JPH09190996A - 薄膜構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、基板に薄膜を形成してなる薄膜構
造体の製造方法に関し、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜
とが密着することを容易，確実に防止することを目的と
する。 【解決手段】 基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜
層を形成する工程と、前記基板または犠牲材をエッチン
グ溶液によりエッチングし、薄膜と薄膜との間または薄
膜と基板との間に微小間隙を形成する工程と、前記エッ
チング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程と、前記
微小間隙に存在する前記洗浄溶液が乾燥する前に前記薄
膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状態の昇
華性物質を付着させる工程と、前記昇華性物質を凝固さ
せる工程と、前記昇華性物質を昇華させる工程とを有し
て構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に薄膜を形成
してなる薄膜構造体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造技術の発展にともな
い、これ等の技術を用いてミクロンオーダーの微小構造
物あるいは微小機械要素が得られるようになっている。
これ等の要素において、例えば、自己支持型の薄膜構造
体、すなわち薄膜の一部が基板から浮いており、基板に
弾性的に支持される構造体は、アクチュエータ（駆動要
素），センサー，マイクログリッパー（例えば特開平５
−２５３８７０号に開示）等へ応用する構造体として極
めて有用である。

【０００３】従来、このような薄膜構造体を製造する場
合には、基板に薄膜の成膜と所望のパターニングを行っ
た後、基板自体あるいは基板と薄膜との間にある犠牲層
のみをエッチング溶液中で選択的にエッチングして取り
除く方法がとられている。このエッチングは、純水，イ
ソプロピルアルコール等の洗浄溶液に基板を浸し、エッ
チング溶液を充分に洗浄除去することにより終了され
る。

【０００４】そして、基板を洗浄溶液から引き上げ乾燥
することにより目的の薄膜構造体が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜構造体の製造方法では、エッチング溶液中で薄膜と
基板あるいは薄膜と薄膜との間に微小間隙を形成した後
に、洗浄溶液によりエッチング溶液を除去しているた
め、乾燥時に、薄膜と基板との間あるいは薄膜と薄膜と
の間の微小間隙に存在する洗浄溶液の表面張力により、
薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着してしまうとい
う問題があった。

【０００６】本発明は、かかる従来の問題を解決するた
めになされたもので、薄膜と基板あるいは薄膜と薄膜と
が密着することを容易，確実に防止することができる薄
膜構造体の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の薄膜構造体の
製造方法は、基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜層
を形成する工程と、前記基板または犠牲材をエッチング
溶液によりエッチングし、薄膜と薄膜との間または薄膜
と基板との間に微小間隙を形成する工程と、前記エッチ
ング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程と、前記微
小間隙に存在する前記洗浄溶液が乾燥する前に前記薄膜
と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状態の昇華
性物質を付着させる工程と、前記昇華性物質を凝固させ
る工程と、前記昇華性物質を昇華させる工程とを有する
ことを特徴とする。

【０００８】請求項２の薄膜構造体の製造方法は、基板
上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜層を形成する工程
と、前記基板または犠牲材をエッチング溶液によりエッ
チングし、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に
微小間隙を形成する工程と、前記エッチング溶液を洗浄
溶液により洗浄除去する工程と、前記洗浄溶液が乾燥す
る前に前記洗浄溶液および昇華性物質になじみの良好な
前処理溶剤を付着する工程と、前記微小間隙に存在する
前記前処理溶剤が乾燥する前に前記薄膜と薄膜との間ま
たは薄膜と基板との間に溶融状態の昇華性物質を付着さ
せる工程と、前記昇華性物質を凝固させる工程と、前記
昇華性物質を昇華させる工程とを有することを特徴とす
る。

【０００９】請求項３の薄膜構造体の製造方法は、請求
項１または２記載の薄膜構造体の製造方法において、前
記昇華性物質の昇華を、大気圧中で行うことを特徴とす
る。請求項４の薄膜構造体の製造方法は、請求項３記載
の薄膜構造体の製造方法において、前記昇華性物質の昇
華を、常温で行うことを特徴とする。請求項５の薄膜構
造体の製造方法は、請求項１ないし４のいずれか１項記
載の薄膜構造体の製造方法において、前記溶融状態の昇
華性物質の温度が、５０℃以上で２２０℃以下であるこ
とを特徴とする。

