する工程からなる、請求項2に記載の方法。
- 基板表面を分割するサブ工程が前記第二基板表面部分を規定するパターン化接着防止層を用意する工程からなる、請求項2に記載の方法。
- 基板表面を分割するサブ工程が1個以上の、粗いパターン化領域および1個以上の平滑なパターン化領域を用意する工程からなる、請求項2に記載の方法。
- 基板表面を分割するサブ工程が構造物の部品との合金生成を可能にする1個以上のパターン化領域を用意する工程からなる、請求項2に記載の方法。
- 基板表面を分割するサブ工程が構造物の部品との分子相互浸透を可能にする1個以上のパターン化領域を用意する工程からなる、請求項2に記載の方法。
- 分割工程が、構造物表面を少なくとも、前記第一接触帯を規定する第一構造物表面部分と、前記第二接触帯を規定する第二構造物表面部分とに分割するサブ工程を含んでなり、前記第一構造物表面部分が基板表面に前記第二構造物表面部分より大きい接着力を提示する、請求項1に記載の方法。
- 前記構造物表面を分割するサブ工程が前記第一構造物表面部分を規定するパターン化接着促進層を用意する工程からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記構造物表面を分割するサブ工程が前記第二構造物表面部分を規定するパターン化接着防止層を用意する工程からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記構造物表面を分割するサブ工程が1個以上の、粗いパターン化領域および1個以上の平滑なパターン化領域を用意する工程からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記構造物表面を分割するサブ工程が基板の部品との合金生成を可能にする1個以上のパターン化領域を用意する工程からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記構造物表面を分割するサブ工程が基板の部品との分子相互浸透を可能にする1個以上のパターン化領域を用意する工程からなる、請求項8に記載の方法。
- 前記分割工程が、請求項8ないし13のいずれか1項に記載の構造物表面を分割するサブ工程と、請求項2ないし7のいずれか1項に記載の基板表面を分割するサブ工程との組み合わせからなる、請求項1に記載の方法。
- 方法が、本質上製造の終りで製造工程として、構造物を前記第二接触帯において基板表面から剥離する工程を更に含み、それによって完成構造物が少なくとも自立または可動第一部品および前記第一接触帯において基板表面と結合された第二部品を提示する、請求項1〜14のいずれか1項に記載の製法。
- 構造物の前記第一部品が構造物の前記第二部品に物理的に結合していないが、基板から取り外されることが防止されている、請求項15に記載の製法。
- 方法が、本質上製造の終りに製造工程として、全構造物を基板表面から完全に剥離する工程を更に含む、請求項1ないし14のいずれか1項に記載の製法。
- 基板がシリコン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素またはガラス;上に横たわる成長またはデポジット化層を有するシリコン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素またはガラス;上に置かれた構造物、デバイスまたは回路を有するシリコン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素またはガラス;既に部分的にマイクロ機械加工または構造化されているシリコン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素またはガラスからなる群から選ばれる少なくとも1種のエレメントを含む、請求項1〜17のいずれか1項に記載の製法。
- 接着促進層がクロム、チタン、ニッケル、チタンとタングステンと窒素とからなる混合物、およびチタン、タングステンおよび窒素を含む合金からなる群から選ばれる少なくとも1種のエレメントを含む、請求項3または8に記載の製法。
- 構造物の最底層が金、白金およびパラジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のエレメントを含む、請求項1〜19のいずれか1項に記載の製法。
- 前記第一接触帯が前記第二接触帯を囲む、請求項1〜20のいずれか1項に記載の製法。
- 基板表面に形成されたマイクロ機械加工構造物であって、その上で前記構造物の構造物表面および前記基板表面が製造工程時に互いに表面接触しているエリアである表面接触エリアが少なくとも第一接触帯および第二接触帯に分割されており、構造物と基板との間の接着力は第二接触帯におけるより第一接触帯において大きくなっており、それによって構造物は、少なくとも前記第二接触帯上で基板表面から剥離できるようにされている、基板表面から少なくとも部分的に剥離され得るマイクロ機械加工構造物。
- 請求項1ないし21のいずれか1項に従って製造されたマイクロ機械加工構造物。
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