【００１０】請求項６の薄膜構造体の製造方法は、請求
項１ないし５のいずれか１項記載の薄膜構造体の製造方
法において、前記昇華性物質は、ナフタレンまたはパラ
ジクロロベンゼンからなることを特徴とする。請求項７
の薄膜構造体の製造方法は、請求項１ないし６のいずれ
か１項記載の薄膜構造体の製造方法において、前記前処
理溶剤は、イソプロピルアルコール，メタノール，エタ
ノール，ブタノール，アセトン，エーテルまたはシクロ
ヘキサノールから選ばれた１の物質またはこれらの混合
液からなることを特徴とする。

【００１１】（作用）請求項１の薄膜構造体の製造方法
では、先ず、基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜層
が形成される。次に、基板または犠牲材がエッチング溶
液によりエッチングされ、薄膜と薄膜との間または薄膜
と基板との間に微小間隙が形成される。

【００１２】この後、エッチング溶液が洗浄溶液により
洗浄除去される。次に、微小間隙に存在する洗浄溶液が
乾燥する前に、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との
間の微小間隙に溶融状態の昇華性物質が付着される。

【００１３】そして、昇華性物質が凝固された後、その
まま昇華され所定の薄膜構造体が得られる。請求項２の
薄膜構造体の製造方法では、先ず、基板上に薄膜あるい
は犠牲材となる薄膜層が形成される。次に、基板または
犠牲材がエッチング溶液によりエッチングされ、薄膜と
薄膜との間または薄膜と基板との間に微小間隙が形成さ
れる。

【００１４】この後、エッチング溶液が洗浄溶液により
洗浄除去される。次に、微小間隙に存在する洗浄溶液が
乾燥する前に、洗浄溶液および昇華性物質になじみの良
好な前処理溶剤が洗浄溶液に置き換えて付着される。こ
の後、微小間隙に存在する前処理溶剤が乾燥する前に、
薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間の微小間隙に
溶融状態の昇華性物質が付着される。

【００１５】そして、昇華性物質が凝固された後、その
まま昇華され所定の薄膜構造体が得られる。請求項３の
薄膜構造体の製造方法では、昇華性物質の昇華が、大気
圧中で行われる。請求項４の薄膜構造体の製造方法で
は、昇華性物質の昇華が、常温（例えば、１０℃以上で
４０℃以下の温度）で行われる。

【００１６】請求項５の薄膜構造体の製造方法では、溶
融状態の昇華性物質の温度が、５０℃以上で２２０℃以
下とされる。請求項６の薄膜構造体の製造方法では、昇
華性物質に、融点の比較的低いナフタレンまたはパラジ
クロロベンゼンが使用される。請求項７の薄膜構造体の
製造方法では、前処理溶剤として、イソプロピルアルコ
ール，メタノール，エタノール，ブタノール，アセト
ン，エーテルまたはシクロヘキサノールから選ばれた１
の物質またはこれらの混合液が使用される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて詳細に説明する。図１は、本発明の薄膜構造体の
製造方法の第１の実施形態により製造されたフレキシブ
ルマイクログリッパー（Jpn.J.Appl.Phys.vol.33 pp210
7-2112 1994参照）を示している。

【００１８】このフレキシブルマイクログリッパーは、
シリコン（Ｓｉ）からなる支持体１１の両面から、窒化
シリコン膜からなる一対のフィンガー部１３，１５を突
出して形成されている。そして、一対のフィンガー部１
３，１５の間に微小間隙１７が形成されている。フィン
ガー部１３，１５には、金からなる薄膜コイル１９が形
成されている。

【００１９】薄膜コイル１９は、支持体１１の両面に形
成される金からなる電極２１に接続されている。フィン
ガー部１３，１５の先端には、保持突起２３が形成され
ている。上述したフレキシブルマイクログリッパーは、
本発明の薄膜構造体の製造方法の第１の実施形態により
以下述べるように製造される。

【００２０】先ず、図２の（ａ），（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板２５の両面の全体に、ＬＰＣＶＤ法に
より厚さ０．７μｍの窒化シリコン膜２７が成膜され
る。次に、この窒化シリコン膜２７が、フィンガー部１
３および支持体１１の形状が得られるようにパターニン
グされる。この後、金からなる薄膜コイル１９および電
極２１がリフトオフ法により形成される。

【００２１】次に、試料が水酸化カリウム（ＫＯＨ）水
溶液に浸漬され、シリコン基板２５の不要なシリコン部
がエッチングにより除去され、（ｃ）に示すような試料
が得られる。

【００２２】この後、試料が純水により洗浄され、水酸
化カリウム水溶液が除去されエッチングが停止される。
次に、純水が乾燥する前に、試料がイソプロピルアルコ
ールに浸漬され、一対のフィンガー部１３，１５の間の
微小間隙１７に存在する純水がイソプロピルアルコール
に置き換えられる。

【００２３】この後、イソプロピルアルコールから試料
が引き上げられ、乾燥する前に、溶融状態のナフタレン
溶液に浸漬される。なお、ナフタレン溶液は融点である
８０℃より若干高い温度まで加熱され溶融状態とされて
いる。次に、試料の細部までナフタレン溶液が付着した
ところで、試料が常温かつ大気圧の空気中に引き上げら
れナフタレンが迅速に凝固される。

【００２４】なお、ここで常温とは、例えば１０℃以上
で４０℃以下の通常室内雰囲気温度であり、大気圧とは
約１気圧の圧力をいう。この後、試料に付着しているナ
フタレンが常温かつ大気圧の空気中で昇華除去され、図
１に示したようなフレキシブルマイクログリッパーが製
造される。上述した工程を簡単にまとめると図３に示す
ようになる。

【００２５】上述した薄膜構造体の製造方法では、一対
のフィンガー部１３，１５の間の微小間隙１７に存在す
るイソプロピルアルコールが乾燥する前に、一対のフィ
ンガー部１３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着
し、付着したナフタレンをそのまま凝固，昇華するよう
にしたので、一対のフィンガー部１３，１５が密着する
ことを容易，確実に防止することができる。

【００２６】すなわち、従来のようにエッチング溶液中
で一対のフィンガー部１３，１５を形成した後に、洗浄
溶液によりエッチング溶液を除去し、このまま洗浄溶液
を乾燥すると、一対のフィンガー部１３，１５の間の微
小間隙１７に存在する洗浄溶液の表面張力により、乾燥
時に一対のフィンガー部１３，１５が密着するという問
題が発生するが、上述した製造方法では、一対のフィン
ガー部１３，１５の間に溶融状態のナフタレンを付着し
て洗浄溶液を除去し、付着したナフタレンをそのまま凝
固，昇華するようにしたので、一対のフィンガー部１
３，１５が密着することを容易，確実に防止することが
できる。

【００２７】そして、上述した薄膜構造体の製造方法で
は、エッチング溶液を純水により洗浄除去した後、一対
のフィンガー部１３，１５の間の微小間隙１７に存在す
る純水が乾燥する前に、純水を、純水および昇華性物質
になじみの良好なイソプロピルアルコールに置き換えて
付着させ、この後、微小間隙１７に存在するイソプロピ
ルアルコールが乾燥する前に、イソプロピルアルコール
に置き換えて溶融状態のナフタレンを付着するようにし
たので、ナフタレンを薄膜構造体の微小間隙１７に迅
速，確実に付着することができる。

【００２８】また、上述した薄膜構造体の製造方法で
は、ナフタレンの昇華を大気圧中で行うようにしたの
で、特別な圧力雰囲気を形成することなく、ナフタレン
を容易，確実に昇華することができる。さらに、上述し
た製造方法では、ナフタレンの昇華を、常温の室温で行
うようにしたので、特別な温度雰囲気を形成することな
く、ナフタレンを容易，確実に昇華することができる。

【００２９】また、上述した製造方法では、８０℃程度
の比較的低温度においてナフタレンを溶融するようにし
たので、ナフタレンを容易に溶融することができる。さ
らに、上述した薄膜構造体の製造方法では、昇華性物質
に、融点の比較的低いナフタレンを使用したので、一対
のフィンガー部１３，１５の間の微小間隙１７に溶融状
態の昇華性物質を容易，確実に付着することができる。

【００３０】図４は、本発明の薄膜構造体の製造方法の
第２の実施形態により製造された薄膜構造体を示してい
る。この薄膜構造体は、シリコン（Ｓｉ）からなる支持
体２９の一面に、多結晶シリコンからなる片持ち梁３１
および両持ち梁を突出して形成されている。

【００３１】そして、片持ち梁３１と支持体２９、およ
び両持ち梁３３と支持体２９との間に微小間隙３５，３
７が形成されている。上述した薄膜構造体は、本発明の
薄膜構造体の製造方法の第２の実施形態により以下述べ
るように製造される。先ず、図５の（ａ）に示すよう
に、シリコン基板３９の一面に、犠牲層４１となる酸化
シリコン膜が、スパッタリングにより成膜されパターニ
ングされる。

【００３２】次に、犠牲層４１の外側に、多結晶シリコ
ン膜４３がＣＶＤ法により成膜され、片持ち梁３１およ
び両持ち梁３３となる形状が得られるようにパターニン
グされる。この後、試料がフッ酸（ＨＦ）水溶液に浸漬
され、犠牲層４１がエッチングにより除去され、（ｃ）
に示すような試料が得られる。

【００３３】この後、試料が純水により洗浄され、フッ
酸水溶液が除去されエッチングが停止される。次に、試
料がイソプロピルアルコールに浸漬される。この後、イ
ソプロピルアルコールから試料が引き上げられ、乾燥す
る前に、溶融状態のナフタレン溶液に浸漬される。

【００３４】なお、ナフタレン溶液は融点である８０℃
より若干高い温度まで加熱され溶融状態とされている。
次に、試料の細部までナフタレン溶液が付着したところ
で、試料が常温かつ大気圧の空気中に引き上げられナフ
タレンが迅速に凝固される。この後、試料に付着してい
るナフタレンが常温かつ大気圧の空気中で昇華除去さ
れ、図４に示したような片持ち梁３１および両持ち梁３
３を有する薄膜構造体が製造される。

【００３５】上述した薄膜構造体の製造方法では、片持
ち梁３１と支持体２９との間の微小間隙３５に存在する
イソプロピルアルコールが乾燥する前に、片持ち梁３１
と支持体２９との間の微小間隙３５に溶融状態のナフタ
レンを付着し、付着したナフタレンをそのまま凝固，昇
華するようにしたので、片持ち梁３１と支持体２９とが
密着することを容易，確実に防止することができる。

【００３６】図６および図７は、本発明の薄膜構造体の
製造方法の第３の実施形態により製造されたマイクロ静
電モータを示している。このマイクロ静電モータでは、
シリコン（Ｓｉ）からなる円柱状の支持体４５の一面
に、窒化シリコン層４７が形成されている。なお、支持
体４５の形状は、円柱状に限定されるものではない。

【００３７】窒化シリコン層４７の中央には、軸受部４
９と軸受支持部５１とからなる軸受け５３が突出して形
成されている。軸受部４９と軸受支持部５１とは、多結
晶シリコンからなる。軸受部４９には、多結晶シリコン
からなるローター５５が回転可能に支持されている。

【００３８】そして、ローター５５と窒化シリコン層４
７との間に微小間隙５７が形成されている。ローター５
５の外側には、多結晶シリコンからなるステーター５９
が形成されている。ステーター５９の上面には、アルミ
電極６１が形成されている。

【００３９】上述したマイクロ静電モータは、本発明の
薄膜構造体の製造方法の第３の実施形態により以下述べ
るように製造される。先ず、図８の（ａ）に示すよう
に、シリコン基板６３の一面に、電気的アイソレーショ
ンを目的として窒化シリコン層４７が成膜される。

【００４０】次に、第１の犠牲層６５となる燐化シリコ
ンガラス（Phosphosilicate-Glass）が、ＬＰＣＶＤ法
により堆積されパターニングされる。次に、（ｂ）に示
すように、第１の犠牲層６５の外側に、多結晶シリコン
６７がＬＰＣＶＤ法により堆積され、回転子となるロー
ター５５、ローター５５の周囲を囲むステーター５９、
軸受支持部５１の形状が得られるようにパターニングさ
れる。

【００４１】この後、（ｃ）に示すように、第２の犠牲
層６９となる燐化シリコンガラスが、ＬＰＣＶＤ法によ
り堆積されパターニングされる。次に、（ｄ）に示すよ
うに、第２の犠牲層６９の外側に、多結晶シリコン７１
がＬＰＣＶＤ法により堆積され、軸受部４９の形状が得
られるようにパターニングされる。

【００４２】この後、試料がフッ酸水溶液に浸漬され、
燐化シリコンガラスからなる第１および第２の犠牲層６
５，６９がエッチングにより除去され、（ｅ）に示すよ
うな試料が得られる。この後、試料が純水により洗浄さ
れ、フッ酸水溶液が除去されエッチングが停止される。

【００４３】次に、試料がイソプロピルアルコールに浸
漬される。この後、イソプロピルアルコールから試料が
引き上げられ、乾燥する前に、溶融状態のナフタレン溶
液に浸漬される。なお、ナフタレン溶液は融点である８
０℃より若干高い温度まで加熱され溶融状態とされてい
る。

【００４４】次に、試料の細部までナフタレン溶液が付
着したところで、試料が常温かつ大気圧の空気中に引き
上げられナフタレンが迅速に凝固される。この後、試料
に付着しているナフタレンが常温かつ大気圧の空気中で
昇華除去され、図６に示したようなマイクロ静電モータ
が製造される。

【００４５】上述した薄膜構造体の製造方法では、ロー
ター５５と窒化シリコン層４７との間の微小間隙５７に
存在するイソプロピルアルコールが乾燥する前に、ロー
ター５５と窒化シリコン層４７との間の微小間隙５７に
溶融状態のナフタレンを付着し、付着したナフタレンを
そのまま凝固，昇華するようにしたので、ローター５５
と窒化シリコン層４７とが密着することを容易，確実に
防止することができる。

【００４６】なお、以上述べた実施形態では、昇華性物
質にナフタレンを用いた例について説明したが、本発明
はかかる実施形態に限定されるものではなく、昇華性物
質には、例えば、次表に示すような物質を使用すること
ができる。

【表１】 これ等の昇華性物質のうちナフタレンおよびパラジクロ
ロベンゼンは、融点が比較的低いため、扱いが容易であ
り、また微小間隙１７，３５，５７への付着性も良好で
ある。

【００４７】また、以上述べた実施形態では、前処理溶
剤に、純水および昇華性物質になじみの良好なイソプロ
ピルアルコールを用いた例について説明したが、本発明
はかかる実施形態に限定されるものではなく、例えば、
純水および昇華性物質になじみの良好な、メタノール，
エタノール，ブタノール，アセトン，エーテルまたはシ
クロヘキサノールから選ばれた１の物質またはこれらの
混合液を使用しても良い。

【００４８】さらに、以上述べた実施形態では、洗浄溶
液に純水を用いた例について説明したが、本発明はかか
る実施形態に限定されるものではなく、例えば、界面活
性剤あるいはアルコールを含む水溶液、またはアルコー
ルを使用しても良い。そして、洗浄溶液に、イソプロピ
ルアルコール等のアルコールを使用する場合には、アル
コールが洗浄溶液と前処理溶剤とを兼ねるため、別途前
処理溶剤を使用することなく直接昇華性物質を付着する
ことができる。

【００４９】

【発明の効果】以上述べたように、請求項１の薄膜構造
体の製造方法では、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板
との間の微小間隙に存在する洗浄溶液が乾燥する前に、
微小間隙に溶融状態の昇華性物質を付着し、付着した昇
華性物質をそのまま凝固，昇華するようにしたので、薄
膜と基板あるいは薄膜と薄膜とが密着することを容易，
確実に防止することができる。

【００５０】請求項２の薄膜構造体の製造方法において
も請求項１と同様の効果を得ることができるが、請求項
２の薄膜構造体の製造方法では、エッチング溶液を洗浄
溶液により洗浄除去した後、薄膜と薄膜との間または薄
膜と基板との間の微小間隙に存在する洗浄溶液が乾燥す
る前に、洗浄溶液および昇華性物質になじみの良好な前
処理溶剤を洗浄溶液に置き換えて付着させ、この後、微
小間隙に存在する前処理溶剤が乾燥する前に、前処理溶
剤に置き換えて溶融状態の昇華性物質を付着するように
したので、昇華性物質を薄膜構造体の微小間隙に迅速，
確実に付着することができる。

【００５１】請求項３の薄膜構造体の製造方法では、昇
華性物質の昇華を大気圧中で行うようにしたので、特別
な圧力雰囲気を形成することなく、昇華性物質を容易，
確実に昇華することができる。請求項４の薄膜構造体の
製造方法では、昇華性物質の昇華を、常温で行うように
したので、特別な温度雰囲気を形成することなく、昇華
性物質を容易，確実に昇華することができる。

【００５２】請求項５の薄膜構造体の製造方法では、溶
融状態の昇華性物質の温度を、５０℃以上で２２０℃以
下にしたので、比較的低温度において、昇華性物質を容
易，確実に溶融することができる。請求項６の薄膜構造
体の製造方法では、昇華性物質に、融点の比較的低いナ
フタレンまたはパラジクロロベンゼンを使用するように
したので、薄膜と基板との間に溶融状態の昇華性物質を
容易，確実に付着することができる。

【００５３】請求項７の薄膜構造体の製造方法では、前
処理溶剤に、イソプロピルアルコール，メタノール，エ
タノール，ブタノール，アセトン，エーテルまたはシク
ロヘキサノールから選ばれた１の物質またはこれらの混
合液を使用するようにしたので、純水等の洗浄溶液と前
処理溶剤との置換、および、前処理溶剤と昇華性物質と
の置換を迅速，確実に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜構造体の製造方法の第１の実施形
態により製造されたフレキシブルマイクログリッパーを
示す斜視図である。

【図２】図１のフレキシブルマイクログリッパーの製造
方法を示す説明図である。

【図３】図１のフレキシブルマイクログリッパーの製造
工程を簡単に示す工程図である。

【図４】本発明の薄膜構造体の製造方法の第２の実施形
態により製造された片持ち梁と両持ち梁を有する薄膜構
造体を示す斜視図である。

【図５】図４のフレキシブルマイクログリッパーの製造
方法を示す説明図である。

【図６】本発明の薄膜構造体の製造方法の第３の実施形
態により製造されたマイクロ静電モータを示す斜視図で
ある。

【図７】図６の−線に沿う断面図である。

【図８】図６のマイクロ静電モータの製造方法を示す説
明図である。

【符号の説明】

１１，２９ 支持体 １３，１５ フィンガー部 １７，３５，５７ 微小間隙 ３１ 片持ち梁 ４１ 犠牲層 ４７ 窒化シリコン層 ５５ ローター ６５ 第１の犠牲層 ６９ 第２の犠牲層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜
   層を形成する工程と、 前記基板または犠牲材をエッチング溶液によりエッチン
   グし、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に微小
   間隙を形成する工程と、 前記エッチング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程
   と、 前記微小間隙に存在する前記洗浄溶液が乾燥する前に前
   記薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状態
   の昇華性物質を付着させる工程と、 前記昇華性物質を凝固させる工程と、 前記昇華性物質を昇華させる工程と、を有することを特
   徴とする薄膜構造体の製造方法。
2. 【請求項２】 基板上に薄膜あるいは犠牲材となる薄膜
   層を形成する工程と、 前記基板または犠牲材をエッチング溶液によりエッチン
   グし、薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に微小
   間隙を形成する工程と、 前記エッチング溶液を洗浄溶液により洗浄除去する工程
   と、 前記洗浄溶液が乾燥する前に前記洗浄溶液および昇華性
   物質になじみの良好な前処理溶剤を付着する工程と、 前記微小間隙に存在する前記前処理溶剤が乾燥する前に
   前記薄膜と薄膜との間または薄膜と基板との間に溶融状
   態の昇華性物質を付着させる工程と、 前記昇華性物質を凝固させる工程と、 前記昇華性物質を昇華させる工程と、を有することを特
   徴とする薄膜構造体の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の薄膜構造体の製
   造方法において、 前記昇華性物質の昇華を、大気圧中で行うことを特徴と
   する薄膜構造体の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の薄膜構造体の製造方法に
   おいて、 前記昇華性物質の昇華を、常温で行うことを特徴とする
   薄膜構造体の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項記載の
   薄膜構造体の製造方法において、 前記溶融状態の昇華性物質の温度が、５０℃以上で２２
   ０℃以下であることを特徴とする薄膜構造体の製造方
   法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項記載の
   薄膜構造体の製造方法において、 前記昇華性物質は、ナフタレンまたはパラジクロロベン
   ゼンからなることを特徴とする薄膜構造体の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項記載の
   薄膜構造体の製造方法において、 前記前処理溶剤は、イソプロピルアルコール，メタノー
   ル，エタノール，ブタノール，アセトン，エーテルまた
   はシクロヘキサノールから選ばれた１の物質またはこれ
   らの混合液からなることを特徴とする薄膜構造体の製造
   方法。